The acoustic isolation transformer (200) is operable to develop an isolated output signal (V_TRAN) in response to an input signal (V_MOD).例文帳に追加

音響絶縁変成器(200)は、入力信号(Ｖ_ＭＯＤ)に応答して絶縁出力信号(Ｖ_ＴＲＡＮ)を生じるように動作可能である。 - 特許庁

The piezoelectric vibrator 11 of the vibration gyro 1 vibrates based on a drive voltage V_drv inputted to an electrode Ea for drive, and a detection voltage V_agc is generated by a potential difference according to deformation of electrodes Ed1, Ed2 for detection by deformation generated by coriolis force.例文帳に追加

振動ジャイロ１の圧電振動子１１は、駆動用電極Ｅａに入力されるドライブ電圧V_drvに基づいて振動し、コリオリ力によって生じる変形により、検出用電Ｅｄ１，Ｅｄ２それぞれに変形に応じた電位差で検出電圧V_agcが生じる。 - 特許庁

The v(r) has a speed gradient in r-direction, causing a pressure difference in the r-direction based on Bernoulli's theorem.例文帳に追加

ｖ（ｒ）は、ｒ方向に速度勾配を有し、ベルヌーイの定理からｒ方向に圧力差を生じる。 - 特許庁

The thermoelectric element module 11 generates an electromotive force V by converting heat 101 obtained from the outside to electricity.例文帳に追加

熱電素子モジュール１は、外部から得た熱１０１を電気に変換して起電力Ｖを生じる。 - 特許庁

On the upper layer part and its neighboring layer part, a V_DD layer and a V_SS layer are arranged, and a parasitic capacitance is produced by capacitive coupling between the conductive layers CL1, CL2 and the V_DD layer, between the conductive layers CL1, CL2 and the V_SS layer, and between the conductive layers CL1, CL2.例文帳に追加

当該上層部分やその隣接層部分にはＶ_DD層及びＶ_SS層が配置されており、導電層ＣＬ１，ＣＬ２とＶ_DD層及びＶ_SS層との間、及び導電層ＣＬ１，ＣＬ２同士で容量結合して寄生容量が生じる。 - 特許庁

When the voltage of a drain line DSL falls from V_cc to V_ss or rises from V_ssto V_cc, the V_th is corrected avoiding periods (S1, S2) wherein the voltage of a ground line GND fluctuates because of coupling through parasitic capacitance C_α generated between the ground line GND and drain line DSL.例文帳に追加

ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃからＶ_ｓｓに下がったり、Ｖ_ｓｓからＶ_ｃｃに上がったりしたときに、グラウンド線ＧＮＤとドレイン線ＤＳＬとの間に生じる寄生容量Ｃ_αを介したカップリングによってグラウンド線ＧＮＤの電圧が揺れている期間（Ｓ１，Ｓ２）を避けて、Ｖｔｈ補正を行う。 - 特許庁

The velocity V_n of the vehicle 1 is calculated from speed pulses, generated by rotations of an axle 3 rotating a wheel 5.例文帳に追加

車輪５を回転させる車軸３の回転によって生じる速度パルスから車両１の速度Ｖ_nを算出する。 - 特許庁

To provide a V shape reciprocating internal combustion engine capable of reducing noise and vibration generated due to action difference of pistons in each bank.例文帳に追加

バンクごとのピストンの挙動差によって生じる騒音、振動を低減することが可能なＶ型往復動内燃機関を提供する。 - 特許庁

When sagging occurs in the wire 1a, the detected tension value V_t is lowered and the supply-side motor 21 is reversed.例文帳に追加

ワイヤ１ａのたるみが生じると、検出張力値Ｖt が低下し、供給側電動機２１が逆転する。 - 特許庁

The resistor 24 has its resistance value set so that a voltage drop of 0.7 V is generated, when a specific current flows to the conversion parts 30-1 to 30-n.例文帳に追加

抵抗器２４は、変換部３０-1〜３０-nに所定の電流が流れたときに、０．７Ｖの電圧降下を生じるような抵抗値に設定されている。 - 特許庁

To reduce an amount of leakage occurring between a compression chamber P or an intake chamber V and spring holes 38 and 48.例文帳に追加

圧縮室Ｐ又は吸気室Ｖとバネ孔３８，４８との間で生じるリーク量を低減させる。 - 特許庁

To prevent distortion and damage of a V-belt caused by the fitting inferiority of the belt cog ridge parts 20 of a vulcanized part and mold cog trough parts 22 when a V-belt molded object 1 is successively fed to be vulcanized by a vulcanizing press machine.例文帳に追加

Ｖ型ベルト成形体１を加硫プレス機により順送りにより加硫する際に、加硫済み部分のベルトコグ山部２０と金型コグ谷部２２との嵌合不良による歪み、傷を生じることを防止する。 - 特許庁

Since the temperature coefficient of the V_F characteristic of SiC becomes positive, even when the current concentration to either one of the Schottky barrier diodes 11a-11d is generated, such a change as current balancing occurs by virtue of this V_F characteristic.例文帳に追加

ＳｉＣのＶ_Ｆ特性は、温度に対して正となるので、ショットキバリアダイオード１１ａ〜１１ｄのいずれかに電流が集中した場合でも、このＶ_Ｆ特性から電流が均衡するような変化が生じる。 - 特許庁

When relative rotation between the V-gear 18 and a spool 14 occurs, the guide pin 16h moves from the first hole portion 60 to the second hole portion 62, and in this process, the V-gear 18 is thrust by the guide pin 16h and reversed for unlocking operation.例文帳に追加

Ｖギヤ１８とスプール１４との間に相対回転が生じると、ガイドピン１６ｈは第１孔部６０から第２孔部６２へ至り、この過程でＶギヤ１８がガイドピン１６ｈに押圧されて反転し、ロック解除となる。 - 特許庁

Further, when the feeder voltage V is above the reference charge voltage V_C(t)*, the control device controls the power converter 52 so that the power regenerative energy generated when applying the brake of an electric railroad vehicle is absorbed by the discharge power to the power storage medium 51.例文帳に追加

また、き電線電圧Ｖが基準充電電圧V_C(t)*を上回ったときには、電力貯蔵媒体５１への放電電力により電車のブレーキ時に生じる電力回生エネルギーを吸収するように電力変換器５２を制御する。 - 特許庁

The A/V server 1 stores, in the RAM 53, an amount of delay generated when a VTR is reproduced or an amount of delay generated when an internal file is reproduced.例文帳に追加

Ａ／Ｖサーバ１は、ＶＴＲを再生する際に生じるディレイ量又は内部ファイルを再生する際に生じるディレイ量をＲＡＭ５３に記憶しておく。 - 特許庁

Thus, the thermal expansion of the housing components 12a, 12b to be caused by high temperature exhaust gas and the deformation of a cylinder head of a V-engine can be corrected, and distortion to be caused between both components be reduced.例文帳に追加

これにより、高温排気ガスによって生じるハウジング部品１２ａ，１２ｂの熱膨張と、Ｖ型エンジンにおけるシリンダヘッドの変形と、を補正するとともに、両部品の間に生じる歪みを減少させることが可能である。 - 特許庁

To prevent the formation of a V notch caused by reduction in the internal pressure of a main body of an expansion weir made of a flexible film on a dike side and to cause it to be formed in the central part of the main body of the expansion weir made of the flexible film.例文帳に追加

可撓膜製膨張堰本体の内圧の減少によって生じるＶノッチが、堤防側に発生することを防止し、むしろ可撓膜製膨張堰本体の中央部に生じるようにする。 - 特許庁

To prevent the formation of V a notch caused by reduction in the internal pressure of a main body of an expansion weir made of a flexible film on a dike side and to cause it to be formed in the central part of the main body of the expansion weir made of the flexible film.例文帳に追加

可撓膜製膨張堰本体の内圧の減少によって生じるＶノッチが、堤防側に発生することを防止し、むしろ可撓膜製膨張堰本体の中央部に生じるようにする。 - 特許庁

A nonaqueous electrolyte comprising a solution including a nonaqueous solvent and an electrolyte salt includes: a pyrogenic substance electrochemically causing an exothermic reaction at 4.3 V or more based on lithium metal; and a polymer type overcharge suppression material performing electrolytic polymerization at 4.3-5.5 V based on lithium metal.例文帳に追加

非水溶媒と電解質塩とを含む溶液であって、リチウム金属基準で４．３Ｖ以上で電気化学的に発熱反応を生じる発熱物質と、リチウム金属基準で４．３〜５．５Ｖで電解重合するポリマー型過充電抑制材とを含む非水電解液を用いる。 - 特許庁

Meanwhile, if an insulation is damaged such as insulation coating exfoliation to cause a short circuit between the temperature sensor and the material, the temperature sensor is built in the current circuit to cause prescribed stable potential differences V_TEA and V_TEB between the temperature sensor and the electrodes (Fig.(b)).例文帳に追加

一方、絶縁被覆が剥がれる等の絶縁の破損が生じて温度センサと原料との短絡が起きると、温度センサが前記電流回路に組み込まれ、その温度センサと電極との間に所定の安定電位差Ｖ_ＴＥＡ、Ｖ_ＴＥＢが生じる（図（ｂ））。 - 特許庁

In this case, a generator voltage command value V^* is corrected to calculate the generator voltage command value V^** based on a control state (pulse signal Pulse or field current If) of the synchronous generator G, thereby preventing variation of the generator voltage generated by a pulsed stream component contained in the voltage feedback value Vf.例文帳に追加

このとき、同期発電機Ｇの制御状態（パルス信号Ｐｕｌｓｅ又は界磁電流Ｉｆ）に基づいて発電機電圧指令値Ｖ^*を補正して発電機電圧指令値Ｖ^**を算出することで、電圧帰還値Ｖｆが含有する脈流成分によって生じる発電機電圧の変動を防止する。 - 特許庁

The current collecting electrode 27 for photocatalyst is brought into contact with the photocatalytic body causing the photoelectrochemical reaction by a photocatalytic action to be provided in a state that the index E (V) of dropped voltage prescribed by formula: (ρi/d)r is ≤0.2 V.例文帳に追加

光触媒用集電電極２７は、光触媒作用により光電気化学反応が生じる光触媒体に接触して、式：（ρｉ／ｄ）ｒによって規定される降下電圧の指標Ｅ（Ｖ）が０．２Ｖ以下とされる状態に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

A skew amount SL_2, which is generated during main scanning of one line when the oscillating mirror is used by MEMS as optical deflection means, is equal to a value obtained by multiplying velocity V_sc in a vertical scanning direction, one line scanning time V_ln, and the effective scanning period ratio R_es together.例文帳に追加

光偏向手段としてＭＥＭＳによる振動ミラーを用いた場合の、主走査１ライン中に生じるスキュー量ＳＬ_2は、副走査方向の速度Ｖ_scと、１ラインの走査時間Ｖ_lnと、有効走査期間率Ｒ_esとを乗じた値となる。 - 特許庁

To suppress occurrence of peeling-off between a semiconductor layer made of In-free III-V compound semiconductor and a substrate, in a structure in which the semiconductor layer made of In-free III-V compound semiconductor is joined to a Si surface of the substrate.例文帳に追加

Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。 - 特許庁

In the inequality, QV expresses a mol number of V5+ ion in positive-pole electrolysis liquid, TP expresses the time until the deposited thing is generated from positive-pole electrolysis liquid, F expresses Faraday constant, and ISD expresses a self- discharging current produced from the structural face of the battery concerned.例文帳に追加

Ｉ_SD×Ｔ_P／Ｆ＞ Ｑ_V （上式において、Ｑ_Vは、正極電解液中のＶ^5+イオンのモル数を表わし、Ｔ_Pは、正極電解液から析出物が発生するまでの時間を表わし、Ｆは、ファラデー定数を表し、Ｉ_SDは、当該電池の構造面から生じる自己放電電流を表わす。） - 特許庁

With a power supply voltage V_DD supplied from a power supply circuit 11 to loads A, B, C through each of resistors R_1, R_2, R_3, an overcurrent flows from the power supply circuit 11 into the load C through the resistors R_1, R_2, R_3, if a short circuit occurs to the load C.例文帳に追加

電源回路１１から各抵抗Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３を通じて負荷Ａ、Ｂ、Ｃに対し、電源電圧V_DDが給電されている状態で、負荷Ｃに短絡が生じると、電源回路１１から抵抗Ｒ_１、抵抗Ｒ_２、及び抵抗Ｒ_３を通じて負荷Ｃに過電流が流れる。 - 特許庁

A length L and a diameter d of an ink supply tube 23 are set to satisfy (2500×d^2)/L>V in the case where an ink flow velocity in the ink supply tube 23 generated by the discharge of a predetermined amount of a predetermined-viscosity ink from the recording head 4 is V.例文帳に追加

インク供給管２３の長さＬ及び径ｄは、記録ヘッド４から所定の粘度のインクを所定量吐出させることにより生じるインク供給管２３内のインクの流速がＶである場合に、（２５００×ｄ^２）／Ｌ＞Ｖとなるように構成される。 - 特許庁

The vanadium recovery device includes: a rotary furnace 3 receiving vanadium V-containing burnt ash As produced by the burning of petroleum based fuel; a vaporizing means 17 heating the burnt ash As in the rotary furnace 3; a vanadium discharge part 19 discharging the gaseous vanadium V in the rotary furnace 3; and a precipitation tank 5 recovering the vanadium V made to flow out from the vanadium discharge part 19.例文帳に追加

石油系燃料の燃焼によって生じるバナジウムＶ含有の焼却灰Ａｓを受け入れる回転炉３と、回転炉３内の焼却灰Ａｓを加熱する気化手段１７と、回転炉３内の気体状のバナジウムＶを排出するバナジウム排出部１９と、バナジウム排出部１９から流出したバナジウムＶを回収する沈殿槽５と、を備える。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor electrode layer includes: preparing a coating liquid by adding, to metal oxide semiconductor fine particles 2, a first compound yielding titanium oxide on hydrolysis, and a second compound consisting of a niobium (V) compound yielding oxide or hydroxide on hydrolysis, or phosphoric acid or phosphoric ester; and putting a layer of the coating liquid on a support member 5 followed by low temperature calcination.例文帳に追加

金属酸化物半導体微粒子２に、加水分解して酸化チタンを生じる第１の化合物と、加水分解すると酸化物あるいは水酸化物を生じるニオブ(Ｖ)化合物、もしくはリン酸あるいはリン酸エステルのいずれかである第２の化合物とを加えた塗液を形成する。 - 特許庁

When both the road imaging length d and the frame rate r are constant, the section which is not imaged is generated on the road if the vehicle speed V becomes fast.例文帳に追加

その道路撮像長さｄおよびフレームレートｒがともに一定である場合、車速Ｖが速くなると道路に撮像されない区間が生じる。 - 特許庁

By feeding the inclined band gap layer 24, formation of a Schottky barrier generated when the electrode layer 23 is directly formed on the III-V group semiconductor layer 22 can be prevented.例文帳に追加

傾斜バンドギャップ層（２４）を供給することにより、電極層（２３）がＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）上に直接形成された場合に生じるショットキー障壁の形成を防ぐ。 - 特許庁

By this, the AC component weighted to the drive voltage V causes a torque variation of the motor M which becomes vibration, and thus the operation sound of the same frequency is generated by relatively being emphasized more than others.例文帳に追加

これにより、駆動電圧Ｖに加重された交流成分がモータＭのトルク変動となり、これが振動となって、同周波数の作動音が他より相対的に強調されて生じるようになる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a group III-V compound semiconductor photo diode which can control the depth of a p-type diffusion region with high precision and does not generate roughness on a semiconductor light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型拡散領域の深さを高い精度で制御することができかつ半導体受光表面の荒れを生じることのないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体フォトダイオードの作製方法を提供する。 - 特許庁

To suppress defects by suppressing a crack due to a thermal expansion coefficient difference and lattice constant difference of a growing III-V compound semiconductor layer and a substrate crystal.例文帳に追加

成長するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と基板結晶の熱膨張係数差、および格子定数差によって生じるクラックを抑え、欠陥の導入を抑制する。 - 特許庁

By cutting the band B into a V-shape by this cutter device 14, the band B is prevented from clogging when the band B is delivered into the band guide 3.例文帳に追加

そのカッタ装置１４によってバンドＢをＶ形に切断するようにして、バンド誘導ガイド３内に対するバンドＢの送り込み時に詰まりが生じるのを防止する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which can divide a V-cut groove easily without using a fixture for dividing the groove, and does not cause a bend and a twist when dividing the groove.例文帳に追加

分割のための治具を用いることなく容易にＶカット溝を分割することができ、また分割に際してたわみやひねりを生じることがないプリント基板を提供する。 - 特許庁

The lateral offset (V) is dimensioned so as to compensate mutually intensity modulations (30a, 30b, 30c) caused by the diffraction of the plurality of bundles (20a, 20b, 20c) of rays at the periodic lens arrangement (10).例文帳に追加

横方向オフセット（Ｖ）はアレンジメント（１０）の複数の光線束（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）の回折によって生じる強度変調（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）を相互補償するような寸法にされる。 - 特許庁

When an open or short-circuiting condition is generated in the sensor input, the off-set voltage V_os is increased to keep the bias current level.例文帳に追加

開または短絡入力状態がセンサ入力において生じると、オフセット電圧Ｖ_OSは、バイアス電流レベルを維持するように上昇することになる。 - 特許庁

For a linear defect (V line defect) generated on an image due to defect on the vertical CCD of an imaging element (CCD), the imaging apparatus can detect an offset component equivalent to the defect level to perform correction.例文帳に追加

撮像装置では、撮像素子(ＣＣＤ)の垂直ＣＣＤ上の欠陥に起因して画像上で生じるライン性の傷(Ｖライン傷)に対して、例えば傷レベルに相当するオフセット成分を検出して補正を行える。 - 特許庁

When the liquid crystals 4 expand at a high temp., the liquid crystals 4 flow from the inside of the display region V into the auxiliary liquid crystal region 17, thereby preventing the occurrence of cell gap unevenness.例文帳に追加

高温時に液晶４が膨張するとき、その液晶４が表示領域Ｖ内から補助液晶領域１７内へと流れ込み、セルギャップバラツキが生じることを防止する。 - 特許庁

The system which delivers a VC session task over components decreases any bottleneck effect generated from rooting a A/V signal by sending the VC session using a signal center controling pont.例文帳に追加

コンポーネントにわたってＶＣセッションタスクを配送するこのシステムは、単一の中央制御ポイントを用いてＶＣセッションを向けてＡ／Ｖ信号をルーティングすることから生じる任意のボトルネック効果を低減する。 - 特許庁

To provide a belt transmission device constituted by combining a V belt 5 for transmitting high load with pulleys 2, 4 and capable of reducing noise generated by running of a belt while ensuring durability of the pulleys 2, 4.例文帳に追加

高負荷伝動用Ｖベルト５とプーリ２，４とが組み合わされてなるベルト伝動装置において、該プーリ２，４の耐久性を確保しつつ、ベルト走行によって生じる騒音を低減する。 - 特許庁

A drive power source line from the satellite battery 10 generating voltage drop due to supply time is made a drive power source of high voltage of +28 V to be allowance, for instance, till the drive power source line is lowered to non-operating voltage of the relay KO.例文帳に追加

更に、供給時間により電圧降下が生じる衛星バッテリー１０よりのドライブ電源ラインをリレーの不感動電圧に下がるまで余裕がある例えば＋２８Ｖの高電圧のドライブ電源とする。 - 特許庁