P-Seとは 意味・読み方・使い方

The perpendicular magnetic recording medium contains magnetic crystal particles and a base material surrounding the magnetic crystal particles, and the base material contains an element selected from Zn, Cd, Al, Ga and In, and a component selected from P, As, Sb, S, Se, and Te.例文帳に追加

磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎから選択される元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅから選択される成分を含有する。 - 特許庁

The organic compound contains a hetero five-membered ring having at least one of an element selected from the group consisting of B, Si, P, Ge, As, Se, Sb, Te, Bi and Po in the ring and a hole transporting structure.例文帳に追加

本発明に係る有機化合物は、Ｂ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂｉ、及びＰｏよりなる群から選択される元素を環内に少なくとも１つ有するヘテロ五員環と、正孔輸送性構造とを含有する。 - 特許庁

To provide an ICP emission spectroscopic analyzer capable of very accurate analysis of nonmetallic elements such as S, P, As, Se and Sb as well as metallic elements such as Fe, Mn, Cu, Ni and Cr contained in a metal.例文帳に追加

金属中に含まれるＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属元素は勿論のこと、Ｓ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂなどの非金属元素についても精度よく分析することができるＩＣＰ発光分光分析装置を提供すること。 - 特許庁

A reflection prism 5 having a reflective surface inclusive of the point P is rotated around the point P by a motor and is located to a position where the incident optical axis S_0 of the rear stage illuminating optical system aligns to any of the selected axis of the exit optical axes Sa to Se.例文帳に追加

点Ｐを含む反射面を有する反射プリズム５が、点Ｐの回りにモータにより回転され、後段照明光学系の入射光軸Ｓ_０が、射出光軸Ｓａ〜Ｓｅの選択されたいずれかと一致する位置に、位置決めされる。 - 特許庁

And data is converted to serial data by parallel-serial conversion circuits P-Se and P-So and successively outputted synchronizing with rise and fall of a basic clock CLK by a multiplexer MUX, and applied to a NMOS transistor NTR of an open drain output circuit.例文帳に追加

そして、パラレル−シリアル変換回路Ｐ−Ｓｅ及びＰ−Ｓｏでシリアルデータに変換してマルチプレクサＭＵＸで基本クロックＣＬＫの立上りと立下りに同期して順次出力し、オープンドレイン出力回路のＮＭＯＳトランジスタＮＴＲに印加する。 - 特許庁

The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。 - 特許庁

When a detection sensor SC does not detect a rear end of the sheet P after a detection sensor SE detects a rear end of the sheet P and prescribed time passes, control means 20 switches the switching member 18 to be on a recovery position D based on a jam signal from the detection sensor SC in order to recover a following sheet P by the sheet recovery member 17.例文帳に追加

検知センサＳＥがシートＰの後端を検知した後、所定時間が経過しても検知センサＳＣがシートＰの後端を検知しないとき、検知センサＳＣからのジャム信号に基づき、制御手段２０は、切り替え部材１８を回収位置Ｄに切り換えて、後続のシートＰをシート回収部材１７に回収させる。 - 特許庁

The growing step includes a first supplying step of supplying Be for use as a p-type impurity to the p-type semiconductor layer 11 and a second supply step of supplying at least one kind of group VI element out of S, Se, and Te having the amount smaller than that of Be supplied in the first supplying step to the p-type semiconductor layer 11.例文帳に追加

成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。 - 特許庁