da pとは 意味・読み方・使い方

When an ON/OFF command signal DRVON-P is an H level, a data terminal DA of an output side of a CMOS inverter 42 comprising a PMOS 43 and an NMOS 44 becomes an L level.例文帳に追加

オン／オフ指令信号ＤＲＶＯＮ−ＰがＨレベルの場合、ＰＭＯＳ４３及びＮＭＯＳ４４からなるＣＭＯＳインバータ４２の出力側のデータ端子ＤＡがＬレベルとなる。 - 特許庁

The liquid composition comprises a first diacrylate I represented by formula I, (wherein, m and n are integers; k=0-2; and the molecular weight is in the range of 1000-4000 Da) and a second diacrylate II represented by formula II, (wherein, p=2-6).例文帳に追加

１番目のジアクリレートＩ［ここで、ｍおよびｎは整数であり、ｋ＝０−２であり、そして分子量は１０００−４０００Ｄａの範囲内である］および２番目のジアクリレートＩＩ［ここで、ｐ＝２−６］を含んで成る液状組成物。 - 特許庁

A circuit comprises N type transistors Q1 and Q2 as input means, P type transistors Q3 and Q4 constituting an active load, a constant-current source IO, and a voltage difference detecting means DA.例文帳に追加

入力手段となるＮ型トランジスタＱ１およびＱ２、能動負荷を構成するＰ型トランジスタＱ３およびＱ４、定電流源Ｉ０、電圧差検出手段ＤＡから構成されている。 - 特許庁

The differential amplification circuit is composed of: N type transistors Q1 and Q2 which are input means, P type transistors Q3 and Q4 composing active load, a constant current source I0, and voltage differential detection means DA.例文帳に追加

入力手段となるＮ型トランジスタＱ１およびＱ２、能動負荷を構成するＰ型トランジスタＱ３およびＱ４、定電流源Ｉ０、電圧差検出手段ＤＡから構成されている。 - 特許庁

The diffused laser beam P is emitted to a measuring target from laser beam sources 11 and 13a, a light detection element array DA comprising a plurality of light detection elements is arranged in the irradiation surface of the laser beam P and the absorbance of the laser beam P in the measuring target is measured, on the basis of the intensity signals outputted from the respective light detection elements.例文帳に追加

レーザ源１１、１３ａから測定対象物に向けて拡散させたレーザ光Ｐを出射し、当該レーザ光の照射面内に複数の光検出素子からなる光検出素子アレイＤＡを配置し、各光検出素子から出力される強度信号に基づいて測定対象物におけるレーザ光Ｐの吸光度を計測する。 - 特許庁

A center hole buffer area Bi is formed outside a center hole sagging forming area Ai where the sagging DA of the center hole 11G of a master substrate 11 is formed, a recessed/projected pattern P is formed outside the center hole buffer area Bi, and only a stable area is used without using an area where magnetic transfer near the sagging part of the center hole 11G becomes unstable.例文帳に追加

マスター基板１１の中心孔１１ＧのダレＤＡが形成される中心孔ダレ形成領域Ａｉの外側に中心孔バッファー領域Ｂｉを設け、中心孔バッファー領域Ｂｉの外側に凹凸パターンＰを形成するようにし、中心孔１１Ｇのダレ部近傍の磁気転写が不安定になる領域を使用せず、安定領域のみを使用するようにした。 - 特許庁

At least one out of the lines between an AC power input terminal IN and an output terminal OUT to high voltage equipment is set to parallel branch lines (a) and (b), and an externally mounted device is composed by connecting the series connection body between diodes da and db and P-N junction elements ta and tb to both branch circuits, thus facilitating the utilization by a general user.例文帳に追加

交流電力入力端子ＩＮと電磁機器への出力端子ＯＵＴとの間のラインの少なくとも１本のラインを、並列分岐ラインａ、ｂとし、両分岐回路にダイオードｄａ、ｄｂとＰＮ接合素子ｔａ、ｔｂとの直列接続体を接続してなる外付け装置を構成して、一般ユーザー段階での利用を容易化した。 - 特許庁