「"diffraction pattern"」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The negative electrode active material contains Si and O wherein the atomic ratio x of O to Si is expressed as 0<x<2, and wherein B<3° (2θ) where B represents the half width of the diffraction peak of the (220) plane of Si in the X-ray diffraction pattern measured using CuKα radiation.例文帳に追加

ＳｉとＯとを含み、Ｓｉに対するＯの原子比ｘが０＜ｘ＜２で表され、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折パターンにおいて、Ｓｉ（２２０）面回折ピークの半値幅をＢとするとき、Ｂ＜３°（２θ）である負極活物質を用いることを特徴とする。 - 特許庁

As for particularly a dihydrochloride hydrate of the compound, a pharmaceutical comprising the crystal exhibiting main peaks at spacings of 17, 7.1, 4.9, 4.3, 3.9 and 3.5 Å in a powder X-ray diffraction pattern obtained by exposure to Kα radiation of copper as the active ingredient is preferable.例文帳に追加

特に、該化合物の二塩酸塩水和物では、銅のＫα線の照射で得られる粉末Ｘ線回折図において、面間隔が１７、７．１、４．９、４．３、３．９、および、３．５オングストロームに主要なピークを示す結晶を有効成分として含有する医薬が好ましい。 - 特許庁

The active substance for a nonaqueous electrolyte battery is a dioxide metal oxide M1 selected from among Ti, Mo, and W, added by M2 selected from among Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, and Zn, and half-value width at the peak of maximum strength in an X-ray diffraction pattern is 1 degree or larger and 4 degrees or smaller.例文帳に追加

本発明の非水電解質電池用活物質は、Cr, Fe, Ni, Cu, Zr, Ge, Sn, Znから選ばれるM2が添加された、Ti, Mo, Wから選ばれるM1の二酸化金属酸化物であり、Ｘ線回折パターンにおいて最も強度の大きいピークの半値幅が１°以上４°未満であることを特徴とする。 - 特許庁

This catalyst for decomposing a volatile organic matter containing a titanium oxide supporting at least, a cobalt oxide, (1) shows at least, a diffraction pattern of Co_3O_4 in X-ray diffraction measurement, and (2) is characterized in that the titanium oxide alone shows photocatalytic activity under exposure to a visible light.例文帳に追加

少なくともコバルト酸化物を担持した酸化チタンを含む触媒体であって、（１）Ｘ線回折測定で少なくともＣｏ_3Ｏ_4の回折パターンを示し、かつ（２）前記酸化チタンは酸化チタンのみで可視光線の照射下で光触媒活性を示す揮発性有機物分解用触媒体である。 - 特許庁

The high purity boehmite produced by hydrothermally treating ammonium dawsonite obtained by the reaction of an aluminum ammonium sulfate solution or an aluminum sulfate solution with an ammonium bicarbonate solution, firing and after firing, hydrothermally treating has 100-270 m2/g BET specific surface area and 20-90 Å crystallite diameter determined by peak (020) of X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

硫酸アルミニウムアンモニウム溶液、又は、硫酸アルミニウム溶液と重炭酸アンモニウム溶液の反応で得られるアンモニウムドーソナイトを水熱処理、焼成、焼成後水熱処理することによって製造される高純度のＢＥＴ比表面積、結晶子径の制御されたベーマイト。 - 特許庁

An intensity component of a diffraction line generated by a specific crystal phase and a specific lattice plane index is separated from other background intensity components by numerical processing by using numerical data of the azimuth distribution of the diffraction line intensity acquired by the measurement processing or a diffraction pattern.例文帳に追加

この測定処理によって得られた回折線強度の方位分布又は回折パターンの数値化データを用い、特定の結晶相と特定の格子面指数によって生じている回折線の強度成分を、数値処理によってそれ以外の背景強度成分から分離する。 - 特許庁

The size of a crystallite measured by a Hall method from the integration width of each diffraction peak acquired from an X-ray diffraction pattern is larger than 600 Å and less than 800 Å in the cathode active substance for the lithium secondary battery.例文帳に追加

前記正極活物質において、Ｘ線回折パタ−ンから得られる各回折ピ−クの積分幅からＨａｌｌ法によって測定した結晶子の大きさが600Åより大きく、800Å未満であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質である。 - 特許庁

The copper alloy containing 2.0 to 4.0mass% Ti is characterized in that other impurity elements are ≤0.01mass% in total and that the diffraction peak of a β phase (TiCu_3) observed on an X-ray diffraction pattern is <1/10 of the diffraction peak of (111) if largest.例文帳に追加

Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有する銅合金において、他の不純物元素が合計で０．０１質量％以下であり、Ｘ線回折パターン上に見られるβ相（ＴｉＣｕ_３）の回折ピークが最大のものでも（１１１）の回折ピークの１／１０未満であることを特徴とする銅合金。 - 特許庁

The crystal grain consisting mainly of barium titanate is characterized in that the average particle diameter is ≤150 nm and the volume V per unit cell which is expressed by the product of lattice constants (a, b, c) determined by an X-ray diffraction pattern of the crystal grain, is ≤0.0643 nm^3.例文帳に追加

チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子の平均径が１５０ｎｍ以下であり、かつ前記結晶粒子のＸ線回折パターンから求められる格子定数（ａ、ｂ、ｃ）の積で表されるユニットセル当りの体積Ｖが０．０６４３ｎｍ^３以下であることを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the cyclopentanol is characterized by using a protonic zeolite having ≥10 ratio of (SiO2)/(Al2O3) and regulated in x-ray diffraction pattern substantially to the pattern represented by the table 1 as a catalyst in the method for producing the cyclopentanol by hydrating the cyclopentene in the presence of the catalyst.例文帳に追加

触媒の存在下でシクロペンテンを水和してシクロペンタノールを製造する方法において、ＳｉＯ_2/Ａｌ_2Ｏ_3比が１０以上であり、且つＸ線回折パターンが実質的に第１表のパターンで規定されるプロトン型ゼオライトを触媒として使用することを特徴とするシクロペンタノールの製造方法。 - 特許庁

As for the CuKα-ray diffraction pattern of a negative electrode material, the peak intensity ratio of a peak A corresponding to a tin element existing in a region of 31.5-32.5 degree, to a peak B corresponding to Cu_6Sn_5 existing in a region of 29.5-30.5 degree (A/B) is 0.2 or less.例文帳に追加

ＣｕＫα線によるＸ線回折パターンにおいて、３１．５〜３２．５度の領域内に表れる錫単体に対応するピークＡと、２９．５〜３０．５度の領域内に表れるＣｕ_６Ｓｎ_５に対応するピークＢとのピーク強度比（Ａ／Ｂ）が０．２以下であることを特徴としている。 - 特許庁

This method for producing the oxidized compound comprises a process of oxidizing an organic compound by reacting the organic compound with an oxidizing agent in the presence of a titanosilicate (I) obtained by making contact of a titanosilicate (II) having the following X-ray diffraction pattern with a structure-regulating agent, or its silylated compound.例文帳に追加

下記Ｘ線回折パターンを有するチタノシリケート（ＩＩ）と構造規定剤とを接触させることにより得られるチタノシリケート（Ｉ）又はそのシリル化物の存在下に、有機化合物と酸化剤とを反応させることにより、前記有機化合物を酸化させる工程を含む酸化化合物の製造方法の提供。 - 特許庁

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

The diffraction grating 2 is arranged on the diffusion optical path of laser beams, among optical paths for guiding laser beams emitted from a semiconductor laser 1 to an objective lens 6, and an effective diffraction pattern 15 is formed only on the center part of the diffraction grating 2 which has a diameter smaller than the effective beam diameter of a laser beam.例文帳に追加

半導体レーザー１から出射されるレーザービームを対物レンズ６に導く光路のうち、レーザービームの拡散光路上に回折格子２を配置すると共に、この回折格子２にレーザービームのビーム有効径に対して小径の中央部分に限定して有効回折パターン１５を形成している。 - 特許庁

To provide a method or manufacturing a diffraction optical element by which a blaze diffraction pattern having a fine pattern pitch can easily be manufactured highly precisely, and to provide a diffraction optical element manufactured by the method, an optical system having the element, an exposure device, a method for manufacturing a device and the device.例文帳に追加

微細なパターンピッチを有するブレーズ型回折パターンを容易にかつ高精度に製造することができる回折光学素子の製造方法、該回折光学素子の製造方法によって製造した回折光学素子、および該回折光学素子を有する光学系、露光装置、デバイス製造方法、デバイスを提供する。 - 特許庁

With this constitution, a blast angle and a rotary angle can be respectively optimized independently, and the crystal azimuth 12 is accurately and easily adjusted, with respect to the respective directions of incident X rays 2A and diffracted X rays 3A and enables measurement of the X-ray diffraction pattern of the lattice surface 11 of the single-crystal substrate 10 with high accuracy.例文帳に追加

これにより、あおり角と回転角とをそれぞれ独立して最適化することができ、入射Ｘ線２Ａおよび回折Ｘ線３Ａの各方向に対して結晶方位１２を正確かつ容易に調整し、単結晶基板１０の格子面１１におけるＸ線回折パターンを高精度に測定することができる。 - 特許庁

The lithium secondary battery is characterised in that in an X-ray diffraction pattern for CuK α rays in a charged state of the negative electrode, charging and discharging are carried out in a charging depth, not recognizing a peak of compound of lithium and silicon (for example, intermetallics compound such as Li_13Si_4) in the range from 18 to 28°, for example.例文帳に追加

負極の充電状態におけるＣｕＫα線のＸ線回折パターンにおいて、例えば１８〜２８度の範囲内でリチウムとシリコンの化合物（例えば、Ｌｉ_１３Ｓｉ_４などの金属間化合物）のピークが認められない範囲の充電深度で充放電することを特徴としている。 - 特許庁

This invention relates to: novel salt forms of [R-(R^*,R^*)]-2-(4-fluorophenyl)-β,δ-dihydroxy-5-(1-methylethyl)-3-phenyl-4-[(phenylamino)carbonyl]-1H-pyrrole-1-heptanoic acid characterized by their X-ray powder diffraction pattern and solid-state NMR spectra; and methods for the preparation and pharmaceutical composition of the same.例文帳に追加

Ｘ線粉末回析パターンおよび固体ＮＭＲスペクトルにより特徴付けられる［Ｒ−（Ｒ^*，Ｒ^*）］−２−（４−フルオロフェニル）−β，δ−ジヒドロキシ−５−（１−メチルエチル）−３−フェニル−４−［（フェニルアミノ）カルボニル］−１Ｈ−ピロール−１−ヘプタン酸の新規な塩形態、ならびに、それらの製造方法および医薬組成物。 - 特許庁

The calcining temperature and the sintering temperature are determined to form the silicon nitride porous body in which the ratio (X_ON/X_SiN) of the peak intensity X_ON of oxynitride to the peak intensity X_SiN of β-type silicon nitride in X-ray diffraction pattern is 20-40 and the three point bending strength (25°C) is ≥70 MPa.例文帳に追加

このときの仮焼温度及び反応焼結温度は、Ｘ線回折パターンにおける酸窒化物のピーク強度Ｘ_ONとβ型窒化ケイ素のピーク強度Ｘ_SiNとの強度比（Ｘ_ON／Ｘ_SiN）が２０〜４０であり、且つ、３点曲げ強度（２５℃）が７０ＭＰａ以上である窒化ケイ素多孔質体が形成されるように決定される。 - 特許庁

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1.例文帳に追加

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。 - 特許庁

In a powder X-ray diffraction pattern of the lithium composite metal oxide by powder X-ray diffractometry in the diffraction angle 2θ of 10° to 90° using CuKα as the source, a diffraction peak (diffraction peak A) is present in the diffraction angle 2θ of 20° to 23°.例文帳に追加

ＣｕＫαを線源とし、かつ回折角２θの測定範囲を１０°以上９０°以下とする粉末Ｘ線回折測定により得られるリチウム複合金属酸化物の粉末Ｘ線回折図形において、２θが２０°以上２３°以下の範囲に回折ピーク（回折ピークＡ）を与えることを特徴とするリチウム複合金属酸化物。 - 特許庁

In this titanium dioxide, an average secondary particle size is 2-30 μm; an average primary particle size is ≤1.5 μm; and when main peak intensity of bronze type titanium dioxide in a powder X-ray diffraction pattern is assumed to be 100, main peak intensity of each of rutile type titanium dioxide and anatase type titanium dioxide is ≤5.例文帳に追加

本発明の二酸化チタンは、平均二次粒子径が２μｍ〜３０μｍ、平均一次粒子径が１．５μｍ以下であり、粉末Ｘ線回折パターンにおけるブロンズ型二酸化チタンの主ピーク強度を１００としたとき、ルチル型二酸化チタン及びアナターゼ型二酸化チタンの主ピーク強度がいずれも５以下である。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display and a method for manufacturing the display produced by which a complicated pattern in a storage part is simplified to decrease the number of masks by applying a diffraction pattern used in the channel part of a thin film transistor for an on-common type storage part in a liquid crystal display manufactured in four-mask processes.例文帳に追加

本発明は４マスク工程を通じて形成される液晶表示装置において、薄膜トランジスタのチャネル部に適用される回折パターンをオン・コモン方式のストレージ部に適用することによって、ストレージ部の複雑なパターンを単純化してマスク数を減少する液晶表示装置及びその製造方法を提案する。 - 特許庁

The invention relates to the new pseudopolymorphic forms of 2-[2-[4-[bis(4- fluorophenyl)methyl]-1-piperazinyl]ethoxy]acetic acid dihydrochloride, defined by the X-ray diffraction pattern, namely, anhydrous 2-[2-[4-[bis(4-fluorophenyl)methyl]-l-piperazinyl]ethoxy]acetic acid dihydrochloride and a monohydrate of the crystal, and relates to the method for preparation of the pseudopolymorphic crystal.例文帳に追加

２−〔２−〔４−〔ビス（４−フルオロフェニル）メチル〕−１−ピペラジニル〕エトキシ〕酢酸ジヒドロクロリドの新規偽多形であり、Ｘ線回折パターンで定義される無水２−〔２−〔４−〔ビス（４−フルオロフェニル）メチル〕−１−ピペラジニル〕エトキシ〕酢酸ジヒドロクロリド及び該結晶の一水和物、並びにこれらの偽多形相結晶の製造方法。 - 特許庁

A cover layer 20D of the diffraction element 20 is constituted of a cover lower layer 20Du made of a second UV cured resin 100B and joined to a diffraction pattern PTc for a CD and a cover upper layer 20Do made of a third UV cured resin 100C and joined to the cover lower layer 20Du.例文帳に追加

本発明の回折素子２０におけるカバー層２０Ｄは、第２のＵＶ硬化樹脂１００Ｂでなり、ＣＤ用回折パターンＰＴｃに接合されたカバー下層２０Ｄｕと、第３のＵＶ硬化樹脂１００Ｃでなり、当該カバー下層２０Ｄｕに接合されたカバー上層２０Ｄｏとによって構成されるようにする。 - 特許庁

The optical disk system 1 obtains an RF signal by using diffraction gratings 24 to which a specified diffraction pattern is provided corresponding to a laser beam of first wavelength, and when a laser beam of second wavelength different from the first wavelength is transmitted, and by adding non-diffraction and diffraction beams to an output signal of the laser beam of the second wavelength.例文帳に追加

この発明の光ディスク装置１は、第１の波長のレーザ光に対応させて規定された回折パターンが与えられた回折格子２４を用い、第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光が透過した場合に、その出力信号を、非回折と回折光を加算することにより、ＲＦ信号を得る。 - 特許庁

The light source device comprises a planar light guide plate 1, a LED unit 3 having a plurality of LEDs 31 arranged at the light incidence face of the light guide plate 1, and an optical element 2 located at the part where a diffraction pattern 21, generating diffraction light mainly in 0th and ±1st direction, and the LED face each other.例文帳に追加

この発明は、面状の導光板１とこの導光板１の光入光面に配置される複数のＬＥＤ３１を備えたＬＥＤユニット３と、主として０次と±１次方向の回折光を発生させる回折パターン２１が少なくともＬＥＤと対峙する箇所に設けられた光学素子２とを備える。 - 特許庁

This is the non-aqueous electrolyte secondary battery which is equipped with a cathode 1 that contains a cathode active material having reflecting angles 2θ of peak positions of diffraction pattern by X-ray diffraction method at least at 40±2°, 47±2°, and 68±2°, a cathode 2 that contains a material that stores and releases lithium ions, and a non-aqueous electrolyte 5.例文帳に追加

この非水電解質二次電池は、Ｘ線回折法による回折パターンのピーク位置の反射角２θを、少なくとも、４０±２度と、４７±２度と、６８±２度とに有する正極活物質を含む正極１と、リチウムイオンを吸蔵および放出する材料を含む負極２と、非水電解質５とを備えている。 - 特許庁

By initially releasing the plastic lens PL from the movable half 14 immediately after initial mold opening, in this way, it can be avoided completely that a diffraction lens surface PLb formed on the plastic lens PL and a diffraction pattern formed on the optical surface 14a of the movable half 14 come into contact with each other, even when the plastic lens PL contracts by cooling.例文帳に追加

このように、初期型開きの直後に可動型１４に対してプラスチックレンズＰＬを初期離型させることで、プラスチックレンズＰＬが冷却されて収縮した場合にも、プラスチックレンズＰＬに形成された回折レンズ面ＰＬｂと、可動型１４の光学面１４ａに形成された回折パターンとが接触することを完全に回避することができる。 - 特許庁

At least one of the inward member 41, the outward member 43 and the rolling element 42 is made of the titanium material having the new phase 22 that a diffraction spot is present at a position deviating from that on a virtual line connecting together almost the centers of diffraction spots of adjacent parent phases on an electron diffraction pattern obtained by electron microscopy.例文帳に追加

そして、内方部材４１、外方部材４３及び転動体４２のうちの少なくとも１つが、電子顕微鏡法によって得られた電子回折図形上で、隣り合う母相の回折斑点の略中心を結ぶ仮想線上から逸れた位置に回折斑点が存在する新相２２を有するチタン材料から成っている。 - 特許庁

The RHx compound (R represents one metal element in rare earth elements, H is hydrogen and (x) is 2 or around 2) has an FCC (face-centered cubic) structure and a crystalline structure showing high diffraction intensity on the (311) plane than the diffraction intensity on the (111) plane by X-ray diffraction pattern analysis.例文帳に追加

本発明のＲＨｘ（Ｒは希土類元素のうちのいずれか一の金属元素。Ｈは水素元素。ｘは２又はその近傍。）化合物は、ＦＣＣ構造を有し、かつ、Ｘ線回折パターン結果において（１１１）面の回折強度よりも（３１１）面の回折強度のほうが大きい結晶構造を有することを特徴とするものである。 - 特許庁

The form I anhydrous 4-[4-[4-(hydroxydiphenylmethyl)-1- piperidinyl]-1-hydroxybutyll-α,α,-dimethylbenzene acetic acid hydrochloride which has a distinctly visible melting point (capillary) of 196 to 201°C, an extrapolation start-accompanying melting endothermic point of 195 to 199°C measured by a differential scanning calorimetry and such the X-ray powder diffraction pattern as substantially shown below.例文帳に追加

１９６〜２０１℃の明視化された融点（毛細管）、示差走査熱量測定法による測定での１９５〜１９９℃の補外開始を伴う融解吸熱および本質的に下に示されるようなＸ線粉末回折パターンをもつ形態Ｉの無水の４−［４−［４−（ヒドロキシジフェニルメチル）−１−ピペリジニル］−１−ヒドロキシブチル］−α,α−ジメチルベンゼン酢酸塩酸塩。 - 特許庁

During work of removing a damaged layer which arises from an ion beam, transmitted electrons are detected with a two-dimensional detector, the transmitted electrons arising by irradiating a sample with an electron beam formed by an electron beam optical system, and the timing of the completion of the work of removing the damaged layer is determined on the basis of the blur amount of a diffraction pattern obtained with the two-dimensional detector.例文帳に追加

イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。 - 特許庁

In a method of forming a marker MX for double-gate SOI processing on an SOI wafer, at least one marker has a diffracting structure in a first direction, and the diffracting structure is positioned so as to generate an asymmetrical diffraction pattern during use in an alignment and overlay detection system for detection in the first direction.例文帳に追加

ＳＯＩウエハ上でのダブルゲートＳＯＩ処理のためのマーカーＭＸの作成方法においては、少なくとも１つのマーカーは第１方向への回折構造を有し、回折構造は、第１方向における検出のために、配列及びオーバレイ検出システムで用いている間に、非対称的回折パターンを生成するよう配置される。 - 特許庁

The carbon structure is characterized in that it has a peak in the XRD (X-ray diffraction) diffraction pattern within the range of 19°-26°, a density by the He method of ≥1.4 g/cm^3, and a volume resistivity of ≤1 Ωcm, and it is prepared from graphite oxide by removing a part of oxygen which is covalently bonded through calcination.例文帳に追加

本発明の炭素構造体は、酸化黒鉛の焼成により共有結合した酸素の一部を取り除き、ＸＲＤ（Ｘ線回析）の回折パターンのピークが１９°から２６°の範囲に有しているとともに、Ｈｅ法による密度が１．４ｇ／ｃｍ^３以上、体積固有抵抗値が１Ω・ｃｍ以下であることを特徴としている。 - 特許庁

The method for manufacturing a polarized light diffractive cholesteric liquid crystal film contains the first step to form a cholesteric liquid crystal film on an alignment supporting substrate, the second step to transfer a diffraction pattern of a diffraction element substrate to the surface of the cholesteric liquid crystal film and to form a region exhibiting diffractiveness on a part of the film and the third step to release the alignment supporting substrate from the cholesteric liquid crystal film.例文帳に追加

配向支持基板上にコレステリック液晶フィルムを形成する第１工程、コレステリック液晶フィルム面に回折素子基板の回折パターンを転写し、フィルムの一部に回折能を示す領域を形成する第２工程、及びコレステリック液晶フィルムから配向支持基板を剥離する第３工程、を含む偏光回折性コレステリック液晶フィルムの製造方法である。 - 特許庁

This nickel electrode for the alkaline storage battery includes a positive electrode containing a positive electrode active material mainly composed of nickel hydroxide, and a compound including at least one of elements among erbium(Er), thulium(Tm), ytterbium(Yb) and ruthenium(Lu), having a diffraction peak with d=88 nm, d=84 nm and d=76 nm in the X-ray diffraction pattern by Kα line of Co.例文帳に追加

正極を水酸化ニッケルを主成分とする正極活物質と、ＣｏのＫα線によるＸ線回折図において、ｄ＝８８ｎｍ、ｄ＝８４ｎｍおよびｄ＝７６ｎｍに回折ピークを有するエルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）の中少なくとも一種の元素を含む化合物を含有することを特徴とするアルカリ蓄電池用ニッケル電極とする。 - 特許庁

In the object lens for the optical pickup device, variations in the axial spherical aberrations due to refractive index variation accompanying temperature variations, which are a drawback of a lens made of resin, is suppressed by correcting axial spherical aberration due to the variations in the temperature of surroundings with a base surface (envelope of a diffraction pattern), and by correcting the spherical aberration with a diffraction surface disposed on at least one surface.例文帳に追加

光ピックアップ装置用対物レンズにおいて、ベース面（回折パターンの包絡面）で、環境温度変化による軸上球面収差変化量を補正したとともに、少なくとも１面に設けた回折面で、球面収差を補正することによって、樹脂製レンズの欠点である温度変動に伴う屈折率変化に起因する軸上球面収差の変化を抑えることができる。 - 特許庁

A positive electrode active material is a nickel oxyhydroxide compound including zinc and cobalt, alone or in combination, as eutectic, the surface of particles of which compound is coated with a cobalt high-order oxide, and has a half band width of 0.4 to 0.48 at the diffraction peak near a diffraction angle of 18° in the X-ray diffraction pattern, thereby achieving a battery superior in characteristics.例文帳に追加

この発明は、正極材料として、亜鉛及びコバルト単独もしくはこれらを共晶させたオキシ水酸化ニッケル系化合物であって、この粒子の表面がコバルト高次酸化物で被覆され、ｘ線回折パターンにおいて、回折角１８°付近の回折ピークの半値幅が０．４〜０．４８である正極活物質を用いることによって特性の優れた電池を実現する。 - 特許庁

To provide an X-ray diffraction analyzing technique capable of simply acquiring the X-ray diffraction pattern equipped with the local structural data of a sample having a non-uniform crystal structure in a laboratory or on the spot by reducing the damping of intensity in a light path until the X-ray beam emitted from an X-ray tube arrives at a sample to the utmost.例文帳に追加

Ｘ線管から出射されたＸ線ビームが試料に到達するまでの光路における強度の減衰を極力小さくすることにより、不均一な結晶構造を有する試料の局所構造情報を備えるＸ線回折図形を、実験室や現場で短時間且つ簡単に取得することを可能とするＸ線回折分析技術を提供する。 - 特許庁

The objective for an optical pickup device corrects an on-axis spherical aberration variation quantity due to ambient temperature variation by a base surface (included surface with diffraction pattern) and corrects a spherical aberration by a diffracting surface provided on at least one surface to suppress variation in on-axis spherical aberration due to refractive index variation accompanying temperature variation as a defect of a resin-made lens.例文帳に追加

光ピックアップ装置用対物レンズにおいて、ベース面（回折パターンの包絡面）で、環境温度変化による軸上球面収差変化量を補正したとともに、少なくとも１面に設けた回折面で、球面収差を補正することによって、樹脂製レンズの欠点である温度変動に伴う屈折率変化に起因する軸上球面収差の変化を抑えることができる。 - 特許庁

Alternatively or additionally, the user may trace (or free-draw) the profile of a known image and subsequently map a shape-definer of mathematical functions, such as a polynomial equation, a spline or a vector onto the estimated profile, in order to obtain a profile and one or more variables of that profile that can be used to reconstruct the profile of an unknown object from its diffraction pattern.例文帳に追加

あるいは又はこれに加えて、ユーザは、既知のイメージのプロファイルをトレース（又は自由描写）し、その後、多項式、スプライン、又はベクトル等の数学関数の形状定義物を推定プロファイル上に描くことにより、未知のオブジェクトのプロファイルをその回折パターンから再構成する際に使用し得る、プロファイル及び当該プロファイルの一つ以上の可変例を得ることができる。 - 特許庁

The hydrogen-producing catalyst for producing hydrogen from carbon monoxide and water in internal-combustion engine exhaust gas contains: an oxide containing a cerium oxide in which the ratio of (111)-face diffraction peak intensity to background intensity in X-ray diffraction pattern is 4.3 or more; a zirconium oxide; and at least one noble metal selected from Pt, Pd and Rh.例文帳に追加

内燃機関排ガス中の一酸化炭素と水から水素を生成する触媒であって、Ｘ線回折パターンにおいて（１１１）面回折ピーク強度とバックグランドの比が４.３ 以上である酸化セリウムを含む酸化物と、ジルコニウム酸化物と、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる貴金属の少なくとも１つとを含むことを特徴とする水素製造触媒を用いる。 - 特許庁

A diffraction intensity distribution function having the variable corresponding to the physical quantity of a crystal sample is combined with a diffraction intensity distribution constituting an observed diffraction pattern to calculate a variable value for prescribing the diffraction intensity distribution function reproducing the diffraction intensity distribution and a feature like the crystal particle size distribution or crystal face interval distribution related to the whole of the crystal sample is acquired numerically.例文帳に追加

本発明は、観測された回折パターンを構成する回折強度分布に結晶試料の物理量に対応した変数を有する回折強度分布関数を合わせ込むことにより、当該回折強度分布を再現する回折強度分布関数を規定する変数の値を求め、結晶試料全体に関する結晶粒径分布や結晶面間隔の分布の如き特徴を数量的に取得する。 - 特許庁

The porous silica aggregate particles are one that are obtained by aggregating porous silica spherical primary particles which exhibit an X-ray diffraction pattern having one or more diffraction lines in a range of diffraction angle (2θ/°) corresponding to a lattice spacing (d) of at least 1 nm, wherein pores are formed in the porous silica spherical primary particles and void layers are formed in the gaps between these porous silica spherical primary particles.例文帳に追加

１ｎｍ以上の格子面間隔（ｄ）に対応する回折角（２θ／°）の範囲に１つ以上の回折線を有するＸ線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を集合してなる多孔質シリカ凝集粒子であり、多孔質シリカ球状一次粒子内に細孔を形成するとともに、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間の間隙に空隙層を形成した。 - 特許庁