「"patterning method"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The probes to be used for detecting an objective substance of test are trapped on fine particles 3 in advance, and the fine particles 3 are fixed in every section 2 formed in a lattice state on a substrate 1 by using a surface-chemical patterning method.例文帳に追加

検査対象物質の検出に用いるプローブを予め微粒子３に捕捉し，微粒子を基板１の上に表面化学的なパターニング方法を用いて格子状に形成される各区画２に固定する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method in which metal elements composing an anti-diffusion layer are prevented from diffusing into other layer by forming a more compact anti-diffusion layer exhibiting good adhesiveness, and to provide an electronic device and an electronic apparatus.例文帳に追加

より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、薄膜トランジスタ、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a new pattern forming method that can reduce the number of steps in a double patterning method, and to provide a material for forming a metal oxide film suitably used for the pattern forming method, and a use method of the material.例文帳に追加

ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、該パターン形成方法に好適に用いられる金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of accurately processing a processing object layer even when the processing object layer is formed by containing a material unsuitable for a wet process or a material having a large amount of etching shift.例文帳に追加

被加工層がウエットプロセスに適さない材料、またはエッチングシフト量の多い材料を含んで構成されている場合であっても、高精度に被加工層を加工することを可能とするパターニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a fine patterning method for a semiconductor element by which a problem that critical dimension (CD) becomes poor by superimposition is eliminated to form a pattern finer than resolution of an exposure process.例文帳に追加

本発明は、重畳(overlay)により臨界寸法(Critical Demension; ＣＤ)が不良になる問題を除去し、露光工程の解像度より微細なパターンを形成することができる半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a reticle contraction correction model for describing contraction amounts of two reticles used in a double patterning method, parameters relating to contraction (reticle contraction correction parameters (a time constant and a saturation value)) are optimized.例文帳に追加

ダブルパターニング法において使用される２つのレチクルのそれぞれの伸縮量を記述するレチクル伸縮補正モデルについて、伸縮に係るパラメータ（レチクル伸縮補正パラメータ（時定数と飽和値））を最適化する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a less expensive organic EL display device by enabling a large-area patterning which is hardly attained with a conventional patterning method for conventional organic EL display device and improving productivity in the manufacturing method.例文帳に追加

従来の有機ＥＬ表示素子のパターニング方法において困難であった大面積のパターニングを可能にし、かつ、生産性の高い製造方法とすることで、より安価な有機ＥＬ表示素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an organic light emission device of inexpensive and highly functional full color organic EL display body or the like and its manufacturing method, by homogeneously patterning low molecular (monomer) organic luminous layer for each pigment with a high accuracy by means of a wet patterning method.例文帳に追加

低分子（モノマー）有機発光層をウェットパターニング方法により、色素毎に高精細に均一にパターニングすることにより、安価な高機能フルカラー有機ＥＬ表示体等の有機発光デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern verifying method, used in a double patterning method in which after a first pattern is formed in a film to be processed, a second pattern is formed in the film to be process, verifying a pattern in consideration of a superposition error.例文帳に追加

被加工膜に第１のパターンを形成してから被加工膜に第２のパターンを形成するダブルパターニング法に用いられ、重ね合わせ誤差を考慮してパターンを検証することができるパターン検証方法を提供する。 - 特許庁

Further, in this patterning method for the insulating layer, by simplifying a conventional usual lithographic process, an etching process and a stripping process, the processes are simplified, process cost is reduced and process time is shortened.例文帳に追加

また、本発明による絶縁層のパターニング方法は、従来の通常的なリソグラフィ工程、エッチング工程及びストリッピング工程を単純化することによって、工程の単純化、工程コストの低減及び時間短縮の効果をもたらす。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition excellent in depth of focus and dependency on density distribution, as well as an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film and a patterning method using this composition.例文帳に追加

フォーカス余裕度及び疎密依存性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a direct-write patterning method which can very easily and simply cope with the direct writing method from data from a computer in a bright room, even with printed boards having through-holes, and at more improved production efficiency.例文帳に追加

スルーホールを有するプリント基板でも、極めて簡便に、かつ明室下で可能なコンピュータからのデータの直接描画方法に対応することができ且つ生産効率のさらに向上した直描作製方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a poly(methyl methacrylate)-a heavy metal cluster complex, a patterning material comprising the poly(methyl methacrylate)-the heavy metal cluster complex produced thereby and a patterning method by using the material.例文帳に追加

ポリメチルメタクリレート−重金属クラスター複合体を効率よく製造する方法及びこの方法で得られるポリメチルメタクリレート−重金属クラスター複合体からなるパターニング材料ならびにそのパターニング方法を提供する - 特許庁

To provide a composition for nano imprint excellent in pattern formability and mold releasability, can form a good pattern, and give a pattern after the etching that is small in line edge roughness, and to provide a pattern and a patterning method using this.例文帳に追加

パターン形成性およびモールド剥離性に優れ、良好なパターンが形成でき、かつエッチング後に得られたパターンのラインエッジラフネスが小さいナノインプリント用組成物、これを用いたパターンおよびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resist patterning method yielding finer resist patterns than resolution of an exposure apparatus and capable of processing, in a relatively short process, even a multilayer photoresist film (having a plurality of layers), and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

露光装置の解像度に比べて微細なレジストパターンが得られると共に、多層（複数層）のフォトレジスト膜を用いても比較的に短いプロセスで処理できるレジストパターニング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the patterning method using a liquid material while using an inkjet system, the liquid material is prevented from extruding by forming a concave structure by laser in the inside of a bent portion in a wiring forming route on the substrate.例文帳に追加

インクジェット方式を用いた液体材料によるパターニング方法において、基板上の配線形成経路における折れ曲り部の内側にレーザにより凹構造を形成することによりの液体材料のはみだしを防止する。 - 特許庁

This patterning method includes at least three steps of etching processes, in which a fluorine-containing gas is used for etching at a first step, a chlorine-containing gas is used for etching at a second step, and a bromine-containing gas is used for etching at a third step.例文帳に追加

このパターニング法は、少なくとも３段階のエッチングプロセスを含み、第一の段階ではフッ素を含むガスが、第二の段階では塩素を含むガスが、第三の段階では臭素を含むガスがエッチングのために使用される。 - 特許庁

To provide a method for patterning self-assembled photonic crystals and to provide a method for fabricating 3-dimensional photonic crystal waveguides of an inverted-opal structure having a photonic band gap in all light-traveling directions using the patterning method.例文帳に追加

自己組立光結晶をパターニングする方法の提供及びこのパターニング方法を利用して光の全ての進行方向に対して光バンドギャップを有する逆転されたオパール構造の３次元光結晶光導波路を製作する方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having an arrangement structure capable of high density patterning with ultra-fine width and interval by utilizing a pattern of expressible size in a resolution limit of a photolithographic process, and to provide a patterning method of the semiconductor element.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程の解像限界内で、具現可能なサイズのパターンを利用して超微細な幅及び間隔を持つ高密度パターンを形成できる配置構造を持つ半導体素子及びその半導体素子パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polyimide resin-containing negative photosensitive resin composition which unnecessitates the use of an organic solvent as a developer and can be developed with only an aqueous alkali solution, and to provide a reaction development patterning method using the photosensitive resin composition.例文帳に追加

現像液として有機溶媒の使用を不要とし、アルカリ水溶液のみにより現像可能なポリイミド樹脂含有ネガ型感光性樹脂組成物および該感光性樹脂組成物を使用する反応現像画像形成法を提供する。 - 特許庁

To provide a high registration mask substrate, an exposure device and a patterning method using them capable of accurately measuring the deformation degree of the mask substrate by providing a detecting means for detecting the deformation degree of the mask substrate on the mask substrate.例文帳に追加

マスク基板上にマスク基板の変形度を検知する検知手段を設けたことにより、正確なマスク基板の変形度が測定でき、合わせ精度の高いマスク基板と露光装置およびそれを用いたパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To acquire a multilayer circuit board which reduces the mixed noise in the case of cross talk considered to be generated by the voltage of a main power source plain, and a sub-power source plain of the multilayer circuit board in the vicinity of a filter arranged in an adjacent layer, and to acquire a patterning method of the multilayer circuit board.例文帳に追加

多層回路基板の主電源プレーンとサブ電源プレーンの電圧が隣接層に配したフイルタ近傍でクロストークとする場合に混入するノイズを低減する多層回路基板及び多層回路基板のパターニング方法を得る。 - 特許庁

To provide a direct-write patterning method which can very easily and simply cope with the direct writing method from data from a computer in a bright room, even with printed boards having through-holes in the manufacturing technology of electronic circuits.例文帳に追加

電子回路の製造技術において、極めて簡便に、かつ明室下で可能な、コンピュータからのデータの直接描画方法に対応することができる直描作製方法であり、かつスルーホールを有する配線板も直描作製可能な方法を提供する。 - 特許庁

The polymer film patterning method includes applying polymer ink onto the substrate after forming a resist layer patterned on the substrate, and then separating the resist layer to remove the applied polymer ink therefrom.例文帳に追加

ポリマー膜のパターニング方法において、基板上にパターニングされたレジスト層を形成後に、前記基板上にポリマーインクを塗布し、その後、前記レジスト層を剥離することで前記塗布されたポリマーインクを併せて除去することを特徴とするポリマー膜のパターニング方法。 - 特許庁

To provide a new patterning method which allows a wider range of options of materials, a film forming method, a patterning device, a film forming device, an electro-optical device and its manufacturing method, electronic equipment and an electronic device and its manufacturing method.例文帳に追加

材料の選択自由度を高くした新たなパターニング方法を提供するとともに、膜形成方法、パターニング装置、膜形成装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及び電子装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method and an aligner for patterning in which patterning can be performed on the surface of a basic body coated with photoresist material by exposure with no interference with foreign matters by removing foreign matters, e.g. dust, floating above the basic body, e.g. a substrate.例文帳に追加

基板等の基体の上方に浮遊するゴミ、チリ等の異物を排除して、該異物によって邪魔されることなく基体のフォトレジスト材料塗布面に露光によるパターニング処理を行えるパターン形成方法及びパターン形成のための露光装置を提供する。 - 特許庁

A new patterning method is employed, which is characterized in that at least a substrate and a dispersion system are used, a distribution of particle concentration is produced in a layer of the dispersion system formed on the substrate by a distribution of heat quantity given to the dispersion system, and then subjected to a curing process.例文帳に追加

少なくとも基板と、分散系を用い、該分散系に与えられた熱量の分布により、基板上に形成した該分散系層内に濃度分布を形成し、しかる後に硬化処理を行うことを特徴とする、新規のパターニング方法を採用する。 - 特許庁

To provide a patterning method hardly being influenced by an error even when the error exists in the real moving distance of a stage for scanning a photomask with respect to a set moving distance, and for performing patterning by using the smaller number of photomasks, and to provide an exposure device for the same.例文帳に追加

フォトマスクを走査するステージが、設定移動量に対して実移動量が誤差を保有していても、その誤差の影響を受けにくく、かつより少ない枚数のフォトマスクで対応可能なパターンニング手法およびそのための露光装置を提供する。 - 特許庁

In the patterning method of a conductive thin film, a conductive film 2 is formed on a substrate 1 by using a conjugated polymer (conductive polymer), and a material with a nonconjugate action, for example, an alkaline ink 3 is applied to the conductive film 2.例文帳に追加

導電性の薄膜のパターニング方法であって、基板１に共役系高分子（導電性ポリマー）によって導電性膜２を形成し、その導電性膜２に共役を切る作用のある材料、例えばアルカリ性のインク３を塗布することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a patterning method, a manufacturing method of an electro-optical device and the device, a manufacturing method of a semiconductor device and the device, and a manufacturing method of a piezoelectric driving element and the element, capable of improving productivity without degrading machining accuracy.例文帳に追加

加工精度を損なうことなく生産性を向上させることができるパターニング方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法、半導体装置、圧電駆動素子の製造方法及び圧電駆動素子を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment agent for freezing process and a method of forming a resist pattern using the same, meeting the requirement that in a double patterning method, dimensions of a first resist pattern are not varied by a freezing process conducted for the first resist pattern and formation of a second resist pattern.例文帳に追加

ダブルパターニング法において第一のレジストパターンに対して行うフリージング処理および第二のレジストパターンの形成によって、第一のレジストパターンの寸法が変動しないという要件を満たすフリージングプロセス用の表面処理剤およびそれを用いたレジストパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a resist pattern which does not give rise to intermixing at the boundary between an upper layer resist layer and a lower layer resist layer and consequently has a good shape, a method of forming this resist pattern, a patterning method of a thin film by using this resist pattern and a method of manufacturing a thin-film magnetic head.例文帳に追加

上側レジスト層と下側レジスト層との界面でインターミキシングが起きず、従って良好な形状を有するレジストパターン、このレジストパターンの形成方法、このレジストパターンを用いた薄膜のパターニング方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a patterning method for a layer structure including a metal or metal silicide layer on a polycrystal silicon layer, by which method a doping material is distributed homogeneously across the entire deposit surface to improve a deposit film's surface property and adhesion to an adjacent layer, and patterning is made with high selectiveness and great homogeneity to form a straight etched side face across all etched layers.例文帳に追加

金属或いは金属シリサイド層を多結晶シリコン層の上に含む層構造のパターニング方法において、ドーピング物質が全析出面にわたって均質に分布され、その表面性質及び隣接の層との接着性ができるだけ良くなる方法を提供する。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

In the patterning method of a substrate for the display element having a gas barrier layer formed of at least one organic region and at least one inorganic region, wet etching is carried out, and for the etching, etching liquid of weak acid or weak base is used.例文帳に追加

少なくとも１つの有機領域と、少なくとも１つの無機領域とからなるガスバリア層を有する表示素子用基板のパターニング方法であって、ウェットエッチングを行い、かつ、該エッチングに、弱酸または弱塩基のエッチング液を用いることを特徴とする表示素子用基板のパターニング方法。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring substrate where a short circuit etc. resulted on a pattern of a lower layer is eliminated by making a pin-shaped checking probe go through a check land of the multilayer printed wiring substrate, a multilayer printed wiring substrate patterning method, and an inspection apparatus using the check land.例文帳に追加

ピン状のチェック用のプローブが多層プリント配線基板のチェックランドを貫通することで下層のパターンで生ずるショート等を除去する様にした多層プリント配線基板及び多層プリント配線基板のパターニング方法並びにチェックランドを用いた検査装置を得る。 - 特許庁

For the surface patterning method of etching the surface of a silicon substrate 1 by using a hard mask 3A, the hard mask 3A is provided with an uneven pattern 3b of depth t1 shallower than the film thickness (t) of the hard mask 3A together with an opening pattern 3a facing the etched part of the silicon substrate 1.例文帳に追加

ハードマスク３Ａを用いてシリコン基板１の表面をエッチング加工する表面パターニング方法であって、ハードマスク３Ａには、シリコン基板１のエッチング部分に臨む開口パターン３ａと共に、このハードマスク３Ａの膜厚ｔよりも浅い深さｔ１の凹凸パターン３ｂが設けられている。 - 特許庁

A metal patterning method includes a step for forming a photocrosslinking resin layer on a substrate, a step for thinning the photocrosslinking resin layer with an alkaline aqueous solution containing an organic alkaline compound, and exposure, development and etching steps of a circuit pattern in this order.例文帳に追加

基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理する工程、回路パターンの露光、現像、エッチング処理をこの順に含むことを特徴とする金属パターンの作製方法。 - 特許庁

To provide a patterning method in which a first drawing pattern and a second drawing pattern are aligned with high accuracy when patterns are drawn as overlapped to form a pattern by using a plurality of patterning steps by use of a photolithographic process on the same substrate.例文帳に追加

同一基板上にフォトリソグラフィー法を用いた複数のパターニング工程を用いてパターンを形成するために重ね合わせ描画する場合、１回目の描画パターンと２回目の描画パターンとが高い精度で位置合わせされて形成されるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

In a method of processing a material to be processed which is formed on a semiconductor substrate 101 or a material to be processed which comprises a plurality of multilayer films using a desired double patterning method, processing for defining the element isolation width can be performed twice when a pattern is formed.例文帳に追加

半導体基板上に形成された被加工材料、若しくは複数の積層膜から構成される被加工材料を所望のダブルパターンニング法を用いて加工する製造方法において、パターンを形成する際、素子分離幅を規定する加工を２回行うことで解決できる - 特許庁

In the patterning method, a photosensitive heat-resistant resin precursor is applied on a substrate, dried, patternwise exposed, developed, subjected to heat treatment 1 at 50-200°C for a short time within 5 hr after the development and further subjected to heat treatment 2 at 250-450°C.例文帳に追加

感光性耐熱樹脂前駆体を基板上に塗布、乾燥、パターン上に露光、現像した後、現像終了から５時間以内に５０℃〜２００℃で短時間熱処理１を実施した後、さらに２５０℃〜４５０℃で熱処理２を実施することを特徴とする感光性耐熱樹脂前駆体のパターン加工方法。 - 特許庁

In a patterning method by immersion lithography, a protective coating film is formed on a photoresist layer formed on a wafer, from a resist overcoat material, developing is performed after exposing the layer structure to light in water, wherein a water-insoluble, alkali-soluble material is used as the resist overcoat material.例文帳に追加

ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト上層膜材料による保護膜を形成し、水中で露光を行った後、現像を行う液浸リソグラフィーによるパターン形成方法において、上記レジスト上層膜材料として非水溶性でアルカリ可溶性の材料を用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic electroluminescence display panel for which patterning of organic electroluminescence layers and negative electrodes can be implemented without short circuiting without deterioration and an organic electroluminescence device having a good device performance is obtained by solving varies problems in conventional patterning method.例文帳に追加

従来のパターニング方法における種々の問題点を解消して、ショートや劣化を引き起こすことなく有機ＥＬ層および陰極のパターニングを行うことができ、良好な素子性能を有する有機ＥＬ素子を得ることができる有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the patterning method, marks on a wafer W are detected by mark detection systems ALG1, ALG2, patterning for the wafer W is started using the detection results, marks on the wafer W are also detected by the mark detection systems ALG1, ALG2 even after starting the patterning, and the detection results are used in the patterning.例文帳に追加

パターン形成方法では、ウエハＷ上のマークをマーク検出系ＡＬＧ１、ＡＬＧ２で検出し、その検出結果を用いてウエハＷに対するパターン形成を開始するとともに、パターン形成開始後もマーク検出系ＡＬＧ１、ＡＬＧ２でウエハＷ上のマークを検出し、パターン形成でその検出結果を用いる。 - 特許庁