「あいぐすり」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、Ａ／Ｄコンバータ（１）により、電流検出器３により検出された電流信号Ｉｏをサンプリングし、Ａ／Ｄコンバータ（２）より、遅延された電流信号Ｉｏ´をサンプリングする。例文帳に追加

Then, the current signal Io detected by the current detector 3 is sampled by the A/D converter (1), and the delayed current signal Io' is sampled by the A/D converter (2). - 特許庁

制御ユニット６０は、外気温度Ｔout、エアコン設定温度Ｔac、および車内温度Ｔinに基づいてアイドリングストップ開始冷却液温度Ｔstaを求め、冷却液温度センサ５０によって検出された冷却液温度Ｔｗがアイドリングストップ開始冷却液温度Ｔsta以上となったところでアイドリングストップを許可する。例文帳に追加

The control unit 60 determines an idling stop start coolant temperature Tsta on the basis of the outside air temperature Tout, the air conditioner set temperature Tac, and the internal temperature Tin, and allows the idling stop when the coolant temperature Tw detected by a coolant temperature sensor 50 reaches the idling stop start coolant temperature Tsta or higher. - 特許庁

0 は "自動的にキャッシュクリーニングしない" という意味です。 1 は "機械的にキャッシュクリーニングする" という意味 (遅い) で、x1 は "x 個のキャッシュを書き込んだ場合に 1 回、ランダムで自動的にクリーニングする" を意味します。例文帳に追加

0 means "no automatic cache cleaning", 1 means "systematic cache cleaning" (slow), x1 means "automatic cleaning randomly 1 times on x cache writes".  - PEAR

前記発熱コイルは、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とし、タングステン（Ｗ）を１０〜３７mass％含む合金からなり、かつ、前記シーズ管の外側表面にタングステンが存在しない。例文帳に追加

The heating coil is formed of an alloy mainly constituted of nickel (Ni) and containing 10-37 mass% of tungsten (W), and the tungsten does not exist on the outer surface of the sheath tube. - 特許庁

可視光照射下において光触媒性能に優れる酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子を用いた場合には、有機物汚れやガス分解、抗菌・除菌性能を付加することができる。例文帳に追加

When the particulates of the tungsten oxide or the tungsten oxide composite material that are superior in photocatalyst performance under visible light radiation are to be used, organic substance contamination or gas decomposition, antibacterial and sterilization performance can be added. - 特許庁

Ａ点はアナログスイッチＳＷ２を介して下位コンパレータＤ０の基準電圧端子に接続されるとともに，アナログスイッチＳＷＥを介して入力電圧ＶＩＮに接続されている。例文帳に追加

The point A is connected to a reference voltage terminal of the low-order comparator D0 via an analog switch SW2 and to an input voltage terminal VIN via an analog switch SWE. - 特許庁

また、ランレングス圧縮された画像データを縮小する場合は、制御手段６が、縮小のために出力する必要のない走査ラインのランレングス画像データを出力合成手段５から出力しないよう制御する。例文帳に追加

When reducing the run length compressed image data, the control means 6 performs control so that the run length image data of a scan line not to be outputted for reduction can not be outputted from the output synthesizing means 5. - 特許庁

アーム案内板１９は、センタリングアーム１７ａ、１７ｂを案内して、小径ディスクをセンタリングする前側アームロック配置と、大径ディスクをセンタリングする後側アームロック配置との間で回動させる。例文帳に追加

An arm guide plate 19 guides the centering arms 17a and 17b so as to be rotated between a front side arm lock position for centering a small-diameter disk and a rear side arm lock position for centering a large-diameter disk. - 特許庁

可視光照射下において光触媒性能に優れる酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子を用いた場合には、有機物汚れやガス分解、抗菌・除菌性能を付加することができる。例文帳に追加

When the fine particles of the tungstic oxide or the tungstic oxide composite material having a superior photocatalyst performance are used under irradiation with a visible light, a decomposition property of organic matter contamination, a gas resolution property and an antibacterial/bacteria elimination property can be added thereto. - 特許庁

ビニング処理では、自家蛍光画像の輝度値を調整する場合、被写体距離が遠いときにはビニング数を増加させ、被写体距離が近いときにはビニング数を減少させる。例文帳に追加

In the binning process, when adjusting a luminance value of the autofluorescence image, the binning number is increased with increase in the object distance, while the binning number is decreased with a decrease in the object distance. - 特許庁

可視光照射下において光触媒性能に優れる酸化タングステンまたは酸化タングステン複合材の微粒子を用いた場合には、有機物汚れやガス分解、抗菌・除菌性能を付加することができる。例文帳に追加

When the fine particles of the tungstic oxide or the tungstic oxide composite material having a superior photocatalyst performance are used under radiation of a visible light, a decomposition property of organic matter contamination, a gas resolution property and an antibacterial/bacteria elimination property can be added thereto. - 特許庁

高い研磨速度で効率的にＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）に表面粗さの小さい結晶表面を形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶の表面処理方法などを提供する。例文帳に追加

To provide polishing slurry which can form a crystal surface of small surface roughness on a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal (0≤x≤1, 0≤y≤1) efficiently at a high polishing rate, and to provide a surface treatment method of a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal employing such polishing slurry. - 特許庁

次にプラズマエッチングにより、フォトレジストマスク２７の開口部より露出しているＩＩＩ族窒化物半導体層１４の１部を、成長抑制層の成分を検出するまで、エッチングする。例文帳に追加

A group-III nitride semiconductor layer 14 is set on the substrate for the heterojunction field-effect transistor, in such a way that a thickness T1 is equal to a recess etching depth; then a part of the group-III nitride semiconductor layer 14 exposed in an opening of a photoresist mask 27 is subjected to plasma-etching, until components of the growth inhibiting layer is detected. - 特許庁

ＩＣチップとアンテナとを有するＩＣタグインレット１を紙層２内に抄き込んでなるＩＣタグ抄き込み紙であって、前記ＩＣタグインレットの巾または長さが２ｍｍ以下とする。例文帳に追加

This IC tag inlet-embedded paper obtained by embedding the IC tag inlet 1 having an IC chip and antenna into a paper layer 2 is provided by setting the width or length of the IC tag inlet to ≤2 mm. - 特許庁

第１Ｉ/Ｏデバイス８ａが故障した場合、そのルーティングコントローラ４は、ＣＰＵ２から受け取った第１Ｉ/Ｏデバイス８ａに対するリクエストデータを、第２Ｉ/Ｏデバイス８ｂへルーティングする。例文帳に追加

When a failure occurs in the first I/O device 8a, the routing controller 4 routes request data to the first I/O device 8a received from the CPU 2 to the second I/O device 8b. - 特許庁

ＰＮ寄生ダイオードの耐圧を低くしたい場合と高くした場合に、ＩＧＢＴ特性であるオン損失、スイッチングスピード、サージ耐量を最適に設定することができるＩＧＢＴを提供する。例文帳に追加

To provide an IGBT which optimum sets the on-loss, switching speed and serge withstanding power being IGBT characteristics when the withstand voltage of a pn parasitic diode is high and low. - 特許庁

個片のＩＣタグを挿入時に、重力のためＩＣタグが落下することなく、確実に、ＩＣタグを抄き込むことができるＩＣタグ抄き込み用紙の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for an IC tag infiltrating sheet, preventing a fall of an IC tag because of gravitation when inserting the IC tag of an individual piece, capable of certainly infiltrating the IC tag. - 特許庁

また、本発明のセラミックヒータの製造方法は、発熱抵抗体が、含有する酸素量が０．９質量％以下であり、焼成後、窒化珪素となる窒化珪素粉末と、焼成後、炭化タングステンとなる炭化タングステン粉末とを、該窒化珪素粉末と該炭化タングステン粉末との合計を１００質量％とした場合に、炭化タングステン粉末が５８〜７３質量％含有するように混合し、その後、焼成する。例文帳に追加

Furthermore, in the manufacturing method of the ceramic heater, when the total of silicon nitride powders which become silicon nitride after calcination and tungsten carbide powders become tungsten carbide after calcination is made to be 100 wt.%, oxygen amount contained in the heating resistor is 0.9 wt.% or less, and tungsten carbide powders are mixed so as to contain 58 to 73 wt.% and calcined afterwards. - 特許庁

そして、局所単位ランレングスリピート回数等に基づいて注目単位領域８０ａと次の単位領域８０とのランレングスが同一か否か判断され、同一の場合に注目単位領域８０ａの単位ランレングスデータが次の単位領域８０の単位ランレングスデータとして出力される。例文帳に追加

It is determined whether the unit area of interest 80a is the same in run length as the next unit area 80, on the basis of the local unit run length repeat count to output the unit run length data of the unit area of interest 80a as the unit run length data of the next unit area 80, when they are the same. - 特許庁

ピッグスキンの肉面を毛足のない表革のようにする処理、すなわち、ピッグスキンの肉面の銀面化処理方法であって、低コストでの銀面化を可能とし、ピッグスキンの風合いが生かされている肉面の銀面化処理を可能とするピッグスキンの肉面の銀面化処理方法と、これにより製造された肉面が銀面化された豚革を提供する。例文帳に追加

To provide a method for the grain side treatment of the flesh side of a pigskin, that is a treatment of the flesh side of a pigskin for producing a front leather having no shaggy, which capable of utilizing the texture of the pigskin at a low cost, and to provide a pigskin in which the flesh side is treated by grain side produced by the method. - 特許庁

本発明は半導体ウエハ等の被処理体に形成された凹凸部内にタングステン膜を形成するタングステン膜の形成方法に関し、Ｓｉ基板上に形成された凹凸内に良好にタングステンの埋めこみを行うことを課題とする。例文帳に追加

To provide a forming method of a tungsten film which forms the tungsten film in a recess formed at a workpiece such as a semiconductor wafer or the like, and to embed tungsten excellently in the recess formed on an Si substrate. - 特許庁

そして、符号データ変換部１０３は、スループットＭを効率良く実現するため、データ情報を１回出力することを示すレングス情報が複数連続する場合、それら連続する複数のレングス情報から新たな１つのレングス情報を生成する。例文帳に追加

The conversion unit 103 generates new one kind of length information, on the basis of the plurality of continuous length information, when the plurality of continuous length information which indicates the one-time output of data information exist, for efficient realization of the throughput M. - 特許庁

シリコンを主成分とする下層膜と、タングステン又はタングステン化合物を主成分とする上層膜とを有する積層膜に対してエッチングする場合に、処理数が増加しても、パターン化された上層膜の断面形状がテーパ状にならないようにする。例文帳に追加

To prevent a cross sectional shape of an upper patterned layer film from being tapered, even when the number of processings is increased, in the case that a laminated film having a lower layer film mainly comprising silicon and an upper layer film mainly comprising tungsten or tungsten compound is etched. - 特許庁

タングステン前駆体物質及び窒素ソース物質を所定割合で反応チャンバー内へ流入し、所定の温度で半導体基板上にタングステン窒化膜を蒸着するＭＯＣＶＤ工程を用いたタングステン窒化膜の形成方法において、窒素ソース物質をヒドラジン誘導体とする。例文帳に追加

The method for forming a tungsten nitride film uses an MOCVD process, in which a tungsten precursor material and a nitrogen source material are charged into a reaction chamber at a predetermined ratio, and the tungsten nitride film is vapor-deposited on a semiconductor substrate at a predetermined temperature, wherein the nitrogen source material is a hydrazine derivative. - 特許庁

但し、部分マッチングする場合でも、マッチングする文字列の文字数がＭ未満であるか、あるいは、その形態素数がＮ未満であるときは、部分マッチングする文字列を簡略文候補とせずに、当該文章がそのまま簡略化候補とされる。例文帳に追加

Even in the case of the partially matched character string, when the number of characters of the matched character string is less than M, or when the number of morphemes is less than N, the partially matched character string is not set as a simple sentence candidate, and the text is set as the simplification candidate as it is. - 特許庁

この場合、ＷＦ_６中の弗素はＳｉＨ_４中の水素と反応し、大半は弗化水素（ＨＦ）ガスとして排気され、タングステンシリサイド膜８ｂを形成する反応が継続するが、弗素の一部はタングステンシリサイド膜８ｂの中に取り込まれる。例文帳に追加

In this case, fluorine in WF_6 reacts with hydrogen in SiH_4, and most of fluorine is exhausted as hydrogen fluoride (HF) gas and the reaction for forming the tungsten silicide film 8b continues, however a part of fluorine is taken into the tungsten silicide film 8b. - 特許庁

本発明ではカソードたるモリブデンと封着金属たるモリブデン、タングステン、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を接合するにカソードたるモリブデンの一部を溶かし、封着金属たるモリブデン、タングステン、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金との界面にモリブデンを供給する。例文帳に追加

In order to join molybdenum to be used as the cathode and molybdenum, tungsten, and Fe-Ni-Co alloy to be used as the sealing metal, a part of molybdenum to be used as the cathode is fused and supplied to an interface between molybdenum, tungsten, and the Fe-Ni-Co alloy. - 特許庁

この場合、測定治具２及びマスター１０がクリーンな状態の時と比較して、必然的に治具スピンドル６の移動量が増加するため、治具スピンドル６の移動量が許容値を超える場合には、「異常有り」と判断できる。例文帳に追加

In this case, the movement quantity of the jig spindle 6 of necessity increases as compared to the case when the measurement jig 2 and the master 10 are clean, and therefore the control device 4 can determines 'abnormality', when the movement quantity of the jig spindle 6 exceeds the allowable value. - 特許庁

アナログスイッチ回路の入力ノードのリーク電流の電圧依存性を低減でき、演算増幅器の出力端子と入力端子の間にアナログスイッチ回路を配置してキャパシタの信号電荷を保持するサンプルホールド回路等に用いた場合に、保持電圧の歪みを低減する。例文帳に追加

To reduce the voltage dependency of a leak current of the input node of an analog switch circuit, and to reduce the distortion of a holding voltage, when used for a sample/hold circuit or the like for retaining the signal charge of a capacitor by arranging an analog switch circuit between an output terminal and an input terminal of an operational amplifier. - 特許庁

突然変異検査の一種で、dna断片を試料として正常塩基対と変異塩基対との間のミスマッチをスクリーニングする。例文帳に追加

a type of mutation testing in which a segment of dna is screened for mismatched pairing between normal and mutated base pairs.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

冗長なメッセージをプリントするかどうかを示すフラグ。 スクリプトとして呼び出された場合は、-vオプションによって増加します。例文帳に追加

Flag indicating whether to print verbose messages.This is incremented by the -v option if called as a script.  - Python

ただし、伝統が断絶するのを危惧する声もあり、1992年（平成3年）大学剣道（公式試合・昇段審査）では解禁された。例文帳に追加

However, some people were concerned about the discontinuity of tradition and so the prohibition on Nito was withdrawn in 1992 for University Kendo (official matches/Kendo dan examinations).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

先日，大手販売業者のイオンとセブン＆アイ・ホールディングスが都内に安売りスーパーマーケットを開店した。例文帳に追加

Major distributors, AEON and Seven & i Holdings, have recently opened discount supermarkets in Tokyo.  - 浜島書店 Catch a Wave

８月，セブン＆アイ・ホールディングスは足立区内に｢ザ・プライス｣という名称の安売りスーパーを開店した。例文帳に追加

In August, Seven & i Holdings opened a discount supermarket called “The Price” in Adachi Ward.  - 浜島書店 Catch a Wave

Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）といった金属が、ｐ側電極の材料として使用可能となる。例文帳に追加

Metals such as Al (aluminum), Ti (titanium), W (tungsten), Nb (niobium) and V (vanadium) can be used as a material of the p-side electrode. - 特許庁

超音波を利用した高時間分解能でモニタリングすることができるから、水素ガス等が漏洩した場合にその漏洩を高速で検知する。例文帳に追加

To detect leakage at a high speed, when hydrogen gas or the like is leaked, since monitoring can be performed at high time resolution using ultrasonic waves. - 特許庁

また、内層２は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、ガラス、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）またはタンタル（Ｔａ）等のグラファイトを除く無機材料からなる。例文帳に追加

The inner layer 2 is formed of an inorganic material excluding graphite such as stainless steel (SUS), glass, tungsten (W), titanium (Ti) or tantalum. - 特許庁

ｎ型ＭＩＳトランジスタＱ_1のゲート電極９ａは、アモルファス化した窒化タンタル膜６ａとタングステン膜８より形成される。例文帳に追加

Gate electrode 9a of the n-type MIS transistor Q_1 is formed of a tantalum nitride film 6a rendered amorphous and a tungsten film 8. - 特許庁

信号波形生成出力装置１は、アナログスイッチ回路ＩＣ４と選択信号出力回路５とを有する。例文帳に追加

The signal waveform generating output device 1 has an analog switch circuit IC4 and a selection signal output circuit 5. - 特許庁

この溶液により、ＡｌＧａＡｓ層またはＧａＡｓ層をＩｎＧａＡｓ層に対して選択的にエッチングすることができる。例文帳に追加

The solution can be used to selectively etch AlGaAs layer or GaAs layer with respect to an InGaAs layer. - 特許庁

ワイヤ７Ａのループ高さを半導体素子２Ａより高くなるように内部電極４Ａとダミー電極４４との間をワイヤボンディングする。例文帳に追加

Wire bonding is carried out between the internal electrode 4A and the dummy electrode 44 so that the loop height of a wire 7A is higher than a semiconductor element 2A. - 特許庁

マスク２０ａを用いて積層体１９をエッチングすることにより、ＩｎＰ基板１０ａ上に半導体メサ２２を形成する。例文帳に追加

By etching the laminated body 19 using the mask 20a, a semiconductor mesa 22 is formed on the InP substrate 10a. - 特許庁

愛玩動物用の排泄物処理シート１が排泄物の臭気をマスキングすることが可能な香気を発生させる香料を含む。例文帳に追加

The excrement treating sheet 1 for pet animals contains a perfume to emit fragrance for masking the odor of the excrement. - 特許庁

第一層と第二層の間に、中間層として無機材料、ポリシロキサン樹脂またはフッ素樹脂をコーティングする。例文帳に追加

Further, an inorganic material, a polysiloxane resin, or a fluororesin is interveningly coated between the first layer and the second layer as an intermediate layer. - 特許庁

III-Ｖ族化合物半導体のＩｎＧａＡｓからなるコンタクト層１６にＣドーパントをドーピングすることにより、表面の凹凸が減少する。例文帳に追加

Irregularities on the surface are suppressed by doping C dopant to a contact layer 16 of III-V compound semiconductor, i.e., InGaAs. - 特許庁