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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > たぬまちょうに関連した英語例文

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たぬまちょうの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14115



例文

Zn、SnおよびOから構成される透明導電性膜であって、ZnモルとSnモルの和に対するZnモルの比(Zn/(Zn+Sn))が0.41以上0.55以下の範囲であり、非晶質膜であり、膜の抵抗率が1×10^-2Ωcm未満であることを特徴とする透明導電性膜。例文帳に追加

The transparent conductive film composed of Zn, Sn and O has a ratio of a total of Zn mol and Sn to Zn mol (Zn/(Zn+Sn)) in a range of 0.4 or more and 0.55 or less and is an amorphous film with a film resistance ratio less than 1x10^-2Ωcm. - 特許庁

特徴抽出部102は入力パターン又は学習パターンからn次元特徴を抽出する。例文帳に追加

A feature extraction part 102 extracts an n-dimensional feature from an input pattern or a learning pattern. - 特許庁

また、塗布ノズルを用いて塗布対象物に塗液を塗布するための塗布装置であって、塗布ノズル内部に塗液溜まり部と塗液上部の空間部を有し、前記塗液溜まり部へ分散して塗液を供給する塗液分散手段を有することを特徴とする塗液の塗布装置。例文帳に追加

Also the device has a coating liquid reservoir part inside the coating nozzle and a space part above the coating liquid and a coating liquid distributing means for distributing the coating liquid to the coating liquid reservoir part. - 特許庁

1.波長400〜800nmにおいて、正の複屈折性を示す構造単位(I)と負の複屈折性を示す構造単位(II)とからなり、構造単位(I)又は(II)のみからなる重合体を同一条件で一軸延伸した場合の任意の波長:λにおけるx軸方向の屈折率:Nx(λ)とy軸方向の屈折率:Ny(λ)の差、すなわち、Nx(λ)−Ny(λ)をそれぞれ△N_I(λ)及び△N_II(λ)としたとき、△N_I(λ)+△N_II(λ)>0 △N_I(λ)−△N_I(800)<△N_II(800)−△N_II(λ)[ここで、△N_I(800)及び△N_II(800)は、波長800nmにおけるx軸方向とy軸方向の屈折率の差を示す。例文帳に追加

The optical film contains a thermoplastic norbornene-based resin composed of a structural unit (I) which imparts positive birefringence and a structural unit (II) which imparts negative birefringence in the wavelength region from 400 to 800 nm. - 特許庁

例文

続いて義朝が為朝の守る門を攻めるが、鎌田の軍勢が蹴散らされ、義朝自身も兜の飾りを射ぬかれるなど窮地に陥る。例文帳に追加

Additionally, Yoshitomo attacks the gate that Tametomo is guarding, but KAMATA's army is defeated and Yoshitomo himself is driven into a difficult situation in which an ornament of his battle helmet is shot through with an arrow.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス


例文

主なものに、千葉県長生郡長南町給田、東京都世田谷区給田(世田谷区)、静岡県沼津市下香貫給田などがある。例文帳に追加

Main examples are Kyuden, Chonan-cho, Chosei-gun, Chiba Prefecture, Kyuden, Sedagaya Ward, Tokyo, Kyuden, Shimokanuki, Numazu City, Shizuoka Prefecture.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また、16個のLEDチップ120は、ピーク波長が400〜700nmであり、ピーク波長の間隔が20nmずつ異なっている。例文帳に追加

Further, the 16 LED chips 120 have peak wavelengths of 400 to 700 nm at intervals of 20 nm. - 特許庁

次に、プラズマ損傷層13を選択成長マスクとしてn^- −GaN層17を選択成長させる(図1d)。例文帳に追加

Then, the n^--GaN layer 17 is selectively grown by using the plasma-damaged layer 13 as a selective growth mask (fig. 1d). - 特許庁

また本発明は、2^k階調(n<k≦2n)の表示が可能である表示装置を用いて、2^n-α階調(0<α<2^n、αは自然数)の表示を行う。例文帳に追加

A display device capable of display of 2^k gradations (n<k≤2n) is used to display 2^n-α gradations (0<α<2n where α is a natural number). - 特許庁

例文

成長用基板1上に選択成長用マスク11及びAlNバッファ層2が形成され、さらにノンドープGaN層3、n型GaN層4、MQW活性層5、p型GaN層6が順に積層されている。例文帳に追加

Masks 11 for selective growth and an AlN buffer layer 2 are formed on a substrate 1 for growth, and further a non-doped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order. - 特許庁

例文

また、好適には、この分散補償光ファイバ10は、波長1550nmにおけるRDSが0.005nm^−1〜0.009nm^−1の範囲にある。例文帳に追加

It is suitable that RDS at 1,550 nm wavelength of the dispersion compensating optical fiber is in a range of 0.005 to 0.009 nm^-1. - 特許庁

続いてSiO_2 膜4上およびGaN層3上にアンドープのGaN層6を再成長させた後、GaN層6の表面を研磨する。例文帳に追加

Then, after an undoped GaN layer 6 is grown again on the SiO2 film 4 and GaN layer 3, the surface of the GaN layer is polished. - 特許庁

また、本発明の不織布の製造方法は、かかる不織布製造装置を用いて不織布を製造することを特徴とするものである。例文帳に追加

The method for producing the nonwoven fabric is to produce the nonwoven fabric by using the apparatus for producing the nonwoven fabric. - 特許庁

ついには御犬毛付帳制度をつけて犬を登録制度にし、また犬目付職を設けて、犬への虐待が取り締まられ、元禄9年(1696年)には犬虐待への密告者に賞金が支払われることとなった。例文帳に追加

Therefore, a registration system for Dogs was established, dogs were protected from cruel treatment by appointing inspectors, and from 1696 the shogunate offered rewards to people who informed on cruel treatment towards dogs.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

次に第一のn型GaN層105上に、マスク層106の開口部から第二のn型GaN層107、In_xGa_1-xNとGaNからなる多層量子井戸層108、p型GaN層109、p型GaNコンタクト層110を順次エピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Thereafter, a second n-type GaN layer 107, a multilayer quantum well layer 108 consisting of In_xGa_1-xN and GaN, a p-type GaN layer 109, and a p-type GaN contact layer 110 are sequentially grown epitaxially on the first n-type GaN layer 105 from the opening of the mask layer 106. - 特許庁

また、短長カップスタック型カーボンナノチューブの長さは500nm以下が好ましい。例文帳に追加

The length of the short/long cup stacked type carbon nanotube is preferably 500 nm or less. - 特許庁

また、その組成物が基板または対象物に塗工されてなる調湿材料である。例文帳に追加

The humidity-conditioning material also comprises the composition applied on a substrate or an object. - 特許庁

正の波長分散を備えるSMFまたはNZ−DSFファイバの波長分散を補償するのに適合した波長分散補償ファイバは、1800nmより大きな理論カットオフ波長および、1550nmの波長において、−150ps(nm・km)以上の負の波長分散を有する。例文帳に追加

The chromatic dispersion compensating fiber suitable for compensating the chromatic dispersion of the SMF or the NZ-DSF fiber having positive chromatic dispersion, has a negative chromatic dispersion of -150 ps(nm.km) in a theoretical cutoff wavelength larger than 1,800 nm and at a wavelength of 1,550 nm. - 特許庁

十字布地の、上下、左右、対称で一方は布地の表面に、一方は布地の裏面に調整用マジックテープを等間隔に装着したことを特徴とする枕の高さと硬さを調整できる枕カバー。例文帳に追加

In this pillow cover for adjusting the height and hardness of a pillow, adjusting hook-and-loop fasteners are applied at equal spaces to the surface and back of the cross-shaped cloth piece to be symmetrical right and left and upper and lower sides. - 特許庁

ナマコ100貫から腸8升が、腸1升からこのわた7合ができる。例文帳に追加

As a result, guts f 8 sho may be obtained from sea cucumber of 100 'kan' (another measuring unit), Konowata of 7 go from guts of 1 sho.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

青色狭帯域光の波長帯域は、波長変換素子55により5nm刻みで変更が可能である。例文帳に追加

The wavelength bandwidth of the blue narrow bandwidth light is changeable by 5 mm by the wavelength tunable element 55. - 特許庁

低光沢金属調塗料組成物、塗膜形成方法および低光沢金属調塗装物例文帳に追加

LOW-GLOSS METAL-TONE COATING COMPOSITION, METHOD FOR FORMING COATING FILM AND LOW-GLOSS METAL-TONE COATED ARTICLE - 特許庁

本ブローの前にプリフォーム1を所定の予備温調金型201に入れて偏温化温調した予備成形体2に成形する。例文帳に追加

A preliminary molded body 2 to which weighted temperature adjustment is carried out by inserting a preform 1 into a preliminary temperature adjusting die 201 is molded before main blow. - 特許庁

またこの方法は、反応器内にサファイア基板の装着からGaN中間層の成長、GaN厚膜の成長、成長後反応器からGaN厚膜を取り出す工程が連続的になされる利点もある。例文帳に追加

Moreover, this method has the advantage that the process of the loading of the sapphire substrate into a reactor, the growth of the GaN intermediate layer, the growth of the GaN thick film and the discharge of the GaN thick film from the reactor after the growth can continuously performed. - 特許庁

粉末法またはチューブ法で作製されるNb_3Sn超電導線材を、簡便な方法で超電導接続し、NMRマグネットとして要求される磁場安定性を得ることのできる超電導構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a superconducting connection structure capable of obtaining a stable magnetic field necessary for an NMR magnet by connecting a Nb_3Sn superconducting wire material manufactured by a powder method or a tube method in a superconducting manner, and to provide a method of efficiently manufacturing the same. - 特許庁

大腸菌終結因子を阻害するRNAアプタマー、及びその利用例文帳に追加

RNA APTAMER INHIBITING TERMINATION FACTOR OF ESCHERICHIA COLI AND ITS UTILIZATION - 特許庁

単一のアレイ特徴部に複数のオリゴヌクレオチドを有するマイクロアレイ例文帳に追加

MICROARRAY HAVING MULTIPLE OLIGONUCLEOTIDES IN SINGLE ARRAY FEATURE AREA - 特許庁

ポリマー/ポリヌクレオチド複合体を含有するナノ粒子が、調製されている。例文帳に追加

Nano particles containing a polymer/polynucleotide complex are prepared. - 特許庁

PPARδ調節のマーカーとしてのANGPTL4/FIAF例文帳に追加

ANGPTL4/FIAF AS MARKER FOR PPARδ MODULATION - 特許庁

固体NMR用試料管およびマジックアングル調整機構例文帳に追加

SAMPLE TUBE FOR SOLID NMR, AND MAGIC ANGLE ADJUSTMENT MECHANISM - 特許庁

DNAマイクロアレイ等に供する検体の調製方法例文帳に追加

METHOD FOR PREPARING SPECIMEN PROVIDED TO DNA MICROALLEY AND THE LIKE - 特許庁

流路4は三つの温調領域部α、β、γを有している。例文帳に追加

The passage 4 has three heated and/or cooled region parts α, β, γ. - 特許庁

これにより得られる塗膜は長期に渡り、経時変化のないものとなる。例文帳に追加

Accordingly, the obtained coating film does not suffer a change with time for a long term. - 特許庁

玉ねぎ皮剥機における根芯部除去装置のくり貫き深さ調整装置例文帳に追加

SCOOPING DEPTH-ADJUSTING DEVICE OF ROOT CORE-REMOVING DEVICE IN ONION-PEELING MACHINE - 特許庁

エピタキシャル成長によるZnSe薄膜及びその製造方法例文帳に追加

ZINC-SELENIUM THIN FILM BY EPITAXIAL GROWTH AND ITS PRODUCTION - 特許庁

発振子からひび割れまでの距離T_n、受振子からひび割れまでの距離R_nの組(T_n,R_n)について、互いに距離を代えた複数組に対して、各組毎に探傷部での超音波伝播時間t_cnと健全部での超音波伝播時間t_onを求める。例文帳に追加

Regarding a plurality of groups (T_n, R_n) of distance T_n from the transmitting pendulum to a crack and distance R_n from the receiving pendulum to the crack while distances are different from each other, the ultrasonic propagation time t_cn in a flaw detection section and the ultrasonic propagation time t_on in a sound section are determined every group. - 特許庁

本発明は、細胞中の短いRNA分子、特に、RNA阻害(RNAi)、miRNA媒介発現調節に関与し得るdsRNA(siRNA、shRNAなど)およびmiRNAまたはRNAアプタマー(例えば、リボスイッチ)の発現をターゲティングおよび/または調節するために使用することができる遺伝子構築物に関する。例文帳に追加

The invention concerns genetic constructs that can be used to target and/or regulate expression of short RNA molecules in cells, particularly dsRNA molecules that can participate in RNA inhibition (RNAi), miRNA mediated expression regulation, such as siRNAs, shRNAs, and miRNAs or RNA aptamers, e.g., riboswitches. - 特許庁

370nm以上460nm以下の領域に発光ピークを有する光で励起した際、540nm以上550nm以下の波長領域における狭帯域発光スペクトルと、500nm以上600nm以下の波長領域における広帯域発光スペクトルとを示すことを特徴とする。例文帳に追加

The fluorescent substance exhibits a narrow band light emission spectrum within a wave length region of540 nm and ≤550 nm, and a broad band light emission spectrum within a wave length region of500 nm and ≤600 nm when being excited by the light having the light emission peak within the region of ≥370 nm and ≤460 nm. - 特許庁

フォトトランジタ32の受光波長領域は、300nmから600nmまでの波長領域にある。例文帳に追加

The received light wavelength area of the phototransistor 32 is in a wavelength area from 300 nm to 600 nm. - 特許庁

種光源11は、波長範囲1500nm〜1650nmに含まれる中心波長を有する光を出力する。例文帳に追加

The seed light source 11 outputs light having a central wavelength in a wavelength range of 1,500 to 1,650nm. - 特許庁

サファイア基板11上にn型GaN層12を成長させ、その上にSiO_2 膜などにより成長マスクを形成する。例文帳に追加

An n-type GaN layer 12 is grown on a sapphire substrate 11, and a growth mask is formed of an SiO_2 film or the like on it. - 特許庁

ボトル口・脱水布・乾燥布まで香りの強さがちょうど良く、残香の質も高い柔軟剤用香料組成物の提供。例文帳に追加

To provide a perfume composition for a softening agent that has appropriate intensity of scent for a bottle mouth, a dewatered cloth, and even a dried cloth and also has high quality of remaining scent. - 特許庁

また、実質的にカーテンバッグの全面に亘り、膨張可能な形状としたことにより布の張力を高めた形状を特徴とする。例文帳に追加

A shape with the enhanced tension of the cloth is formed by having an expandable shape over the substantially entire surface of the curtain airbag. - 特許庁

こて塗り時の作業性に優れるとともに、硬化塗膜を容易に研磨することが可能な下地調整塗材を提供する。例文帳に追加

To provide a surface-preparation primer coating material which is excellent in the workability at the time of troweling and whose cured coating film can be easy to polish. - 特許庁

寸動又は逆転時に発生する緯糸の緯糸測長貯留装置への巻き付きやノズル抜けを防止することにある。例文帳に追加

To provide a weft length measuring and reserving system designed to prevent a weft from wrapping or nozzle skipping that may occur in the slight movement or reverse action of a loom. - 特許庁

また、Niを0.2〜1.5%および/またはBを0.001〜0.010%含有することも特徴とする。例文帳に追加

Also, the wire contains 0.2 to 1.5% Ni and/or 0.001 to 0.010 B. - 特許庁

Snを含む金属粉末を充填したNb基パイプ、または、Sn基芯材を中心位置に配置したCu基パイプを挿入したNb基パイプを、複数本安定化銅に埋設し、これを伸線加工した後、熱処理して得られるNb_3Sn超電導線材を、被接続線材の少なくとも一方として構成される超電導接続構造体において、前記Nb基パイプがTaを含むNb基合金パイプであり、熱処理後における前記Nb基合金パイプのビッカース硬度が150以上であると共に、超電導中間介在物を介して前記Nb_3Sn超電導線材を接続して構成された超電導接続構造体。例文帳に追加

The Nb base pipe is an Nb base alloy pipe containing Ta, and a Vickers hardness of the Nb base alloy pipe after the heat treatment is150, and the superconducting connection structure is constructed by connecting the Nb_3Sn superconducting wire materials through a superconducting intermediate substance. - 特許庁

洋服を作るために布を切った後に余る不要な布は、長方形でない布が多く、別の目的に利用しにくい。例文帳に追加

When pattern pieces for making Western clothing are cut out from cloth, a lot of pieces in various shapes mostly other than rectangular are left so, they are difficult to use for other purposes.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その日に新羅への使者として息長老と大伴子君、学問僧弁通、神叡が絁(あしぎぬ)、綿、布を賜った。例文帳に追加

On that day, the envoy to Silla including OKINAGA no Oyu, OTOMO no Kokimi, Bentsu and Shinei who were both monks received thick silk fabric, cotton and cloth.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

GaN系半導体光素子、GaN系半導体光素子を作製する方法、エピタキシャルウエハ及びGaN系半導体膜を成長する方法例文帳に追加

GAN-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING GAN-BASED SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF GROWING GAN-BASED SEMICONDUCTOR FILM - 特許庁

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