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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > たぬまちょうに関連した英語例文

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たぬまちょうの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 14115



例文

製品個々に調整が必要な部位の最適調整値が異なる場合などに、調整工程前に設定する暫定調整値として、それまでに調整したn台分の最適調整値の代表値を暫定調整値として設定する。例文帳に追加

When the optimal adsjustment value of a part to be adjusted varies from product to product, as a temporary adjustment value set before an adjustment step, a representative value among optimal adjustment values of adjused products is set as such. - 特許庁

プラズマ損傷層13を選択成長マスクとして用いるため、n^- −GaN層17の成長中にSiがドープされることがなく、n^- −GaN層17のキャリア濃度の制御を正確に行うことができる。例文帳に追加

Since the plasma-damaged layer 13 is used as the selective growth mask, Si is prevented from being doped during the growth of the n^--GaN layer 17, and the carrier concentration of the n^--GaN layer 17 can be correctly controlled. - 特許庁

高濃度までのn型ZnTe系物質を成長することができ、ZnTe系物質のpn接合を容易に形成することができる化合物半導体の結晶成長方法及び光半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal, with which an n-type ZnTh-family substance doped at up to a high concentration is grown and a pn junction in a ZnTh substance is easily formed, and an optical semiconductor device thereby. - 特許庁

また、照射する紫外線のピーク波長は、200〜400nmであるのが好ましい。例文帳に追加

A peak wavelength of the ultraviolet radiation for exposure is preferably 200-400 nm. - 特許庁

例文

また、HR膜18BとInPブロック19の間に低屈折率調整膜18cを備える。例文帳に追加

It further includes a low-refractivity adjustment film 18c between the HR film 18B and the InP block 19. - 特許庁


例文

布地の模様と色調をそのまま活かした装身具及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an accessory for utilizing the pattern and color tone of cloth as they are and the manufacturing method. - 特許庁

また、支持基板の表面張力が0.5N/m以下であることも含まれる。例文帳に追加

The method also includes using the base plate having a surface tension of 0.5 N/m or below. - 特許庁

インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、亜鉛元素(Zn)及び錫元素(Sn)を含み、Ga_2In_6Sn_2O_16又は(Ga,In)_2O_3で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。例文帳に追加

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3. - 特許庁

Si(110)基板上に、2H−AlNバッファー層を介して、GaN(0001)もしくはAlN(0001)単結晶膜、または、GaN(0001)およびAlN(0001)の超格子構造を形成する。例文帳に追加

A GaN (0001) or an AlN (0001) single crystal film, or a super-lattice structure of the GaN (0001) and the AlN (0001) is formed on a Si (110) substrate via a 2H-AlN buffer layer. - 特許庁

例文

まず、サファイアよりなる基板11上に、GaNよりなるn型コンタクト層13、AlGaNよりなるn型クラッド層14、InGaNよりなる活性層15、AlGaNよりなる第1のMgドープ層16A及びGaNよりなる第2のMgドープ層17Aを順次成長させる。例文帳に追加

An N type contact layer 13 of GaN, an N type cladding layer 14 of AlGaN, an active layer 15 of InGaN, a first Mg-doped layer 16A of AlGaN and a second Mg-doped layer 17A of GaN are first sequentially grown on a substrate 11 of sapphire. - 特許庁

例文

偶然垣間見た宇治の大君(おおいぎみ、八の宮の長女)に思いを寄せるが、受け入れられぬまま死に別れる。例文帳に追加

He fell in love with Oigimi (first daughter of Hachinomiya) in Uji when he caught a glimpse of her by chance, but she died before his love was accepted.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

加熱調理機器に差し込まれたSDカードを抜かれた場合でもレシピ調理を行える加熱調理器を提供する。例文帳に追加

To provide a heating cooker capable of performing cooking with a recipe even when an SD card inserted into a heating cooking appliance is pulled out. - 特許庁

その後、半導体膜36(例えば、InAs膜又はInGaAs膜)を溝27内にエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

After that, epitaxial growth of a semiconductor film 36 (e.g. an InAs film or an InGaAs film) is performed in the trench 27. - 特許庁

また、緯糸引込み用チャック8で引込まれる緯糸6に一定の張力を付与する手段16を設けた。例文帳に追加

The loom is further provided with a means 16 for applying uniform tension to the weft 6 inserted with the weft- insertion chuck 8. - 特許庁

また、前記各ショット内の同一特徴区間の特徴情報の下位情報として、さらに第n階層(nは正の整数)まで下位の同一特徴区間の特徴情報を記述する。例文帳に追加

Furthermore, feature information of the same low-order feature section up to an n-th hierarchy ((n) is a positive integer) is described as low-order information of feature information of the same feature section within each of the shots. - 特許庁

たとえば、GdをGaNに添加することによって作製したGaGdNは、GaNまたはAlGaNと同じ温度で成長させることができ、かつGaNよりもバンドギャップを小さくすることができる。例文帳に追加

For instance, GaGdN manufactured by adding Gd to GaN can be grown at the same temperature as GaN or AlGaN and a band gap is reduced more than GaN. - 特許庁

波長設定器260は、駆動部212、およびBPF240に対してλ_0〜λ_Nの波長を設定するように波長設定信号を順次送出し、BPF240において波長λ_1〜λ_Nまでのすべての波長を掃引する。例文帳に追加

A wavelength setter 260 subsequently sends a wavelength setting signal to a drive part 212 and a BPF 240 so that wavelengths λ_0 to λ_N are set, and sweeps all the wavelengths the wavelengths λ_0 to λ_N in the BPF 240. - 特許庁

また、木造の狛犬は南北朝時代(日本)に作られたと言われている。例文帳に追加

In addition, it is said that the wooden komainu (shrine guardian dog statues) were made during the period of Northern and Southern Courts (Japan).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

透光性を有する基材の片方の面に塗工された塗膜の検査方法であって、前記基材と塗液供給手段との間に形成された塗液溜まりであるビードを、塗液塗工面とは反対の面の側から監視することを特徴とする塗工検査方法。例文帳に追加

A method for inspecting a coating film coated on one side of the translucent substrate monitors a bead, a coating fluid pool formed between the substrate and a coating fluid supply means, from the other side of the coating fluid coated side. - 特許庁

バリア層の波長340nm〜380nmの光に対する吸光度が0.10以下であり、かつバリア層の波長240nm〜300nmの光に対する吸光度が0.15以上であることが好ましい。例文帳に追加

The barrier layer preferably has an absorbance to light of 340-380 nm wavelength of ≤0.10 and an absorbance to light of 240-300 nm wavelength of ≥0.15. - 特許庁

次いで、再び反応室の温度を1040℃まで上げ、GaN単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にCrN膜、GaNバッファー層を介して厚さが約20μmのGaN単結晶膜を得た。例文帳に追加

Subsequently, the temperature of the reaction chamber is again raised up to 1,040°C and a GaN single crystal film with a thickness of about 20 μm is obtained on the base crystal substrate through the CrN film and the GaN buffer layer by growing the GaN single crystal film. - 特許庁

622年に聖徳太子が死ぬと、橘大郎女は推古天皇に願い出て、釆女に天寿国曼荼羅繍帳(てんじゅこくまんだらしゅうちょう、天寿国繍帳とも言う)を作らせた。例文帳に追加

When the Prince Shotoku died in 622, with the permission of the Empress Suiko, TACHIBANA no Ooiratsume ordered Uneme (the ancient court hostess) to make the Tenjukoku Mandara Shucho (tapestries with embroideries representing Tenjuku paradise, also called Tenjukoku Shucho).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

また、Si化合物(R1R2N)nSiH4−n(R1,R2はアルキル基、nは1〜4の整数。)と(R1R2N)Zrで気相成長法により、ZrとSiの酸化膜を形成する。例文帳に追加

Also, an oxide film of Zr and Si is formed through vapor-phase growth method with a Si compound (R1R2N)nSiH4-n (R1 and R2 are alkyl groups, and n is an even number of 1-4) and (R1R2sN)Zr. - 特許庁

織布又は不織布状の炭素繊維の表面に気相成長法によってSiC、Si_3N_4、Al_2O_3、AlN、BN等のセラミックスの被膜を0.1〜5μm厚に形成したものを焼結用セッター材とする。例文帳に追加

The material for the setter for sintering has a coating film which is formed into a thickness of 0.1 to 5 μm on the surface of a woven fabric or nonwoven fabric of a carbon fiber with a vapor-phase growing method, and is made from a ceramic material such as SiC, Si_3N_4, Al_2O_3, AlN and BN. - 特許庁

また、塗布ノズルを用いて塗布対象物に塗液を塗布するための塗布装置であって、塗布ノズルから塗液供給源の間に塗液制御弁を有し、塗液制御弁が非摺動開閉構造であることを特徴とする塗液の塗布装置。例文帳に追加

The device has a coating liquid control valve between the coating nozzle and a coating liquid supply source, and the coating liquid control valve has a non-sliding opening and closing structure. - 特許庁

通常布地は斜め地、ニット布80度右傾きで出来ていて、布帛布地も0.5度右傾きは撚糸現象で起る又皮やプラスチックス布も左右の傾き布地が傾き左裁断を傾き右裁断に反転する事で伸縮出来る布地と3方向伸張布地(3D.StretchableCLOTHS)の製造出来る方法の布地。例文帳に追加

CLOTH STRETCHABLE BY INCLINING LEFT CUTTING AND REVERSING TO RIGHT CUTTING FOR NORMAL CLOTH MADE OF DIAGONAL KNIT CLOTH OF 80-DEGREE RIGHT INCLINATION, FABRIC CLOTH OF 0.5-DEGREE RIGHT INCLINATION CAUSED BY TWISTED THREAD PHENOMENON, AND LEATHER AND PLASTIC CLOTH OF RIGHT AND LEFT INCLINATION, AND CLOTH FOR METHOD FOR PRODUCING 3D STRETCHABLE CLOTH - 特許庁

カラーベース塗膜、マイカベース塗膜及びクリヤー塗膜が順次形成された比色用カラーカードにおいて、上記マイカベース塗膜に複数の膜厚水準が設けられていることを特徴とする比色用カラーカード。例文帳に追加

The colorimetric color card successively formed with the color base coating film, the mica-base coating film and the clear coating film is provided with plural film thickness levels on the mica-base coating film. - 特許庁

RNAにプライマーをアニールし、dNTP及びddNTPの存在下、逆転写酵素を用い、前記RNAと相補なDNAを合成することを含む短鎖DNAの調製方法、である。例文帳に追加

This method for preparing the short chain DNA comprises annealing a primer to an RNA, and synthesizing a DNA complemental to the RNA by using a reverse transcriptase in the presence of dNTP and ddNTP. - 特許庁

GaN層15を成長する際に、ZnO単結晶基板11がアンモニアによって破壊されるのを保護膜12により抑制でき、InGaN層やGaN層へのZn,Oの混入を抑制できる。例文帳に追加

When the GaN layer 15 is grown, the protective film 12 prevents the ZnO single crystal substrate 11 from being destroyed by ammonia, and mixing of Zn or O to the InGaN layer or the GaN layer can be controlled. - 特許庁

沈殿池等に展張した水中膜が、水を抜いても展張状態を保持し得る水中膜の展張方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an extension method of underwater membrane wherein the underwater membrane extended in a settling pond or the like can keep the extended state even water is withdrawn. - 特許庁

視聴関心度が低い場合は幼いペット、視聴関心度が高まるにつれ成長したペット画像をペット画像リスト32から抜き出す。例文帳に追加

An infant pet image when the degree of view interest is low or a grown pet image as the degree of view interest gets higher is extracted from a pet image list 32. - 特許庁

引抜き待ち時間調整部52は、引抜き待ちタイマ4の引抜き待ち時間Taを短縮し、引抜き待ち時間Taの終了時点が設定圧力値P1の検出時点Bよりも短くならないように引抜き待ち時間Taを微調整する。例文帳に追加

The drawing waiting time adjusting part 52 shortens the drawing waiting time Ta of a drawing waiting timer 4 to finely adjust the same so that the completion point of time of the drawing waiting time Ta does not become shorter than the detection point B of time of a set pressure value P1. - 特許庁

研磨布13の長期間使用などにより、研磨布の布表面が目詰まりしたり、研磨布13上の平滑性が悪化した場合は、削り刃14を使用して、研磨布13の布表面を所定厚さで、通常、研磨定盤11の上面と平行に削り取る。例文帳に追加

When the cloth surface of a polishing cloth generates a blinding, or the smooth property on the polishing cloth 13 is deteriorated, by using it for a long period, the cloth surface of the polishing cloth 13 is cut parallel to the upper surface of a polishing surface plate 11 normally, at a specific thickness, by using a cutting edge. - 特許庁

基布1の両肩部の外側に相当する部分に略3角形状の暖房布2を設けた肩防寒布であり、又、基布1が毛足の長い布からなる肩防寒布であり、暖房布2が基布1より繊維長の長い布からなる肩防寒布、更には、暖房布2が嵩高繊維製品からなる肩防寒布を構成するものである。例文帳に追加

Concerning this shoulder warmer, almost triangular warming cloth 2 is provided at the portion of base cloth 1 corresponding to the outside of both the shoulders, the base cloth 1 is composed of cloth having long piles, the warming cloth 2 is composed of the cloth of fibers longer than the base cloth 1 and further, the warming cloth 2 is composed of a bulk fiber product. - 特許庁

カラーインクが、500〜600nmに吸収波長を持ち、600〜700nmに主な反射波長を持つ少なくとも1色のマゼンタインクを有する。例文帳に追加

The color ink has at least unicolor magenta ink having absorbing wavelengths at 500-600 nm and having reflecting wavelengths at 600-700 nm. - 特許庁

ファイバはさらに、1530〜1580nmの波長範囲で絶対値が0.03ps/nm^2・km未満の波長分散勾配を有する。例文帳に追加

The fiber also presents dispersion having a slope of absolute value less than 0.03 ps/(nm^2 km) in the wavelength range 1530 nm to 1580 nm. - 特許庁

オペランドアクセス調停部23は、マスタ1〜Nからのアクセス要求のうちスヌープの必要なアクセス要求を調停する。例文帳に追加

An operand access arbitration part 23 arbitrates an access request to be snooped among the access requests from the masters 1-N. - 特許庁

照射する光Hは、その光の波長を950nm又は1450nmの水の特異吸収波長とする。例文帳に追加

The light H to be applied has unique water absorption wavelength of 950 nm or 1,450 nm. - 特許庁

命令フェッチ調停部21は、マスタ1〜Nからのアクセス要求のうちスヌープの不要なアクセス要求を調停する。例文帳に追加

An instruction fetch arbitration part 21 arbitrates an access request not to be snooped among access requests from masters 1-N. - 特許庁

ファイバはさらに、1530〜1580nmの波長範囲で絶対値が0.03ps/nm^2・km未満の波長分散勾配を有する。例文帳に追加

The fiber has also a wave-length dispersion gradient less than 0.03 ps/nm2.km in its absolute value within 1530-1580 nm of wave-length range. - 特許庁

基板温度を1000℃に保ったまま、このAlN中間層3上に厚さ3μmのGaN層4を結晶成長する。例文帳に追加

Keeping a substrate temperature at 1000°C, a GaN layer 4 of thickness 3 μm is grown in crystal on the AlN intermediate layer 3. - 特許庁

──圧すと同時に、彼の心はくまなく安堵に覆われ、彼の腕首の緊張は、快さにえも言えぬほど高まった。例文帳に追加

pressing, with all his heart behind in a passion of relief, the tension of his wrists exquisite with relief.  - D. H. Lawrence『プロシア士官』

光源1は、例えばArFエキシマレーザ(193nm)、F_2レーザ(157nm)等の200nm以下の波長のレーザ光を射出する。例文帳に追加

A light source 1 emits laser light having a wavelength of 200 nm or shorter such as ArF excimer laser (193 nm) and F_2 laser (157 nm). - 特許庁

高粘度の塗工液を塗工する場合でも、コンマ型ロールのベンディングを調整できる塗工装置を提供する。例文帳に追加

To provide a coating apparatus in which the bending of a comma type roll is adjusted even in the application of a high viscous coating liquid. - 特許庁

プライマー一本鎖DNAならびにそれを用いる二本鎖cDNAの調製方法および片側一本鎖DNAの増幅方法例文帳に追加

PRIMER SINGLE-STRANDED DNA, METHOD FOR PREPARING DOUBLE- STRANDED CDNA USING THE SAME, AND METHOD FOR AMPLIFYING ONE-SIDED SINGLE-STRANDED DNA - 特許庁

また、それら配線LN1,LN2の平行配線率と、配線長ズレ率とが、予め設定した閾値を上回った場合に、エラー表示がなされる。例文帳に追加

Error display is shown in the case that parallel wiring ratio of the wiring LN1, LN2 and wiring length difference ratio exceeds a predetermined threshold value. - 特許庁

発光波長が350nmから420nmの長波長紫外線及び短波長可視光線により励起され発光する蛍光体において、Eu^3+イオンを2次元または1次元に配列した蛍光体。例文帳に追加

In the phosphor radiating emission by excitation by a long wavelength ultraviolet ray or a short wavelength visible ray having a light- emitting wavelength of 350 nm to 420 nm, an Eu^3+ ion is arranged bidimensionally or unidimensionally. - 特許庁

ZnTe系化合物半導体結晶において、ZnTe系化合物半導体層の上にn型CdSeとn型ZnTeとが積層されてなる超格子層またはZnCdSeTeの組成勾配層を含むn型コンタクト層を有するようにした。例文帳に追加

A ZnTe-based compound semiconductor crystal is constituted to have a superlattice layer, formed by laminating n-type CdSe and n-type ZnTe upon another or an n-type contact layer containing a ZnCdSeTe graded layer on a ZnTe-based compound semiconductor layer. - 特許庁

町人の場合は袋付という、下に膨らませた髱が主流になった(但し男性は抜き衣紋をしない)。例文帳に追加

Among townspeople, tabo puffed out downward, called Fukurotsuki, was prevailing (although men did not practice nukiemon).  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

露光前乾燥塗膜厚25μmあたり、レーザー波長400nmの吸光度L_400が0.5−1.2、かつ、レーザー波長410nmにおける吸光度L_410が0.01−0.5であり、かつ、L_400>L_410であることを特徴とする組成物。例文帳に追加

The composition is characterized in that, per 25 μm thickness of a dry film before exposure, an absorbance L_400 at 400 nm laser wavelength is 0.5-1.2, an absorbance L_410 at 410 nm laser wavelength is 0.01-0.5, and L_400>L_410 is satisfied. - 特許庁

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原題:”The Prussian Officer”

邦題:『プロシア士官』
This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide.

Copyright (C) Yusuke Inatomi 2006
版権表示を残すかぎり、上の翻訳は自由に利用していただいて構いません。
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