「ディコ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

各トレンチ５は、列方向Ｙに延び、隣り合うトレンチ５間およびボディコンタクト領域９との間にそれぞれ一定間隔Ｄが生じるように、複数の弧状部１１を連結した蛇行状をなしている。例文帳に追加

Each trench 5 extends in the column direction Y and a plurality of arcuate parts 11 are connected to meander such that a fixed clearance D is provided between adjoining trenches 5 and between the trench 5 and the body contact region 9. - 特許庁

ボディコンタクトを有する半導体装置及びその製造方法に関し、ゲート容量を低減し、トランジスタの速度性能劣化を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which has a body contact and in which gate capacity is reduced, and the deterioration of the speed performance of a transistor can be suppressed, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device. - 特許庁

セルシュリンクによるソース領域とコンタクトプラグとの接触面積の縮小を防止するとともに、ソース領域およびボディコンタクト領域に対するコンタクトプラグのバッティングコンタクトを確実に達成する。例文帳に追加

To prevent the contact area between a source region and a contact plug from being reduced by cell shrink, and to reliably achieve the batting contact of the contact plug to the source region and a body contact region. - 特許庁

半導体装置１００のＰ^+ ボディコンタクト領域１２は，Ｎ^+ ソース領域１１とＮ^- ドリフト領域１４との間に位置し，チャネルの幅方向に一定間隔で配置される。例文帳に追加

A p^+ body contact area 12 of the semiconductor device 100 is located between an n^+ source area 11 and an n^- drift area 14, and is arranged at a constant spacing in the widthwise direction of channel. - 特許庁

小型のボディコイルを使用してもコイルセンターをマグネットセンターに一致させた上で感度領域および被検体のスペースを確保できるようにする。例文帳に追加

To secure a sensitive area and a space of a subject with a coil center matching a magnet center even in the use of a smaller body coil. - 特許庁

ウェル形ボディコンタクトをもつSOI素子にLIC(Local Interconnect)の適用時に惹起されるLICとウェルとの間の短絡誘発を防止できるSOI素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an SOI element capable of preventing a short circuit between an LIC (Local Interconnect) and a well to be brought about at the time of applying to an LIC to the SOI element having a well type body contact, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

一方、プリンタ１は受信したデータが拡張子「vnt」「jpg」「jpeg」のデータである場合はそのデータのラスタ処理を終了すると再びレディコマンドを出力し、ＣＦ型通信カード１３はインターロック状態を解除する。例文帳に追加

If the received data is extensions "vnt", "jpg" and "jpeg", the printer 1 outputs the ready command again following to rasterization of that data and the CF type communication card 13 releases interlocked state. - 特許庁

このように、ボディコンタクト領域を設け、当該領域を介してチャネル領域に生じた過剰キャリアを引き抜くことで、ゲート電極を微細化しても、基板浮遊効果を低減することができる。例文帳に追加

Thus it is possible to reduce a substrate-floating effect even if the gate electrode is microstructured, because the body-contact region is provided to draw excess carriers generated in the channel region through the body-contact region. - 特許庁

ボディ領域４０は、前記の断面視した状態で、少なくともソース領域２０とボディコンタクト領域３０が配置されている範囲における半導体基板２の浅層に形成されている。例文帳に追加

As viewed in the cross-section, a body region 40 is formed in a shallow layer of the semiconductor substrate 2 within a range where at least the source region 20 and the body contact region 30 are arranged. - 特許庁

ボディ拡散層４のうちの少なくともボディコンタクト層１２の下方の所定の部分の不純物濃度を、第２導電型に維持しながらボディ拡散層４の他の部分よりも低くする工程（ｆ）を更に備える。例文帳に追加

The manufacturing method further includes a step (f) of making the body diffusion layer 4 lower in impurity density at least at a predetermined portion below the body contact layer 12 than at any other portion while maintaining the second conductivity type. - 特許庁

音の高さ、タイミングが小節頭か否か、強拍音か弱拍音か、前のベース声部音との音程、前のメロディコード声部音との音程など、複数の条件の組合せにより、押鍵音のパートを決定する。例文帳に追加

By combining plural conditions such as a pitch of a sound, whether or not the timing is a measure top, whether a strong beat sound or a weak beat sound, the pitch with before base voice part sound, the pitch with before melody chord voice part sound, the part of the press-key sound is decided. - 特許庁

つまり，Ｐ^- ボディ領域１３には，チャネルの幅方向に，チャネルが形成される領域（チャネル領域）と，Ｐ^+ ボディコンタクト領域１２とが交互に配置される。例文帳に追加

Namely, an area (channel area) where a channel is formed and the p^+ body contact area 12 are alternately arranged in the widthwise direction of channel in a p^- body area 13. - 特許庁

閾値電圧の制御をある回路ブロック毎に行うためにトランジスタ毎にボディコンタクトを設けなければならずレイアウト面積の拡大につながる。例文帳に追加

To solve a problem such that a layout area is increased since a body contact needs to be provided for each transistor to control a threshold voltage for each circuit block. - 特許庁

そして、ボディ領域５、ドレイン領域４、ソース領域９およびボディコンタクト領域１０の形成後、エピタキシャル層３上に層間絶縁膜１１を積層する。例文帳に追加

Then, a body region 5, a drain region 4, a source region 9 and a body contact region 10 are formed, and an interlayer dielectric 11 is stacked on the epitaxial layer 3. - 特許庁

また、強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、前記ディコーディング結果所定のプログラムモードに該当する場合、前記プログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化して前記信号入力部を非活性化する第２の段階、及び前記プログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。例文帳に追加

A programming method of the ferroelectric memory device includes; a first step for decoding a signal inputted to a signal inputting part; a second step for activating a program mode operation signal corresponding to a program mode and deactivating the signal input part in the case that the decoding result corresponds to a prescribed program mode; and a third step for performing the program mode in response to the program mode operation signal. - 特許庁

ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果及び短チャネル効果を抑制する。例文帳に追加

To suppress the parasite bipolar effect and short channel effect in a transistor that uses a semiconductor substrate having an SOI substrate, an SOS substrate, and other insulating layer without increasing the area of an element region by the use of a body contact. - 特許庁

ＳＯＩ構造の電界効果トランジスタを有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタの活性領域２に対してボディコンタクト部６のイオン注入領域１１を離間させて、注入イオンの活性領域２側への拡散を抑制する。例文帳に追加

In the semiconductor device having the field effect transistor having an SOI structure, the ion-implanted region 11 of the body contact 6 is separated from the active region 2 of the field effect transistor to suppress the diffusion of implanted ions to the active region 2 side. - 特許庁

ＳＯＩ基板、ＳＯＳ基板、その他の絶縁層を有する半導体基板を用いたトランジスタにおいて、ゲートと電気的に絶縁されたボディコンタクトを用いることによって、素子領域の面積を増大させることなく、寄生バイポーラ効果を抑制する。例文帳に追加

To inhibit a parasitic bipolar effect without increasing an area of an element region by using a body contact electrically insulated from a gate, in a transistor which uses an SOI substrate, an SOS substrate, or a semiconductor substrate having other insulating layer. - 特許庁

ボディコンタクトダイオード領域１３におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離がＭＯＳＦＥＴ領域１４におけるｎ^＋＋形ドレイン領域４とｐ^＋形ウェル領域５との間のドリフト距離よりも短く設定してある。例文帳に追加

The drift distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the body contact diode region 13 is set shorter than the distance between the n^++-type drain region 4 and p^+-type well region 5 in the MOSFET region 14. - 特許庁

この場合、逆導通半導体装置１０の還流ダイオード２４が形成されている領域では、ボディコンタクト領域３４がアノードとして作動し、ドリフトコンタクト領域４０がカソードとして作動し、アノードからカソードへと電流１０６が流れる。例文帳に追加

In this case, in a region where the flyback diode 24 of the reverse conducting semiconductor device 10 is formed, a body contact region 34 operates as an anode, a drift contact region 40 operates as a cathode, and a current 106 flows from the anode to the cathode. - 特許庁

ソース電極２６は、ソーストレンチ５内において、ソース領域１５、ボディコンタクト領域１６およびドリフト領域１４に接し、ドリフト領域１４との間に、ボディダイオード３２の拡散電位よりも低い接合障壁のヘテロ接合を形成している。例文帳に追加

A source electrode 26 is in contact with the source area 15, a body contact area 16 and the drift area 14 within the source trench 5, and it forms lower hetero-junction of junction barrier than the diffusion potential of the body diode 32 between the drift area 14 and it. - 特許庁

半導体装置１においては、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１３内に、Ｎ^−型のボディ領域２２、Ｐ^＋型のドレイン領域２３ａ及びソース領域２３ｂ、ボディ領域２２から見てソース領域２３ｂ側に配置されたＮ^＋型のボディコンタクト領域２４が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor device 1, a body region 22 of an N^- type, a drain region 23a and a source region 23b of a P^+ type, and a body contact region 24 of an N^+ type disposed on the side of the source region 23b in the view from the body region 22 are formed inside the silicon layer 13 of the SOI substrate 10. - 特許庁

チャネル幅の大きい両極性のトランジスタを実現する為に、ドレイン・ソース領域−第1ゲート−ボディコンタクト領域と第１導電型の第２領域の併設部分−第２ゲート−ソース・ドレイン領域からなるトランジスタの構成を提供する。例文帳に追加

There is provided a constitution of the transistor consisting of: a drain region and source regions, and a first gate and a body contact region; and a part where first conductivity type second regions are provided side by side, that are a second gate, and source regions and a drain region. - 特許庁

保冷用トラック１のボディ（コンテナ）３を、金属製の外壁部（ハウジング）３１と、この外壁部３１の内面全体に設けられた断熱材３２と、この断熱材３２の内面全体にわたって設けられた内張材３３とから構成する。例文帳に追加

A body 3 (container) of a cold insulating truck 1 comprises a metallic outer wall 31 (housing), a heat insulating material 32 mounted on the whole inner surface of the outer wall 31 and the inner lining 33 mounted on the whole inner surface of the heat insulating material 32. - 特許庁

物品配送管理において、ハンディコミュニケータの小型簡便性を維持し、物品無線タグとの距離が離れている場合や、複数個の物品無線タグを同時に読み取る場合にそのデータを精度よく読み取られるようにする。例文帳に追加

To provide an article delivery management system, and a handy communicator therefor used in the article delivery management which maintains its small-size simplicity and reads accurately the data in case a large distance exists from an article radio tag or in case a plurality of radio tags are to be read simultaneously. - 特許庁

高濃度領域３４は、ボディコンタクト領域３６と共にキャリアの移動を容易に行なわせてボディ領域３２内に生じる抵抗分布を緩和し、素子に形成される寄生ＮＰＮトランジスタの作動を抑制すると共に高破壊耐量を確保する。例文帳に追加

The high concentration region 34 easily moves carriers together with a body contact region 36 to mitigate a resistance distribution generated in the body region 32, an operation of a parasitic NPN transistor formed in an element is restricted, and also a high breakdown strength is ensured. - 特許庁

相関器16は、結合器14で得たΣＡ_iとΣＢ_iとを結合したデータＳ（ｉ）と±１を持つパルスシーケンスの関数との相互相関をディコンボリューション処理してマススペクトルデータを得、このデータがホストコンピュータ１７に供給される。例文帳に追加

A correlator 16 effects the deconvolution processing of the mutual correlation between the data S(i) in which ΣAi and ΣBi obtained by a coupler 14 are coupled with each other and the function of the pulse sequence having ±1 to obtain the mass spectrum data, and the data is fed to a host computer 17. - 特許庁

パワーＭＯＳ１００は、半導体基板２内に、ｎ型のソース領域１４と、ｐ型のボディ領域８と、ｐ型のボディコンタクト領域１０と、ｎ型のドリフト領域６と、ｎ型のドレイン領域４を備えており、縦型の低耐圧用デバイスである。例文帳に追加

This power MOS 100 is a vertical device for low breakdown voltage use, and is provided with an n-type source region 14, a p-type body region 8, a p-type body contact region 10, an n-type drift region 6 and an n-type drain region 4 inside a semiconductor substrate 2. - 特許庁

保冷用トラック１のボディ（コンテナ）３を、金属製の外壁部（ハウジング）３１と、この外壁部３１の内面全体に設けられた断熱材３２と、この断熱材３２の内面全体にわたって設けられた内張材３３とから構成する。例文帳に追加

A body (a container) 3 of a refrigerating truck 1 in a transportation container is constituted by a metallic outer wall (housing) 31; a thermal insulation material 32 arranged at an entire inner surface of the outer wall 31; and an inner layered material 33 arranged over an entire inner surface of the thermal insulation material 32. - 特許庁

横型のＩＧＢＴ１００の半導体領域３１は、ドリフト領域２２とボディ領域６、１６とエミッタ領域１２とボディコンタクト領域８とコレクタ領域２６とバッファ領域２８と拡散領域１４で構成されている。例文帳に追加

A semiconductor region 31 of this lateral IGBT 100 includes a drift region 22, a body region 6, 16, an emitter region 12, a body contact region 8, a collector region 26, a buffer region 28 and a diffusion region 14. - 特許庁

そして、射撃訓練時においてハンディコントローラ４に記憶されたスケジュールファイルを操作ボタンによって選択処理し、所望のスケジュールファイルにしたがい、標的装置２へ無線通信によって制御データを送信して射撃訓練を行う。例文帳に追加

The schedule file stored in the handy controller 4 is selected and processed by an operation button in target practice, and the target practice is executed by transmitting control data to a target device 2 by wireless communication according to a desired schedule file. - 特許庁

ヘテロ構造によるバンド不連続による不具合を解消することができ、多数キャリアをボディコンタクト電極に速やかに逃がすことができ、基板浮遊効果を抑制しボディ電位の制御性を改善した素子動作の安定した半導体装置を実現する。例文帳に追加

To obtain a semiconductor device capable of ensuring stable element operation which can eliminate a failure by the non-continuation of a band based on a hetero structure, can quickly escape a majority carrier to a body contact electrode, and can improve the controllability of body potential by the suppression of a substrate floating effect. - 特許庁

素子分離絶縁膜４に取り囲まれた半導体層３領域には、ｐ型のチャネル領域６と、チャネル領域６に接続されたｐ型のボディ引き出し領域７と、ボディ引き出し領域７に接続されたｐ型の高濃度ボディコンタクト領域８とが形成されている。例文帳に追加

A p channel region 6, a p body lead electrode 7 connected to the channel region 6, and a p high-concentration body contact region 8 connected to the body lead region 7 are made in the region of a semiconductor layer 3 surrounded by an element isolating insulating film 4. - 特許庁

ソース領域側にゲート部分を突出させずに、ソース領域とボディコンタクト領域とを配線を用いずに接続できるゲート形状を有するトランジスタを含む半導体装置及び半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device containing a transistor having a gate form that can connect source and body-contacting regions to each other without using any wiring nor projecting its gate portion to the source region side, and to provide a semiconductor storage device using the semiconductor device. - 特許庁

アレイコイル１３とボディコイル１４を備えるとともに、シーケンサ２２の制御の下でサンプリングパルス発生器２９からのサンプリングパルスに同期して、これらコイルの同調・非同調を、Ａ／Ｄ変換器２８の各サンプリング周期内で切換える同調制御器３４を備える。例文帳に追加

This magnetic resonance imaging system includes the array coil 13, a body coil 14 and a tuning controller 34 that changes these coils from a tuned state to an untuned state, or vice versa, in each sampling period of an A/D converter 28 in synchronism with a sampling pulse being generated by a sampling pulse generator 29 controlled under a sequencer 22. - 特許庁

送信側シリーズスイッチは、送信ポートと共通ポートとの間に接続され、送信側シャントスイッチは、送信ポートとグランドとの間に接続され、受信側シリーズスイッチは、受信ポートと共通ポートとの間に接続され、夫々のスイッチはボディコンタクト型ＦＥＴである。例文帳に追加

The transmission side series switch is connected between the transmission port and the common port, the transmission side shunt switch is connected between the transmission port and a ground, the reception side series switch is connected between the reception port and the common port, and each switch is a body contact type FET. - 特許庁

本発明はストライプ状のトレンチにおいて、隣接するトレンチを半導体基板上で幅広部と幅狭部ができるように曲折して形成し、隣接する幅広部と幅狭部を交互に配置して幅広部にボディコンタクト領域を配置するものである。例文帳に追加

In a stripe-like trench, adjacent trenches are formed, while being folded so that a wide part and a narrow part can be provided on a wafer; and the body contact area is located in the wide part by alternately locating the adjacent wide and narrow parts. - 特許庁

ＳＯＩ層３０内において、Ｐ型ボディ領域３に隣接してソース側にＮ^+型ソース拡散領域９が形成されるとともに、Ｐ型ボディ領域突出部３ａに隣接してＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７Ｂ（７Ａ）が形成される。例文帳に追加

In an SOI layer 30, an n^+-type source diffusion region 9 is formed adjacent to the p-type body region 3, and also, a p^+-type body contact diffusion region 7B(7A) is formed adjacent to the p-type body region protrusion 3a. - 特許庁

そして、当該両端部の下部に対応するＳＯＩ基板ＳＢの表面内には部分トレンチ分離絶縁膜８が配設され、ゲート電極５のゲート幅方向両端部外方のＳＯＩ基板ＳＢの表面内には、それぞれ部分トレンチ分離絶縁膜８に隣接してボディコンタクト領域２１が配設されている。例文帳に追加

Then, a partial trench separation insulating film 8 is arranged in the surface of the SOI substrate SB corresponding to lower parts of both the edges, and a body contact region 21 is arranged adjacent to the partial trench separation insulating film 8 in the surface of the SOI substrate SB outside both the edges in the direction of the gate width of the gate electrode 5. - 特許庁

半導体装置１を半導体基板２の表面２ａに沿って伸びているトレンチゲート電極１２を横断する断面で観測すると、トレンチゲート電極１２とn^+型ソース領域２０とp型ボディコンタクト領域３０と埋込絶縁体５０とn^+型ドレイン領域６０がその順序で配置されている。例文帳に追加

As viewed in a cross section of a trench gate electrode 12 extending along a surface 2a of a semiconductor substrate 2 in the semiconductor device 1, a trench gate electrode 12, an n^+-type source region 20, a p-type body contact region 30, a buried insulator layer 50 and an n^+-type drain region 60 are arranged in this order. - 特許庁

基板と、基板上に島状に形成された半導体層と、前記半導体層中に形成されたソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、およびボディ領域とを備え、前記ボディ領域に連続して形成されたボディコンタクト領域と、前記半導体層上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成されたゲート電極とを備える。例文帳に追加

The semiconductor device includes: a substrate; a semiconductor layer formed on the substrate in an island shape; a source region, a drain region, a channel region, and a body region formed in the semiconductor layer; a body contact region continuously formed in the body region; a charge storage layer formed on the semiconductor layer; and a gate electrode formed on the charge storage layer. - 特許庁

ラミネートのｚ軸において、独特、ないし、擬似対称配置で構成された３つ以上の異なる誘電性テープケミストリーの前駆体グリーン（焼成されていない）ラミネートから、平坦でゆがみのない、ゼロ収縮の低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）のボディ、コンポジット、モジュールまたはパッケージを作製する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing flat, distortion-free, zero-shrink, low-temperature co-fired ceramic (LTCC) bodies, composites, modules or packages from precursor green (unfired) laminates of three or more different dielectric tape chemistries that are configured in a distinct or pseudo-symmetric arrangement in the z-axis of the laminate. - 特許庁

従来のＳＯＩ電界効果トランジスタの問題点であった、ソース／ドレイン間耐圧の低下を解消するとともに、高集積化に対して問題となるボディコンタクトの領域を効率的に配置することにより、高集積化を可能としたＳＯＩ基板を用いた半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method using an SOI (silicon on insulator) substrate capable of high integration that is achieved by solving the problem of breakdown voltage lowering between source and drain which has been a problem in the conventional SOI FET (field effect transister), and by efficiently arranging a body contact region that may be a problem for achieving high integration. - 特許庁

ラミネートのｚ軸において、独特に、または擬似対称配置で構成された３つ以上の異なる誘電性テープケミストリーの前駆体グリーン（焼成されていない）ラミネートから、平坦でゆがみのない、ゼロ収縮の低温共焼成セラミック（ＬＴＣＣ）のボディ、コンポジット、モジュールまたはパッケージを作製する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a process which produces a flat, distortion-free, zero-shrink, low-temperature co-fired ceramic (LTCC) body, composite, module or package from precursor green (unfired) laminates of three or more different dielectric tape chemistries that are configured in a uniquely or pseudo-symmetrical arrangement in the z-axis of the laminate. - 特許庁

またボディ電位固定の外部配線無しに、チャネル幅の大きい両極性のトランジスタを実現する為に、ドレイン・ソース領域−第１ゲート４０１−ボディコンタクト領域と第１導電型の第２領域１２３の併設部分−第２ゲート４０２−ソース・ドレイン領域 からなるトランジスタの構成とする。例文帳に追加

For realizing a bipolar transistor with large channel width without outer wiring by fixing body potential, the transistor constituted of drain/source region-first gate 401-body contact region and the merged part of first conduction-type second region 123-second gate 402-source/drain region is realized. - 特許庁