「レーザ発光特性」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

広がり角が小さく、小信号特性およびモードパーティションノイズが少なく、かつ製造安定性に優れた表面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a surface emitting semiconductor laser having a small divergence angle, a small-signal characteristic, and reduced partition noise, in addition, having excellent stability in production; and to provide a manufacturing method of the laser. - 特許庁

したがって、歪み等によって半導体基板２や活性層１２に結晶欠陥が生じることを抑え、半導体レーザ素子１の発光特性の劣化を抑止できる。例文帳に追加

Accordingly, the crystal defect that might otherwise be introduced in the semiconductor substrate 2 and an active layer 12 due to strain etc., can be restrained, resulting in suppression of the degradation of light emission characteristics of a semiconductor laser element 1. - 特許庁

電気的接続、物理的接続強度を確保しながら、半導体レーザなどの発光素子からの熱の放熱特性を向上する光学装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical device which improves heat sink characteristics from a light-emitting element, such as a semiconductor laser or the like, while assuring electrical connections and physical connection strength, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

高い特性と信頼性と耐久性を持つＳｉ基板上のＧａＡｓ系面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）の半導体デバイスおよびその製造方法および光伝送システムを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a GaAs group vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) structure is directly joined with the surface of an Si substrate having high characteristics, reliability and durability; and to provide a method for manufacturing the semicoductor device and an optical transmission system. - 特許庁

薄型固体封止をしてもレーザリペア時のダメージを抑制でき、ＥＬ発光特性が低下することなく長期間にわたり維持することが可能な有機ＥＬ素子及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an organic EL element capable of suppressing damage in a laser repair even after thin solid-state sealing, thereby maintaining an EL light emission characteristic for a long time without deterioration, and provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

面内やウエハ毎における特性のばらつきを抑制し、単一基本横モードで発振することが可能となる面発光レーザの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a surface emitting laser capable of suppressing variations of characteristics for every surfaces and wafers, and oscillating in single fundamental transverse mode. - 特許庁

高度な組立精度が要求される工程を有することなく、優れた発光特性を具備するIII族窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a III-nitride semiconductor laser element and the manufacturing method therefor, where it has superior light-emitting characteristic and it is manufactured without processes requiring a high assembling accuracy. - 特許庁

結晶主方向７を有する結晶構造、ビーム出射面４、半導体基体１をラテラル方向に形成している側面７を有している半導体基体を備えた面発光半導体レーザチップにおいて、エージング特性が改善されたもしくは寿命が高められた面発光半導体レーザチップ。例文帳に追加

To provide a surface emitting laser chip with improved aging characteristics or an extended life, in the surface emitting laser chip provided with a semiconductor base substrate comprising a crystal structure having a crystal main direction 7, a beam outgoing surface 4 and a side surface 5 forming the semiconductor base substrate 1 in a lateral direction. - 特許庁

半導体光電素子に応用した場合、好ましい温度特性と変調特性を具えさせ、更に波長が調整可能な半導体レーザに応用した場合、同類の半導体レーザ素子に比して変調できる幅と振幅利得を極めて広くする多重量子井戸構造を製造するための半導体素子の発光帯域幅の増幅方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method of amplifying a luminescent bandwidth of a semiconductor photoelectric element for manufacturing a multiplex quantum well structure, by which preferred temperature characteristics and modulation characteristics can be obtained, when applied to a semiconductor photoelectric element, and the width to be modulated and an amplitude gain can be widened significantly more than those of the semiconductor laser elements of the same kind, when being applied to a semiconductor laser whose wavelength is adjustable. - 特許庁

最適記録パワー決定手段１０で実施する試し書き領域での記録パワー多段階発光記録の消去パワーＤＣ発光結果を検出することで、半導体レーザー３が持つ本来のＩＬ特性の傾きを算出し、記憶する手段１５を設ける。例文帳に追加

A means 15 is provided, which calculates slope value of the original IL characteristic of semiconductor laser 3 by detecting emission result of erasing power DC in multi-stage recording-power emission recording in test write performed by optimum recording power determination means 10, and stores the slope value. - 特許庁

距離検出装置の製造工程中に、電流調整部７ａ自身が発生する出力電流値の調整を行うことで、各製品ごとに発生しているＩ−Ｌ特性の差を吸収し、発光部２が出射するレーザ光の発光出力がばらつかないようにする。例文帳に追加

In manufacturing process of the distance detector, the power current value which a current controller 7a itself generates is controlled so that the difference in the I-L characteristics generated by each product is absorbed so that the radiant power output of the laser emitted by a radiant part 2 does not scatter. - 特許庁

発光しているＧａＩｎＮａＡｓ井戸層の成長条件が両半導体レーザで全く同等であるけれども、井戸層を挟むＧａＡｓ障壁層の作製方法を変更することによって、ＧａＩｎＮａＡｓ井戸層からの発光特性を向上できる。例文帳に追加

Although the growth condition of the GaInNaAs well layer that is emitting the light is completely identical to both the semiconductor lasers, the light-emitting characteristics from the GaInNaAs well layer can be improved, by changing a method of manufacturing the GaAs barrier layers holding the well layer. - 特許庁

ＧａＩｎＮＡｓを含む活性層上にＣ添加のｐ型半導体層を有するトンネル接合層を備えており、良好な光学特性及び素子特性を実現でき素子信頼性の高い面発光半導体レーザ素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a surface emitting semiconductor laser element having a tunnel junction layer with a C-added p-type semiconductor layer on a GaInNAs containing active layer and attaining favorable optical characteristic and element characteristics and high element reliability. - 特許庁

本発明は有機電界発光素子に係り、陽極電極、正孔輸送層、発光層、電子注入層、及び陰極電極を含む有機電界発光素子において、上記発光層は光学的に活性である低分子電荷輸送材料と高分子発光材料の混合物を用いるのを特徴とする有機電界発光素子を提供することによって発光効率、色純度及びレーザー転写特性が向上した有機電界発光素子を提供できる。例文帳に追加

With the organic electroluminescent element including a positive electrode, a hole transport layer, a luminescent layer, an electron injection layer and a negative electrode, the luminescent layer uses a mixture of an optically active low molecular load transport material and a high molecular luminescent material, whereby, an organic electroluminescent element with improved eight emitting efficiency, color purity and laser transfer characteristics. - 特許庁

単一基板上に二つのレーザダイオード発光領域が形成されたモノリシック型二波長光源である半導体レーザ装置１０とビームスプリッタ１２との間に、入射偏光方向に応じて異なった減光特性を有する光学フィルタ２が設けられると共に、該光学フィルタ２によって半導体レーザ装置１０から出射されるレーザ光のＴＭ偏波光成分を選択的に減光するようにした。例文帳に追加

Between a semiconductor laser apparatus 10 being the monolithic two-wavelength light source where two laser diode light-emitting areas are formed on the single substrate and a beam splitter 12, an optical filter 2 having extinction property different according to an incident polarization direction is provided, and the TM polarized light component of the laser beam emitted from the semiconductor laser apparatus 10 is extinguished selectively by the optical filter 2. - 特許庁

波長の異なる発光スペクトル特性を有する半導体レーザと、局側装置ＯＬＴと複数の加入者端末ＯＮＵとを光カプラＯＣを介して接続し、半導体レーザからの信号を伝搬する光ファイバＳＭＦと、光ファイバＳＭＦ通過時に波長分散によって歪んだ信号を元の信号波形に近づける適応制御等化器ＡＥとを備えている。例文帳に追加

The system comprises a semiconductor laser having multi-mode light emission spectrum characteristics different in frequency, an optical fiber SMF for connecting a station apparatus OLT to a plurality of subscriber terminals ONU through optical couplers OC to propagate signals from the semiconductor laser, and an adaptive control equalizer AE for making distorted signals near to original signal waveforms by wavelength dispersion at passing through an optical fiber SMF. - 特許庁

レーザダイオード（１００）の特性劣化を変調電流の異常として検出し、制御手段（１７０）は、この状態で発光遅延を生ずるレーザダイオードに流す全体の駆動電流値は変えずに、所定電流量づつバイアス電流を増やし、変調電流を減らすように駆動データを操作する。例文帳に追加

A control means 170 that detects a characteristic degradation in a laser diode 100 as a fault in a modulation current, increases a bias current by a prescribed current each to control the drive data in a way of decreasing the modulation current without changing the entire drive current supplied to the laser diode causing a delay in light emission in this state. - 特許庁

安定な発光特性を有する、π共役系オリゴマー分子を用いて、分子配列を制御した有機半導体配向結晶を基板上に自己組織化するとともに、結晶自身が低損失の導波路や共振器構造を構成することにより、レーザー発振を可能とする有機半導体結晶の配向成長方法とそれを利用した有機レーザーデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an orientation growth method for organic semiconductor crystals and an organic laser device utilizing the same, which self-organizes a molecular configuration-controlled organic semiconductor oriented crystal on a substrate, using π-conjugated system oligomer molecules having stable emission characteristics, and constitutes a low-loss waveguide or a resonator structure with the crystal itself, to enable laser oscillation. - 特許庁

自然超格子でありながら局所的なドメインをほとんど形成せず、基板全体に亘って均一な自然超格子構造を有する化合物半導体、化合物半導体結晶及びそれらの製造方法、並びに良好な温度特性、電気伝導性、発光特性、高速変調特性を有する前記半導体結晶を用いた半導体デバイス及び半導体レーザの提供。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor and compound semiconductor crystal having a natural superlattice structure which is a natural superlattice, however, a local domain is hardly formed, and is uniform over the whole substrate, those manufacturing method, and a semiconductor device and semiconductor laser using a semiconductor crystal which has a good temperature characteristic, electric conductivity, emission characteristic, and high speed modulation characteristic. - 特許庁

データの書込みは、記憶領域の外部においたレンズＯＬで集光したレーザ光を所望の小区画に照射して、該当する小区画内部に熱による変性を起こすことで光の透過率あるいは発光特性に変化を与える。例文帳に追加

As for data writing, a change is given to optical transmissivity or light emission characteristics by irradiating a desired minute area with laser light focused by a lens OL place outside the memory area and causing heat denaturation within the pertinent minute area. - 特許庁

２波長レーザ４１における光軸外の発光点から出射されて対物レンズ４４に入射する光ビームの強度中心ずれ量が適切な範囲内に制御され、対物レンズ４４の集光特性の劣化が回避される。例文帳に追加

The intensity center slippage of the light beams emitted from a luminous point outside the optical axis in the two-wavelength laser 41 and made incident on the objective lens 44 is controlled within a proper range, and deterioration in the condensation characteristic of the objective lens 44 is avoided. - 特許庁

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１のキャリア濃度を１×１０^１７ｃｍ^−３以上７×１０^１７ｃｍ^−３以下とすることによって、Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１から活性層４へと拡散する原子の数を低減して、活性層４の発光特性に優れた半導体レーザとすることができる。例文帳に追加

The carrier concentration of the Si-GaAs substrate 1 is set to 1×10^17 cm^-3 or larger and 7×10^17 cm^-3 or smaller, and the number of atoms diffused from the Si-GaAs substrate 1 to the active layer 4 is reduced, thus obtaining a semiconductor laser having improved emission characteristics of the active layer 4. - 特許庁

所定材料の硬化体１の測定部位７に、アブレーションにより硬化体１の強度反映プラズマ３を発生させるエネルギー特性のレーザーパルス２を照射し、当該プラズマ３の発光強度により硬化体１の強度を測定する。例文帳に追加

A measuring portion 7 of the cured object 1 of the prescribed material is irradiated with a laser pulse 2 of an energy characteristic for generating a strength-reflected plasma 3 in the cured object 1 by abrasion, and the strength of the of the cured object 1 is measured based on luminous intensity of the plasma 3. - 特許庁

帯電バイアスや現像バイアスを変化させずに、レーザのスポット径を考慮して、光量や発光時間を制御し静電潜像を形成することで、短時間で、画像形成装置の現像特性を忠実に示した複数の濃度パッチと現像コントラストの関係を得る。例文帳に追加

An electrostatic latent image is formed by controlling the amount of light, the emission time and the like, taking into consideration the spot diameters of a laser, without changing the charging bias and the developing bias so as to obtain a plurality of correlations between density patches and developing contrasts that faithfully represent the developing characteristics of an image forming apparatus, in a short time. - 特許庁

発光波長が３５０ｎｍから４５０ｎｍの範囲にあるレーザー光での露光に適し、感度、耐刷性、現像処理適性、プレヒートラチチュード特性等に優れる感光性平版印刷版材料、その製造方法、及び当該材料を用いた画像形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive planographic printing plate material suitable to exposure to laser light having the light emission wavelength in a range from 350 nm to 450 nm, excellent in sensitivity, printing durability, development adaptability, preheat latitude characteristics or the like, and to provide a method for manufacturing the plate and a method for forming an image by using the above material. - 特許庁

子局側に波長の異なる多モードの発光スペクトル特性を有する半導体レーザを用いても長距離伝送に耐え得る局側装置を提供し、必要部材を統一できることで、システム全体を管理しやすく、経済的に安価な伝送システムを提供することである。例文帳に追加

To provide a station apparatus durable for long-range transmissions even using a semiconductor laser having multi-mode light emission spectrum characteristics different in frequency at the slave station side, and an economically low-cost transmission system which standardizes required members to facilitate controlling the entire system. - 特許庁

光半導体集積装置のレーザダイオードチップ１１や４５°立上げミラー１２を有する発光部と、受光素子１４からなる受光部との相対配置を光学素子２の光学的特性に合わせて最適に調整して形成する。例文帳に追加

The device is formed by optimally adjusting so as to match the optical characteristic of an optical device 2 a relative arrangement between a light emitting part having a laser diode chip 11 and a 45° rising mirror 12 and a light receiving part consisting of a light receiving element 14 of the optical semiconductor integrated device. - 特許庁

発光領域４２の両側の領域４４に設けられている２次元フォトニック結晶構造は、７８０μｍのレーザ光が領域４４内でストライプ状リッジに平行な方向（共振器長方向）には導波できないような特性を有する結晶構造である。例文帳に追加

A two-dimensional photonic crystal structure provided in the regions 44 located at both the sides of the light emitting region 42 has the property of hardly transmitting laser rays having a wavelength of 780 μm in the region 44 in a direction parallel with a stripe-like ridge (lengthwise direction of a resonator). - 特許庁

特性劣化を招くような厚さの堆積物が保証時間内に半導体レーザ１の発光部に形成されることを防止できるように、ＣＡＮパッケージ２内におけるＳｉ有機化合物ガスの蒸気圧が、５．４×１０^２Ｎ／ｍ^２以下に制限されている。例文帳に追加

The vapor pressure of an Si organic compound gas in the CAN package 2 is limited within 5.4×10^2N/m^2 or lower so that such a deposit that induces degrading of characteristic may be prevented from being generated in the light emitting part of the semiconductor laser 1 within a guaranteed time. - 特許庁

安定した発光特性を有し、且つ、リーク電流や短絡を生じにくい照明用に適した有機ＥＬ素子を、高価なフォトリソグラフィを使用することなく、レーザ加工により製造する有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an organic EL element capable of manufacturing an organic EL element which has stable light emission characteristics, is unlikely to cause a leak current and short-circuit, and is suited for illumination by laser processing without using an expensive photolithography. - 特許庁

ＥＬＯ成長によりマスク上に半導体層を選択成長する場合に、ウェハの反りをデバイス特性やウェハのハンドリングに支障がない程度に小さくし得る半導体発光素子の製法およびＬＤにする場合にストライプ状発光部の転位密度を小さくしながら、ウェハの反りを抑制する半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element whereby warpage of a wafer is reduced to a degree not causing a problem on device characteristics and handling of the wafer when a semiconductor layer is selectively grown on a mask by ELO growth, and a semiconductor laser by which warpage of the wafer is reduced in the case of LD while a dislocation density of a stripe light-emitting part is reduced. - 特許庁

ビームスポット特性の均一化及び画像品質の安定化を図るとともに、半導体レーザアレイのチップ実装誤差に伴う発光源間の発光点の位置にばらつきが生じる場合でも、カップリングレンズに対する配置精度を単純な調整により修正することで、歩留まりを向上させ、組立効率を向上させる。例文帳に追加

To improve a yield and an efficiency of assembly by uniformizing beam spot characteristics and stabilizing image quality, and also correcting positional accuracy to a coupling lens by simple adjustment, even when variation is caused in light-emitting positions among light-emitting sources accompanying an mounting error of a semiconductor laser array chip. - 特許庁

本発明は、ＮＥＡフォトカソードと同等の集積化が可能なレーザ発光素子を使用し、高輝度かつ低エネルギー分散特性を有する電子ビームを得ることができる微小電子源の構成を提案し、装置構成を小型化して、スループットの向上を図ることができる電子ビーム装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To offer a constitution of a micro electron source using a laser emitting element capable of integration equal to that of a NEA(negative electron affinity) photo-cathode and capable of obtaining electron beams having high- brightness and a low energy dispersion characteristic, and to provide an electron beam device capable of downsizing device constitution and improving the throughput. - 特許庁

発振波長が３５０〜５００ｎｍの半導体レーザ又は発光ダイオードの像露光を用いて有機感光体上に高密度の静電潜像を形成する画像形成方に適し、感度が高くかつ繰り返し特性およびドット画像の再現性に優れる有機感光体、それを用いた画像形成方法および画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an organic photoconductor being suitable for an image forming method for forming electrostatic latent images having high density on the organic photoconductor by exposing the images to the light of a semiconductor laser having oscillation wavelength of 350-500 nm or a light-emitting diode and having high photosensitivity and excellent repetition characteristics and reproducibility of dot image, and to provide the image forming method and device using the same. - 特許庁

本発明の目的は、特に発光波長が３５０ｎｍから４５０ｎｍの範囲にあるレーザー光での露光に適し、高感度で保存性に優れ、セーフライト特性が良好で、現像時のスラッジが発生し難く、印刷時に非画像部のインキ汚れが少ない平版印刷版を与える感光性平版印刷版材料を提供することにある。例文帳に追加

To provide a photosensitive lithographic printing plate material suitable for exposure with laser light of which the emission wavelength is particularly in a range of 350-450 nm, having high sensitivity, excellent preservability and good safelight aptitude, less liable to generate sludge in development, and giving a lithographic printing plate which substantially avoids staining of a non-image area with ink in printing. - 特許庁

本発明の目的は、発振波長が３５０〜５００ｎｍの半導体レーザ又は発光ダイオード等の像露光を用いて有機感光体上に高密度の静電潜像を形成し、感度や繰り返し特性、或いは、ドット再現性の劣化等が改善された有機感光体を提供することであり、該有機感光体を用いた画像形成装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an organic photoreceptor improving sensitivity and repeating characteristics or deterioration of dot reproduction or the like by using a semiconductor laser of 350-500 nm of oscillation wavelength or image exposure of a light emitting diode, and forming an electrostatic latent image of high density on the organic photoreceptor, and to provide an image forming apparatus using the organic photoreceptor. - 特許庁

レーザ光を発光するＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３の出力側に、回折格子１３をもつ光導波路４を設け、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３が形成する利得領域と回折格子１３の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に２本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する。例文帳に追加

An optical waveguide 4 having a diffraction grid 13 is provided on the emitting side of a GRIN-SCH-MQW active layer 3 emitting laser beams to output the laser beams including at least two oscillation vertical modes within the half value width of an oscillation wavelength spectrum by combination-setting an oscillation parameter including a gain area formed by the GRIN-SCH-MQW active layer 3 and the wavelength selection characteristic of the diffraction grid 13. - 特許庁