「相対成長」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

成長率の同時低下は、世界経済が連動していることを、一方の新興国の相対的に高い成長率は、世界経済が、先進国のみが主導する成長から、新興国も含めた多極的な成長へと変化しつつあることを示唆している。例文帳に追加

The concurrent decline in growth rates suggests co movement between countries in the world, and the relatively high growth rates of emerging countries suggest transition of the world economy from economic growth driven exclusively by developed countries to multi polar economic growth driven by countries includes emerging countries. - 経済産業省

９０年代の経済成長も貧困問題を解決せず、相対的な貧富の格差はむしろ拡大しました。例文帳に追加

The growth of regional economies in the 1990s has not solved the poverty issue;　the relative gap between the haves and the have-nots is, in fact, wider than　before.  - 財務省

使用場所及び目的に応じた相対湿度によって、菌糸の成長を停止させ、カビの繁殖を防ぐことができる除湿機を得ること。例文帳に追加

To provide a dehumidifier capable of suppressing growth of hypha at a relative humidity depending on available places and purposes to prevent a proliferation of mold. - 特許庁

ＧａＮの良好な結晶成長性を損なうことなく、相対雑音強度特性の低下を抑えることのできる半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element in which lowering of relative noise field intensity characteristics can be suppressed without sacrifice of good crystal growth performance of GaN. - 特許庁

これを見ても分かるように、我が国やNAFTA、EU15等の先進国経済は相対的に低位成長にとどまる見通しである。例文帳に追加

As evinced by these figures, economies of developed countries including Japan, NAFTA member countries and EU15 are expected to experience relatively low levels of growth. - 経済産業省

一方、相対的に債券市場の発展が遅れており、国内投資家の成長も伸び悩んでいると言える。例文帳に追加

Meanwhile, it can be said that the development of the bonds market is slow in contrast, and that the growth of domestic investors is sluggish. - 経済産業省

こうした産業構造を基盤として、第三のイタリアは相対的に高い経済成長を達成している（第2-2-7図）。例文帳に追加

Based on such an industrial structure, the Third Italy has been achieving a relatively high level of economic growth(Fig. 2.2.7). - 経済産業省

このように、新興国の産業が今後も成長するとすれば、国内産業、特に労働集約的産業は相対的に競争力を喪失する。例文帳に追加

If emerging nations' industries continue to grow, domestic industries, especially labor-intensive industries, would relatively lose competitiveness. - 経済産業省

中央アジア地域は、アフリカに比べ経済も成長しており、地政学的リスクも相対的に少ないと考えられる。例文帳に追加

Compared to Africa, the economies in the Central Asia region are expanding and geopolitical risks are relatively low. - 経済産業省

半導体基板１０１上におけるサイドウォールスペーサー１０６の両側に、相対的に小さい成長レートでエピタキシャル成長させることにより、結晶性に優れた第１の単結晶シリコン膜１０７を形成した後、該第１の単結晶シリコン膜１０７の上に、相対的に大きい成長レートでエピタキシャル成長させることにより、第２の単結晶膜シリコン膜１０８を形成する。例文帳に追加

On both the sides of the side wall spacers 106 on the semiconductor substrate 101, a first single-crystal silicon film 107 of superior crystallizability is formed by epitaxial-growing at relatively small growth rate, and then, on the first single-crystal silicon film 107, a second single-crystal silicon film 108 is formed by epitaxial-growing at relatively large growth rate. - 特許庁

成長した単結晶自体による種結晶の相対移動の阻害およびすりあわせ部での結晶析出による種結晶の相対移動の阻害を抑制する。例文帳に追加

To suppress the inhibition of the relative movement of a seed crystal by a grown single crystal itself and the inhibition of the relative movement of the seed crystal by the crystal deposition at a sliding part. - 特許庁

アジア地域を見ましても、依然としてその成長は相対的に高い水準にあり、中国やインド等においては引き続き力強い成長が見込まれています。例文帳に追加

In Asia, the level of growth remains relatively high, and continuous robust growth is expected in China and India.  - 財務省

基板保持部材と流路構成部材底部の相対位置関係を精度よく合わせることで、被処理基板表面に均一性の膜を気相成長させる気相成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vapor deposition system by which a uniform film is vapor-deposited on the surface of the substrate to be treated by matching the relative positional relation between a substrate holding member and the bottom part of a flow passage composing member with high precision. - 特許庁

｛０００１｝面から傾斜角度１°〜９０°傾いた面を成長面とする複数の炭化珪素単結晶を、上記成長面が互いに相対するように一定の間隔をおいて配置し、上記成長面上に炭化珪素単結晶を成長させて上記間隔を炭化珪素単結晶で満たした成長結晶を作製する。例文帳に追加

Arranging a plurality of silicon carbide single crystals having their growth surfaces being tilted at an inclination angle of 1-90° from {0001} plane so that the growth surfaces oppose each other with definite intervals, then silicon carbide single crystals are grown on the growth surface to fill the intervals with silicon carbide single crystals to obtain a grown crystal. - 特許庁

圧縮工程中期以降において、火炎核を発生させかつ保持させる相対的に小さいエネルギの先行放電を実行する（ｉ）と共に、先行放電終了から所定時間経過後に、火炎を成長させる相対的に大きいエネルギの主放電を実行する（ｉｉｉ ）。例文帳に追加

From the middle compression stroke onward, the following steps (i) to (iii) are taken: (i) The advanced discharging of relatively small energy which generates and maintains a flame kernel is performed and (iii) when a predetermined time has passed after the completion of the advanced discharging, main discharging of relatively large energy which develops flames is performed. - 特許庁

次に、オゾン濃度が相対的に低い第１のオゾンＴＥＯＳ法により、下地酸化膜１１１の上に第１のオゾンＴＥＯＳ膜１１２を成長させた後、オゾン濃度が相対的に高い第２のオゾンＴＥＯＳ法により、第１のオゾンＴＥＯＳ膜１１２の上に第２のオゾンＴＥＯＳ膜１１３を成長させる。例文帳に追加

Next, a first ozone TEOS film 112 is grown on the base oxide film 111 by a first ozone TEOS method with relatively low ozone concentration, and then a second ozone TEOS film 113 is grown on the first ozone TEOS film 112 by a second ozone TEOS method with relatively high ozone concentration. - 特許庁

堆積分離構造４６は、エピタキシャル層の成長が相対的に生じにくいシリコン酸化膜４３を形成する工程と、エピタキシャル層の成長が相対的に生じやすい窒化膜４４を形成する工程と、窒化膜４４およびシリコン酸化膜４３をパターニングする工程を実行して作製する。例文帳に追加

The deposited isolation structure 46 is manufactured by executing the steps of forming a silicon oxide film 43 on which the epitaxial layer is relatively hardly grown, forming a nitride film 44 on which the epitaxial layer is relatively easily grown, and patterning the nitride film 44 and the silicon oxide film 43. - 特許庁

シリコン選択エピタキシャル条件を維持した状態で、基板平面方向のシリコン成長速度以下の速度でシリコン選択エピタキシャル条件領域を相対的に移動させることにより、基板にシリコン膜を成長させる。例文帳に追加

Thus, a silicon film is grown by relatively moving the silicon selection epitaxial condition area, at a rate which is not more than silicon growth rate in the direction of a substrate plane, in a state where the silicon selection epitaxial conditions are maintained. - 特許庁

別の例は、流体源に結合されるように構成された１つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。例文帳に追加

Further examples may include one or more nozzles configured to be coupled to a fluid source, the nozzles being positioned relative to the growth path for shaping the crystal body as the molten crystal is pulled in the pull direction along the growth path. - 特許庁

これにより、埋め込み成長時に、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも内側を、支持板２３ａのうち円筒部２３ｂよりも外側と比べて相対的に温度を低くでき、多結晶４５が成長し難くなることを抑制することが可能となる。例文帳に追加

Thereby, the temperature in a region inside the cylindrical part 23b of the support plate 23a can be controlled to be relatively lower than in a region outside the cylindrical part 23b of the support plate 23a, which suppresses difficulty in growing a polycrystal 45. - 特許庁

希土類磁石素体１の凸部１Ｂよりも凹部１Ａにおいて相対的に保護膜２の成長が促進され、全体としてほぼ平坦となるように保護膜２の成長過程が制御されるため、保護膜２の表面粗さが０．４μｍ以下となる。例文帳に追加

Growing of the protective film 2 is relatively accelerated at a recessed part 1A than a protruding part 1B of the rare earth magnet element 1, and the growth process of the protective film 2 is so controlled that the film becomes almost flat as a whole, so that surface roughness of the protective film 2 becomes 0.4 μm or less. - 特許庁

高温、且つ活性度の高い環境下で基板を溶液に浸漬するための基板と溶液との相対的な上下動を、劣化しやすい機械的な動作部材を高温の溶液近辺に用いることなく実現し、簡便で合理的な液相成長方法及び液相成長装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a simple and rational liquid phase growing method which can realize relative up/down movement between a substrate and a solution for immersing the substrate into the solution under a high temperature and highly active environment without using a mechanical operation member liable to deteriorate in the vicinity of the high temperature solution; and to provide a liquid phase growing apparatus. - 特許庁

これらの特徴は、高い成長率にもかかわらず相対的に低い伸びにとどまるアジア域内の最終需要と、欧米の最終需要への高い依存を反映しており、より域外に対してオープンではあるものの、現在の高成長が必ずしも自律的なものとは言えないことを示唆している27。例文帳に追加

These characteristics reflect Asia’s relatively low growth rate of final demand in spite of its high growth rate of overall economy, and Asia’s strong dependence on final demand in Europe and the United States.　They also suggest that, while Asia is more open to external regions, the current rapid growth is not necessarily autonomous27. - 経済産業省

まず、中国の地域間の格差について、省別の一人当たりGDP の推移を見ると、上海をはじめ東部（沿海部）が外資導入による輸出主導で高い経済成長を遂げる中で、中部・西部（内陸部）は相対的に成長が遅れた。例文帳に追加

Firstly, as for disparities among regions in China, the transition of per-capita GDP by province shows that the eastern area (coastal area) including Shanghai has achieved high economic growth driven by export due to foreign capital inflows, while the central and western areas (inland areas) have experienced relatively delayed economic growth. - 経済産業省

これらの要因（相対的成長率、開発途上国の債務問題及び為替レートの状況）の相互作用が、主要先進国間の大きく、潜在的に不安定材料となりうる対外不均衡に寄与した。例文帳に追加

The interaction of these factors ? relative growth rates, the debt problems of developing countries, and exchange rate developments ? has contributed to large, potentially destabilizing external imbalances among major industrial countries.  - 財務省

インナサセプタ１１と、このインナサセプタを相対的に昇降可能に収容すべく当該インナサセプタ１１との間に隙間Ｐが設けられたアウタサセプタ１２とを備えるサセプタ１を有して気相成長装置を構成する。例文帳に追加

The vapor phase growth system comprises a susceptor 1 having an inner susceptor 11, and an outer susceptor 12 interposing a gap P between itself and the inner susceptor 11 so as to accommodate the inner susceptor movable up and down. - 特許庁

このような成長工程において、シリコンを含むガスとゲルマニウムを含むガスの流量を相対的に調整すると共に、チャンバ内の反応温度を調整することにより混晶中のゲルマニウム濃度を調整する。例文帳に追加

In such a growing process, the flow rates of the gases containing respectively silicon and germanium are adjusted relatively, and the concentration of germanium contained in the mixed crystal is adjusted by adjusting the reaction temperature in the chamber. - 特許庁

導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。例文帳に追加

The semiconductor device manufacturing method comprises energizing between the silicon substrate and an anode electrode with rotating the silicon substrate at a speed such that a relative speed between the silicon substrate and the plating liquid becomes 30 m/min and under when making a conductive film grow. - 特許庁

シーケンスにあるレーザパルスの数、パルス間の時間的分離およびパルスの相対強度を制御することにより、結晶粒の横方向成長の長さの特徴と、シリコン膜の平坦度とをうまく兼ね備えることができる。例文帳に追加

By controlling the number of laser pulses in the sequence, temporal separation between pulses, and relative intensity of the pulses, the lateral growth length characteristics of the crystal grains can be traded against the silicon film planarity. - 特許庁

これに伴い、レーザー溶接部と貴金属チップ又は電極母材との境界付近における熱膨張率の変化は相対的に小さくなり、クラックの発生・成長を抑制できる。例文帳に追加

Accordingly, a change in coefficient of thermal expansion becomes relatively small near a boundary between the laser weld part and a precious metal chip or an electrode parent material, and therefore the occurrence and growth of cracks can be suppressed. - 特許庁

窒化アルミニウム膜１０３は、化学気相成長法により成膜されたＣＶＤ膜であり、相対密度が５０％以上９８％未満であり、硬度は２ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下である。例文帳に追加

The aluminum nitride film 103 is a CVD film deposited by a chemical deposition process, and, in which relative density is 50 to <98% and hardness is 2 to 10 GPa. - 特許庁

前記基板１上に先ずシード層１１を形成させてから、水熱法によって相対的に低い温度下で前記シード層１１上に所定のサイズを有するナノワイヤを成長させる。例文帳に追加

First, a seed layer 11 is formed on the substrate 1, and a nanowire having a predetermined size is grown on the seed layer 11 by a hydrothermal method under a relatively low temperature. - 特許庁

仮骨によるbridgingが完了した後は骨成長による骨密度の増加が見られるので、健常部位と患部との相対密度を評価することによって治癒度診断を行う。例文帳に追加

Since a bone density is increased by the growth of the bone after bridging by the callus is completed, the degree of heal is diagnosed by evaluating the correlative density of the normal part and the lesion. - 特許庁

第１及び第２コアの相対的熱成長に対処するため、細長いヘッダー（１２）の横断面区域の少なくとも過半部が切除部分（６４）で除去される。例文帳に追加

For coping with relative heat growth of the first and second cores, at least over half part of a cross section region of the slender header 12 is removed by the cut-out part 64. - 特許庁

ＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶の成長方法において、結晶と原料用ルツボを互いに逆方向に回転させ、その結晶と原料用ルツボとの相対回転数ｎ（ｒｐｍ ）を１０≦ｎ≦３０の範囲に設定する。例文帳に追加

In the LEC (liquid encapsulated Czochralski) growth process of the GaAs single crystal, the crystal and a crucible for a raw material are rotated in opposite directions with a relative rotating speed n (rpm) of the crystal and the crucible set within the range of 10≤n≤30. - 特許庁

東アジア諸国・地域は間接金融を中心として、発展途上国の中では相対的に発達した金融システムを持っており、そのことが東アジアの高成長に寄与してきたことが多くの研究結果から示されている。例文帳に追加

The countries and regions of East Asia have relatively developed financial systems compared to other developing countries that are centered on indirect financing, and much of the research results show that this has contributed to the rapid growth in East Asia. - 経済産業省

国内の経済規模が他の主要国に比べて相対的に小さい韓国にとって、外需の取り込みは経済成長を維持する上で最も重要な課題のひとつと言える。例文帳に追加

For South Korea, whose domestic economic scale is relatively small compared with other major countries, capturing external demand is one of most important challenges to maintain economic growth. - 経済産業省

アジア新興国の経済成長に伴う我が国市場の相対的な縮小、アジア新興国の海外企業支援策の強化により、我が国の国際的な事業活動拠点としての魅力が低下。例文帳に追加

Due to the relative shrinkage of the Japanese market in line with the economic growth of emerging Asian economies and due to such countries' measures to support foreign companies, Japan's attractiveness as an international business activity base has declined. - 経済産業省

さらに、先進国の金融緩和によって供給されたマネーが相対的に高成長・高金利である新興国に流入したことが、問題を複雑化させた。例文帳に追加

Additionally, funds generated by the monetary easing by the advanced economies flowed into the emerging economies, which were enjoying relatively high economic growth with higher interest rates. This made the problem further complicated. - 経済産業省

OECD諸国では5.6％減少の見通しとなっている一方、需要の伸びを牽引するのは今後とも経済成長率が相対的に高い新興諸国（インド：145％増、中国：121％増）である（第2-2-4-9図）。例文帳に追加

It is estimated that OECD countries will see a decline of 5.6% in oil demand, while emerging economies, which will continue to enjoy comparatively high economic growth rates, will be the driving force for demand growth (India: increase of 145%; China: increase of 121%) (Figure 2-2-4-9). - 経済産業省

2009年、世界経済危機によって急激な落ち込みをみせた先進国経済については、2010年には回復し、プラスに転じることが見込まれるものの、相対的に緩やかな成長となっている。例文帳に追加

While the economies of developed countries which rapidly tumbled due to the global economic crisis in 2009 are forecast to recover and transition into the positive in 2010, growth will be relatively moderate. - 経済産業省

地方圏の経済成長に影響を及ぼしたものの一つに公共投資があり、地方圏での相対的な多就業もあって県民所得が拡大した。例文帳に追加

In terms of social insurance benefits and the burdens these have imposed on the economy during thepostwar period, the cost of social security has gone up sharply along with the increase in the agingpopulation (Figure 22). - 厚生労働省

植物の組織から、種々の時期に、フラボノイド含有抽出物を調製し比較検討した結果、植物の組織および成長段階によってフラボノイドの種類および、各種フラボノイドの相対量が一定であり、かつ、品種によって異なること、そのため、フラボノイド含有抽出物中のフラボノイドの相対量を植物の品種同定のために用いることができることを見出し、上記課題を解決した。例文帳に追加

Since the types of flavonoids and the relative amounts of various types of flavonoids do not change by plant tissues or their development stages, but will change by varieties, as a result of the preparation, comparison, and examination of flavonoid-containing extracts at various periods from plant tissues, it is possible to use the relative amounts of flavonoids in the flavonoid-containing extracts for the identification of varieties of plants. - 特許庁

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。例文帳に追加

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film. - 特許庁

本発明の課題を解決するための手段は、平板状の反応室壁が相対向するように配置された一対の反応室壁部材を備えた反応室と、前記反応室内を加熱する加熱手段とを備え、前記反応室内において浮遊状態で気相成長炭素繊維を製造可能に形成されて成ることを特徴とする気相成長炭素繊維製造装置である。例文帳に追加

This apparatus for producing the vapor growth carbon fiber is equipped with a reaction chamber having a pair of reaction chamber walls which is arranged in such a manner that the platelike reaction chamber walls face each other, and further with a heating means for heating the inside of the reaction chamber, wherein the apparatus is structured so that the vapor growth carbon fiber is produced in a floating state inside the reaction chamber. - 特許庁