「4チャネル」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

携帯型リモコン２、リレー３、及びホームオートメーション器具４、７、１０，１１を含み、少なくとも幾つかのホームオートメーション器具が携帯型リモコンから送信された制御コマンドをワイヤレスチャネル経由で受信できる設計のホームオートメーション設備を操作する方法である。例文帳に追加

The method governs the operation of a home automation installation comprising the portable remote control 2, the relay 3 and the home automation appliances 4, 7, 10, 11, and in which at least some home automation appliances can receive, by a wireless channel, control commands sent by the portable remote control. - 特許庁

そして、第１ＳｉＣ層２にはｎ型のドリフト領域１４とｐ型のウェル領域３とが設けられ、第２ＳｉＣ層１２の中央部にはｎ型の蓄積型チャネル層６が、第２ＳｉＣ層１２の両端部にはｎ型のコンタクト層４が設けられている。例文帳に追加

An n-type drift area 14 and a p-type well area 3 are formed in the 1st SiC layer 2, an n-type accumulation channel layer 6 is formed on the center part of the 2nd SiC layer 12 and n-type contact layers 4 are formed on both the end parts of the 2nd SiC layer 12. - 特許庁

複数のＲＦチャネル（キャリア）毎に、ディジタル変調器１と、小振幅線形，大振幅非線形の準線形電力増幅器２と、アイソレータ３と、無線周波帯域制限フィルタ４とを縦続接続し、その出力を合成して送信出力とする。例文帳に追加

In each of plural RF channels (carriers), a digital modulator 1, a quasi-linear type power amplifier 2 of small amplitude linear type and large amplitude nonlinear type, an isolator 3, and a radio frequency band limiting filter 4 are made in cascade connection, and the powers output from these units in the system are combined to make as the transmission power. - 特許庁

振幅制限回路２で生じる２次高調波信号はチャネル選択フィルタ４で減衰させることで検波回路５に影響を与えることなく、強電界入力時にも受信誤り率を低下させることなく受信可能な受信装置を容易に実現できる。例文帳に追加

The receiver capable of receiving a radio wave without deteriorating the reception error rate even when inputting a strong electric field strength can easily be realized by allowing the channel selection filter 4 to attenuate a second harmonic signal caused in the amplitude limiting circuit 3 without affecting a detection circuit 5. - 特許庁

複数の映像信号１〜ｎを、画面合成部１１により１つの画面２０に合成し、この合成画像信号を符号化制御部１３の制御下で符号化部１２により符号化し、伝送路１４を介して伝送し、復号化部１５にて選択されたチャネルの映像信号を再生出力する。例文帳に追加

A picture composition part 11 composites a plurality of video signals 1 to (n) into one picture 20, the composite image signal is encoded by an encoding part 12 under the control of an encoding control part 13 and transmitted through the transmission line 4, and a decoding part 15 reproduces and outputs a video signal of a selected channel. - 特許庁

本発明による路側装置（２）は、移動体通信システムの移動局の呼び出しに使用されるチャネルを介して、ロードプライシングの対象エリアに入域する車両（３）に搭載される車載器（４）に、入域通知信号（１１）を送信する送信器（２ｂ）を備えている。例文帳に追加

This road side device (2) is provided with a transmitter (2b) for transmitting an entrance notice signal (11) through a channel to be used for calling the mobile station of a traveling object communication system to the on-vehicle unit (4) mounted on a vehicle (3) entering the objective area of a road pricing. - 特許庁

０系拡散処理部３ａに障害が発生すると、１系拡散処理部３ｂからの止まり木チャネル信号と予備系合成拡散信号と現用系合成拡散信号とが、無線送信処理回路４に送信されるよう切替制御される。例文帳に追加

On the occurrence of a fault in the 0 system spread processing section 3a, switching control is conducted to transmit the perch channel signal, the active system synthesis spread signal and the standby system synthesis spread signal from the 1 system spread processing section 3b to the radio transmission processing circuit 4. - 特許庁

本発明のトレンチ型ＭＯＳＦＥＴ１０は、Ｐ型の高ドープドレイン部１、Ｐ型の低ドープドレイン部２、Ｎ型のチャネルボディ部３、Ｐ型のソース拡散部４がこの順で積層され、トレンチゲート電極６が基板表面から低ドープドレイン部２に達するトレンチに形成される。例文帳に追加

The trench type MOSFET 10 is formed by laminating a P type highly-doped drain section 1, a P type lightly-doped drain section 2, an N channel body section 3, and a P type source diffusion section 4 in this order and a trench gate electrode 6 is formed in a trench reaching the lightly-doped drain section 2 from a substrate surface. - 特許庁

携帯端末の所有者が自動改札装置６の通行ゲートへの通路を進むと、自動改札装置６が、位置測定用チャネルにて、誘導路に進入した携帯端末４を検知・特定し、無線基地局２に照会し、通行ゲートを開閉制御する。例文帳に追加

As the owner of the mobile terminal goes through a path to the passage gate of an automatic ticket gate device 6, the automatic ticket gate device 6 detects and specifies through the position measurement channel the mobile terminal 4 that has entered a guide path, then refers to the radio base station 2, and controls the passage gate to open or close. - 特許庁

接着面１ａを半径方向内方に向けて筒状に丸めた細胞シート１をチューブ４内に配置し、内視鏡の挿入部２に設けられたチャネル３を介して体腔内に挿入する細胞シート１の搬送方法を提供する。例文帳に追加

In a method of delivering the cell sheet 1, the cell sheet 1 which is rolled in a cylindrical shape with the adhesive surface 1a facing inwardly in the radial direction is placed in a tube 4, and the cell sheet 1 is inserted into the body cavity through a channel 3 provided in an insertion portion 2 of an endoscope. - 特許庁

ｐ型層３の内のトレンチに囲まれた領域がフローティングｐ領域３ｂとなり、隣接するトレンチ間でｎ^+ソース領域４を備える部分がチャネル領域３ｄとなり、それ以外の領域がｐ型ベース領域３ａとなる。例文帳に追加

A region surrounded with the trench in the p-type layer 3 is a floating "p" region 3b, a part having an n^+ source region 4 between adjacent trenches is a channel region 3d, and a region other than them is a p-type base region 3a. - 特許庁

上位局Ｉ／Ｆ部１から無線部４、平均電力算出部５、補正値演算部７、制御ＣＨメッセージ作成部８などの構成において、基地局装置が、上りチャネルの干渉波の状態に対応した受信電力を測定して受信電力平均を求める。例文帳に追加

In a configuration from a host station I/F section 1 to a radio section 4, a mean power calculation section 5, a correction value arithmetic section 7 and a control CH message creation section 8, a base station device measures reception power corresponding to a state of an interference wave of an incoming channel to obtain a mean received power. - 特許庁

ＧａＡｓの半絶縁性基板１の上に、バッフア層２、チャネル層３、スペーサ層４およびキャリア供給層５を成長させた電界効果トランジスタ用ウエハにおいて、炭素をドーピングしたＧａＩｎＰによりバッファ層２を構成する。例文帳に追加

In a field-effect transistor wafer in which a buffer layer 2, a channel layer 3, a spacer layer 4, and a carrier supply layer 5 grow on a semi-insulation substrate 1 of GaAs, the buffer layer 2 is constituted of carbon- doped GaInP. - 特許庁

薄膜トランジスタ１４は、透光性基板１上において、多結晶シリコンの半導体層３上に積層するゲート絶縁膜４およびゲート電極６、及び、上記半導体層３のソース領域８、ドレイン領域９およびチャネル領域１０を有する。例文帳に追加

The thin film transistor 14 has, on a translucent substrate 1, a gate insulating film 4 and a gate electrode 6 laminated on a semiconductor layer 3 of polycrystalline silicon, and a source region 8, a drain region 9, and a channel region 10 of the semiconductor layer 3. - 特許庁

電気負荷４への通電経路上にＮチャネルＭＯＳトランジスタＴｒ０を備えたハイサイド型の駆動回路において、トランジスタＴｒ０のドレイン−ソース間にツェナーダイオードＺＤ１を設け、ゲート−グランド間にダイオードＤ１を設ける。例文帳に追加

In this high side type driving circuit provided with an N channel MOS transistor Tr0 on an energizing route to an electric load 4, a Zener diode ZD1 is provided between the drain and source of the transistor Tr0 and a diode D1 is provided between a gate and the ground. - 特許庁

単結晶ＧａＡｓよりなる基板１の一面に、バッファ層２を介して、ＡｌＧａＡｓよりなる第２の障壁層３、ＩｎＧａＡｓよりなるチャネル層４、ＩｎＧａＰよりなる第３の障壁層１２、およびＡｌＧａＡｓよりなる第１の障壁層１１が順次積層される。例文帳に追加

A second barrier layer 3 formed of AlGaAs, a channel layer 4 formed of InGaAs, a third barrier layer 12 formed of InGaP, and a first barrier layer 11 formed of AlGaAs, are sequentially laminated on one face of a substrate 1 formed of single crystal GaAs through a buffer layer 2. - 特許庁

メインセル部ＭＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がｎ^+型エミッタ領域４内で終端する構造とされ、センスセル部ＳＣでは、ＩＧＢＴがｐ^+型ボディ層５がチャネル領域内で終端する構造とされるようにする。例文帳に追加

An IGBT is structured in a main cell part MC so that a p^+-type body layer 5 is terminated in an n^+-type emitter region 4, and the IGBT is structured in a sense cell part SC so that p^+-type body layer 5 is terminated in a channel region. - 特許庁

基板１の上にチャネル層１１，スペーサ層１２，第１の障壁層１３，量子ドット１４ｂ，第２の障壁層１５，量子ドット１６ｂおよび第３の障壁層１７を順次積層し、その上にゲート電極４を形成する。例文帳に追加

A channel layer 11, a spacer layer 12, a first barrier layer 13, a quantum dot 14b, a second barrier layer 15, a quantum dot 16b, and a third barrier layer 17 are successively laminated on a substrate 1, and a gate electrode 4 is provided thereon. - 特許庁

画素スイッチング用薄膜トランジスタ及び光検出用薄膜トランジスタの各々のチャネル層は、共に、近赤外光の波長帯域に感度を有する微結晶シリコン膜４と、外光の可視光に対して感度を有するノンドープ非晶質シリコン膜２３との２層構造から成る。例文帳に追加

Each channel layer of the thin film transistor for pixel switching and the thin film transistor for photodetection is constituted of a two layer structure of a fine crystal silicon film 4 having sensitivity in a wavelength band of near IR light and a non-doped amorphous silicon film 23 having sensitivity to visible light of external light. - 特許庁

溝領域４にフローティングゲート８を実質的に埋め込んだことにより、チャネルホットエレクトロンの速度ベクトル方向にフローティングゲート８が位置するために書き込み効率を向上でき、ドレイン領域１３とソース領域１４との段差が解消され、平坦化がなされる。例文帳に追加

With a floating gate 8 which is substantially embedded in a channel region 4, the floating gate 8 is positioned in the velocity vector direction of the channel hot electrons for improved writing efficiency, so that the step between a drain region 13 and a source region 14 is eliminated for and glanarization is made. - 特許庁

これにより、表面チャネル層５を４Ｈまたは６Ｈ−ＳｉＣで形成でき、ｎ^+型ソース領域４となる半導体層２２を３Ｃ−ＳｉＣで形成できるため、コンタクト抵抗率の低減を図ると共にデバイス特性の安定化を図ることができる。例文帳に追加

Since the surface channel layer 5 can be formed of 4H or 6H-SiC and the semiconductor layer 22 which becomes an n^+-type source region 4 can be formed of 3C-SiC, contact resistivity can be reduced and device characteristics can be stabilized. - 特許庁

半導体装置１００は、ｎ^+型のバッファ領域１７と、ｎ型のドリフト領域１６と、ｐ型のベース領域２と、ゲート電極８と、ソース電極４と、ガードリング１２ａ、１２ｂと、チャネルストッパ領域１４と、ドレイン電極１８を備えている。例文帳に追加

The semiconductor device 100 is provided with: an n+ type buffer region 17; an n type drift region 16; a p type base region; a gate electrode 8; a source electrode 4; guard rings 12a and 12b; a channel stopper region 14; and a drain electrode 18. - 特許庁

その際、チャネル装置６−１〜６−４はＭＡＣ部３のＣＨＵ（＃０〜＃３）対応メモリリクエストアドレス生成部５−１〜５−４で生成されるメモリリクエストアドレスを基にリクエスト送出回路４からのメモリリクエストによってデータ転送を行う。例文帳に追加

In this case, the channel devices transfer data by memory requests from a request transmitting circuit 4 based on memory request addresses which are generated in memory request address generating parts 5-1 to 5-4 corresponding to CHU(#0-#3) of the MAC part 3. - 特許庁

陰極Ｃａｔｈが正電位となり電子が吸引されると、ｎ−ＧａＮから成るチャネル層２とｐ−ＧａＮ領域４との界面４ａには空乏層が拡大して２次元電子ガスが阻止され、陰極Ｃａｔｈと陽極Ａｎとの間には電流が流れない。例文帳に追加

When the cathode Cath has a positive potential and electrons are attracted thereto, the depletion layer spreads on the interface 4a of the channel layer 2 composed of n-GaN and the p-GaN region 4 to block the two-dimensional electron gas, and thereby no current flows between the cathode Cath and the anode An. - 特許庁

各電界効果型トランジスタセル２０は、ＭＯＳＦＥＴの構造を有し、ｐ形シリコン基板１の主表面側にドレイン領域２とソース領域３とが離間して形成され、両領域２，３間のチャネル部４上にゲート絶縁膜５を介してゲート電極１６が形成されている。例文帳に追加

Each of the field-effect transitor cells 20 has a structure of a MOSFET and a drain region 2 and a source region 3 are formed on the main surface of the P-type silicon substrate 1 with spacing and a gate electrode 16 is formed on the channel part 4 between both regions 2, 3 through a gate insulating film 5. - 特許庁

統合管理機構１にアクセスパス、すなわち、ホスト２側からアクセスをしようとするストレージ装置４側の領域と、そのストレージをアクセスする際の使用するファイバチャネルアダプタ（ＦＣＡ）、ホストバスアダプタ（ＨＢＡ）を設定する。例文帳に追加

Access paths, that is, areas on the storage device 4 side which are to be accessed from the host 2 side, and fiber channel adaptors(FCAs) and host bus adaptors(HBAs), which are used when the storages are accessed, are set in the mechanism 1. - 特許庁

導入孔２１を有する保護カバー２を第２の保護膜１７上に載置して固着し、保護カバー２とチャネル領域１４上の絶縁膜１５との間で形成される収容部３に、導入孔２１を通じてイオン感応膜４を収容部３に充填する。例文帳に追加

A protective cover 2 having an introduction hole 21 is mounted on a second protective film 17 and bonded thereto and a containing part 3 formed between the protective cover 2 and the insulation film 15 above the channel region 14 is filled with the ion sensitive film 4 through the introduction hole 21. - 特許庁

移動局ＰＳと基地局ＢＳとの間で各々の送信電波を中継する無線中継装置１の通信制御部４は、基地局ＢＳにより割り当てられた絶対スロットと同一の絶対スロットを移動局ＰＳ側のリンクチャネル割当として選択する。例文帳に追加

A communication control section 4 of the wireless repeater 1 for relaying respective transmission radio waves between the mobile station PS and a base station BS selects the same absolute slot as the absolute slot assigned by the base station BS as link channel assignment at the side of the mobile station PS. - 特許庁

そして、平坦化膜４上に画素電極５２等のＩＴＯ膜パターンを形成した後、これに用いたレジストパターン、またはＩＴＯ膜パターンそのものをマスクとしたエッチングにより、谷溝状のバックチャネル部５５を形成し、ＴＦＴ７を完成させる。例文帳に追加

After an ITO film pattern, such as a pixel electrode 52, is formed on the planarizing film 4, the back channel part 55 in a groove form is formed by etching, while using the resist pattern for the ITO film pattern as a mask or using the ITO film itself as a mask to complete the TFT 7. - 特許庁

基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment. - 特許庁

昇圧回路２が、ノードＮ１に与えられる電源電圧＋Ｂを昇圧して電圧調整回路４により直流的に降圧調整されると共にローパスフィルタ回路ＬＰＦを通じてｎチャネル型のＭＯＳトランジスタＴｒ１のゲート電極に電圧が印加される。例文帳に追加

A boosting circuit 2 raises a supply voltage +B given to a node N1, and the raised voltage is not only dropped and adjusted by a voltage adjustment circuit 4 with respect to DC but also applied to a gate electrode of a n-channel MOS transistor Tr1 through a low pass filter circuit LPF. - 特許庁

絶縁性基板１上に順次遮蔽層２、チャネル領域、ソース・ドレイン領域を構成する半導体層３、ゲート絶縁層である第１の絶縁層４、ゲート電極５を有する半導体素子において、遮蔽層２がＶ族元素が添加されたシリコン酸化膜を有する。例文帳に追加

In a semiconductor device having in order a shield layer 2, a channel region, a semiconductor layer 3 constituting source and drain regions, a first insulating layer 4, which is a gate insulating layer, and a gate electrode 5 on an insulative substrate 1, the layer 2 has a silicon oxide film doped with a group V element. - 特許庁

このため、段差側面領域１３と第２表面領域１２との間のコーナー部分近傍に強い電界が形成されるとともに、浮遊ゲート４と制御ゲート６との間の電位差によってチャネル領域中に局所的に強い電界が形成される。例文帳に追加

Therefore, a powerful electric field is formed near the corner section between the side face region 13 and second surface region 12 and, the same time, a local powerful electric field is formed in a channel region due to the potential difference between the floating gate 4 and control gate 6. - 特許庁

ＰＳＴＮ収容部４とＩＳＤＮ収容部５およびパケット収容部６は送信データを受けた時にこれらの送信データをコントロールメモリ装置３のベアラチャネル割り当て情報に基づいてスピーチパスメモリ装置１に与える。例文帳に追加

Receiving transmission data, the PSTN containing part 4, the ISDN containing part 5 and the packet containing part 6 give these data to the speech path memory device 1 on the basis of the bearer channel allocation information of the control memory device 3. - 特許庁

タスクスケジュール装置４は、起動されたチャネルプログラムをユニークなタスク番号を割り当ててタスク管理表５で管理し、タスク管理表５を用いて、データ転送のために使用するデータ転送制御装置１０、２０、３０をスケジューリングする。例文帳に追加

A task schedule device 4 allocates a unique task number to an activated channel program, manages the started channel program in a task management table 5 and schedules the controllers 10, 20, 30 to be used for data transfer by using the table 5. - 特許庁

さらに、タイムスロットの時間割り付けがなされていないチャネルで音声情報有りの場合に限り、タイムスロット制御信号Ｓ３を生成して任意のタイムスロットにその情報を挿入して時分割多重部４を介して伝送路３上に送出する。例文帳に追加

Furthermore, only when there is audio information on channel to which the time of a time slot is not assigned, is a time slot control signal generated, and the information is inserted to an arbitrary time slot and sent through a time division multiplexing part 4 onto a transmission line 3. - 特許庁

ボディ領域４は、ドリフト層３の一部の上に設けられ、ゲート電極９３によってスイッチングされるチャネル４１を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ_1bと、不純物濃度Ｎ_1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ_2bとを有する。例文帳に追加

A body region 4 is provided on a part of the drift layer 3, has a channel 41 switched by a gate electrode 93, and has an impurity concentration N_1b of the first conductivity type and an impurity concentration N_2b of a second conductivity type larger than the impurity concentration N_1b. - 特許庁

さらに、表面チャネル層５、ゲート酸化膜６、ゲート電極７等を順に形成したのち、これらをドライエッチングによってパターニングし、ゲート電極７のパターニングと同時にｎ^+型ソース領域４とソース電極との接続を行うためのコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

Furthermore, after a surface channel layer 5, a gate oxide film 6, a gate electrode 7, etc., are formed in order, these are patterned by dry etching a contact hole for connecting the region 4 and a source electrode is formed simultaneously with patterning of the electrode 7. - 特許庁

高速下りリンク共通チャネルＨＳ−ＰＤＳＣＨを介して移動機へデータを送信する際には、そのデータの着信先の移動機に対応するウエイト情報をアダプティブプロセッサメモリ４から抽出し、乗算器５ａ〜５ｄに設定する。例文帳に追加

In the case of transmitting data to the user equipment via a high speed-downlink shared channel HS-PDSCH, the weight information corresponding to the user equipment of a destination of the data is extracted from the adaptive processor memory 4 and set to multipliers 5a to 5d. - 特許庁

一導電型の半導体基板１の主面部に、光電変換領域を構成する逆導電型の第一不純物領域２、および信号電荷を転送する素子を構成する逆導電型の埋め込みチャネル領域３を形成し、半導体基板上に第一絶縁膜４を形成する。例文帳に追加

A first impurity region 2 of a reverse conductivity type configuring a photoelectric conversion region and a buried channel region 3 of a reverse conductivity type configuring an element for transferring signal charge are formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1 of one conductivity type, and a first insulating film 4 is formed on the semiconductor substrate. - 特許庁

コンテンツ中継サーバ３００ａが、ユーザから動画像・音声コンテンツの配信予約を入力されたとき、予約管理部３４０が、予約内容である動画像・音声コンテンツを提供するコンテンツ送信クライアント４００とその提供日時のデータから、既にスケジュールデータベース３３０に格納されている予約データから中継に用いる中継チャネル３５０をチャネルセレクタ３１０により選択する。例文帳に追加

When a user inputs the distribution reservation of the animation and voice contents to the content relay server 300a, a reservation managing part 340 selects a relay channel 350 by a channel selector 310, which is used for relaying from reservation data which is previously stored in a schedule database 330 based on the contents transmission client 4 for providing the animation and voice contents being the reservation contents and on the providing date data. - 特許庁

Ｎ本（Ｎ≧４）のアンテナを有する受信装置であって、Ｍ本（２≦Ｍ≦Ｎ−２）の前記アンテナに対応するＭ個のチャネルベクトルを合成し、当該Ｍ個のチャネルベクトルの合成ベクトルに対応する所定の量子化ベクトルを選択する複数の合成量子化部を備え、各前記合成量子化部により選択された前記所定の量子化ベクトルのインデックスを送信装置に帰還することを特徴とする、受信装置が提供される。例文帳に追加

The receiver having N (N≥4) pieces of antennas has a plurality of synthetic quantizers for synthesizing M channel vectors corresponding to M (2≤M≤N-2) pieces of the antennas, and selecting a predetermined quantization vector corresponding to the synthetic vector of the M channel vectors, wherein the index of the predetermined quantization vector selected at each synthetic quantizer is fed back to a transmitter. - 特許庁

金属基材表面に触媒が担持されてなるマイクロチャネルリアクタ用触媒エレメントの製造方法であって、原料流体の流路が形成された金属基材１の該流路４表面に触媒粉末３を担持させる触媒粉末担持工程と、担持された触媒粉末３に等方的な圧力を付与することにより該触媒粉末を圧縮する圧縮工程とを備えることを特徴とするマイクロチャネルリアクタ用触媒エレメントの製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of a microchannel reactor catalyst element, supporting a catalyst on the surface of a metal substrate, comprises the catalyst powder supporting process for supporting the catalyst powder 3 on the surfaces of raw material fluid passages 4 formed in the metal substrate 1, and the compression process for compressing the supported catalyst powder 3 by applying an isotropic pressure to the catalyst powder. - 特許庁

表層部にチャネル形成領域を有する半導体層１０と、半導体層１０の上に設けられ、シリコンとゲルマニウムと酸素とを含む絶縁膜４と、絶縁膜４の上に設けられ、絶縁膜４を介して半導体層１０から供給される電荷を蓄積可能な電荷蓄積層５と、を備えている。例文帳に追加

A semiconductor device comprises a semiconductor layer 10 that has a channel-forming region in its surface portion; an insulating film 4 that is provided on the semiconductor layer 10 and contains silicon, germanium, and oxygen; and a charge storage layer 5 that is provided on the insulating film 4 and can store charges supplied from the semiconductor layer 10 via the insulating film 4. - 特許庁

本発明においては、移動局がその消費電力を抑えるべく、間欠受信しているチャネルの範囲内で、無線基地局は情報を配信することにより、移動局の間欠受信頻度の高まりによる消費電力の増加を抑えるとともに、通話等の基本的なサービスに影響を与えることなく、複数の移動局に一斉に情報を送信することができる情報提供サービスを実現した。例文帳に追加

A radio base station 3 distributes information on channels utilized intermittently for information receptor by a mobile station 4 to reduce its power consumption so as to suppress increase in the power consumption due to increase in the frequency of intermittent reception by the mobile station 4, and the base station transmits information simultaneously to a plurality of mobile stations 4 without affecting the basic service such as telephone conversions in the information service. - 特許庁