| 意味 | 例文 |
After processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8071件
After a large number of resist layers S have been formed by a photolithographic process on the surface of a quartz substrate 10, the resist layers S are subjected to a hot reflow process for imparting a convex spherical pattern to each resist layer.例文帳に追加
石英基板10の表面上に多数のレジスト層Sをホトリソグラフィ処理により形成した後、レジスト層Sに加熱リフロー処理を施して各レジスト層に凸球面状パターンを付与する。 - 特許庁
To control the frequency characteristics of an on-chip antenna, produced on an Si semiconductor substrate having an inevitable parasitic capacitance together with an integrated circuit, freely to a desired value after wafer process manufacturing process.例文帳に追加
寄生容量が回避できないSi半導体基板上に集積回路と一緒に製造するオンチップアンテナにおいて、その周波数特性をウエハプロセス製造工程後に自在に所望値へ制御する。 - 特許庁
Then, at the time of detecting the lock of the motor 41, the time of executing the dehydration (spin-drying) process after detecting the lock is changed to be longer than the time of executing the dehydration process before detecting the lock.例文帳に追加
そして、モータ41のロックを検知したとき、そのロックを検知した後の脱水工程を行う時間を、そのロックを検知する前の脱水工程を行う時間よりも長くなるように変更する。 - 特許庁
A diffusion barrier layer formation process (step S6) is performed after a free layer formation process (step S5), and an oxide layer (diffusion barrier layer) is formed only on the surface of the free ferromagnetic layer by oxidizing an oxygen radical.例文帳に追加
自由層形成工程(ステップS5)の後に拡散バリア層形成工程(ステップS6)を行い、酸素ラジカルの酸化によって、自由強磁性層の表面にのみ、酸化層(拡散バリア層)を形成する。 - 特許庁
To provide an adhesive tape for processing a wafer high in antistatic performance, suppressing generation of fibrous cut waste in a dicing process, and ensuring the antistatic performance even after completion of the dicing process.例文帳に追加
帯電防止性能が高く、さらにダイシング工程においてヒゲ状切削屑の発生を抑制でき、ダイシング工程終了後でも帯電防止性能を確保できるウエハ加工用粘着テープを提供する。 - 特許庁
To securely and briefly vent air of an ink cartridge used in a process for indicating a bad mark in a chip region which is determined as defect in an electrical characteristic inspection process after completion of a semiconductor wafer.例文帳に追加
半導体ウエハ完成後の電気特性検査工程で不良と判定されたチップ領域にバッドマークを表示する工程で使用するインクカートリッジのエア抜きを短時間で確実に行う。 - 特許庁
After that, a co-sputtering process that uses the copper target and the silicon oxide target or a sputtering process that uses the composite target is performed to deposit a compound film on a surface of the substrate.例文帳に追加
その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。 - 特許庁
After the first bonding process, a second bonding process is performed in which the package lid 5 is superimposed on the package body 4 in a specified atmosphere so that the package lid 5 and the package body 4 are bonded in an airtight manner.例文帳に追加
第1の接合工程の後、所定雰囲気中において、パッケージ蓋5をパッケージ本体4に重ねて、パッケージ蓋5とパッケージ本体4とを気密的に接合する第2の接合工程を行う。 - 特許庁
After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).例文帳に追加
第2工程後、n^-エピタキシャル層2におけるn型不純物領域にイオン注入し、n型不純物領域と重なる領域にn^+不純物領域3および5を形成する(第3工程)。 - 特許庁
In manufacturing the oscillator of this structure, a coating process of coating the insulation thin film 9 onto the exposed face 18b of the inductor is employed after a process that the inductor 18 is printed on a green sheet of a dielectric material.例文帳に追加
この構造の発振器を製造する場合、誘電体のグリーンシート上にインダクタ18を印刷した後にそのインダクタの露出面18bに絶縁薄膜9を被覆する被覆工程を組み込む。 - 特許庁
In a first leak inspection process S4, a predetermined reverse bias voltage is impressed between a positive electrode and a negative electrode after an element formation process A1 for measuring a first leak current value.例文帳に追加
第1のリーク検査工程S4は、素子形成工程S1後に、陽極及び陰極からなる両電極間に所定の第1の逆バイアス電圧を印加し、第1の漏れ電流値を計測する。 - 特許庁
The method also has the process of flattening the boron diffusion layer 12a after forming the boron diffusion layer 12a and the process of forming the insulating film 16 in the boron diffusion layer 12a.例文帳に追加
また、ボロン拡散層12aを形成した後、ボロン拡散層12aを平滑化する工程と、ボロン拡散層12aに絶縁膜16を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
In a process S111, after the high resistance silicon substrate is set in the growth furnace in the process S109, a group III nitride semiconductor film is grown on the Si substrate using the coated tool.例文帳に追加
工程S109で成長炉に高抵抗シリコン基板を設置した後に、工程S111では、コーティングを形成した治具を用いてSi基板上にIII族窒化物系半導体膜を成長する。 - 特許庁
To provide semi-fabricated item of an electrode for a plasma arc torch having a structure preventing shift of an electron emission element during a heating process after assembly and its exposure to an atmosphere during the heating process.例文帳に追加
組立後の加熱工程で電子放出要素が移動せず、電子放出要素が加熱工程中の雰囲気に露出しない構造となるプラズマアークトーチ用電極の半製品を提供する。 - 特許庁
As a result, the content of the grease components (grease percentage) of the pile threads 33 after the wash process is not more than the half of that before the wash process.例文帳に追加
その結果、洗浄処理後のパイル糸33における油脂成分の含有量(油脂分率)は、洗浄処理前のパイル糸における油脂成分の含有量(油脂分率)に対して半分以下となる。 - 特許庁
To provide a surface-treated steel sheet in which the removability of a lubricating film in an alkali degreasing process as treatment prior to a coating process is effectively improved, and which has improved appearance quality after coating.例文帳に追加
塗装工程の前処理であるアルカリ脱脂工程における潤滑皮膜の脱膜性を効果的に向上させて、塗装後の外観品質を向上させた表面処理鋼板を提案する。 - 特許庁
To avoid image degradation due to a variable multiplication process without requiring a large memory by carrying out a clipping process for each band data after edition from band data of an intermediate language unit.例文帳に追加
中間言語単位のバンドデータから、編集後のバンドデータ単位にクリッピング処理を行なうことにより、大きなメモリを必要とすることなく、かつ変倍処理による画像劣化を回避すること。 - 特許庁
The plastic lens after polymerization is used for at least one of the molds on the sides needing a polishing process among a pair of molds 3 and 4 in which at least one needs the polishing process.例文帳に追加
少なくとも一方が研磨工程を要する成形面とされる一対のモールド3,4のうち、研磨工程を要する側のモールドの少なくとも一つに、重合後のプラスチックレンズを使用する。 - 特許庁
When the weight detecting result Wo exceeds 350 g, a first heating course wherein after a heating process by magnetron is executed, a heating process by a heater is executed is executed at S5 and S6.例文帳に追加
重量検出結果Woが「350g」以上であると、マグネトロンによる加熱行程を実行した後前記ヒータによる加熱行程を実行する第1の加熱コースを実行する(ステップS5、S6)。 - 特許庁
In the method for the production of a silicon epitaxially grown wafer, a flattening process by plasma etching of a silicon wafer 1 after primary polishing and a growth process of an epitaxial layer are successively performed.例文帳に追加
一次ポリッシング後のシリコンウェーハ1を、プラズマエッチングによる平坦化工程と、エピタキシャル層成長工程とを連続で行なうことを特徴とするシリコンエピタキシャル成長ウェーハの製造方法である。 - 特許庁
To provide a liquid processing method and a liquid processing apparatus which prevent a process liquid from remaining on a substrate and reduce the processing time when rinse treatment is performed on the substrate after processing the substrate with the process liquid.例文帳に追加
処理液により処理した後、基板をリンス処理する際に、処理液が基板に残留することを防止でき、処理時間を短縮できる液処理方法及び液処理装置を提供する。 - 特許庁
After a hard film C is formed on dynamic pressure generation faces 11, 12 or the rotor 2 side face opposite to the faces 11, 12, protrusions formed in the film formation process are removed by eletrolytic process.例文帳に追加
動圧発生面11,12またはそれに対向する回転体2側の面に硬質皮膜Cを形成したのち、その皮膜形成工程において形成された突起を電解加工により除去する。 - 特許庁
Or else, after completing a dispensation process on a relevant specimen "a" and before a dispensation process on a next specimen "b", it is also possible to execute the cleaning of a specimen dispensation probe in a reaction tube.例文帳に追加
また、当該試料aの分注処理が終了した後次の試料bに関する分注処理の前において、反応管内での試料分注プローブの洗浄を実行することも可能である。 - 特許庁
Subsequently, the manufacturing method is provided with a mouth-part washing process 16 for washing the outer peripheral surface of the mouth part of the bottle; and after that, the manufacturing method is provided with a cap attaching process 17 for sealing the bottle by attaching a cap to the mouth part of the bottle.例文帳に追加
続いて、ボトルの口部の外周面を洗浄する口部洗浄工程16を設け、その後、ボトルの口部にキャップを冠着して封止するキャップ冠着工程17を設ける。 - 特許庁
A web 22 fed from the rewinder 20 of the first module 12, after being subjected repeatedly to the application process and the drying process in each module, is taken up by the winder 68 of the second module 14.例文帳に追加
第1モジュール12の巻き戻し機20から送り出されたウエブ22は、各モジュールで塗布工程と乾燥工程が繰り返し施された後、第2モジュール14の巻き取り機68に巻き取られる。 - 特許庁
In chemical conversion of a non-converted polar plate in a battery case, the process of repeating charging and discharging is to be involved during the conversion, before and after which process, charge current is to be changed for two steps or more.例文帳に追加
未化成の極板を電槽内で化成する際に、化成途中に放電と充電の繰り返しの工程を含ませ、その工程の前後で充電電流が2段階以上変化するようにする。 - 特許庁
The low protein rice absorbs a large amount of water fast compared with the white rice, so that the low protein rice cooking omits a "soaking" process as a water absorption process, and performs cooking at low heat after boiling.例文帳に追加
低たんぱく米は白米に比べ吸水が早く吸水量が多いため、低たんぱく米炊飯加熱では、吸水工程である「ひたし」工程を省略し、沸騰加熱後、弱火加熱を行う。 - 特許庁
To provide a rinsing control method of a washer for minimizing wrinkles of a wash by performing a dehydrating process after reducing the wrinkles of the wash by sufficiently untying entanglements of the wash at rinsing process time.例文帳に追加
すすぎ行程時、洗濯物の縺れを十分に解いて洗濯物の皺を減らした後、脱水行程を行うことにより洗濯物の皺を最小化する洗濯機のすすぎ制御方法を提供する。 - 特許庁
Whether a clear track returning to a reentrant node or running to the outlet of a production line is utilizable after passing all process nodes following a bottle neck process node is decided for each WIP.例文帳に追加
各WIPごとに、ボトルネック処理ノードに続く全ての処理ノードを通り、再入可能ノードに戻るか又は生産ラインの出口に向かうクリア軌道を利用できるか否かに関して判定を実行する。 - 特許庁
Thus process order of this BGA packaging method, in which solder balls are applied in advance of encapsulation process, is different from the conventional method, in which solder balls are adhered after encapsulation.例文帳に追加
それにより、BGAパッケージ製造方法では、カプセル化工程の進行前にソルダーボールを付着することによってカプセル化後、ソルダーボールを付着する従来の製造方法と工程順序を異にする。 - 特許庁
In the cutting process, after the rear face grinding process, the protection tape 25 is peeled off from the front face of the wafer 10, then a dicing tape is pasted to the rear face of the wafer 10, and finally the wafer 10 is cut from the front-face side.例文帳に追加
裏面研削工程後,切削工程において,ウェハ10の表面側から保護テープ25を剥離し,ウェハ10の裏面側にダイシングテープを貼り付け,ウェハ10を表面側から切削する。 - 特許庁
To eliminate the partiality of a process waiting JOB after an alternate process, to prevent the completion time of all JOBs from being delayed greatly behind the logical time, and to greatly shorten the alternate operation time.例文帳に追加
代替処理後の処理待ちJOBの片寄りを無くし、全JOBの完了時間が論理時間より大きく遅延することを防ぐとともに代替作業時間を大幅に短縮する。 - 特許庁
To provide a colored wood, and an apparatus and a method for forming the colored wood, wherein a decorative property is excellent even though the colored wood is not passed through a polishing process and a coating process after treatment by steam.例文帳に追加
水蒸気処理後に、研磨工程および塗装工程を経なくても、装飾性に優れている着色木材、着色木材の形成装置および形成方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
The method traces the manufacturing process records of wafers in the semiconductor manufacturing factory (fab), and the wafers are displayed after the wafer contamination source manufacturing process in which the wafers are contaminated is specified or the improving measures are defined.例文帳に追加
この方法は、ウエハが半導体製造工場(fab)における製造工程記録を追跡し、ウエハが汚染源製造工程を特定した後、或いは改善措置を定義した後、ウエハを表示する。 - 特許庁
The injection control means controls such that the number of fuel injection during one cycle of cylinders to continue fuel injection after the cylinder-decrease process is the same as or more than those before the cylinder-decrease process.例文帳に追加
噴射制御手段は、減筒処理後に燃料噴射を継続する気筒の1サイクル中の燃料噴射回数が、当該減筒処理前と同じか、それ以上になるように制御する。 - 特許庁
The mathematical model contains a value of an actual heated state of the preheating plug, a time lapsed after the completion of the previous preheating process and a parameter of the diesel engine relating to the preheating process.例文帳に追加
当該数学的モデルには、前記予熱プラグの実際の熱状態の数値と、前記先の予熱過程の終了以降に経過した時間と、予熱過程に関連する前記ディーゼル・エンジンのパラメータとが含まれる。 - 特許庁
In one or more embodiments, the selective epitaxy process includes a step of repeating, until an epitaxial layer grows to a desired thickness, a cycle composed of: the deposition, an etching process after the deposition, and a desired purge cycle.例文帳に追加
一つ以上の実施形態によれば、選択的エピタキシャルプロセスは、エピタキシャル層の所望の厚さが成長するまで、堆積と、その後のエッチングプロセスと、所望によるパージのサイクルを繰り返すステップを含む。 - 特許庁
The control device obtains a crank angle θ_1 of an insulation process before start of combustion and a crank angle θ_2 of an insulation process after finish of combustion for sensing the cylinder internal pressures P_1 and P_2 of each crank angle (S100).例文帳に追加
燃焼開始前の断熱過程のクランク角θ_1と、燃焼終了後の断熱過程のクランク角θ_2とを取得し、各クランク角における筒内圧P_1およびP_2を検出する(ステップ100)。 - 特許庁
In reconstruction of the radiation shielding wall 100 after the dismantlement, the radiation shielding wall 100 can be easily reconstructed by nearly the same process as the first construction process.例文帳に追加
更に、解体後に放射線遮蔽壁100を再構築する際には、最初に構築した構築工程と略同様の工程で、放射線遮蔽壁100を容易に再構築することができる。 - 特許庁
In the RAID control apparatus, after a RAID building control part executes a process (Step S2), an information saving part automatically executes a process of saving RAID information (Step S5).例文帳に追加
本発明にかかるRAID制御装置では、RAID構築制御部による処理の実行後(ステップS2)、情報保存処理部が、自動的にRAID情報を保存する処理を実行する(ステップS5)。 - 特許庁
Then, since the surface of the cast product is ground by the fluidized medium in the fluidized bed at the same time with the heating, a shot process as the after-process is omitted and this cast product can be worked and coated.例文帳に追加
このとき、加熱と同時に鋳造物の表面が流動層の流動媒体によって研掃されるため、、後工程としてのショット工程を省略して加工・塗装をすることができる。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing coil assembly of dynamo-electric machine, which enables easy and reliable braiding of coil wires, and which requires no process of deforming the coil wires after completion of the braiding process.例文帳に追加
コイル線材の編込みを簡易に且つ確実に行うことができ、編込み工程終了後にコイル線材を変形させる工程を必要としない回転電機のコイル組立体製造方法を提供する。 - 特許庁
To shorten inspection time of a whole inspection process group in an inspection process of an information processor equipped with a storage medium 8 for which shut-down processing is necessary before power supply interruption after access.例文帳に追加
アクセスがあった後の電源遮断の前にシャットダウン処理が必要な記憶媒体8を備える情報処理装置の検査工程において、検査工程群全体での検査時間を短縮する。 - 特許庁
In the manufacturing method of an aluminum electrode foil for electrolytic capacitors, a cleaning process for cleaning an etching foil of each electrolytic capacitor by a cleaning liquid is performed, after an etching process for its aluminum foil and before an post-processing for forming a post-processing coating on the surface of its etching foil.例文帳に追加
アルミニウム箔に対するエッチング工程の後、エッチング箔表面に後処理皮膜を形成する後処理工程の前に、エッチング箔を洗浄液で洗浄する洗浄工程を行う。 - 特許庁
Also, after the above fifth process, a new Gemini type fluorine-based surfactant can be obtained by even performing a sixth process of ion-exchanging the obtained Gemini type fluorine-based surfactant.例文帳に追加
また、前記第5工程の後、得られたGemini型フッ素系界面活性剤をイオン交換する第6工程を施しても、新規なGemini型フッ素系界面活性剤を得ることができる。 - 特許庁
To provide a polyurethane elastic yarn allowing thermobonding to be easily carried out by passing the yarn through a thermobonding process, and having high elasticity and high flexibility even after passing the thermobonding process.例文帳に追加
熱接着工程を通すことによって容易に熱接着性させることができ、しかも、熱接着工程を通した後にも高い伸縮性と高い柔軟性を有するポリウレタン弾性糸を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing soybean peptide capable of producing soybean peptide excellent in flavor in a simple production process without the need of later process such as activated carbon treatment after hydrolysis with protease.例文帳に追加
プロテアーゼによる加水分解後に活性炭処理などの後工程を必要とせず、簡易な製造工程で風味良好な大豆ペプチドを製造することができる、大豆ペプチドの製造方法の提供。 - 特許庁
In a semiconductor manufacturing apparatus production plant 100 receiving an order of a semiconductor manufacturing apparatus, after a production process plan thereof is decided, the plan is registered in a production process recognition server 20 as a database.例文帳に追加
半導体製造装置の受注を受けた半導体製造装置生産工場100では、その生産工程計画を確定した後に生産工程認識サーバ20にデータベースとして登録する。 - 特許庁
A borderless contact process and a self-aligned contact process are simultaneously carried out by assuring an adequate width between the gate electrodes 118a and 118b and by forming contact holes after forming the etch preventing film.例文帳に追加
ゲート電極118a、118b間の幅を十分に確保し、エッチング防止膜を形成した後コンタクトホールを形成することで、ボーダーレスコンタクト工程と自己整列コンタクト工程を同時に行う。 - 特許庁
An excess air ratio in an initial combustion process T1 immediately after ignition is controlled to be lower than that in a steady combustion process T2 by reducing the quantity of combustion air and increasing the quantity of fuel.例文帳に追加
燃焼用空気量を減らしたり、燃料量を増やすことにより、点火直後の初期燃焼工程T1における空気過剰率を、定常燃焼工程T2より低くなるように制御する。 - 特許庁
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