Alを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 7573件
The substrate for the hydrophilic member has an undercoat layer of a partial structure represented by M-OH (wherein M is Si, Ti, Zr or Al) on the base material, in which a value of M-OH/M on the surface of the undercoat layer is 1-0.4, and the hydrophilic layer on the undercoat layer.例文帳に追加
本発明の親水性部材用基板は、基材上にM−OH(式中、MはSi、Ti、ZrまたはAlを表す。)で表される部分構造を含有する下塗層を有し、該下塗層表面のM−OH/Mの値が1〜0.4であるものであり、本発明の親水性部材用基板は、その下塗層上にさらに親水性層を有することを特徴とする。 - 特許庁
The alloy sheet has a composition containing, by mass, 0.05 to 0.3% Cu, 0.05 to 0.8% Mg, 0.6 to 1.5% Mn and either or both of Si and Fe by 0.1 to 1.0%, and the balance Al with inevitable impurities, and has proof stress of 240 to 320 MPa.例文帳に追加
Cuを0.05から0.3質量%、Mgを0.05から0.8質量%、およびMnを0.6から1.5質量%含み、さらにSiおよびFeの両方またはいずれか一方の各元素を、0.1から1.0質量%含み、残部がAlと不可避的不純物とからなる組成を有し、かつ耐力が240から320MPaとしたアルミニウム合金板として構成する。 - 特許庁
The cleaning device uses the cleaning blade 62 introducing a pressure-contact system by a spring 66, wherein the cleaning device is additionally provided with a dynamic vibration reducer 670 having a natural frequency equal to the frequency of the blade 62 in the natural vibration primary mode when the leading end part of the blade 62 performs the stick-slip vibration upon cleaning an image carrier al.例文帳に追加
バネ66による圧接方式のクリーニングブレード62を用いたクリーニング装置であって、像担持体a1の清掃においてブレード62の先端部がスティックスリップ振動しようとするときのブレード62の固有振動第1次モードの振動数と同じ固有振動数を有する動吸振器670が付加されているクリーニング装置60及び該クリーニング装置を採用した画像形成装置A。 - 特許庁
The organic electroluminescent element 10 includes a first electrode 14, the organic layer 16 including at least a light emitting layer, and a second electrode 20, stacked in this order, in which the second electrode includes, starting from the organic layer side, an Al layer 18 having a thickness of 0.1 nm to 10 nm and an Ag layer 19 having a thickness of 3 nm to 50 nm.例文帳に追加
第1電極14と、少なくとも発光層を含む有機層16と、第2電極20とが、この順で積層されており、前記第2電極が、前記有機層側から、0.1nm以上10nm以下の厚さを有するAl層18と、3nm以上50nm以下の厚さを有するAg層19とを含むことを特徴とする有機電界発光素子10。 - 特許庁
The Schottky electrode 2 includes: an electrode body 6; a connection electrode 8, which is formed in a position apart from the electrode body 6 when viewed from the semiconductor layer 1, and contains Al; and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and connection electrode 8, and containing at least one selected from a group consisting of W, TiW, WN, TiN, and Ta.例文帳に追加
ショットキー電極2は、電極本体6と、半導体層1から見て電極本体6よりも離れた位置に形成され、かつAlを含む接続用電極8と、電極本体6と接続用電極8との間に形成された、W、TiW、WN、TiN、およびTaよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むバリア層7とを含んでいる。 - 特許庁
This hydrocarbon adsorbing material is acid BETA zeolite in which a part or all of Al atoms or Si atoms are substituted by other metal atoms, acid NU-2 zeolite having the same BEA structure as that of the acid BETA zeolite or the zeolite which has the BEA structure resembled to that of the acid BETA zeolite and is obtained by using SSZ-31 and/or SSZ-41 as a precursor.例文帳に追加
Al原子又はSi原子の一部又は全部が他の金属原子によって置換された酸性BETAゼオライト、酸性BETAゼオライトと同じBEA構造を有する酸性NU−2ゼオライト、あるいは酸性BETAゼオライトと類似のBEA構造を有し、SSZ−31及び/又はSSZ−41を前駆体として得られたゼオライトを使用する。 - 特許庁
The plasma display panel is such that a scanning electrode 12a and a sustaining electrode 12b formed on a front surface glass substrate 11 are covered by a dielectric glass layer 13 and the dielectric glass layer 13 is covered by a protection layer 14 of magnesium oxide, and the protection layer 14 is structured by a material made of magnesium oxide containing at least either boron (B) or aluminum (Al).例文帳に追加
前面ガラス基板11上に形成した走査電極12a、維持電極12bを誘電体ガラス層13で覆い、その誘電体ガラス層13を酸化マグネシウムの保護層14で覆われたプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層14を酸化マグネシウムにホウ素(B)およびアルミニウム(Al)の少なくとも一方を含む材料により構成したものである。 - 特許庁
When the p^+-layer 4, the counter electrode 3 or the photodetective surface electrode 5 is formed on the surface of the silicon (Si) substrate 1 according to one method for manufacturing the solar battery, the paste material including the powder of Al-Si alloy is applied and then the substrate is dried and annealed to form the p^+-layer 4, the counter electrode 3 or the photo detective surface electrode 5.例文帳に追加
また、本発明の1つの太陽電池の製造方法は、シリコン(Si)基板1の表面にp^+層4、対向電極3、又は受光面電極5を形成する工程において、Al−Si合金の粉末含有ペースト材料を塗布した後、乾燥させ、その後アニールしてp^+層4、対向電極3、又は受光面電極5を形成する工程を含む。 - 特許庁
The galvannealed steel sheet is produced by subjecting a steel sheet having an adjusted surface roughness to a hot dip galvanizing and alloying treatment under the conditions such that a plating bath entering temperature, an Al concentration of a plating bath, an alloying temperature, and a degree of alloying are controlled in a specified range, and then temper-rolling it at a specified rolling reduction with a roll with an adjusted surface roughness.例文帳に追加
この合金化溶融亜鉛めっき鋼板は、表面粗度が調整された被めっき鋼板に、めっき浴侵入温度,めっき浴のAl濃度,合金化温度及び合金化度を特定範囲に規制された溶融亜鉛めっき,合金化処理を施し、その後に表面粗度が調整されたロ−ルによる特定圧下率での調質圧延を施して製造することができる。 - 特許庁
The laminated film is constituted by laminating a reinforcing layer, which contains inorganic particles and a metal oxide including at least one metal element selected from the group consisting of Si, Al, Zr, Ti, In, Sn and Zn and/or a derivative thereof, on at least the single surface of a base layer film and 0.5-20 wt.% of polyethylene glycol is added to the reinforcing layer.例文帳に追加
基層フィルムの少なくとも片面に、無機粒子と、Si、Al、Zr、Ti、In、SnおよびZnからなる群から選ばれる少なくとも1種の金属元素を含む金属酸化物および/またはその誘導体とを含有する補強層が積層されてなり、かつこの補強層にポリエチレングリコールが0.5〜20重量%含まれている積層フィルムとする。 - 特許庁
The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加
透明基板20上に、Al,Ga,Inから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層26と、前記透明半導体層26に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極28及び透明ドレイン電極30と、透明ゲート電極22と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁
An aluminium side surface AL of a base plate 10 is welded and fixed by polymerizing it on a panel member 100 by calking and fixing a nut 1 on an iron side surface S of the base plate 10 in the nut fixing structure to fix the iron made nut 1 on the aluminium made panel member 100 by interposing the base plate 10 made of a clad material made by polymerizing an aluminium plate and an iron plate by rolling.例文帳に追加
アルミ板と鉄板を圧延によって重合したクラッド材からなるベースプレート10を介在させて鉄製のナット1をアルミ製のパネル部材100に固定するナット固定構造において、ベースプレート10の鉄側表面Sにナット1をかしめ固定し、ベースプレート10のアルミ側表面ALをパネル部材100に重ね合わせて溶接固定する。 - 特許庁
The method for manufacturing the recycling welded joint comprises disposing a different metal welded joint having an intermetallic compound layer transmutatable in ductility/brittleness, such as Al-Fe, between the welded joints of the metal as shown in Figure 1 or Figure 2.例文帳に追加
金属の溶接継手を分離・解体を容易にするためのリサイクル継手の発案とその製造法および実際の応用方法について発案したもので、Al−Fe等の延性及びぜい性な金属間化合物を生成・変換することにより、従来の溶接部材の間にリサイクル可能な溶接継手を図1または図2のように設けることにより、溶接製品の解体、リサイクルが可能となる。 - 特許庁
This ultraviolet light-curing type inkjet composition ejected by an inkjet method is characterized by including a polymerizable compound and the powder consisting of a plurality of particles, wherein the powder includes first particles having a scale like form and at least its surface constituted with Al, and second particles containing a ferromagnetic material.例文帳に追加
本発明の紫外線硬化型インクジェット組成物は、インクジェット方式により吐出される紫外線硬化型インクジェット組成物であって、重合性化合物と、複数個の粒子からなる粉末とを含み、前記粉末は、鱗片状をなし少なくとも表面がAlで構成された第1の粒子と、強磁性材料を含む第2の粒子とを含むものであることを特徴とする。 - 特許庁
This coating liquid for forming colored film is characterized by adding an acetylenediol, e.g. a compound obtained by adding ethylene oxide to OH group of tetramethyldecynediol or tetramethyldecynediol to an organic solvent in which an alkoxide of at least one element selected from Si alkoxide, Ti alkoxide, Al alkoxide and Zr alkoxide, a noble metal compound and/or noble metal fine particles are dissolved or dispersed.例文帳に追加
Siアルコキシド、Tiアルコキシド、Alアルコキシド、Zrアルコキシドより選ばれた少なくとも一つの元素のアルコキシドと、貴金属化合物および/または貴金属微粒子を溶解または分散させた有機溶媒中に、アセチレンジオール類、例えば、テトラメチルデシンジオールまたはテトラメチルデシンジオールのOH基にエチレンオキサイドを付加させた化合物を添加したことを特徴とする着色膜形成用塗布液。 - 特許庁
The carbon nanotubes are manufactured by bringing a carbon-containing gas and hydrogen gas into contact with the catalyst comprising a compound oxide represented by general formula ABO_3 (wherein A is at least one sort of element selected from among rare earth elements and alkaline earth metals; B is at least one sort of element selected from among transition elements excluding rare earth elements and Al) on heating.例文帳に追加
加熱下、炭素含有ガスおよび水素ガスを、一般式ABO_3(式中、Aは希土類元素およびアルカリ土類金属から選ばれる少なくとも1種の元素を示し、Bは希土類元素を除く遷移元素およびAlから選ばれる少なくとも1種の元素を示す。)で示される複合酸化物からなる触媒と接触させて、カーボンナノチューブを製造する - 特許庁
(1), wherein M includes at least one selected from the group consisting of Mg, Sr, Ba, Zn, Na, Al, Ga, Ge, P, As and Fe, and N includes at least one selected from the group consisting of Eu^2+, Mn^2+, Tb^3+, Yb^2+ and Tm^3+.例文帳に追加
(化1) Ca_2−x−y−zMxSiO_4:yCe^3+,zN(0≦x<0.5、0<y≦0.1、0≦z<0.15)…(1)化学式(1)で、Mは、Mg、Sr、Ba、Zn、Na、Al、Ga、Ge、P、As及びFeからなるグループから選択された少なくとも1つを含み、NはEu^2+、Mn^2+、Tb^3+、Yb^2+及びTm^3+からなるグループから選択された少なくとも1つを含む。 - 特許庁
The electrodes includes an electrode body 6, a connector electrode 8 formed at a position distant from the electrode body 6 from the view from the semiconductor layer 1 and containing Al, and a barrier layer 7 formed between the electrode body 6 and the connector electrode 8 and containing at least one selected from the group consisting of W, TiW, WN, TiN, Ta and TaN.例文帳に追加
電極は、電極本体6と、半導体層1から見て電極本体6よりも離れた位置に形成され、かつAlを含む接続用電極8と、電極本体6と接続用電極8との間に形成されたW、TiW、WN、TiN、Ta、およびTaNよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含むバリア層7とを含んでいる。 - 特許庁
The display apparatus has a first conductive layer formed by using a transparent conductive film consisting essentially of indium oxide, a conductive base layer formed on the first conductive layer, a second conductive layer formed on the base layer by using a film consisting essentially of Al and a third conductive layer formed on the second conductive layer by using the same material as the second conductive layer.例文帳に追加
酸化インジウムを主成分とする透明導電膜で形成された第1の導電層と、前記第1の導電層の上に形成された導電性の下地層と、前記下地層の上にAlを主成分とする膜で形成された第2の導電層と、前記第2の導電層の上に前記第2の導電層と同一の材料で形成された第3の導電層とを有する。 - 特許庁
The semiconductor device includes: a pad 20 provided on a compound semiconductor layer 12, including Al, and provided with a wiring connection part 26 provided evading a bonding region 28; a wiring layer 34 including Au, which is electrically connected to the wiring connection part 26 of the pad 20; and a barrier layer 32 provided between the wiring connection part 26 and the wiring layer 34.例文帳に追加
本発明は、化合物半導体層12上に設けられ、Alを含み、かつボンディング領域28を避けて設けられた配線接続部26を有するパッド20と、パッド20の配線接続部26に電気的に接続されたAuを含む配線層34と、配線接続部26と配線層34との間に設けられたバリア層32と、を具備する半導体装置である。 - 特許庁
The martensitic stainless steel has a composition comprising 0.01 to 0.1% C, 0.05 to 1% Si, 0.05 to 1.5% Mn, ≤0.03% P, ≤0.01%例文帳に追加
C:0.01〜0.1%、Si:0.05〜1%、Mn:0.05〜1.5%、P≦0.03%、S≦0.01%、Cr:9〜15%、Ni:0.1〜2.0%、Al≦0.05%およびN≦0.1%を含むとともに、Cu:0.05〜4%、Mo:0.05〜3%、V:0.005〜0.5%、Nb:0.005〜0.5%、B:0.0002〜0.005%、Ca:0.0003〜0.005%、Mg:0.0003〜0.005%およびREM:0.0003〜0.005%のうちの1種以上を含有し、残部がFeおよび不純物であり、下記の方法で測定される鋼中の残留オーステナイト相の厚さが100nm以下で、X線積分強度111γと110αが下記式(a)を満たすマルテンサイト系ステンレス鋼。 - 特許庁
The welding member is formed by welding metal materials, wherein at least one of the metal materials comprises more than 2 mass ppm oxygen and an additive element chosen from the group consisting of Mg, Zr, Nb, Fe, Si, Al, Ca, V, Ni, Mn, Ti and Cr in pure copper containing unavoidable impurities.例文帳に追加
本発明に係る溶接部材は、金属材料同士を溶接して形成される溶接部材であって、前記金属材料の少なくとも一方が、不可避的不純物を含む純銅に、2mass ppmを超える酸素と、Mg、Zr、Nb、Fe、Si、Al、Ca、V、Ni、Mn、Ti、及びCrからなる群から選択される添加元素とを含む金属材料である。 - 特許庁
The steel for carburizing has a composition comprising, by mass, 0.1 to 0.4% C, ≤0.5% Si, ≤2.0%例文帳に追加
質量%で、C:0.1〜0.4%、Si:0.5%以下、Mn:2.0%以下、Al:0.1%以下、Ti:0.1〜0.5%、Mo:0.05〜1.0%、S:0.005%以下およびN:0.004%以下を、次式(1)を満足する範囲において含有し、残部はFeおよび不可避的不純物の組成にすると共に、鋼組織を、フェライトと、パーライト及び/又はベイナイトからなる組織にし、該フェライトの組織分率を50%以上にし、かつフェライト相中に粒径:20nm未満の微細析出物を1×10^3個/μm^3以上分散させる。 - 特許庁
The exhaust gas purifying catalyst includes: a carrier obtained by firing a composite oxide precursor containing, in ammonium dawsonite, Al as a first metal element, and a second metal element selected from Zr, Mg, Zn abd Ca; and substance having a catalytic activity dispersed on the surface of the carrier.例文帳に追加
上記課題は、アンモニウムドーソナイト中に、第1の金属元素であるAlの他に、Zr、Mg、Zn、及びCaから選ばれる第2の金属元素を含有することを特徴とする複合酸化物前駆体を焼成して得られるを担体として含んでなり、且つ、当該担体の表面上に分散された、触媒活性を有する物質を含んでなる排ガス浄化触媒によって達成される。 - 特許庁
This epoxy resin molding material comprising a prekneading process of an epoxy resin (A), a hardener (B), an inorganic filler (C), and an internal mold releasing agent, is characterized in that the epoxy resin (A) has an essential component of an hydrogenated bisphenol A-type solid epoxy resin (Al), an epoxy equivalent of 200 to 800 g/eq, and a softening point of 70 to 120°C.例文帳に追加
エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)、無機質充填材(C)、内部離型剤(D)を予備混練して得られるエポキシ樹脂成形材料に於いて、エポキシ樹脂(A)が、水素添加ビスフェノールA系の固形エポキシ樹脂(A1)を必須成分として含有し、エポキシ当量200乃至800g/eq、軟化点が70乃至120℃であることを特徴とする成形材料用エポキシ樹脂組成物である。 - 特許庁
The sputtering target contains in atomic%, Ge of 27-45%, Sb of 5-20%, and further contains one or two or more of B, Al, C, Si and rare earth elements of 0.5-8% in total, and further contains Ga of 0.5-8%, and the remainder has the composition composed of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加
原子%でGe:27〜45%、Sb:5〜20%を含有し、さらにB、Al、C、Siおよび希土類元素の内の1種または2種以上を合計で0.5〜8%を含有し、さらにGa:0.5〜8%を含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁
To provide aluminum alloy being Al-Si-Fe based alloy which is formed with a plurality kinds of hardly deformable brittle second layers (intermetallic compounds) and even when cold-worked, causes no vacancies inside or at the periphery of crushed or parted intermetallic compounds and therefore has excellent mechanical properties.例文帳に追加
本発明は、変形困難な脆性的第二層(金属間化合物)が複数種形成されるAl−Si−Fe系合金であって、このAl−Si−Fe系合金に冷間加工を施しても破砕・分断された金属間化合物の内部や周辺に空孔を生じない優れた機械的性質を有する塑性加工用アルミニウム合金を提供することを課題とする。 - 特許庁
To remove residues after patterning an electrode film on one principal surface side of a wafer without affecting the other principal surface side even if a curvature is generated on the wafer in a method of manufacturing an insulation gate type semiconductor device that includes a step of forming an Al-based alloy electrode film on the one principal surface of a thin wafer of 200 μm.例文帳に追加
200μm以下の薄いウエハの一方の主面にAl系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To highly strongly join different materials, i.e., a steel and a light alloy material, without forming a brittle intermetallic compound layer of Fe and Al, to dispense with pushing a rivet into the aluminum alloy material by a spot welding electrode and penetrating the aluminum alloy material, and to dispense with energizing the rivet and heating/fusing the aluminum alloy material to form a hole.例文帳に追加
FeとAlとの脆弱な金属間化合物層が形成されることなく、高強度の異材接合が可能であり、しかも、スポット溶接電極によりリベットをアルミニウム合金材に押し込み、アルミニウム合金材を貫通させる必要がなく、また、リベットに通電してアルミニウム合金材を発熱溶融させて孔を開ける必要がなく、鋼材と軽合金材とを異材接合する。 - 特許庁
A MOSFET 100 has an embedded electrode 102, which consists of W formed in a contact hole 4 prepared in an interlayer insulating film 3 comprising PSG etc., a lower electrode layer 5 comprising Al prepared thereon, a source electrode 101 equipped with an upper electrode layer 6 comprising the laminates of Ti layer, Ni layer, and Ag layer formed thereon.例文帳に追加
本発明のMOSFETダイ100は、PSG等からなる層間絶縁膜3に設けれられたコンタクトホール4内に形成されたWからなる埋め込み電極部102と、その上に形成されたAlからなる下層電極層5と、その上に形成されたTi層,Ni層,Ag層の積層体からなる上層電極層6とを備えたソース電極101を有している。 - 特許庁
An amorphous aluminum silicate having peaks around -78 and -87 ppm in ^29Si solid NMR spectra is synthesized by setting the Si/Al ratio in a mixture solution at 0.7-1, which is higher than in the condition for synthesizing imogolite or amorphous imogolite, adjusting the pH to 6-8 with an acid or an alkali, and performing desalting and heating.例文帳に追加
溶液混合におけるSi/Al比を、0.7〜1と、イモゴライトあるいは非晶質イモゴライトを合成する条件よりも高くし、酸又はアルカリにてpH6〜8に調製した後、脱塩処理および加熱を行なうことにより、^29Si固体NMRスペクトルにおいて−78ppmおよび−87ppm付近にピークを有する非晶質アルミニウムケイ酸塩を合成する。 - 特許庁
This organic EL element is provided with: transparent electrodes 18 formed on the surface of a transparent substrate 10 of glass, quartz or resin with a transparent electrode material such as ITO or SnO2; a luminescent layer 20 laminated on the transparent electrodes 18 and formed of an EL material; and back electrodes 22 laminated on the luminescent layer 20, and formed oppositely to the transparent electrodes 18 with Al, Li, Cs, etc.例文帳に追加
ガラスや石英、樹脂等の透明基板10の表面にITOやSnO_2等の透明な電極材料により形成された透明電極18と、透明電極18に積層された有機EL材料からなる発光層20と、この発光層20に積層され、透明電極18に対向して形成されたAl,Li,Cs等からなる背面電極22とを備える。 - 特許庁
The Ti-Al-N film contains titanium, aluminum and nitrogen, and is deposited on a substrate in such a way that particulates composed of nitrogen, titanium and/or aluminum produced in plasma are jetted into a vacuum chamber 30 from a supersonic nozzle 34 in a state of being carried on the gas flow of an supersonic free jet, and are physically vapor-deposited on a substrate 33 arranged in the vacuum chamber 30.例文帳に追加
チタン、アルミニウムおよび窒素を含有して、基板に形成されたTi−Al−N膜であって、プラズマ中で生成された窒素とチタンおよび/またはアルミニウムからなる微粒子を超音速ノズル34から超音速フリージェットの気流に乗せて真空チャンバー30中に噴出して、真空チャンバー30中に配置した基板33上に物理蒸着させて形成した膜とする。 - 特許庁
In this diamond grinding method, a diamond grinding wheel consisting mainly of an intermetallic compound of Ti and one or two or more kinds of elements selected from a group of Al, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu is pressed against a relatively rotating or moving diamond and ground while keeping the grinding wheel at room temperature or heating a grinding part at 100-800°C as necessary.例文帳に追加
Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cuの群から選択した1種または2種以上の元素とTiとの金属間化合物を主成分とすることを特徴とするダイヤモンド研磨用砥石、及び室温又は必要により研磨部を100〜800°Cに加熱しながら、砥石を相対的に回転又は移動するダイヤモンドに押し当て、研磨するダイヤモンドの研磨方法。 - 特許庁
The acceleration sensor includes piezoresistive elements constituted of diffusion layers; a first insulating layer with which the diffusion layer is coated; an interlayer connecting conductor passed through the first insulating layer and connected to the diffusion layers; and a wiring arranged over the insulating layer and connected to the interlayer connecting conductor, and further includes a conductor part containing Al and Nd and a second insulating layer with which the conductor part is coated.例文帳に追加
加速度センサが,拡散層から構成されるピエゾ抵抗素子と,拡散層を被覆する第1の絶縁層と,第1の絶縁層を貫通して前記拡散層に接続される層間接続導体と,絶縁層上に配置されて層間接続導体に接続される配線と,を有し,かつAlとNdとを含む導体部と,導体部を被覆する第2の絶縁層と,を具備する。 - 特許庁
The aluminum alloy for diecasting has a composition containing, by mass, 3.6 to 5.5% Mg, 0.6 to 1.2% Mn, 0.2 to <0.5% Ni, 0.001 to 0.010% Be, 0.01 to 0.3% Ti and 0.001 to 0.05% B, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加
ダイカスト用アルミニウム合金は、Mgが3.6質量%乃至5.5質量%、Mnが0.6質量%乃至1.2質量%、Niが0.2質量%乃至0.5質量%未満、Beが0.001質量%乃至0.010質量%、Tiが0.01質量%乃至0.3質量%、Bが0.001質量%乃至0.05質量%で、残部がAl及び不可避的不純物からなる。 - 特許庁
The continuous casting method for the molten steel is carried out while adding an MgO-Al mixture or MgO-Ti mixture in a ladle tundish or casting mold and casting the molten steel while swirling the molten steel within a horizontal plane by an induction electromagnetic stirrer in the continuous casting equipment having the induction electromagnetic stirrer between 10 m under the casting mold from the meniscus within the casting mold.例文帳に追加
鋳型内メニスカスから鋳型下10mの間に誘導電磁攪拌装置を有する連続鋳造装置において、取鍋、タンディッシュ或いは鋳型内でMgO−Al混合物、或いはMgO−Ti混合物を添加し、該誘導電磁攪拌装置により水平面内で溶鋼を旋回させながら鋳造することを特徴とする溶鋼の連続鋳造方法。 - 特許庁
The hot dip galvanized high strength steel sheet is characterized by applying hot dip galvanizing to a steel steel having a steel composition containing, by mass, 0.01 to 0.20% C, ≤2.0%例文帳に追加
溶融亜鉛めっき高強度鋼板は、質量%にて、C:0.01%以上、0.20%以下、Si:2.0%以下、Al:0.010%以上、2.0%以下、Mn:0.5%以上、3.0%以下、P:0.08%以下、S:0.010%以下、N:0.010%以下を含有し、残部鉄および不可避的不純物よりなる鋼組成を有し、 組織がフェライトを主体とするフェライト・マルテンサイト組織であって、板厚tの1/8t〜3/8tの範囲でのMnミクロ偏析が、式(1)を満たす範囲にある鋼板に、 溶融亜鉛めっきが施されたことを特徴とする。 - 特許庁
In this method of manufacturing the heat exchanger including the fins provided with the coating, a hydrophilic organic coating is formed on the fins, and then a metallic alkoxy compound and/or a metallic chelate compound having at least one or more metals selected from a group of Ti, Zr and Al, is made to react with a surface layer of the hydrophilic organic coating.例文帳に追加
被膜が形成されたフィンを有する熱交換器の製造方法であって、前記フィン上に親水性有機被膜を形成した後、Ti、Zr及びAlからなる群から選択される1種以上の金属を有する金属アルコキシ化合物及び/又は金属キレート化合物を前記親水性有機被膜の表層と反応させることを特徴とする熱交換器の製造方法とする。 - 特許庁
A preferable matrix or cage component(s) is one or more elements selected from Si, Ge, Sn, Pb, Al, Ga, In and transition elements, and a preferable clathrating component(s) is one or more elements selected from alkali metals, alkaline-earth metals and transition metals including lanthanoids and actinoids, and, more preferably, one or more elements selected from alkaline-earth elements, lanthanoids, and ocationally, actinoids.例文帳に追加
好ましいマトリクスまたはケージ成分は、Si、Ge、Sn、Pb、Al、Ga、Inおよび遷移元素から選択された1以上の元素であり、好ましい包接成分は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド元素およびアクチノイド元素を含む遷移元素から、より好ましくは、アルカリ土類金属、ランタノイド元素および時おりまたアクチノイド元素から、選択された1以上の元素である。 - 特許庁
A method for producing the powder tea from the tea dregs comprises: a discoloration step of discoloring the tea dregs green with a metal ion of the metal yeast containing any one metal of Zn, Cu, Fe, Mg and Al; a deodorization step of removing the yeast odor by oxidizing yeast contained in the tea dregs discolored in the discoloration step; and a grinding step of grinding the tea dregs into a powdery state.例文帳に追加
茶殻を原料とするパウダー茶の製造方法は、Zn、Cu、Fe、Mg、Alのいずれかの金属を含む金属酵母の金属イオンでもって茶殻を緑色に変色する変色工程と、変色工程で変色してなる茶殻に含まれる酵母を酸化して酵母臭を脱臭する脱臭工程と、茶殻を粉末状に粉砕する粉砕工程とからなる。 - 特許庁
In this solid high polymer fuel cell equipped with a membrane electrode jointed body in which an electrode is jointed to both surfaces of a solid high polymer electrode membrane, a rare earth element and phosphate containing at least one metallic element selected from Ti, Fe, Al, and Fe are fixed to either one or more of the solid high polymer electrolyte membrane and the electrode.例文帳に追加
本発明は、固体高分子電解質膜の両面に電極が接合された膜電極接合体を備えた固体高分子型燃料電池において、固体高分子電解質膜及び電極のいずれか1以上に、希土類元素並びにTi、Fe、Al及びBiから選ばれる少なくとも1つの金属元素を含むリン酸塩が固定されていることを特徴とする。 - 特許庁
This surface treated galvanized steel sheet has a film layer formed by applying the surface of a galvanized steel sheet with a water base composition containing (a) at least one kind of metallic compound selected from the phosphates, carbonates, nitrates, acetates, hydroxides and fluorides of Mg, Mn and Al, (b) a water soluble organic resin and (c) an acid.例文帳に追加
亜鉛系めっき鋼板の表面に、(a)Mg、MnおよびAlの金属化合物であり、りん酸塩、炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩、水酸化物およびフッ化物から選ばれる少なくとも1種の金属化合物、(b)水溶性有機樹脂および(c)酸を含有する水性組成物を塗布して形成された皮膜層を有する表面処理亜鉛系めっき鋼板。 - 特許庁
The steel sheet for a can is composed in such a manner that a steel sheet comprising, by weight, ≤0.006% C, ≤0.04% Si, 0.50 to 0.60% Mn, ≤0.02% P, ≤0.02% S, 0.005 to 0.1% Al, ≤0.01%例文帳に追加
重量%にてC:0.006%以下、Si:0.04%以下、Mn:0.50〜0.60%、P:0.02%以下、S:0.02%以下、Al:0.005〜0.1%、N:0.01%以下、Ca:0.005%以下を含有し、残部が鉄および不可避的不純物からなる鋼板を下式(A)〜(C)を満たすことによって、強度を保ち、加工性や非時効性に優れた缶用鋼板を製造する。 - 特許庁
To maintain sufficient insulation of an organic insulating film, while securing favorable electrical connection between an electrode on a chip and wiring connected thereto in a semiconductor device, in which the surface of a semiconductor chip is covered with the organic insulating film (polyimide layer or the like) and a metal layer (aluminium (Al) layer or the like) constituting an electrode pad is exposed, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
半導体チップの表面が有機絶縁膜(ポリイミド層など)で覆われ、電極パッドを構成する金属層(アルミニウム(Al)層など)が露出している半導体装置及びその製造方法において、有機絶縁膜の十分な絶縁性を維持しながら、チップ上の電極とこれに接続される配線との間に良好な電気的接続を確保することを目的とする。 - 特許庁
At least in either of the first member 14 and the second member 15, a part including a polishing surface (dynamic pressure clearance formation surface) facing to the dynamic pressure clearance 17 is constituted of ceramic and the content rate of AL components in terms of Al2O3 in alumina- based ceramic comprising a polishing-finished dynamic pressure clearance formation surface is adjusted to 90-99.5 mass%.例文帳に追加
そして、第一部材14及び第二部材15の少なくともいずれかにおいて、動圧隙間17に面する研磨表面(動圧隙間形成面)を含む部分が少なくともセラミックにて構成されるとともに、その研磨仕上げされた動圧隙間形成面を構成するアルミナ質セラミックにおける、Al_2O_3換算したAl成分の含有率が90〜99.5質量%に調整される。 - 特許庁
In the method for reforming the slag, by which oxygen concentration of the slag on the molten steel in a ladle is reduced, a slag reforming material containing ≥30 mass% MgO and containing ≥10 mass% total content of one or more reducing materials among Si, Al, Ti and Zr is added onto the slag surface to reduce lower-grade oxides in the slag.例文帳に追加
取鍋内の溶鋼上にあるスラグの酸素濃度を低減するスラグ改質法において、MgO含有率を30質量%以上、Si、Al、Ti、Zrの内1種類以上の還元材の総含有率を10質量%以上としたスラグ改質材をスラグ表面に添加して、スラグ中の低級酸化物を還元することを特徴とするスラグ改質方法である。 - 特許庁
A superconducting lead wire 8 from a detection coil 7 is soldered to the superconducting connection 9 of a superconducting connecting substrate 10 for relay, and the input coil pad 1a of the SQUID element 1 and the superconducting connecting substrate 10 are connected with each other by bonding wires 11, and the output of the SQUID element 1 is connected to the detection circuit of a substrate 14 by Al bonding wires 13.例文帳に追加
検出コイル7からの超電導線8を、中継用の超電導接続基板10の超電導接続部9にハンダ付けを行ない、SQUID素子1の入力コイルパッド1aと超電導接続基板10を超電導ボンディングワイヤ11で接続し、SQUID素子1の出力を基板14の検出回路に、Alボンディングワイヤ13で接続する。 - 特許庁
The inorganic particles which are used as a dental material and comprise 70 to 98 wt.% of silica and the oxides of one or more elements selected from Zr, Ti, La, Ba, Sr, Hf, Y, Zn, Al, and B, is characterized in that 5 to 70 wt.% and 95 to 30 wt.% of the silica originate from an acidic acid solution and a silica sol, respectively.例文帳に追加
この歯科材料用無機粒子は、含有量が70〜98重量%の範囲のシリカとZr、Ti、La、Ba、Sr、Hf、Y、Zn、Al、Bから選ばれる1種または2種以上の元素の酸化物とからなり、前記シリカの5〜70重量%が酸性珪酸液に由来し、前記シリカの30〜95重量%がシリカゾルに由来するものである。 - 特許庁
In the method for manufacturing the nanostructure which anodically oxidizes a layer to be anodically oxidized essentially consisting of Al to form pores, a barrier film is formed by anodic oxidation on the surface of the layer to be anodically oxidized, and after the forming positions of the pores are positioned by removing at least part of the barrier film, the porous film by the anodic oxidation is manufactured.例文帳に追加
Alを主成分とする被陽極酸化層を陽極酸化させて細孔を形成するナノ構造体の製造方法において、該被陽極酸化層の表面に陽極酸化によりバリアー皮膜を作製したのち、バリアー皮膜の少なくとも一部を除去して細孔の形成位置を決めてから陽極酸化によるポーラス皮膜を作製するナノ構造体の製造方法。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|