「Al」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

A metallic coating process is preferably carried out in an integrated processing system that includes both PVD and CVD processing chambers so that once the substrate is introduced into a vacuum environment, the metallic coating of the vias and contacts can be carried out without the formation of an oxide layer over the CVD Al layer.例文帳に追加

金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、ＰＶＤおよびＣＶＤ処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、ＣＶＤによるＡｌ層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。 - 特許庁

As the conductive paste for forming an electrode on the semiconductor substrate for the photoelectric conversion device, there is adopted the conductive paste that includes: metal powder which mainly contains Al; and glass, frit-crystallized in a heat treatment by which the conductive paste, is glazed on the semiconductor substrate, to form the electrode.例文帳に追加

光電変換素子用の半導体基板に電極を形成するための導電性ペーストとして、Ａｌを主に含有する金属粉末と、電極を形成するために半導体基板上に導電性ペーストを焼き付ける熱処理において結晶化するガラスフリットとを含ませた導電性ペーストを採用する。 - 特許庁

The invention relates to a method for preparation of the humanized immunoglobulin exhibiting a binding affinity to the antigen of about 10^8M^-1 or stronger, and having framework regions originating from light and heavy chains of human receptor immunoglobulins and complementarity determining regions (CDR), defined by Kabat, et al., from a donor immunoglobulin.例文帳に追加

少なくとも１０^８Ｍ^−１の親和性で抗原に結合可能であり、かつヒト受容体免疫グロブリン軽鎖および重鎖由来のフレームワーク領域、および供与体グロブリン由来のＫａｂａｔらにより定義される相補性決定領域（ＣＤＲ）を有するヒト化免疫グロブリンの生産方法に関する。 - 特許庁

When gas phase etching is performed in a gas phase etching process P4, since the gas etching passes through the contact layer 26 and the intermediate layer 24 having the intermediate ratio for Al to reach the window layer 22, many pincushion-like minute projections 40 with sufficient height and high aspect ratio are obtained, and the high light extraction efficiency is obtained.例文帳に追加

気相エッチング工程Ｐ４において気相エッチングが施されると、その気相エッチングはコンタクト層２６およびＡｌについて中間的な割合を有する中間層２４を通過してウインドウ層２２に到達するので、十分な高さで高アスペクト比の多数の針山状の微小突起４０が得られて、高い光取り出し効率が得られる。 - 特許庁

In the method for producing the corresponding ester by reacting a carboxylic acid with an alcohol in the presence of a catalyst, the catalyst is a solid acid catalyst and water is separated by using a porous support and a separation membrane having an aluminosilicate formed on the porous support and having 1-5 Si/Al (atomic ratio) from the above reaction system.例文帳に追加

触媒存在下にカルボン酸とアルコールとを反応させる対応するエステルを製造する方法において、前記触媒が固体酸触媒であること、前記反応から水を多孔質支持体と該多孔質支持体上に形成されたＳｉ／Ａｌ（原子比）＝１〜５であるアルミノケイ酸塩とを有する分離膜を用いて分離することを特徴とする製造方法。 - 特許庁

In the regenerating treatment process for the developer by incorporating a contacting treatment process wherein the developer contg. mainly the photoresist and TAAH or a TAAH-contg. derived from the spent developer is brought into contact with a chalet resin, partial trace impurities such as Fe and Al can simply, inexpensively and effectively be removed.例文帳に追加

フォトレジスト現像廃液の再生処理過程において、フォトレジスト及びＴＡＡＨを主として含むフォトレジスト現像廃液又は該フォトレジスト現像廃液に由来するＴＡＡＨ含有溶液をキレート樹脂と接触処理する工程を含めることにより、Ｆｅ、Ａｌ等の一部の微量不純物を簡単で安価に且つ効果的に除去する。 - 特許庁

The barrier film substrate comprises an organic-inorganic alternating laminate comprising at least one organic layer and at least two inorganic layers on a plastic film, and is characterized in that the organic layer contains a polymer having an oxirane ring, and the inorganic layers contain a metal oxide, a metal nitride, or a metal oxidized nitride of a metal selected from Si and Al.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に少なくとも１層の有機層と少なくとも２層の無機層からなる有機無機交互積層体を有してなるバリア性フィルム基板であって、前記有機層がオキシラン環を有するポリマーを含み、前記無機層がＳｉ、Ａｌから選ばれる金属酸化物、金属窒化物もしくは金属酸化窒化物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The photosensitive paste composition includes at least one kind of metal powder (A) selected from aluminum powder and aluminum alloy powder, an alkali-soluble resin (C), a polyfunctional (meth)acrylate (D), a photopolymerization initiator (E), a solvent (F), and an organometallic compound (G) containing a metal selected from Al, Li and Mg.例文帳に追加

アルミニウム粉末およびアルミニウム合金粉末から選択される少なくとも１種の金属粉末（Ａ）、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）、多官能（メタ）アクリレート（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）、溶剤（Ｆ）、ならびにＡｌ、ＬｉおよびＭｇから選択される金属を含有する有機金属化合物（Ｇ）を含むことを特徴とする感光性ペースト組成物。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a p-type group III-V compound semiconductor containing Al which can allow to exhibit high p-type conductivity in a method using a catalytic layer on a semiconductor layer, can be manufactured at a low cost and can also realize good ohmic contact with an electrode.例文帳に追加

Ａｌを含むｐ型のIII−Ｖ属化合物半導体であって、該半導体層上に触媒層に用いる方法において、高いｐ型の導電性を発揮させることができ、さらに低コストで作製でき、電極との良好なオーミック接触をも実現することができるｐ型III−Ｖ属化合物半導体の作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

(2) In the production of the welded joint in which the composition of the weld metal satisfies the conditions expressed by the inequalities (1) and (2), laser welding is performed by using a single gas of CO2 or a gaseous mixture, in which the volume ratio of CO2 is ≥50%, as a shield gas.例文帳に追加

75.7×[％Al]＋63.1×[％Ti]＋6.5×[％Si]＋1.5×[％Mn] ≧ 2.0 ・・・(1) 100 ≦[ppmＯ] ≦ 800 ・・・(2) (2) 質量％で、溶接金属の組成が上記(1)式および(2)式の条件を満足する溶接継手の製造に際し、シールドガスとしてCO_２単独ガス、またはCO_２が体積比率で50％以上の混合ガスを用いてレーザ溶接することを特徴とする溶接継手の製造方法である。 - 特許庁

Specifically, electrons present among Mg, Al, and O, which are the components of the MgAl_2O_4 material, are highly densely excited through an ion irradiation of the MgAl_2O_4 material, so that the MgAl_2O_4 material is changed into an amorphous state from a crystalline state.例文帳に追加

詳しくは、本発明は、ＭｇＡｌ_2Ｏ_4材料をイオン照射処理することにより、その材料の構成要素であるＭｇ、Ａｌ及びＯの原子間に存在する電子が高密度に励起されＭｇＡｌ_2Ｏ_4が結晶晶状態から非晶質状態に移行することを特徴とする、ＭｇＡｌ_2Ｏ_4を非晶質化する方法を課題解決手段とする。 - 特許庁

The extruded material 50 is a cylinder liner and the staring material consists of, by mass, 12-29% Si, the first metallic elements, > 0 to ≤ 5% Cu, > 0 to ≤ 2% Mg, hard particles, 0.1-3% graphite and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

押出材５０はシリンダライナであって、出発材料は、１２質量％以上２９質量％以下のシリコンと、第１の金属元素と、０質量％を超え５質量％以下の銅と、０質量％を超え２質量％以下のマグネシウムと、硬質粒子と、０．１質量％以上３質量％以下のグラファイトとを含み、残部がアルミニウムと不可避的不純物である。 - 特許庁

In the process for joining the ceramic material to Al-containing stainless steel, the surface of the stainless steel to which the ceramic material is to be joined is coated with a metal, and the metal-coated surface is brazed to the ceramic material with a brazing metal or a ceramic powder-containing brazing metal.例文帳に追加

セラミック材料とＡｌを含むステンレス鋼の接合方法であって、セラミック材料を接合するステンレス鋼側の接合面に金属をコーティングした後、該コーティング金属面とセラミック材料との間を金属ろう材、またはセラミックス粉を含む金属ろう材でろう付けすることを特徴とするセラミック材料とＡｌを含むステンレス鋼の接合方法。 - 特許庁

The obtained ceramic support member 3 made of the alumina sintered body can maintain excellent mechanical characteristics and electric characteristics of alumina and shows a Q-value higher than the prior art, since a low-loss crystal phase comprising a compound containing Si, Al, Sr and O elements is present on the grain boundaries of the alumina crystal grains.例文帳に追加

これにより、アルミナの優れた機械的特性、電気特性を維持することができるとともに、アルミナ結晶粒子の粒界に、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯ元素を含有する化合物からなる低損失の結晶相が存在するため、従来よりも高Ｑ値を示すアルミナ質焼結体からなるセラミック支持部材３を得ることができる。 - 特許庁

A compound semiconductor element comprises the compound semiconductor layer comprising at least Al as a main constituent element, the compound semiconductor layer comprising at least As and P as main constituent elements, and a compound semiconductor layer, i.e. an intermediate layer, partially or entirely comprising at least As and P with mixed crystal composition varying slantingly or stepwise.例文帳に追加

本発明によれば、主構成元素として少なくともＡｌを含む化合物半導体層と主構成元素として少なくともＡｓとＰを含む化合物半導体層の中間層として、その一部、或いは全部に少なくともＡｌとＰが用いられており、尚且つ、混晶組成が傾斜的、或いは段階的に変化している化合物半導体層を設ける。 - 特許庁

This electromagnetic shielding glass with a colored membrane is obtained by forming on a transparent electroconductive membrane of a glass substrate with a transparent electroconductive membrane a colored membrane from a composition comprising oxides of one or more elements selected from the group consisting of Si, Ti, Al and Zr and precious metal microparticles which develop color as a precious metal colloid in the oxide.例文帳に追加

透明導電膜付きガラス基板の透明導電膜上に、組成物にＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒより選ばれた少なくとも一種以上の元素の酸化物と、該酸化物中で貴金属コロイドとして発色する貴金属微粒子とを含む着色膜が形成されてなることを特徴とする着色膜付き電磁遮蔽ガラス。 - 特許庁

The method for growing a gallium nitride crystal is a method for growing a gallium nitride crystal on the main surface of an aluminum nitride crystal by a hydride vapor phase growth process, wherein the main surface is the (0001) Al surface of aluminum nitride crystal and the growth temperature of gallium nitride crystal is higher than 1,100°C and lower than 1,400°C.例文帳に追加

本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 - 特許庁

In the process of mixing the aluminum hydroxide made incommensurate in its crystalline structure by frictional crushing treatment, etc., and slaked lime in the presence of water to react calcium aluminate, the amorphous calcium aluminate hydrate is manufactured by maintaining the inside of a reaction system at ≤50°C and maintaining a mixing molar ratio Ca(OH)_2/ Al(OH)_3 within 1.0 to 2.0.例文帳に追加

摩砕処理等により結晶構造を不整化した水酸化アルミニウムと消石灰を水の存在下で混合しカルシウムアルミネートを反応させる過程において、反応系内を５０℃以下に保持し、混合モル比Ｃａ（ＯＨ）_2／Ａｌ（ＯＨ）_3を１．０〜２．０以内とすることで非晶質カルシウムアルミネート水和物を製造することが可能となる。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素Ａ（Ａは金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇを示す。）を含むＡ元素錯体と金属元素Ｂ（Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）を含むＢ元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

The p-side electrode 16 is formed on the p-type GaN contact layer 26 and includes a contact electrode part 16a made of palladium (Pd), that is formed on a part of the p-type GaN contact layer 26, and a reflecting electrode part 16b made of aluminum (Al), that is formed on the contact electrode part 16a and the p-type GaN contact layer 26.例文帳に追加

ｐ側電極１６は、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上に形成され、ｐ型ＧａＮコンタクト層２６上の一部に形成されたパラジウム（Ｐｄ）からなるコンタクト電極部１６ａと、コンタクト電極部１６ａおよびｐ型ＧａＮコンタクト層２６上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）からなる反射電極部１６ｂとを含む。 - 特許庁

The upper and lower sides of the stress relaxation layer 71 are sandwiched by an alloying prevention layer 72 which is completely unalloyable with indium (In), e.g., aluminum (Al), thereby preventing the indium (In) contained in the stress relaxation layer 71 from reacting with a gold (Au) layer 77 or platinum (Pt) layers 74, 76 on the p-side electrode 70 to from an alloy.例文帳に追加

応力緩和層７１の上側および下側を、インジウム（Ｉｎ）と合金を全く形成しない金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなる合金化防止層７２で挟むことにより、応力緩和層７１に含まれるインジウム（Ｉｎ）がｐ側電極層７０の金（Ａｕ）層７７や白金（Ｐｔ）層７４，７６と反応して合金化するのを抑制する。 - 特許庁

The cathode active material is comprised of nickel-based lithium transition metal composite oxide particles and particles including a layer containing LiAlO_2 provided on at least a part of the surface of the lithium transition metal composite oxide particles, and Al derived from LiAlO_2 is solid-solved at the place only near the surface of the lithium transition metal composite oxide particles.例文帳に追加

正極活物質は、ニッケル系のリチウム遷移金属複合酸化物粒子と、リチウム遷移金属複合酸化物粒子の表面の少なくとも一部に設けられたＬｉＡｌＯ_2を含む層とを有する粒子からなり、ＬｉＡｌＯ_2由来のＡｌがリチウム遷移金属複合酸化粒子の表面近傍にのみ固溶しているものである。 - 特許庁

The electrode forming method for the SAW device has a step for forming the alloy film composed of Al and Mg on a substrate and a step for forming the electrode of the SAW device by selectively etching said alloy film, and the electrode of the SAW device is formed so as to be provided with sidewalls.例文帳に追加

弾性表面波デバイスの電極形成方法において、基板上に、ＡｌとＭｇからなる合金膜を形成する工程と、前記合金膜を選択的にエッチングすることによって、弾性表面波デバイスの電極を形成する工程とを有し、前記弾性表面波デバイスの電極は、サイドウォールを有するように形成することを特徴とすること。 - 特許庁

After having formed a metal mode film 102 with an Al-O molecule on the silicon substrate 101, a sputtering state in a target 203 is stopped by stopping the supply of a high-frequency power with respect to the target 203 or the like, and a state that the surface of the metal mode film 102 on the silicon substrate 101 is irradiated with plasma 110 of Ar and oxygen is brought about.例文帳に追加

シリコン基板１０１上に、Ａｌ−Ｏ分子によるメタルモード膜１０２を形成した後、ターゲット２０３に対する高周波電力の供給を停止するなどにより、ターゲット２０３におけるスパッタ状態を停止し、シリコン基板１０１上のメタルモード膜１０２表面に、Ａｒと酸素のプラズマ１１０が照射される状態とする。 - 特許庁

To obtain a package for containing a semiconductor element in which the basic body of a semiconductor device is hardly warped when a heat sink, i.e., an Al plate, for mounting the semiconductor device is warped thermally and thereby the substrate for mounting a semiconductor element placed on the upper surface of the basic body is not cracked thus preventing the wiring of circuit formed on the mounting substrate from being broken by cracking.例文帳に追加

半導体装置を搭載するヒートシンクとしてのＡｌ板が熱で反った場合、半導体装置の基体に反りが殆ど発生せず、その結果基体上面に載置された半導体素子の搭載用基板にクラックが発生せず、また搭載用基板に形成された回路配線がクラックにより断線しないようにすること。 - 特許庁

In the corrosion-resistant rare earth-based permanent magnet, the Al covering is formed on the surface of the magnet, the surface is subjected to substitution treatment by Zn and/or Sn, and inorganic covering that is slightly soluble to water or is insoluble to water containing at least one type of metal phosphate selected from Mg, Ca, Ba, Sr as the components is formed.例文帳に追加

本発明の耐食性希土類系永久磁石は、磁石の表面にＡｌ被膜を形成した後、その表面をＺｎおよび／またはＳｎによる置換処理をしてから、構成成分としてＭｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒから選ばれる少なくとも１種の金属のリン酸塩を含む、水に難溶乃至不溶の無機物被膜を形成してなることを特徴とするものである。 - 特許庁

The lap fillet arc welding method of a galvanized steel sheet and a welded joint are characterized in that an Si content in a weld metal is at most 0.5 mass%, and a sum total of a content of Si and Al in a steel sheet of an upper plate is at least 0.35 mass% in lap fillet arc welding of a galvanized steel sheet.例文帳に追加

亜鉛めっき鋼板の重ね隅肉アーク溶接において、溶接金属中のＳｉ含有率が質量％で０．５％以下であり、且つ上板の鋼板中のＳｉとＡｌの含有率の合計が質量％で０．３５％以上であることを特徴とする亜鉛めっき鋼板の重ね隅肉アーク溶接方法および溶接継手。 - 特許庁

The dilute copper alloy material is used in an environment with presence of hydrogen, and includes pure copper containing unavoidable impurities, oxygen in an amount exceeding 2 mass ppm, and an additive element which is selected from the group consisting of Mg, Zr, Nb, Ca, V, Fe, Al, Si, Ni, Mn, Ti and Cr, and forms oxide in combination with the oxygen.例文帳に追加

本発明に係る希薄銅合金材料は、水素が存在する環境下で使用され、不可避的不純物を含む純銅に、２ｍａｓｓ ｐｐｍを超える量の酸素と、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｖ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、及びＣｒからなる群から選択され、酸素との間で酸化物を形成する添加元素とを含む。 - 特許庁

The compound semiconductor element comprises: a gate semiconductor layer 10; a cathode semiconductor layer 12; an Au alloy cathode electrode 14 formed on the cathode semiconductor layer 12; an Au alloy gate electrode 16 formed on the gate semiconductor layer 10; an interlayer dielectric film 18; an Al wiring 20 on the cathode electrode 14 and the gate electrode 16; and a protection film 22.例文帳に追加

化合物半導体素子は、ゲート半導体層１０と、カソード半導体層１２と、カソード半導体層１２上に形成されたＡｕ合金カソード電極１４と、ゲート半導体層１０上に形成されたＡｕ合金ゲート電極１６と、層間絶縁膜１８と、カソード電極１４及びゲート電極１６上のＡｌ配線２０と、保護膜２２を備える。 - 特許庁

The lead-free solder has improved solder joining characteristics of joining strength, fluidity of solder, anti-oxidizing effect or the like by totally containing 0.001-1 wt.% of at least one or more elements selected from Ni, Ge, Ga, Al and Si, so that the solder joining excellent in the solder characteristics and having the high reliability is provided.例文帳に追加

更に、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｌ、及びＳｉから選ばれる少なくとも一種類以上を合計で０．００１〜１重量％含有することにより、接合強度向上、はんだの流動性向上、酸化防止効果向上等のはんだ接合特性の向上を有して、はんだ特性に優れ、高い信頼性を有するはんだ接合の提供を可能とする。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).例文帳に追加

少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁

This Pb-free solder alloy may contain ≥0.4 mass% and ≤13.5 mass% of Zn and/or ≥0.01 mass% and ≤1.5 mass% of Sn, and further may contain ≥0.02 mass% and ≤2.5 mass% of Al and/or ≥0.001 mass% and ≤0.500 mass% of P.例文帳に追加

このＰｂフリーはんだ合金は、Ｚｎを０.４質量％以上１３.５質量％以下および／またはＳｎを０.０１質量％以上１.５質量％以下含有してもよく、さらに加えて、Ａｌを０．０２質量％以上２.５質量％以下および／またはＰを０．００１質量％以上０.５００質量％以下含有してもよい。 - 特許庁

with one or more metal atom(s) (Me) selected from Mg, Al, Ti, Cu, and Zr by 0.1-5 mol% where the amount of Li_2CO_3 present on a surface of a particle is 0.05-0.20 wt.%.例文帳に追加

）で表されるリチウムニッケルマンガンコバルト系複合酸化物に、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ及びＺｒから選ばれる１種または２種以上の金属原子（Ｍｅ）を０．１モル％以上５モル％未満含有させたリチウム複合酸化物であって、粒子表面に存在するＬｉ_２ＣＯ_３量が０．０５〜０．２０重量％であることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質。 - 特許庁

The method of manufacturing the flange includes steps for: preparing a laminate having a first metal layer composed of an Al-based material and a second metal layer joined to the first metal layer and composed of a Ti-based material; and forming a seal layer having a mounting face and an annular edge formed on the mounting face by processing the second metal layer.例文帳に追加

本発明に係るフランジの製造方法は、Ａｌ系材料からなる第１の金属層と、第１の金属層に接合されたＴｉ系材料からなる第２の金属層とを有する積層体を準備し、第２の金属層を加工することで、取付面と前記取付面に形成された環状のエッジ部とを有するシール層を成形する。 - 特許庁

The adsorbent is obtained by mixing and stirring a porous carrier which contains at least Al as a constituent element, and whose average fine pore diameter is 2 to 50 nm, and an aqueous solution containing at least one metal ion selected from Ag+ and Cu^2+, by separating the porous carrier from the stirred mixed product, and by burning the separated porous carrier.例文帳に追加

構成元素として少なくともＡｌを含み、平均細孔径が２〜５０ｎｍである多孔質担体と、Ａｇ^＋及びＣｕ^２＋から選ばれる少なくとも１種の金属イオンを含む水溶液とを混合撹拌し、撹拌後の混合物から前記多孔質担体を分離し、分離した前記多孔質担体を焼成することによって得られる吸着剤。 - 特許庁

The double-sided adhesive tape has a structure that adhesive layers made of acrylic adhesives are attached on both sides of a substrate and separators are attached on the surfaces of both adhesive layers, wherein the substrate and separators are composed of a polyester film on at least one side of which a metal selected from Al, Ag, Au, and Ni is vapor-deposited.例文帳に追加

両面粘着テープは、支持体の両側にアクリル系粘着剤からなる粘着剤層が設けられ、その両粘着剤層の表面にセパレーターが貼り合わせられた両面粘着テープであって、前記支持体及びセパレーターが、少なくとも片側にＡｌ、Ａｇ、Ａｕ及びＮｉから選択された金属が蒸着されたポリエステルフィルムで構成されている。 - 特許庁

General-purpose magnesium alloy (Mg-Al-Zn-Mn based alloy) subjected to extrusion-molding beforehand is heated to a prescribed sample surface temperature (490 to 566°C), is then subjected to rolling, particularly, subjected to rolling performed at an angle different from the extrusion direction for one or more passes, and is subsequently annealed to produce an easily formable magnesium alloy sheet material.例文帳に追加

予め押出し加工を施した汎用マグネシウム合金（Ｍｇ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｍｎ系合金）を、所定の試料表面温度（４９０〜５６６℃）に加熱した上で、圧延を行い、特に、押出し方向とは異なる角度で行う圧延を１パス以上行い、その後に、焼鈍を行うことにより易成形性マグネシウム合金板材を作製する。 - 特許庁

A coating composition for Al alloys is also provided, containing 3-45 mass% of the polyacrylic acid (A), 20-62 mass% of the polyethylene wax (B) and 35-77 mass% of a water-dispersible polyurethane resin (C), based on a total solid content of the polyacrylic acid (A), the polyethylene wax (B) and the water-dispersible polyurethane resin (C).例文帳に追加

さらに、ポリアクリル酸（Ａ）、ポリエチレンワックス（Ｂ）及び水分散性のポリウレタン樹脂（Ｃ）を、これらの固形分合計に基づいて、ポリアクリル酸（Ａ）を３〜４５質量％、ポリエチレンワックス（Ｂ）を２０〜６２質％、及び水分散性のポリウレタン樹脂（Ｃ）を３５〜７７質量％の割合で含有することを特徴とするアルミニウム合金用の塗料組成物。 - 特許庁

Anneal is performed in a state where the first electrode film 30 and the main dielectric film 31 are formed, thereby aluminum (Al) in the first electrode film is allowed to react with oxygen (O) in the main dielectric film to form a subsidiary dielectric film 35 containing aluminum oxide at an interface between the first electrode film and the main dielectric film.例文帳に追加

第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。 - 特許庁

The aluminum alloy sheet for the battery case includes 0.1-2.0 mass% Fe, 0.05-0.5 mass% Si, 0.05-0.5 mass% Mn, Cu regulated to 0.5 mass% or less, Mg regulated to 1.0 mass% or less and the balance Al with unavoidable impurities; and has an electro-conductivity of 62 IACS% or lower.例文帳に追加

Ｆｅ：０．１〜２．０質量％、Ｓｉ：０．０５〜０．５質量％、Ｍｎ：０．０５〜０．５質量％を含有し、Ｃｕ：０．５質量％以下、Ｍｇ：１．０質量％以下に規制し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなる電池ケース用アルミニウム合金板において、前記電池ケース用アルミニウム合金板の導電率が６２ＩＡＣＳ％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A vector Vs2 including a direction of air blown from the outlet port intersects a plain surface PL1 including an axis line AL of the hollow pillar-shaped part and a rotational axis line P of the wind-direction adjustment plates, and intersects a vector Vf including a direction of air generated by the wind-direction adjustment plates by an obtuse angle θL when an adjustment plate rotational angle θ is not zero.例文帳に追加

吹出口から吹き出される空気の向きを有するベクトルＶｓ２は、中空柱状部の軸線ＡＬと風向調整板の回動軸線Ｐとを含む平面ＰＬ１と交差するとともに、調整板回転角度θがゼロでないときに風向調整板によって形成される空気の向きを有するベクトルＶｆと鈍角θＬをもって交差する。 - 特許庁

Subsequently, the sintered magnet body on its surface is coated with an RHM alloy layer composed of the RH (wherein RH is one or two or more rare earth elements selected from among Dy, Ho and Tb) and metal M (wherein M is one or two or more metal elements selected from among Al, Cu, Co, Fe and Ag), the metal M forming RHM so as to induce a melting point lowering.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面にＲＨ（但し、ＲＨは、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂから選ばれる希土類元素の１種又は２種以上）と、ＲＨＭとなり融点を下げる金属Ｍ（但し、ＭはＡｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇから選ばれる金属元素の１種または２種以上）とからなるＲＨＭ合金層を被覆する。 - 特許庁

Between a pair of electrodes 1 and 3, for example, a periodic structure 2 is provided which is formed by alternately laminating a plurality of semiconductor layers 2a such as n-type ZnO and a plurality of metal layers 2b such as Al, the thermoelectric conversion element is constituted by installing an insulating plate on the electrode 1 according to the necessity, and a heat generating source 4 abuts on the electrode 3 or the insulating plate.例文帳に追加

一対の電極１，３間に、例えばｎ型のＺｎＯ等の半導体層２ａとＡｌ等の金属層２ｂとが交互に複数積層された周期構造体２を設け、必要に応じて電極１上に絶縁板を設けて熱電変換素子を構成し、電極３上又は絶縁板上に発熱源４が当接する。 - 特許庁

The hydrophilic member has a finish coat layer formed from a hydrophilic composition containing at least one hydrophilic polymer having a specified structure on a substrate and an undercoat layer formed from an undercoat layer composition containing a polyalkylene oxide (C) and the alkoxide compound of an element selected from among Si, Ti, Zr, and Al (D).例文帳に追加

基板上に特定の構造を含む親水性ポリマーの少なくとも一つを含有する親水性組成物から形成される上塗り層と、（Ｃ）ポリアルキレンオキシド及び（Ｄ）Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌから選択される元素のアルコキシド化合物を含有する下塗り層用組成物から形成される下塗り層とを有することを特徴とする親水性部材。 - 特許庁