「C & W」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The wire harness W having a plurality of branch wires Wb to which connectors C are connected is disposed and held on a flat base body 1 having a plurality of branch parts 2 the same way as the wire harness, and the connectors C of the wire harness W are fixed to the tips of the branch parts 2 of the base body 1.例文帳に追加

端末部分にコネクタＣが接続された枝線Ｗｂを複数有するワイヤーハーネスＷが、そのワイヤーハーネスＷと同じく複数の枝部２を有する板状のベース体１に配されて保持されると共に、そのベース体１の枝部２先端にワイヤーハーネスＷのコネクタＣが固定される。 - 特許庁

To provide an elevator device having a rope guide mechanism capable of guiding a rope for a car and the movement control of C/W without applying a load to a hoistway or the like of the car in the elevator device in which the moving track of C/W is arranged on the back of the moving track of the car, and to provide an assembly method thereof.例文帳に追加

Ｃ／Ｗの移動軌道を乗り籠の移動軌道の背面側に配置したエレベータ装置において、乗り籠の昇降路等に負荷をかけること無く、乗り籠及びＣ／Ｗの移動制御のためのロープを案内することができるロープ案内機構を有するエレベータ装置及びその組立方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, predetermined points A, B of the workpiece W and a point C on the pallet 2 are recognized by a camera, and coordinates of each of the points A, B, C are input in a computer, followed by calculating an angle θ formed by a segment AB and a segment AC, by the computer, to thereby acquire a relative deviation amount of the workpiece W with respect to the pallet.例文帳に追加

そこで、カメラによってワークＷの決められた点Ａ、Ｂおよびパレット２上の点Ｃを認識し、これら点Ａ，Ｂ，Ｃの座標をコンピュータに入力し、コンピュータにて線分ＡＢと線分ＡＣのなす角θを算出し、ワークＷのパレットに対する相対的なずれ量を知る。 - 特許庁

The process recipe defines, together with the procedure of conveying a wafer W, which hands UH, LH of the transfer robot TR are used for deriving and accommodating the wafer W with respect to a cassette C, and defines which hands UH, LH of the center robot CR are used for conveying in and out the wafer W with respect to each processing chamber through which the wafer W passes.例文帳に追加

プロセスレシピは、ウエハＷを搬送する手順とともに、カセットＣに対するウエハＷの払出しおよび収納にそれぞれトランスファロボットＴＲのどちらのハンドＵＨ，ＬＨを使用するか、ならびに、ウエハＷを経由させる各処理チャンバに対するウエハＷの搬入および搬出にそれぞれセンタロボットＣＲのどちらのハンドＵＨ，ＬＨを使用するかを規定している。 - 特許庁

This composition contains (d) a resin having a film-forming capability at normal temperature and an O/W emulsion which is prepared from (a) water as the solvent, (b) a colorant, and (c) an oily substance nonvolatile at normal temperature and having a viscosity at 20°C of 50 mPa sec or lower by using a nonionic surfactant as the emulsifier.例文帳に追加

(a) 溶剤としての水、(b) 着色剤、(c) 常温で難揮発性であって、２０℃における粘度が５０ｍＰａ・秒以下の油状物質をノニオン界面活性剤を乳化剤として用いて調製したＯ／Ｗ型エマルジョン、及び(d) 常温で造膜性を有する樹脂を含有してなる。 - 特許庁

The hairdressing composition in an O/W emulsion type contains (a) 0.1-5 mass% of hydrophobized fine particles of a metal oxide such as titanium oxide and zinc oxide, (b) an oil component having ≥50°C of the melting point such as paraffin and candelilla wax, and (c) a nonionic surfactant solid at 25°C and having ≥12 of HLB.例文帳に追加

（ａ）疎水化処理された酸化チタン、酸化亜鉛などの微粒子金属酸化物を０．１〜５質量％、（ｂ）パラフィン、キャンデリラロウなどの融点５０℃以上の油剤に、（ｃ）２５℃で固形状のＨＬＢ１２以上のノニオン性界面活性剤を含有するＯ／Ｗ乳化型の整髪料組成物。 - 特許庁

A position of a machining means 70 machining the workpiece W is controlled by control data such as a reciprocating amount in an X-axis direction perpendicular to the C-axis, a turning angle around a B-axis perpendicular to the C-axis, and a turning angle around an A-axis perpendicular to the C-axis and the B-axis.例文帳に追加

工作物Ｗを加工する加工手段７０は、Ｃ軸と直交するＸ軸方向の進退移動量、Ｃ軸と直交するＢ軸回りの旋回角度、Ｃ軸及びＢ軸に直交するＡ軸回りの旋回角度等の制御データによって其の位置が制御される。 - 特許庁

Since in this manner, in the chain terminal C, the carrier 31 and a coupling part 35 are not protruded furthermore in the width direction of the chain terminal C to reach beyond the terminal fitting element pieces 10A, the width dimension W of the chain terminal C can be maintained as small as possible and thus the yield of the material is improved.例文帳に追加

このようにこの連鎖端子Ｃでは、キャリア３１や連結部３５が端子金具素片１０Ａよりも連鎖端子Ｃの幅方向外側へ突出していないので、連鎖端子Ｃの幅寸法Ｗを極力小さく保つことができ、材料取りが良くなる。 - 特許庁

This aqueous composition containing the pranoprofen or its salt is characterized by containing (A) 0.001-2 w/v % sorbic acid or its salt, (B) 0.0005-0.5 w/v % ethylenediaminetetraacetic acid and (C) 0.001-2 w/v % nonionic surfactant.例文帳に追加

プラノプロフェン又はその塩を含有する水性組成物であって、該水性組成物中に、（Ａ）ソルビン酸又はその塩を０．００１〜２w/v％、（Ｂ）エチレンジアミン四酢酸又はその塩を０．０００５〜０．５w/v％、及び（Ｃ）非イオン界面活性剤を０．００１〜２w/v％の割合で含有することを特徴とする、水性組成物。 - 特許庁

This pranoprofen or its salt-containing aqueous composition is characterized by containing (A) 0.001 to 2 w/v% of sorbic acid or its salt, (B) 0.0005 to 0.5 w/v% of ethylenediamine tetraacetate or its salt, and (C) 0.001 to 2 w/v% of a nonionic surfactant.例文帳に追加

プラノプロフェン又はその塩を含有する水性組成物であって、該水性組成物中に、（Ａ）ソルビン酸又はその塩を０．００１〜２w/v％、（Ｂ）エチレンジアミン四酢酸又はその塩を０．０００５〜０．５w/v％、及び（Ｃ）非イオン界面活性剤を０．００１〜２w/v％の割合で含有することを特徴とする、水性組成物。 - 特許庁

The temperature of a region, into which the substrate W is transferred is detected by a temperature/humidity detector 3, and the temperature of the wafer W cooled down by the cooling plate 41, is regulated on the basis of detected value so that the temperature of the wafer W transferred to the application unit C gets equal to the application temperature of a processing liquid.例文帳に追加

ウエハＷが搬送される領域の温度を温湿度検出部３により検出し、この検出値に基づいて、塗布ユニットＣに搬送されたときのウエハＷの温度が処理液の塗布温度となるように、前記冷却プレート４１で冷却されるウエハＷの温度を調整する。 - 特許庁

The heat treating apparatus comprises a halogen lamp 22 for preheating a semiconductor wafer W to the temperature of 400 to 600°C, and a xenon flash lamp 21 for irradiating the wafer W with a flash for a time of about 0.1 to 10 ms to raise the wafer W preheated by the lamp 22 to the treating temperature of about 1,000 to 1,100°C.例文帳に追加

熱処理装置は、半導体ウエハーＷを摂氏４００度乃至摂氏６００度の温度に予備加熱するハロゲンランプ２２と、半導体ウエハーＷに対して０．１ミリセカンド乃至１０ミリセカンド程度の時間の間に閃光を照射することによりハロゲンランプ２２で予備加熱された半導体ウエハーＷを摂氏１０００度乃至摂氏１１００度程度の処理温度まで昇温させるキセノンフラッシュランプ２１とを備える。 - 特許庁

The quality of the surface of the silicon wafer W (silicon single- crystal layer) can be improved by heat-treating the silicon wafer at temperature of 600°C or higher and less than 950°C in an atmospheric gas consisting of hydrogen gas, an inert gas or a mixed gas thereof.例文帳に追加

シリコンウェーハＷ（シリコン単結晶層）を水素ガスまたは不活性ガスもしくはこれらの混合ガスからなる雰囲気ガス中で、６００°Ｃ以上９５０°Ｃ未満の温度で熱処理して、表面の品質を改善する。 - 特許庁

Plasma processing is performed while maintaining the temperature of the wafer W at 100°C or lower, and a silicon nitride film 404 having film stress of 100 MPa or less is deposited on the resist pattern 402 and an antireflection film pattern 403 (Fig. 10(c)).例文帳に追加

ウェハＷの温度を１００℃以下に維持した状態でプラズマ処理を行い、レジストパターン４０２及び反射防止膜パターン４０３上に、１００ＭＰａ以下の膜ストレスを有するシリコン窒化膜４０４が成膜される（図１０（ｃ））。 - 特許庁

The composition for soft contact lenses contains (A) the azulene sulfonic acid or its salt, (B) a polyoxyethylene (20) sorbitan monooleate, and (C) polyoxyethylene curing castor oil 60, and a total content of components (B) and (C) is 0.4 to 1.7 W/V%.例文帳に追加

（Ａ）アズレンスルホン酸又はその塩、（Ｂ）モノオレイン酸ポリオキシエチレン（２０）ソルビタン、及び（Ｃ）ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油６０を含有し、上記（Ｂ）成分と（Ｃ）成分との合計含有量が０．４〜１．７Ｗ／Ｖ％であるソフトコンタクトレンズ用組成物。 - 特許庁

A cleaner 1 heats the wall part of a processing container 2 and the inside atmosphere to 80°C by means of rubber heaters 7-9, and heats the inside atmosphere and a wafer W to 80°C by the hot air discharged from a hot air supply means 10.例文帳に追加

洗浄装置１は，ラバーヒータ７〜９により処理容器２の壁部，内部雰囲気を８０℃に加熱し，ホットエア供給手段１０から吐出されたホットエア７１により，内部雰囲気及びウェハＷを８０℃に加熱する。 - 特許庁

When the period C(n-1) immediately before is the continuous measurement section (NO in figure), the measurement section in the section is set to the same C(n) = C2 as the previous period, and the weighting factor is also set to W(n) = C2 (step S113).例文帳に追加

直前の周期Ｃ（ｎ−１）が連続計測区間であれば（同図においてＮＯ）、本区間の計測周期は前周期と同一のＣ（ｎ）＝Ｃ２に設定され、また、重み係数もＷ（ｎ）＝Ｃ２に設定される（ステップＳ１１３）。 - 特許庁

Heat resistance Rt (°C/W) per 1 cm^2 in a heat transmitting direction from a heating member to a recording material satisfies following relation among fixing temperature T (°C), fixing speed V (mm/s) and nip width N (mm) Rt<100NT/V.例文帳に追加

加熱部材から該記録材への熱伝達方向における１ｃｍ＾２あたりの熱抵抗Ｒｔ（℃／Ｗ）が、定着温度Ｔ（℃）、および定着速度Ｖ（ｍｍ／ｓ）、およびニップ幅Ｎ（ｍｍ）との間に以下の関係をみたす。 - 特許庁

The joint connector C comprises a housing 10 made of elastic material and having approximately C shape to follow outer periphery of a wire bundle W of wire harness, and joint member 13 injection molded integrally with the housing 10.例文帳に追加

ジョイントコネクタＣは、弾性材料からなりワイヤーハーネスの電線束Ｗの外周に沿うべく略Ｃ字形に成形されたハウジング１０と、このハウジング１０にインサート成形により一体化されたジョイント部材１３とからなる。 - 特許庁

The base isolation device 10 allows the relative displacement of the equipment C to a fixed object W from a normal position to the opposite side of the fixed object, and acts a recovering force to the normal position on the equipment C.例文帳に追加

免震装置１０は、免震対象機器Ｃが固定物Ｗに対し平常位置から固定物側とは反対の側へ相対変位するのを許容するとともに免震対象機器Ｃに平常位置への復元力を作用させる。 - 特許庁

In a processing chamber 1 of a deposition apparatus 100, a wafer W on which a polyimide film 81 is formed is heated at a temperature of 110°C or more to 400°C or less with a CO gas being introduced to the processing chamber 1 and heat treatment is performed on the polyimide film 81.例文帳に追加

成膜装置１００の処理容器１内で、処理容器１内にＣＯガスを導入しながら、ポリイミド膜８１が形成されたウエハＷを１１０℃以上４００℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜８１を熱処理する。 - 特許庁

A process is provided by comprising (a) a step of heating at least one kind of fruit and/or vegetable pulp up to a temperature exceeding 40°C, and (b) a step of mixing 1 to 40%w/w weak base with the heated fruit and/or vegetable pulp.例文帳に追加

ａ）少なくとも１種類の果実および／または野菜のパルプを４０℃を超える温度まで加熱するステップと、ｂ）加熱した果物および／または野菜のパルプに１〜４０％ｗ／ｗの弱塩基を混合するステップと含む方法。 - 特許庁

In this pretreatment step, since a work W is heated to 700°C or more in a reducing gas atmosphere, it becomes attainable to activate the surface of the work W by removing or breaking a strong oxide film α on the surface of the work.例文帳に追加

この前処理工程においては、還元性ガス雰囲気中でワークＷが７００℃以上に加熱されることから、ワーク表面の強固な酸化膜αを除去もしくは破壊してワーク表面を活性化させることが可能となる。 - 特許庁

The welding is performed to welding lines a, b at a part of a work W with welding robots 13A, 13B in a first welding station S1, and the welding is performed to welding lines c, d at the remaining part of the work W with the welding robot 13B in a second welding station S2.例文帳に追加

第１の溶接ステーションＳ１で溶接ロボット１３Ａ，１３ＢにてワークＷの一部の溶接線ａ，ｂの溶接を行い、第２の溶接ステーションＳ２で溶接ロボット１３ＢにてワークＷの残部の溶接線ｃ、ｄの溶接を行う。 - 特許庁

The peripheral portion 3b of the electrode 3 for attraction is made into C surface, R surface or inverse R surface forming an area having a large distance between the electrode 3 for attraction and the wafer W, and the area forms a non-contact part with the wafer W on the placing surface 2a.例文帳に追加

吸着用電極３の周辺部３ｂはＣ面、Ｒ面または逆Ｒ面として吸着用電極３とウェハＷとの距離が大きい領域を成し、その領域は載置面２ａにウェハＷとの非接触部を形成する。 - 特許庁

At the time of polishing, temperatures at different positions in the plane of a silicon wafer W are measured from the rear side of the wafer by means of five thermocouples 17A-17E and a control section C creates temperature distribution in the plane of the wafer W based on the detection signals.例文帳に追加

研磨時、シリコンウェーハＷの面内の各異なる位置の温度を、ウェーハ裏面側から５本の熱電対１７Ａ〜１７Ｅにより測定し、その検出信号に基づき、制御部ＣによりウェーハＷの面内の温度分布を作成する。 - 特許庁

The pile yarns (14 and 115) forming the pile loops form the loops across at least two wales W and thereafter form woven stitches by successively entangling at each woven stitch of the base yarns of at least three adjacent courses C on the wales W.例文帳に追加

前記パイルループを形成するパイル編糸(14,115)が、２以上のウェールＷ間を跨がってループを形成したのち、そのウェールＷ上の隣接する３以上のコースＣの地糸の各編目ごとに連続して交絡させて編目を形成している。 - 特許庁

The carrying out loader 22 performs a process (a) for transferring a one-side machined workpiece W from the first workpiece support 11 to the reversing device 13, and a process (c) for transferring a both-sides machined workpiece W from the second workpiece support 12 to the outside of the machine tool.例文帳に追加

搬出用のローダ２２は、第１のワーク支持部１１から片面加工済ワークＷを反転装置１３に搬送する行程（ａ）と、第２のワーク支持部１２から両面加工済ワークＷを機外に搬出する行程（ｃ）とを行う。 - 特許庁

While the base material W is heated to about 350°C by a temperature control means 40, so as to perform temperature control, a treatment gas for crystallization, e.g., composed of a gaseous mixture of oxygen and nitrogen is converted into plasma by a plasma irradiation means 10, and the base material W is irradiated with the plasma.例文帳に追加

この基材Ｗを温調手段４０で３５０℃程度に加熱、温調しながら、酸素と窒素の混合ガス等からなる結晶化用処理ガスをプラズマ照射手段１０にてプラズマ化し、このプラズマを基材Ｗに照射する。 - 特許庁

The first unit 11 include a tool 16 supporting the material W, and the tool includes a rod-shaped member 27 which supports the material W in such a state as to form a predetermined clearance C with respect to the upper face of the base 25.例文帳に追加

第１のユニット１１は、積層対象物Ｗを支持する治具１６を備え、当該治具は、ベース２５の上面に対して所定のクリアランスＣを形成する状態で積層対象物Ｗを支持するロッド状部材２７を備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the objective O/W-type emulsion is carried out by whipping an O/W-type emulsion which has been gelled with a heat reversible gel containing starch particles of >30 μm in particle sizes and having a melting point of ≥37°C.例文帳に追加

粒径が３０μｍより大きい澱粉粒子を含有し、且つ融点が３７℃以上の熱可逆性ゲルによってゲル化している水中油型乳化組成物をホイップすることを特徴とする水中油型乳化組成物の製造方法。 - 特許庁

The groove 8 is formed so that the space (a) of the upper edges 9a and 9b of the inside walls 9 is 15 to 30 times as large as the board thickness of the thin plate W, and the depth (c) of the deepest part 11 of the groove 8 is 1 to 3 times as large as the board thickness of the thin plate W.例文帳に追加

溝部８は、内側壁９の上縁９ａ，９ｂの間隔寸法ａが薄板Ｗの板厚寸法ｂの１５〜３０倍とし、溝部８の最深部１１の深さ寸法ｃが薄板Ｗの板厚寸法ｂの１〜３倍とする。 - 特許庁

The wiring width W of one electrode plate 100 in the one coupling capacitance C to which the RF input signal is supplied is made to be larger than the wiring width w of wiring regions 204_1, 204_2, ... 204_N for injecting the signal to the bases.例文帳に追加

ＲＦ入力信号が供給される１個の結合容量Ｃの一方の電極プレート１００の配線幅Ｗを、複数のベースへの信号注入配線領域２０４＿１、２０４＿２…２０４＿Ｎの配線幅ｗより大きくする。 - 特許庁

In the groove part 8, the clearance (a) between the upper edges 9a, 9b of an inner wall 9 is 15 to 30 times as large as the sheet thickness of the thin sheet W, and the depth (c) of the deepest part 11 of the groove part 8 is 1 to 3 times as large as the sheet thickness of the thin sheet W.例文帳に追加

溝部８は、内側壁９の上縁９ａ，９ｂの間隔寸法ａが薄板Ｗの板厚寸法ｂの１５〜３０倍とし、溝部８の最深部１１の深さ寸法ｃが薄板Ｗの板厚寸法ｂの１〜３倍とする。 - 特許庁

Here is the full list of supported escapes: % the escape character itself a either 'am' or 'pm' A either 'AM' or 'PM' c current time HH:MM in 24h format C current time HH:MM in 12h format d day number D weekday name f flags of the window F sets %? to true if the window has the focus h hardstatus of the window H hostname of the system l current load of the system m month number M month name n window number s seconds t window title u all other users on this window w all window numbers and names. 例文帳に追加

以下にサポートされているエスケープの完全なリストを示す:%エスケープ文字自身a\\(aqam' または 'pm' のどちらかA\\(aqAM' または 'PM' のどちらかc現在の時刻 HH:MM (24h 表記)C現在の時刻 HH:MM (12h 表記)d月内日D曜日fウィンドウのフラグFウィンドウにフォーカスがあると %? を真にするhウィンドウのハードステータスHシステムのホスト名lシステムの現在の負荷 (load)m月 (数値)M月 (名前)nウィンドウ番号s秒tウィンドウのタイトルuこのウィンドウを使っている他のユーザすべてw全ウィンドウの番号と名前。 - JM

The pillow P is formed to the anode Ca of a capacitor C by allocating a plurality of capacitors C along a carrier bar B, fixing respective anodes to the carrier bar B, bridging the metal lead material W to the anode Ca of a plurality of fixed capacitors C, welding the contact area of the anode Ca, and then cutting the metal lead material W leaving the welded part.例文帳に追加

複数のコンデンサＣをキャリアバーＢに沿って配置し、それぞれの陽極部をキャリアバーＢに固定し、固定された複数のコンデンサＣの陽極部Ｃａに金属線材Ｗを渡らせるとともに陽極部Ｃａとの接触部位を溶接し、その溶接した部位を残して金属線材Ｗを切断することによって、コンデンサＣの陽極部Ｃａに枕Ｐを形成することを特徴とする。 - 特許庁

At the specified height H of an insertion hole 6b into which a fixing bolt is inserted, the fixing element layer (a) is formed, and in the specified range W, the aluminum layer (c) is formed.例文帳に追加

また、固定用ボルトが挿通する挿通孔６ｂの所定高さＨには固定体の層イが形成されており、所定範囲Ｗにはアルミ材の層ハが形成される。 - 特許庁

A laterally long opening 28 where a hand 15 passes through when the substrate W is taken in and out of the substrate container C is formed in the opposite wall 21 of the cover 20.例文帳に追加

カバー２０の対向壁２１には、基板収容器Ｃからの基板Ｗを出し入れの際にハンド１５が通過する横長の開口２８が形成されている。 - 特許庁

The machine 1 is provided with a bag adjusting means 21 for pressing and deforming the bag W stopped at an item stop position and a case deliver means 51 for delivering a case C.例文帳に追加

袋物箱詰め機１は、物品停止位置に停止した袋物Ｗを押圧により変形させる整袋手段21と、ケースＣを搬送するケース搬送手段51とを備える。 - 特許庁

A coordinate of outside needle is computed by the formulas Y=P×I, X=Y×C/D-B/2+W, T=0 (S41), and is stored in the seam data memory RAM (S42).例文帳に追加

また、外針の座標については、Ｙ＝Ｐ×Ｉ、Ｘ＝Ｙ×Ｃ／Ｄ−Ｂ／２＋Ｗ、Ｔ＝０により演算で求められ（Ｓ41）、ＲＡＭの縫目データメモリに記憶される（Ｓ42）。 - 特許庁

The width W of a distribution range of the RR interval data is calculated on the basis of the maximum and minimum values, and a coefficient of variation C of the RR interval data is calculated.例文帳に追加

この最大値及び最小値に基づいて、ＲＲ間隔データの分布範囲の幅Ｗを算出し、また、ＲＲ間隔データの変動係数Ｃを算出する。 - 特許庁

Since the plasma CVD method conducts processes at about 200-300°C, it does not destroy the barrier metal layer in the first contact holes and does not activate the diffusion of connection wirings of W, etc.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法は２００〜３００℃程度で処理するので、第１のコンタクト孔内のバリアメタル層を破壊せず、Ｗなどの接続配線の拡散を活性化しない。 - 特許庁

The roller support shaft 9 is made of iron alloy containing, in total, 1.0 to 20.0 wt.% of Cr, Mo, V, and W, and containing, in total, 0.5 to 1.2 wt.% of C and N.例文帳に追加

上記ローラ支持軸９を、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗを合計で１．０〜２０．０重量％、ＣとＮとを合計で０．５〜１．２重量％含有する鉄系合金で造る。 - 特許庁

W/C pressure applied on a malfunction testing target vehicle is decreased or held on the basis of driving time and a driving pattern set in S109-S119 (S121).例文帳に追加

失陥検査対象車輪に付与されるＷ／Ｃ圧を、Ｓ１０９〜Ｓ１１９で設定した駆動時間及び駆動パターンに従って、減圧し又は保持する（Ｓ１２１）。 - 特許庁

By the microwave irradiated through slits 36 formed at the heat-insulating box 18, the graphite material to be treated W is heated up to 800°C and heat-treated.例文帳に追加

断熱箱１８に形成されたスリット３６を通過して照射されるマイクロ波により、被処理用黒鉛材料Ｗは、８００℃の温度まで加熱され、熱処理される。 - 特許庁