「COPPER FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The thin film is formed on a surface of a substrate to be treated through a heat-treatment using a copper-containing gas, a transition metal-containing gas and a reduction gas in a vacuumable treatment container 14.例文帳に追加

真空引き可能になされた処理容器１４内で、銅を含む銅含有原料ガスと遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと還元ガスとにより被処理体の表面に、熱処理により薄膜を形成する。 - 特許庁

The top of the side of the semiconductor chip 2 on the substrate 1 is sealed with an insulating resin layer 6 and a copper paste film 7 which comes into contact with an exposed surface of the top surface of the semiconductor chip 2 is formed.例文帳に追加

この半導体チップ２の側部の基板１上は絶縁性樹脂層６により封止され、半導体チップ２の表面の露出面に接触する銅ペースト膜７が形成されている。 - 特許庁

A film mirror has, on one side of a filmy support, a silver reflection layer, and a sacrificial anticorrosion layer, in which the sacrificial anticorrosion layer includes fine copper particles.例文帳に追加

フィルム状支持体の片側に銀反射層と、犠牲防食層とを有するフィルムミラーであって、該犠牲防食層が銅微粒子を含有することを特徴とするフィルムミラー。 - 特許庁

To provide electrolytic copper foil realizing a flexible printed wiring board which includes an insulating layer having a high optical transmittance, which is excellent in adhesion strength and migration resistance, and which is suitable for a chip-on-film (hereinafter referred to as COF).例文帳に追加

高光透過率を有する絶縁層を備え、密着強度や耐マイグレーション性に優れ、チップオンフィルム（以下、ＣＯＦと称す）に好適なフレキシブルプリント配線板を実現できる電解銅箔を提供する。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film that has a low relative dielectric constant, is stable and has mechanical strength sufficiently endurable to a CMP (chemical-mechanical polishing) process in a copper wiring process of a semiconductor element.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く安定で、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

The polishing method of a semiconductor device continuously polishes using a single polishing solution a barrier metal film formed over the entire surface of a substrate, having recesses or an interlayer insulating film and a conductive film made of copper or a copper alloy, formed on the surface of the barrier metal film, such that the recessed parts are embedded.例文帳に追加

凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅又は銅合金からなる導体膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの研磨方法であって、上記研磨液が、下記一般式（Ｉ）で表わされるバリア金属膜研磨速度調整剤、アミノ酸、酸化剤および研磨粒子を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。 - 特許庁

To provide a composition for pretreatment for electroless palladium plating where, even in the case an electroless palladium plating liquid including impurities such as copper is used, a palladium plating film can be stably precipitated over a nickel film.例文帳に追加

銅等の不純物が含まれた無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定してパラジウムめっき皮膜を析出させることが可能な無電解パラジウムめっき用の前処理用組成物を提供する。 - 特許庁

Such a dry etching method includes a stage of etching the copper-containing aluminum film using chlorine gas not containing hydrocarbon gas and a stage of etching the metal conductive film using chlorine gas containing hydrocarbon gas.例文帳に追加

そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

The method for forming the electroconductive film on the polyimide resin includes forming a plated film of a copper-nickel alloy containing 20 to 70 wt.% nickel on the polyimide resin, by using an autocatalytic electroless plating solution containing hypophosphorous acid or a salt thereof as a reducing agent.例文帳に追加

還元剤として次亜リン酸又はその塩を含む自己触媒型無電解めっき液を用いて、ポリイミド樹脂上にニッケル含有率２０〜７０重量％の銅−ニッケル合金めっき皮膜を形成することを特徴とするポリイミド樹脂上への導電性皮膜の形成方法。 - 特許庁

Then the copper (Cu) electrode 17 is formed by electroless plating in the opening of the protection film 16 formed as a mold, so that the height of the peripheral portion of the (Cu) electrode 17 is less than that of the protection film 16 formed around it.例文帳に追加

その後、この型枠材として形成された保護膜１６の開口内に、銅（Ｃｕ）電極１７の周縁部の高さがその周囲に配される保護膜１６の高さよりも低くなる態様で、該銅（Ｃｕ）電極１７を無電解めっきにより形成する。 - 特許庁

The electrode finger 2a is comprised of a first layer 12 composed of titanium having film thickness of about 20nm formed on the piezoelectric substrate 1 and a second layer 22 containing aluminum and copper having film thickness of about 374nm formed on the first layer 12.例文帳に追加

電極指２ａは、圧電基板１上に形成されている約２０ｎｍの膜厚を有するチタンからなる第１層１２と、第１層１２上に形成されている約３７４ｎｍの膜厚を有するアルミニウムおよび銅を含む第２層２２とから構成されている。 - 特許庁

Since the temperature dependency of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor-phase etching is extremely high, the polymer left on the wafer W can be removed satisfactorily and selectively without damaging the copper wiring film and insulating film.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーを良好に選択除去できる。 - 特許庁

To provide a method for forming a copper electroless plated film where a smooth plated layer which is firmly stuck with a nonconducting surface can be obtained, and a product in which a plated film having higher plating durability and decorativeness is formed can be obtained.例文帳に追加

めっき層と不導体表面とが強固に密着しており、平滑なめっき層を得ることができて、めっき耐久性や装飾性のより高いめっき被膜が形成された製品を得ることができる無電解銅めっき被膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The flexible metal thin film laminate 100 is composed of carbon fiber fabric (carbon substrate) 101 having fine pores and a copper coating layer (metal thin film) 102 laminated on the fabric 101 and used as an electrode in a carbon battery.例文帳に追加

本可撓性金属薄膜積層体１００は、微細孔を有する炭素繊維の織布（炭素基材）１０１と、該織布１０１に積層された銅コート（金属薄膜）１０２とからなるものであり、カーボンバッテリにおいて電極として用いられるものである。 - 特許庁

The (100)-oriented copper oxide superconductor thin film comprises a (100)-oriented LaSrAlO_4 monocrystalline substrate 3 and a (100)-oriented La_2-xSr_xCuO_4 superconducting thin film 4 epitaxially grown on the monocrystalline substrate 3, and has a flat surface.例文帳に追加

（１００）配向の銅酸化物超伝導体薄膜は、（１００）配向ＬａＳｒＡｌＯ_4 単結晶基板３と、単結晶基板３上にエピタキシャル成長した（１００）配向Ｌａ_2-x Ｓｒ_x ＣｕＯ_4 超伝導薄膜４とからなり、表面は平坦である。 - 特許庁

In a method for forming a copper thin film on a base material by a sputtering method, the film formation is performed under a deposition atmosphere of a mixed atmosphere where 60-95% by volume of argon gas and gas of molecules having a bond of a nitrogen atom and a hydrogen atom are mixed.例文帳に追加

スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において、成膜雰囲気が、６０体積％から９５体積％のアルゴンガスと、窒素原子と水素原子の結合を有する分子のガスの混合雰囲気下で行うことを特徴とする。 - 特許庁

To further increase a dielectric constant for a dielectric film in a dielectric element which includes a pair of electrode films made of both copper or the like and which also includes the dielectric film provided between these electrode films and made of a ceramic dielectric material.例文帳に追加

１対の電極膜の両方が銅等から構成され、それら電極膜の間にセラミックス誘電体材料から構成された誘電体膜が設けられた誘電体素子において、誘電体膜の誘電率の更なる向上を図ること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device wherein embedded copper wiring can be formed via an insulative barrier layer formed self-alignedly, even in a groove pattern wherein an insulation film containing no silicon like an organic insulation film exposes.例文帳に追加

有機絶縁膜のようなシリコンを含有しない絶縁膜が露出する溝パターン内にも、自己整合的に形成された絶縁性のバリア層を介して埋め込み銅配線を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a thick film resistor perfectly free from hazardous substances of lead and cadmium by using copper-nickel based conductive powder, and to provide a thick film resistor employing that composition and exhibiting high bonding strength to a ceramic substrate, and its forming process.例文帳に追加

銅−ニッケル系の導電性粉末を使用し、有害な鉛やカドミウムを含まない完全な有害物質フリーの厚膜抵抗体形成用組成物、及びこれを用いたセラミック基板との接着強度が高い厚膜抵抗体並びにその形成方法を提供する。 - 特許庁

The solder resist film 5e is thicker than the base material 5c, so heat emitted by the semiconductor chip 2 can be conducted to the metal foil 3 through the copper wiring line 5d and solder resist film 5e and radiated to the outside from the metal foil 3.例文帳に追加

ソルダレジスト膜５ｅの厚さが基材５ｃより薄いことにより、半導体チップ２から発せられる熱を銅配線５ｄ及びソルダレジスト膜５ｅを介して金属箔３に伝えることができ、金属箔３から外部に放熱することができる。 - 特許庁

The thin-film semiconductor device is equipped with wiring having a pad for external connection, is formed with an amorphous transparent conductive film layer on the uppermost layer of the pad for external connection and is formed with a metallic layer composed of aluminum, copper or titanium on the lower layer thereof.例文帳に追加

外部接続用パッドを有する配線を備え、前記外部接続用パッドの最上層に非晶質透明導電膜層が形成され、その下層にアルミニウム若しくは銅、チタンからなる金属層が形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置である。 - 特許庁

To establish a technology of easily forming a silicon nitride film from generally available raw material gases which is used as a layer insulation film, has a low dielectric constant, is preferable for combination with copper (Cu) wirings and suited to fine and ultra-high integration devices.例文帳に追加

層間絶縁膜として用いて低誘電率でありまた銅（Ｃｕ）系配線と組合せるに好ましい、微細・超高集積デバイスに好適なシリコン窒化膜を、汎用される原料ガスから容易に成膜できる技術の確立が課題である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can prevent a problem in the dual damascene process that, when an SiN film is formed on the wiring including copper hillock, it is formed in unequal thickness, giving a physical and chemical damage resulting from break of SiN film during the process to the wiring.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおいて銅ヒロックを有する配線上にＳｉＮ膜を形成すると不均一な膜厚となり、工程中のＳｉＮ膜破れに起因する物理的化学的ダメージを配線に与えてしまうのを防止できる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a flame-retardant adhesive resin composition which excels in adhesive properties such as adhesive force against peeling, soldering thermal resistance and flowability, and moreover achieves non-halogenation to cope with the environment, and also to provide a flame-retardant adhesive film using the adhesive resin composition, a coverlay film, and a flexible copper-clad laminate.例文帳に追加

ピール接着力、ハンダ耐熱性、フロー性等の接着剤特性に優れ、しかも環境に対応するために非ハロゲン化を実現した難燃性の接着剤樹脂組成物、及び、該接着剤樹脂を用いた難燃性の接着剤フィルム、カバーレイフィルム及びフレキシブル銅張積層板の提供。 - 特許庁

Consequently, as compared with a case without the cupric oxide layer 14 and the cuprous oxide layer 15, the adhesion is improved between the second upper layer rewiring 13 consisting of copper and a third insulating film (overcoat film) 17 consisting of a polyimide or epoxy based resin or the like, and moisture resistance can be improved.例文帳に追加

これにより、酸化第２銅層１４および酸化第１銅層１５が無い場合と比較して、銅からなる第２の上層再配線１３とポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第３の絶縁膜（オーバーコート膜）１７との密着性が向上し、耐湿性を向上することができる。 - 特許庁

The catalyst is manufactured by coating the surface of a granular solid containing copper and zinc with a ZSM-5 film by carrying out hydrothermal synthetic treatment of the granular solid at least three times with a sol solution in an amount at least eight times that necessary for formation of the ZSM-5 film.例文帳に追加

銅および亜鉛を含む粒子状固体に対し、ＺＳＭ−５膜を形成するのに必要なゾル溶液を８重量倍以上使用し、かつ水熱合成処理を３回以上行うことにより、銅および亜鉛を含む粒子状固体の表面をＺＳＭ−５膜でコーティングしてなる触媒。 - 特許庁

To provide an abrasive powder which can be applied to the polishing of a film containing copper and a barrier film, and can polish the respective films to the level capable of satisfying the flatness in a proper polishing time, while solving the miscellaneous problems which may occur when polishing the respective films.例文帳に追加

銅を含む膜の研磨およびバリア膜の研磨に適用可能であり、各膜の研磨で起こりうる各種の課題を解決しつつ、平坦性を満足できるレベルで、かつ、適正な研磨時間で研磨することができる研磨剤の提供。 - 特許庁

To provide a nonflammable adhesive resin composition, which has high heat resistance and contains substantially no halogen element, and in particular, is suitable for a flexible printed circuit board, an adhesive film using the nonflammable adhesive resin composition, a cover lay film, and a flexible copper-clad laminate.例文帳に追加

実質的にハロゲン元素を含まない高耐熱、難燃性の接着剤樹脂組成物及びそれを用いた接着剤フィルム、カバーレイフィルム及びフレキシブル銅張積層板に関するものであり、特にフレキシブルプリント基板に適した難燃性接着剤樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film from which a favorable resist pattern having high resolution can be obtained even on a support having a part made of copper on its surface, and to provide a method for manufacturing a thick film resist pattern.例文帳に追加

上面に銅によって形成された部分を有する支持体上においても高解像性を有し、良好なレジストパターンを得ることが可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供することを提供すること。 - 特許庁

Relatively wide first interconnection trenches 111, having a recessed part 112 in the bottom, are formed in the first region of the second insulation film 104 and first embedded interconnections 113 of a copper film embedded, by plating are formed on the bottom of the first interconnection trenches 111.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０４の第１の領域には、相対的に広い溝幅を持ち底部に凹状部１１２を有する第１の配線溝１１１が形成されており、該第１の配線溝１１１の底部はめっき法により埋め込まれた銅膜からなる第１の埋め込み配線１１３が形成されている。 - 特許庁

For example, the substrate component 11 to which a semiconductor chip 12 is to be bonded has such a structure that a thin-film pattern which is made of a copper foil or other metal material and will become circuit wiring is formed on one face or both faces of a film formed of a polymeric material such as a glass epoxy material or a polyimide material.例文帳に追加

たとえば、半導体チップ１２が接着される基板部品１１は、ガラス・エポキシ材もしくポリイミド材などの高分子材料からなるフィルムの片面もしくは両面に、銅箔もしくはその他の金属材料により回路配線となる薄膜パターンが形成されている。 - 特許庁

To provide a method for easily depositing a metallic film made into a seed layer upon burying metal, particularly copper into a trench in a substrate as an insulator by a plating process, further playing a roll as a barrier layer for preventing the migration of metal atoms to an insulation film and also having excellent adhesion with the insulator.例文帳に追加

絶縁体である基板が有するトレンチ内にメッキ法により金属、特に銅を埋め込む際のシード層になるとともに、金属原子の絶縁膜へのマイグレーションを防止するバリア層の役割をも果たし、かつ、絶縁体との密着性に優れた金属膜を簡易に形成する方法を提供する。 - 特許庁

After forming vias 108 and wiring trenches 109 in an insulation film on a semiconductor substrate 100, a second Ru barrier metal film 110 and a copper seed layer 111 are deposited in this order to the bottoms and the walls of the vias 108 and the trenches 109.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜にビアホール１０８及び配線用溝１０９を形成した後、ビアホール１０８及び配線用溝１０９のそれぞれの底部及び壁面に、Ｒｕ膜からなる第２のバリアメタル膜１１０、及び銅シード層１１１を順次堆積する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of reducing the quantity of polishing for flattening a copper film formed to fill a hole in an insulating film, and occurrence of unpolished portion, and dishing and erosion due to excessive polishing can be prevented.例文帳に追加

絶縁膜の孔部を埋め込むように形成された銅膜を平坦化する際の研磨量を少なくすることができ、研磨残りの発生および過剰研磨によるディッシングやエロージョンを防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive photoresist composition capable of forming a thick photosensitive film with good adhesiveness even on a substrate of copper, an iron-nickel alloy or the like having inferior adhesiveness and capable of forming a space pattern with good perpendicularity, and to provide a board with a photosensitive film and a resist pattern forming method.例文帳に追加

銅や鉄−ニッケル合金等の接着性の悪い基板上に対しても膜厚の感光性膜を接着性よく形成でき、スペースパターンを垂直性よく形成可能なポジ型ホトレジスト組成物、感光性膜付基板、レジストパターンの形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a pattern forming method capable of preventing pattern form deterioration of a copper thick film caused by variation in a resist pattern form in a Lithographie Galvanoformung Abformung-like process using a thick film resist layer formed by laminating light-sensitive films.例文帳に追加

感光性フィルムを積層して形成した厚膜レジスト層を用いたＬＩＧＡライクプロセスで、レジストパターン形状の変化に起因する銅厚膜パターンの形状劣化を防止することができるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The metal foil laminated sheet 10 is obtained by bonding and laminating a conductive layer 1 made of the metal foil such as a copper foil or the like and an insulating layer 2 made of the thermoplastic resin film such as a polyethylene terephthalate film or the like by an adhesive layer made of an ionizing radiation curable resin.例文帳に追加

銅箔等の金属箔からなる導電層１と、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の熱可塑性樹脂フィルムからなる絶縁層２とを、電離放射線硬化性樹脂の接着剤層３で接着・積層して金属箔積層シート１０とする。 - 特許庁

A thin conductive film layer 3 or the like is provided on an insulating base material 1 of a one-sided copper-clad laminate, the insulating base material 1 is processed using the thin film layer 3 to make a hole 5 therein and then subjected to a plating treatment to form a via hole 6 and a necessary wiring pattern 7.例文帳に追加

片面銅張積層板の絶縁べ−ス材１上に導電性等の薄膜層３を設け、この薄膜層３を利用して絶縁べ−ス材１に対する導通用孔５の加工処理を施した後、メッキ手段でビアホ−ル６及び所要の配線パタ−ン７を形成する。 - 特許庁

This material is constituted by being equipped with a color reaction base material 4 formed by carrying copper nitrate and a humectant on a carrier as the reaction reagent color-reacting with a test gas, and a film 3 having permeability to the test gas, and by laminating the film 3 at least on the inflow face side of the test gas of the color reaction base material 4.例文帳に追加

被検ガスと呈色反応する反応試薬として硝酸銅と保湿剤とを担体に担持させた呈色反応基材４と、被検ガスに対して透過性を有する膜３とを備え、呈色反応基材４の少なくとも被検ガスの流入面側に膜３を積層して構成されている。 - 特許庁

To provide a damage recovery method of an insulating film, in which a recovery treatment is executed by a dry process without leaving a recovery agent on a wiring material such as a copper wiring layer when the insulating film damaged by a plasma treatment is subjected to the recovery treatment, and which excels in mass productivity.例文帳に追加

プラズマ処理によってダメージを受けた絶縁膜を回復処理する際に、銅配線層などの配線材料上に回復剤が残留することがなく、かつドライプロセスによって処理が行われ、量産性に優れる絶縁膜のダメージ回復方法を得る - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁

To provide an inexpensive electromagnetic wave preventing plastic material which is manufactured by forming a coating film, having superior adhesive property and corrosion resistance on the surface of a plastic molded article, by a vacuum method with which a copper film having a high electromagnetic wave shielding characteristic can be formed with high productivity, and to provide a method of manufacturing the plastic material.例文帳に追加

電磁波シールド特性に優れた銅を高い生産性で成膜する真空工法を用いて、密着性および耐食性に優れた被膜をプラスチック成形品表面に形成した低コストの電磁波防止プラスチック材、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A copper secondary metallic layer is formed on a surface of a primary metallic layer of a resin film F with the primary metallic layer by electroplating in an electroplating apparatus A while the resin film F with the primary metallic layer is conveyed from a pay-out roll 1 to a take-up roll 7 by a roll-to-roll method.例文帳に追加

一次金属層付樹脂フィルムＦを巻出ロール１から巻取ロール７にロールツーロールで搬送しながら、電気めっき装置Ａで一次金属層付樹脂フィルムＦの一次金属層の表面に電気めっきにより銅の二次金属層を形成する。 - 特許庁

Thus, the FPC can be kept flexible and external noise emitted from a portion wherein the base film 1 is exposed can be shielded by the copper foil film 2b, so that a differential signal passing through the connector inserting portion 20 is less apt to be influenced by external noise.例文帳に追加

そのため、ＦＰＣの柔軟性を保ちつつ、ベースフィルム１が露出している部分から放射された外来ノイズを銅箔膜２ｂでシールドすることができ、コネクタ挿入部２０を通過する差動信号が外来ノイズの影響を受けにくくなる。 - 特許庁

In the multilayer printed-wiring board, the IC chip 20 is built in a core board 30 in advance, and a transit layer 38 which is composed of a first thin-film layer 33, a second thin-film layer 36 and a thick layer 37 is arranged and installed at a copper die pad 24 on the IC chip 20.例文帳に追加

多層プリント配線板は、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０の銅製のダイパッド２４には、第１薄膜層３３，第２薄膜層３６、厚付け膜３７からなるトラジション層を３８を配設させている。 - 特許庁