「COPPER FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

This piston ring consists of a piston ring main body and a surface film formed on either of an upper surface and a lower surface of the piston ring main body or both of the upper surface and the lower surface of the piston ring, and the surface film is constituted of heat resistant resin and roughly spherical copper system powder.例文帳に追加

ピストンリング本体と、該ピストンリング本体の上面または下面のどちらか一方、または該ピストンリングの上面と下面の両方に形成される表面皮膜とからなるピストンリングにおいて、前記表面皮膜を耐熱樹脂と略球状の銅系粉末とから構成する。 - 特許庁

To provide a mold release film which is hardly deviated and has excellent operability in each of processes such as cutting, laminating and opening of pin holes of the mold release film without lowering wettability of the surfaces of a prepreg and a copper foil after heat-press is performed, and which is inexpensive.例文帳に追加

加熱プレスした後のプリプレグや銅箔などの表面の濡れ性を低下させることなく、離型フィルムの断裁、積重ね、ピン穴の開口などの各工程において、離型フィルムがずれにくく、作業性に優れており、且つ、安価な離型フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a solid electronic device base body structure, together, with its manufacturing method which reduces a load on a global environment, with no use of complex process, such as formation of a conductive film by electroless copper plating or film transfer of a circuit pattern.例文帳に追加

無電解銅めっきによる導電膜形成、あるいは回路パターンのフィルム転写などの複雑なプロセスを用いず、地球環境に対する負荷を軽減した、立体形状電子デバイス基体構造と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

Etching rate in gas-phase etching by the vapor of hydrofluoric acid water solution is very high in temperature dependence and, therefore the oxide of the polymer on the wafer W can be removed neatly and selectively, without damaging the copper wiring film and the insulating film by optimally controlling the temperature of the wafer W.例文帳に追加

ふっ酸水溶液の蒸気による気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーの酸化物を良好に選択除去できる。 - 特許庁

To provide a porous silica thin film having a low dielectric constant of the porous silica thin film, capable of fully withstanding mechanical strength enduring a CMP process in the copper wiring process of a semiconductor element and a small amount of contaminated gas generation at the formation of via holes.例文帳に追加

多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械的強度を有し、かつ、ビア形成時の汚染ガス発生量の少ない、多孔性シリカ薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide slurry for chemical-mechanical polishing that inhibits the generation of dishing, and at the same time, achieves polishing at a high polishing rate in chemical-mechanical polishing in a copper-based metal film, formed on an insulating film which has recesses on a substrate.例文帳に追加

基板上の凹部を有する絶縁膜上に形成された銅系金属膜の化学的機械的研磨において、ディッシングの発生を抑制し、且つ高い研磨速度での研磨を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。 - 特許庁

The anticorrosion layer 3 composed of tin or tin alloy and having a film thickness d of 3-500 μm is formed on an outer surface of the copper pipe 1' to prevent corrosion by dew condensation water, and to optimize the film thickness d of the anticorrosion layer 3.例文帳に追加

銅管１′の外表面に、スズまたはスズ合金からなり、膜厚ｄが３μｍ〜５００μｍの防食層３を形成して、結露水によって侵食されることがなくなるようにするとともに、防食層３の膜厚ｄの最適化を図ることができるようにする。 - 特許庁

The first conductive member 57 is a metallic film 57 formed by copper (Cu) or the like and planarly overlaps with at least one of the plurality of wirings 56 and is formed on the opposite face of the film board along one of the wirings 56.例文帳に追加

第１の導電部材５７は、銅（Ｃｕ）などで形成された金属膜５７であり、複数の配線５６のうち、すくなくとも１本の配線５６に平面的に重なり、且つ１本の配線５６に沿って、フィルム基板の他方の面に形成されている。 - 特許庁

This expiration refreshing capsule is a capsule having a coating film which is dissolved or collapses with saliva or gastric juice and in which one or more kinds of copper compounds are contained in the contents of the capsule and/or the coating film of the capsule.例文帳に追加

唾液や胃液で溶解もしくは崩壊するカプセル皮膜を有するカプセル剤であって、カプセルの内容物及び／又はカプセルの皮膜に１種もしくは２種以上の銅化合物を含有させたことを特徴とする呼気清涼化カプセル剤。 - 特許庁

Because of this, a copper oxide film 6 previously formed at the bonded interface between the first electrode 3 and the second electrode 5 can be removed, and an oxide film is prevented from being formed at the bonded interface in connection with execution of ultrasonic bonding.例文帳に追加

これにより、第１電極３と第２電極５との接合界面に既に形成されている銅の酸化膜６を除去できるとともに、超音波接合の実施に伴って接合界面に酸化膜が形成されることを抑制することができる。 - 特許庁

Next, a polar electrode 12 formed of copper is formed by a metal film forming method so-called the Metal Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition (MCR-CVD) method on the upper surface of connecting pad of wiring 7 within the aperture 11 of the overcoating film 10.例文帳に追加

次に、オーバーコート膜１０の開口部１１内の配線７の接続パッド部上面に、塩化金属還元気相成長（ＭＣＲ−ＣＶＤ：Metal Clloride Reduction Chemical Vapor Deposition）法と呼ばれる金属成膜法により、銅からなる柱状電極１２を形成する。 - 特許庁

The method for forming the semiconductor conductive layer comprises steps of forming a first metal film (2) made of copper on a semiconductor substrate (1), then laminating a resist barrier layer (3) chemically stable for an acid, and forming a chemical amplification resist film (4) in a state brought into contact with the layer (3).例文帳に追加

本発明による半導体導電層の形成法は、半導体基板(1)上に銅から成る第１の金属膜(2)を形成後、酸に対し化学的に安定なレジストバリア層(3)を積層し、レジストバリア層(3)に接触する状態で化学増幅型レジスト膜(4)を形成する。 - 特許庁

To process a good pattern without remainders, while preventing precipitation of copper or silicon generated in a step of forming a film containing Al as a main component and containing at least Cu or Si, or in a thermal step of peeling off a defective resist pattern during pattern processing after the film formation.例文帳に追加

Ａｌを主成分とし、少なくともＣｕあるいはＳｉを含んだ膜の成膜時、あるいは成膜後におけるパターン加工時の不良レジストパターンの剥離時の熱工程時に発生する銅あるいはシリコンの析出を防ぎ、残渣のない良好なパターンを加工する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device is provided with a cleaning process, in which the surface oxide film 6 formed on the copper interconnection 3, is cleaned and a first process, in which the film 6 is substituted into carboxylate and a second process, in which the generated carboxylate is reduced and removed.例文帳に追加

銅配線３に形成された表面酸化膜６を清浄する清浄工程を有する半導体装置の製造方法であって、清浄工程は、表面酸化膜６をカルボン酸塩に置換する第１の工程と、生成されたカルボン酸塩を還元除去する第２の工程とを有する。 - 特許庁

After connecting the functional film to a grounding wire with conductive tapes, an electrode plate, whose surface is made of copper foil having an excellent conductivity and is the same size as the effective screen of the cathode-ray tube, is well adhered to the surface of the functional film by pressing with load larger than 23 g/cm^2.例文帳に追加

機能性フィルムを導電性のテープでアースに接続した後に、機能性フィルムの表面に、陰極線管の有効画面に相当するの大きさで、その表面が導電性の良い銅箔からなる電極板を２３ｇ／ｃｍ^２以上の荷重により良く密着させる。 - 特許庁

A semiconductor device has an insulating film 105 as a low void region having a low void content which is formed on a substrate 100, and a high void region 107, having a void content higher than that of the low void porosity region, and is equipped with copper interconnections 109b formed in interconnection grooves 105b in the insulating film 105.例文帳に追加

半導体装置は、基板１００上に形成された空孔率が低い低空孔率領域である絶縁膜１０５と低空孔率領域よりも空孔率が高い高空孔率領域１０７とを有し、絶縁膜１０５における配線溝１０５ｂに形成された銅配線１０９ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the reliability of a process as well as the product yield can be improved when forming a wiring and/or a plug using a copper thin film or a silver thin film, in a single damascene process, a dual damascene process, or an embedding plug process.例文帳に追加

シングルダマシン・プロセス、デュアルダマシン・プロセス、あるいは埋込みプラグ・プロセスにおいて、銅薄膜又は銀薄膜を用いた配線及び／又はプラグを形成する場合のプロセス信頼性、及び製品歩留まりを改善することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a layer wherein bonding pad aluminum 21 is formed, the peripheral removal of an insulating film 17 and an insulating film 18 for pad formation for preventing peeling of the films is performed not over a wiring pattern portion (having residual Cu 16) that becomes a target of Cu removal in the layer of just lower copper wiring 14.例文帳に追加

ボンディングパッドアルミ２１を形成する層において、膜はがれ防止のために行う絶縁膜１７とパッド形成用絶縁膜１８の周辺除去を、すぐ下の銅配線１４の層においてＣｕ除去の対象となった配線パターン部（Ｃｕ残り１６のある箇所）を超えないように行う。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device, a silicon-containing insulating film 111 is formed on a copper wiring layer 110, and a treated gas containing at least one of NH_3, N_2, and N_2O is turned into plasma to reform the silicon-containing insulating film 111 by exposing it to the treated gas that is turned into plasma.例文帳に追加

シリコン含有絶縁膜１１１を銅配線層１１０上に形成し、ＮＨ_３ 、Ｎ_２ 、及びＮ_２ Ｏのうちの少なくとも一を含む処理ガスをプラズマ化して、シリコン含有絶縁膜１１１を上記プラズマ化された処理ガスに曝して改質する半導体装置の製造方法による。 - 特許庁

Polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polyimide, polyether-imide or polyaramide film is preferably used as the polymer film, and a single metal selected from aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au) and silver (Ag) is preferably used as the metal.例文帳に追加

本発明は、高分子フィルム基板上半連続巻き取り式真空蒸着法で金属蒸着層を両面に形成し、高温連続使用及び電子回路での線間の狭ピッチ化を可能にし，又シールド材としては優れたシールド特性を有するものである。 - 特許庁

The high-resistance layer 104 at the bottom of the via is eliminated by a thermal reduction method using reducing gas before film-forming the barrier metal on the low-permittivity insulating film 102 having a groove and a via, and the barrier metal 105 and copper as a plated seed layer are formed while retaining vacuum.例文帳に追加

溝とビアを有する低誘電率絶縁膜１０２上にバリアメタルを成膜する前に、ビア底の高抵抗層１０４を、還元性のガスを用いた熱還元法にて除去し、真空保持のまま、バリアメタル１０５、めっきのシード層としての銅を形成する。 - 特許庁

Prior to a sputtered thin copper film forming step, a modified- property silicon nitride layer containing SiO2 and SiNX in a mixed state in its surface is formed on the surface of a silicon oxide-based glass substrate, a quartz substrate, or a silicon thin film by irradiating the surface with nitrogen plasma.例文帳に追加

銅薄膜のスッパタリング成膜工程に先だって、酸化珪素質のガラス基板、石英基板あるいは酸化珪素薄膜の表面に窒素プラズマを照射して、表面にＳｉＯ_2 とＳｉＮ_x とが混在した窒化珪素変質層を形成する。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shielding sheet with a protection film which is temporarily laminated on a copper mesh layer for the electromagnetic wave shielding, in which the protection film has suitable adhesion, and the electromagnetic wave shielding sheet is not discolored even if especially used under elevated temperature and humidity for a long period of time.例文帳に追加

電磁波遮蔽用の銅メッシュ層上に仮積層させた保護フィルム付の電磁波遮蔽シートであって、保護フィルムが適切な接着性を有しながら、長期間、特に高温高湿下で使用されても変色しない電磁波遮蔽シートを提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition for a thick film capable of obtaining a good resist pattern with high sensitivity even on a support having a portion formed of copper on an upper surface thereof, and a method for producing a thick film resist pattern.例文帳に追加

上面に銅によって形成された部分を有する支持体上においても高感度に良好なレジストパターンを得ることが可能な厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁

Relatively narrow second interconnection trenches 121 are formed in the second region of the second insulation film 104 and second embedded interconnections 123 of a copper film embedded by plating are formed in the second interconnection trenches 121.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０４の第２の領域には、相対的に狭い溝幅を持つ第２の配線溝１２１が形成されており、該第２の配線溝１２１にはめっき法による埋め込まれた銅膜からなる第２の埋め込み配線１２３が形成されている。 - 特許庁

To provide a gelatinous plating composition which is used in electroplating and electroless plating for applying a thin coating film of a metal such as copper, nickel or gold or a composite metal of these metals on the surface of a metal or a nonmetal and which has excellent stability, allows a uniform metal coating film to be formed, and is suitable for partial plating.例文帳に追加

金属又は非金属の表面に、銅、ニッケル、金などの金属やこれらの複合金属の薄い被膜を施す電解メッキ、無電解メッキに用いる安定性に優れ、均一な金属被膜を形成できる部分メッキ等に好適なゲル状メッキ組成物を提供する。 - 特許庁

The fuse electrodes, the electrode pads and the wirings are embedded conductors made of copper formed by the buried wiring forming method, such as damascene, and the electrode pads and the wirings have the same TiN film as the fuse, as a Cu diffusion protecting film on the embedded body of Cu.例文帳に追加

ヒューズ電極、電極パッド、及び配線は、ダマシン法等の埋め込み配線形成方法によって、Ｃｕで形成された埋め込み導体であって、電極パッド及び配線はＣｕで埋め込み形成された本体上に、ヒューズと同じＴｉＮ膜をＣｕの拡散保護膜として備えている。 - 特許庁

The semiconductor package houses a semiconductor element, having one or more outer connecting electrode pads connected to metal bumps formed on a semiconductor component mounting board, the electrode pads are made of copper or a copper-containing metal, and an organic film containing a metal powder is formed on the electrode pads.例文帳に追加

外部接続用の電極パッドを１個又は複数個有する半導体素子の該電極パッドが半導体部品搭載用基板上に形成した金属バンプと接続された半導体パッケージであって、前記電極パッドは銅又は銅を含む金属で形成され、該電極パッド上に金属粉末を含有する有機膜が形成されたことを特徴した半導体パッケージ及びその製造方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the flexible printed board is characterized by maintaining an oxygen concentration in an etching processing atmosphere at 2 vol.% or below in a process of forming a copper wiring pattern by performing etching processing on a copper coating layer formed at least on one surface of an insulator film without interposing an adhesive.例文帳に追加

フレキシブルプリント基板の製造方法であって、絶縁体フィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに形成された銅被覆層をエッチング処理して銅配線パターンを形成する工程における前記エッチング処理雰囲気の酸素濃度が、２体積％以下に維持されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polishing medium for CMP capable of suppressing the occurrence of dishing, thinning and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and a method for polishing a substrate by using the same.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

A method for producing a dense metallic copper film includes providing a liquid composition containing copper oxide particles on a substrate, and heat-treating the liquid composition at 120°C or higher while supplying a gas containing a formic acid gas with a concentration of 8 mass% or more so that the supply amount of the formic acid becomes 0.01 g/minutes or more per 1 L of the volume of a treatment tank.例文帳に追加

基板上に、銅酸化物粒子を含む液状組成物を成形し、ギ酸ガスを濃度８質量％以上含むガスを、ギ酸供給量が処理槽の容積１Ｌあたり、０．０１ｇ／分以上となるように供給しながら、１２０℃以上に加熱して処理する緻密な金属銅膜の製造方法。 - 特許庁

A method for controlling the displacement tin-plating solution and a regeneration treatment apparatus is used to estimate whether the excessive erosion occurs on the copper material of the article to be plated in the displacement tin-plating treatment or not, and the excessive erosion of the copper material can be suppressed by replenishing the constant amount of hypophosphorous acid while minimizing an influence of the waste material on the tin-plated film.例文帳に追加

置換スズめっき液の管理方法及び再生処理装置を用いることで、置換スズめっきによる被めっき処理物の銅素材の過剰浸食の発生有無を推測することができ、また老廃物によるスズめっき皮膜への影響を最小限にしつつ、次亜りん酸濃度を定量補給することで銅素材の過剰浸食を抑制することができるものである。 - 特許庁

The spiral shape thin-film inductor is formed of composite magnetically anisotropic films 2a and 2b and a copper coil 3 and constituted in a closed magnetic circuit structure, in which a soft magnetic ferrite ring 5 and a soft magnetic ferrite disk 5' are arranged and combined, so that their planar directions substantially become identical and the copper coil 3 is arranged inside the ferrite ring 5.例文帳に追加

複合磁気異方性膜２ａ，２ｂと、銅コイル３とから形成されるスパイラル型薄膜インダクタと、軟磁性フェライトリング５、および軟磁性フェライトディスク５’を、その平面方向が略同一となるように配置され、組み合わされ、かつ前記スパイラル型薄膜インダクタの銅コイル３が、軟磁性フェライトリング５の内側に配置された閉磁路構造であることを特徴とする薄膜インダクタ。 - 特許庁

In the raw material of the thin film for the vaporization process, a molecular structure contains at least one precursor selected from a group composed of silane compound having Si-H, phosphite, copper (II) complex, copper (I) complex, metal amide compound, metal alkoxide compound, alkyl metal compound, and metal hydride compound, and the water content is ≤ 1 ppm.例文帳に追加

分子構造中にＳｉ−Ｈを有するシラン化合物、亜燐酸エステル、銅(II)錯体、銅（I）錯体、金属アミド化合物、金属アルコキシド化合物、アルキル金属化合物及び金属ハイドライド化合物からなる群から選択される少なくとも１種のプレカーサを含有してなり、水分含有量が１ｐｐｍ以下である気化プロセス用薄膜原料。 - 特許庁

To provide a cleaning liquid with which etching residues remaining after a dry etching in a wiring process of a semiconductor device or a display device subjected to a copper wiring to be used for a semiconductor integrated circuit, or the like can perfectly be removed in a short period of time, and a copper wiring material, insulation film material or the like cannot be oxidized or corroded.例文帳に追加

半導体集積回路等に用いられる、銅配線が施された半導体素子または表示素子の配線工程におけるドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で完全に除去でき、かつ銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を提供する。 - 特許庁

The antenna coil for the IC card can be manufactured through a step of applying an epoxy resin on the rough surface of the electrolytic copper foil to provide an epoxy resin layer, a step of applying a polyurethane adhesive on the epoxy resin layer to adhere a synthetic resin film thereto, and a step of treating the electrolytic copper foil by resist treatment and etching and forming a specified circuit pattern.例文帳に追加

このようなＩＣカード用アンテナコイルは、電解銅箔の粗面にエポキシ系樹脂を塗布して、エポキシ系樹脂層を設ける工程と、エポキシ系樹脂層上にポリウレタン系接着剤を塗布し、合成樹脂製フィルムを貼合する工程と、次いで、電解銅箔にレジスト処理及びエッチング処理を施して、所定の回路パターンを形成する工程を経て、製造することができる。 - 特許庁

After a zinc plating film of 3-100 μg/cm^2 is applied onto the surface of a copper foil subjected to roughing, the copper foil is immersed into aqueous solution not containing hexavalent chromium nor fluorine ion but containing trivalent chromium ions by 0.11-0.50 mg/L as metal chromium, and nitric acid by 0.20-0.51 g/L thus performing trivalent chromium conversion treatment.例文帳に追加

粗化処理を施した銅箔の表面に、亜鉛めっき皮膜を３μｇ／ｃｍ^２以上１００μｇ／ｃｍ^２未満付着させた後、６価クロムイオンおよびフッ素イオンを含まず、３価クロムイオンを金属クロムとして０．１１ｍｇ／Ｌ以上０．５０ｍｇ／Ｌ未満、硝酸を０．２０ｇ／Ｌ以上０．５１ｇ／Ｌ未満含む水溶液に浸漬することにより３価クロム化成処理を施す。 - 特許庁

To provide a polishing agent for CMP capable of suppressing occurrence of dishing, thinning, and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound, or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and to provide a method for polishing a substrate by using the agent.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

To provide inkjet ink for a metallic pattern formation which selects reduction qualifications of a copper ion complex and advances under the condition where a metal copper is desirably generated by adding antioxidant of a hydrazine system compound and can form a precise metallic film with a good resistance value, and to provide a metallic pattern forming method using the inkjet ink for the metallic pattern formation.例文帳に追加

銅イオン錯体の還元条件を選択し、ヒドラジン系化合物の酸化防止剤を添加することで、金属銅の生成が好ましい状態で進行し、緻密で抵抗値が良好な金属膜の形成が可能な金属パターン形成用インクジェットインクおよびそれを用いた金属パターン形成方法を提供する。 - 特許庁

This vacuum CVD device is provided with a treating chamber 10 for executing the film formation of copper by a vacuum CVD method, a gaseous starting material feeding part 12 for feeding an organic copper compd. such as Cu (I) hfacTMVS as a gaseous starting material and an evacuating part 14 for evacuating the treating chamber 10.例文帳に追加

この減圧ＣＶＤ装置は、減圧ＣＶＤ法によって銅の成膜を行うための処理室１０と、この処理室１０に原料ガスとして有機銅化合物たとえばＣｕ（I）ｈｆａｃＴＭＶＳを供給するための原料ガス供給部１２と、処理室１０を真空引きして排気するための真空排気部１４とで構成されている。 - 特許庁

To provide a photosensitive transfer material which suppresses deformation during lamination of a photosensitive resin layer, is free of resist film break on through holes, well exhibits meltability and also ensures good adhesiveness to a substrate, in the production of a printed circuit board, particularly in the production of a wiring pattern of copper on a copper clad laminate having through holes.例文帳に追加

プリント配線基板製造、特に、スルーホールを有する銅張積層板への銅の配線パターン製造において、感光性樹脂層のラミネート時の変形を抑制し、スルーホール上でのレジスト膜破れもなく、また、十分に溶融性を示し、基板との密着性も良好となる感光性転写材料を提供することである。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier which reduces a connection resistance without dropping an electric capacitance of a compact Li battery in a laminated circuit substance performing an interconnection by a conductive paste and thins down a film having excellent adhesiveness with the substrate in a laminated substrate for ensuring the adhesiveness with resin on both the surfaces of the copper foil.例文帳に追加

小型化したＬｉ電池の電気容量を落さず、導電ペーストによって相間接続を行う積層回路基板においては接続抵抗を低くし、銅箔両面にて樹脂との密着性を確保する積層基板においては基板との密着性が良好な薄膜化したキャリア付き銅箔を提供することである。 - 特許庁

The flat panel display wiring and electrode using the TFT transistor that scarcely generates thermal defects and is excellent in the surface state including the copper alloy thin film having a composition containing calcium of 0.001 to 0.5 atom% and silver of 0.002 to 1.0 atom% and the remaining portion including copper and unavoidable impurities and the sputtering target for forming them are provided.例文帳に追加

Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

In a conductor substrate for mounting a semiconductor element, at least a portion thereof mounting the semiconductor element is sealed with insulating resin, an uppermost surface layer of the conductor substrate is formed of copper or an alloy thereof, and the conductor substrate is partly or entirely covered with a film of a copper oxide containing hydroxide formed on the surface treatment of the conductor substrate.例文帳に追加

半導体素子を搭載するためのものであって、前記半導体素子の搭載部が少なくとも絶縁性樹脂で封止される導体基材において、前記導体基材の最表層が銅もしくはその合金からなるとともに、前記導体基材が、該導体基材の表面処理に由来して形成された水酸化物を含む酸化銅の皮膜で部分的もしくは全体的に覆われているように構成する。 - 特許庁

In the copper-coated plastic substrate obtained by directly forming the seed layer on both surfaces or one surface of a plastic film without using an adhesive and forming the copper conductor layer on the seed layer, the seed layer comprises a nickel-chromium alloy with a chromium concentration of 15-40 wt.% and the thickness thereof is 10-150 Å.例文帳に追加

プラスチックフィルムの両面または片面に、接着剤を介さずに直接、シード層を形成し、そのシード層上に銅導体層を形成してなる銅被覆プラスチック基板において、シード層は、クロム濃度が１５重量％以上４０重量％以下であるニッケルクロム合金からなり、かつその膜厚は１０Å以上１５０Å以下であることを特徴とする銅被覆プラスチック基板などによって提供。 - 特許庁