「Chemical Process」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can prevent a problem in the dual damascene process that, when an SiN film is formed on the wiring including copper hillock, it is formed in unequal thickness, giving a physical and chemical damage resulting from break of SiN film during the process to the wiring.例文帳に追加

デュアルダマシンプロセスにおいて銅ヒロックを有する配線上にＳｉＮ膜を形成すると不均一な膜厚となり、工程中のＳｉＮ膜破れに起因する物理的化学的ダメージを配線に与えてしまうのを防止できる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁

To provide a plating unit where respective units (apparatuses) continuously performing plating and its supplementary process are efficiently disposed in one and the same facility, so as to reduce its occupancy area, and further, the contamination of a substrate caused by a chemical used for the plating process or the like can be prevented.例文帳に追加

めっき処理及びそれに付帯する処理を連続的に行う各ユニット（機器）を同一設備内に効率的に配置して占有面積を減少させ、しかもめっき処理等に使用する薬品による基板の汚染を防止できるようにしためっき処理ユニットを提供する。 - 特許庁

The biodegradable plastic container 1 is composed of a plastic container main body 10 made of a biodegradable material, of which the inner or the outer surface or both the surfaces are coated with a ceramic thin film 20 made of a metallic oxide such as a silicon oxide by a chemical vapor-phase process (CVD process).例文帳に追加

生分解性を有する材料よりなるプラスチック容器本体１０の内、外面あるいは両面に、酸化珪素等の金属酸化物でなるセラミック薄膜２０が化学気相法（ＣＶＤ法）でコーティングされている生分解性プラスチック容器１とするものである。 - 特許庁

A production method for the UV crosslinkable polyacrylate pressure-sensitive adhesive comprises a radical polymerization process of forming a polymer from a monomer mixture, wherein the monomer mixture to be polymerized is added with a copolymerizable photoinitiator and at least one chemical compound composed of a unit represented by formula 1 [wherein, (X) is S, O or N] to control the polymerization process.例文帳に追加

３．０以下の多分散性を示すＵＶ架橋性ポリアクリレート系感圧接着剤の製造方法に、単量体混合物から重合体を生成させるラジカル重合工程を含め、重合させるべき前記単量体混合物に共重合性光開始剤を含め、単位 - 特許庁

In the epitaxial growth of a III-V group compound semiconductor thin film laminate wafer using an organic metallic material, the semiconductor thin film is epitaxially grown at a low temperature by a highly efficient V group material decomposition process by the mutual chemical reaction process of ammonia and triethylamine (ETA).例文帳に追加

有機金属材料を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハのエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程により高効率なV族材料の分解工程により半導体薄膜を低温度で結晶成長させる。 - 特許庁

Accordingly, the natural oxide film and the chemical oxide film made on the silicon substrate at etching of a contact hole, or the damaged section is removed, and after each wafer process, conditioning gas is let in to keep the environment within a chamber constant, whereby process reproducibility is enhanced.例文帳に追加

従って、コンタクトホールの食刻のときシリコン基板上に形成された自然酸化膜、化学的酸化膜、または損傷部位が除去され、各ウェーハ工程の後、コンディショニングガスを流入させてチェンバー内の環境を一定に保持することにより工程再現性を向上させる。 - 特許庁

To provide a method for depositing thin films of metal oxides, metal nitrides and metals having excellent characteristics on a semiconductor substrate or a substrate of a flat display element by a time-divisional process gas supply in a CVD (Chemical Vapor Deposition) method using plasma synchronized with the process gas supply cycle.例文帳に追加

原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for accelerating a reaction of a chemical substance utilizing an ultrasonic wave without performing an advanced refining process and capable of performing a continuous process from raw material introduction to residual gas recovery, its apparatus, and a method for producing a fluororesin utilizing the ultrasonic wave.例文帳に追加

高度な精製工程を行うことなく、原料投入から残ガス回収まで連続した工程で行うことができる超音波を利用した化学物質の反応促進方法及びその装置並びに超音波を利用したフッ素樹脂の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the low reflective glass substrate comprises a process for colliding a grinding stone with the surface of glass substrate to form the compressive stress part and a process of chemical etching for the formation of concave and convex shapes on the surface of the glass substrate, and the low reflective glass substrate obtained by the method is provided.例文帳に追加

ガラス基材表面に砥粒を衝突させて圧縮応力部を形成し、次いで化学的エッチング処理により、前記ガラス基材表面に凹凸形状を形成させる低反射ガラス基材の製造方法、及びこの方法で得られた低反射ガラス基材である。 - 特許庁

To provide a process for preparing a composite particle useful as an abrasive, a composite particle prepared through this process, and an aqueous dispersion for grinding chemical machines which contains this composite particle, yields a sufficient abrasion speed and sufficiently inhibits scratching, disconnection, or the like.例文帳に追加

研磨剤として有用な複合粒子の製造方法、及びこの方法により製造される複合粒子、並びに複合粒子を含有し、十分な研磨速度が得られ、且つスクラッチ及び断線等が十分に抑えられる化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for treating thin piece specimen capable of carrying out a surface treating process including a chemical treating process for a short time with good repeatability by controlling the response time in second at the period of treating the specimen without damaging the specimen being made thinner.例文帳に追加

薄片化した試料を破損することなく、試料を処理するに際して秒単位の反応時間制御が可能なことにより再現性がよく、短時間で化学処理を含む表面処理を行なうことが可能な薄片試料処理装置及び薄片試料処理方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises a process where a gate insulating film 2 is formed on the surface of a silicon substrate 1 and a process that after hydroxyl groups 3 are adsorbed on the surface of the film 2, a polycrystalline silicon film 4, which is a polycrystalline semiconductor film is formed on the film 2 by a chemical phase growth method.例文帳に追加

シリコン基板１表面にゲート絶縁膜２を形成する工程と、ゲート絶縁膜２表面に水酸基３を吸着させた後に化学気相成長法でゲート絶縁膜２上に多結晶半導体膜である多結晶シリコン膜４を成膜する工程とを含む。 - 特許庁

In the cleaning process of the semiconductor substrate by the sheet type cleaning apparatus, a pretreatment process by a surfactant is included immediately before chemical liquid treatment, thus reliably cleaning the inside of the fine hole with high aspect ratio and hence providing the clean surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

枚葉式洗浄装置による半導体基板の洗浄過程において、薬液処理直前に界面活性剤による前処理工程を含むことによって、高アスペクト比の微細孔内部を確実に洗浄し、清浄な半導体基板表面を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a fluoroalkylbenzene derivative useful as a functional chemical intermediate for a medicine, an electronic material, etc., having reduced contents of residual halogens and residual metals being impurities by using a simple photohalogenation process and a halogen- fluorine exchange reaction process.例文帳に追加

不純物である残存ハロゲン類や残存金属の含有量が低減された医薬、及び電子材料用途等の機能化学品中間体として有用なフルオロアルキルベンゼン誘導体を簡便な光ハロゲン化法、及びハロゲン−フッ素交換法を用いて製造する方法を提供する事。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device provided with a capacitor comprising a dielectric film, a process for forming the dielectric film comprises a process for forming a silicon oxide film by a chemical growth method using a mixture gas comprising alkoxysilane gas and at least nitrogen.例文帳に追加

誘電体膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法において、前記誘電体膜を形成する工程は、アルコキシシランガスと少なくとも窒素を含むガスとを含む混合ガスを用いた化学成長法によりシリコン酸化膜を形成する工程を備える。 - 特許庁

A chemical vapor sterilization process is enhanced by concentrating a germicide via condensation and re-vaporization thereof, exploiting the difference between the vapor pressures of the fixed germicide and its solvent to extract some of the solvent during the condensation process.例文帳に追加

一定の化学的な蒸気滅菌処理が一定の殺菌剤の液化および再気化による当該殺菌剤の濃縮により改善されており、一定の殺菌剤とその溶媒のそれぞれの蒸気圧の差を利用してその液化処理中にその溶媒の一部を抽出している。 - 特許庁

The concentration of the chemical vapor sterilant, especially, hydrogen peroxide, can be calculated at a point within a lumen based upon physical characteristics of the lumen and process parameters of a sterilization process employing the sterilant.例文帳に追加

一定の化学蒸気滅菌剤、特に、過酸化水素の濃度が一定の内孔部における各種の物理的特性およびおよび上記滅菌剤を使用している一定の滅菌処理における各種の処理パラメーターに基づいて当該内孔部内の一定の位置において計算できる。 - 特許庁

This manufacturing method of the surface rugged structure comprises a process for forming grooves by irradiating the surface of a silicon substrate with a laser beam, and a process for forming the ruggedness on the silicon substrate by selectively etching the grooves by chemical etching.例文帳に追加

シリコン基板の表面にレーザー光を照射することで溝を形成する工程と、化学エッチングにより溝を選択的にエッチングすることでシリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする表面凹凸構造の作製方法により上記課題を解決する。 - 特許庁

In this resist development method for forming the fine pattern of a resist film on a substrate, a resist film is formed with chemical amplification system resist, and an alternating electric field is applied to a resist film on the substrate after an exposure process to expose the resist film and before the resist development process.例文帳に追加

基板上にレジスト膜の微細パタンを形成するレジスト現像方法において、レジスト膜を化学増幅系レジストで形成するとともに、レジスト膜を露光する露光工程の後で、かつ、レジスト現像工程の前に、基板上のレジスト膜に交番電界を印加する。 - 特許庁

This manufacturing method of a carbonaceous nanostructure includes: a process of preparing a nanohole structure 4b having a plurality of nanoholes 5; and a process of supplying raw material gas to at least one of the plurality of nanoholes 5 to deposit carbon on the inner surface of at least one nanohole 5 by chemical vapor phase epitaxy.例文帳に追加

複数のナノホール５を有するナノホール構造体４ｂを用意する工程と、複数のナノホール５の少なくとも一つの内部に原料ガスを供給して、化学気相成長法により、少なくとも一つのナノホール５の内表面に炭素を堆積させる工程とを包含する。 - 特許庁

To safely and stably obtain an excellent preventing, effect on the elution of heavy metals with a smaller amount of a heavy metal fixing agent to be added to uniformly adding and mixing the heavy metal fixing agent to the wet process shredder dust obtd. by a wet process sorting method without separately providing a chemical mixing device.例文帳に追加

別途薬剤混合装置を設けることなく、湿式選別方法で得られる湿式シュレッダーダストに重金属固定剤を均一に添加混合して、少ない重金属固定剤添加量で優れた重金属の溶出防止効果を安定かつ確実に得る。 - 特許庁

This method for manufacturing the resistance change material comprises the process of forming a thin film 11 containing Ti as a main component by a chemical vapor growth method, and the process of forming Ti oxide 12 functioning as the resistance change material by oxidizing the thin film 11.例文帳に追加

化学的気相成長法により、Ｔｉを主成分として含有する薄膜１１を形成する工程と、薄膜１１を酸化することにより、抵抗変化材料として機能するＴｉ酸化物１２を形成する工程とを含む抵抗変化材料の製造方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device having a process of etching a compound semiconductor with an etching solution, the etching solution includes chemical materials containing group 6B atoms as constitution elements, the atomic numbers of all group 6B atoms forming the chemical materials are 16 or above (e.g. all group 6B atoms forming the chemical materials are sulfur atoms), and the compound semiconductor is etched with the above etching solution.例文帳に追加

化合物半導体を溶液を用いてエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、エッチング溶液が、６Ｂ族原子を構成要素に含む化学物質を含有し、且つ該化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子の原子番号が１６以上（例えば、化学物質を構成する全ての６Ｂ族原子が硫黄原子）のものを用いて化合物半導体のウェットエッチングを行う。 - 特許庁

A method for deactivating a chemical substance having endocrine disruptor-like activity has a process for bringing ozone into contact with the chemical substance having endocrine disruptor-like activity contained in water to oxidize and deactivate the same and a process for reducing residual ozone in treated water after deactivation treatment by at least one of ozone decomposing catalyst treatment, aeration treatment and pH adjusting treatment.例文帳に追加

水中に含まれるホルモン様活性作用を有する化学物質を、その活性作用を失なった状態となるようにオゾンを接触させ酸化処理する工程及び不活化された処理水中の残留オゾンを、オゾン分解触媒処理、曝気処理およびｐＨ調整処理の少なくとも１つの処理により低減させる工程を有することを特徴とするホルモン様活性作用を有する化学物質の不活化方法。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a structured layer including a final periodic grating structure of a first material and a second material filling spaces between individual features of the final periodic grating structure; removing the second material using a first chemical process; and annealing at least a portion of the first material into a third material using a second chemical process.例文帳に追加

第１の材料の最終周期格子構造及び、最終周期格子構造における個々の構造（ｆｅａｔｕｒｅｓ）の間を充填する第２の材料で構成された構造層を形成する工程と、第１の化学プロセスを用いて第２の材料を除去する工程と、第２の化学プロセスを用いて第１の材料の少なくとも一部を第３の材料にアニールする工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method for forming metal wirings of a semiconductor element capable of easily forming copper wirings in a fine structure because of facilitating a selective copper vapor deposition using a copper precursor by implementing a plasma process or a radical plasma process and leaving a chemical reinforcing material layer only at the bottom of damacine patterns after a chemical reinforcing material layer accelerating the copper vapor deposi tion, is formed.例文帳に追加

銅蒸着を加速化させる化学的強化剤層を形成した後、プラズマ処理またはラジカルプラズマ処理を行ってダマシンパターンの底面にのみ化学的強化剤層を残留させることにより、銅前駆体を用いた銅の選択的蒸着工程を行なうことが出来るから、微細な構造における銅配線を容易に形成することが出来る半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

In a washing process of a semiconductor wafer 111 using the high temperature chemical 116 by a semiconductor wafer washing device, lowering of chemical temperature caused by heat absorption to a washing chamber 101 and its inside (the semiconductor wafer 111, a rotor 112, or the like) generated just after beginning of washing is prevented.例文帳に追加

半導体ウェハ洗浄装置による高温薬液１１６を用いた半導体ウェハ１１１の洗浄工程において、洗浄開始直後に発生する洗浄チャンバー１０１及びその内部（半導体ウェハ１１１及びローター１１２等）への熱吸収に起因する薬液温度降下を防止する。 - 特許庁

The surface treatment method of magnesium and a magnesium alloy is characterized by treating a molded magnesium and magnesium alloy product through a combined process indispensably including a combination of four base processes comprising a degreasing treatment, a chemical polishing treatment, a chemical conversion treatment and electrodeposition coating, wherein the compositions of treating solutions are predetermined and/or management conditions and treatment operation conditions are predetermined.例文帳に追加

処理溶液の組成を特定し、および又は、その管理条件および処理操作条件を特定した、脱脂処理、化学研磨処理、化成処理および電着塗装の４つの素工程の複合を不可欠とする複合工程で処理することを特徴とするマグネシウムおよびマグネシウム合金の表面処理方法。 - 特許庁

To provide a gas supply unit and a chemical vapor deposition apparatus with which by-products resulting from a chemical vapor deposition process is immediately exhausted, so that a high quality thin film is deposited on the surface of a deposition object, a cleaning cycle for the inside of a chamber is extended, for greater productivity.例文帳に追加

本発明は、化学気相蒸着工程時に発生する反応副産物を素早く排出することにより、被蒸着体の表面に高品質の薄膜を形成でき、チャンバ内部のクリーニングサイクルが延ばされ、生産性を向上させることができるガス供給ユニット及び化学気相蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that a chemical liquid cannot enter a hole easily by the influence of centrifugal force by the rotation of a semiconductor substrate and that of surface tension operating between a cleaning chemical liquid and the sidewall of a fine hole, in a cleaning process of the fine hole having high aspect ratio by a sheet type cleaning apparatus.例文帳に追加

枚葉式洗浄装置による高アスペクト比の微細孔の洗浄過程において、半導体基板の回転による遠心力の影響と、洗浄薬液と微細孔の側壁との間に作用する表面張力の影響とで薬液が孔内に入り込むことが難しく洗浄が困難である。 - 特許庁

The chemical strengthening process includes: a first stage where a glass substrate is brought into contact with a chemical strengthening treatment liquid containing first ions having an ionic radius larger than that of alkali metal ions in flat glass; and stages on and after the second one where the flat glass is brought into contact with a treatment liquid containing ions on and after the second stage, which are bivalent ions.例文帳に追加

化学強化工程において、板状ガラス中のアルカリ金属イオンよりもイオン半径の大きい第１のイオンを含有する化学強化処理液にガラス基板を接触させる第１工程と、２価イオンである第２以降のイオンを含有する処理液に板状ガラスを接触させる第２以降の工程とを有する。 - 特許庁

To provide a method for modifying the surface of a fluororesin-based molding enabling to impart sufficient adhesivity by using physical modification and chemical modification combinedly, without risk, and achieving simplification of treatment by conducting the physical modification and the chemical modification in one process.例文帳に追加

危険性を伴わず、物理的改質と化学的改質を併用することで充分な接着性を付与することができ、かつ、前記物理的改質と化学的改質を一工程で行うことで、処理の簡素化が実現された、フッ素樹脂系成形物の表面改質方法を提供することである。 - 特許庁

To provide metal polishing composition, having quick polishing speed and being capable of improving wiring metal/barrier metal selectivity in polishing, while capable of suppressing the generation of erosion in a surface to be polished, upon employing for chemical mechanical polishing, in the manufacturing process of a semiconductor device, and to provide a chemical mechanical polishing method that uses the composition.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨に用いた際に、研磨速度が迅速であり、研磨における配線メタル／バリアメタル選択性を向上でき、且つ、被研磨面におけるエロージョンの発生を抑制しうる金属研磨用組成物、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法の提供。 - 特許庁

To swiftly and suitably guide working parts of a metallic material such as aluminum or the like to a treating soln., to progress the treatment without being disturbed by bubbles generated in the process of the operation as well and to improve the productivity with respect to a chemical milling device which works the working parts by chemical treatment.例文帳に追加

アルミ等金属材の加工部品を化学的処理により加工するケミカルミーリング装置において、加工部品を処理液中に迅速、かつ、適切に案内し、また作業中に発生する泡にも妨げられず処理を進行可能とし、生産性の向上を図るようにしたものを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of eliminating the problem of environmental pollution caused by disposal of dump liquid which is electrolyte liquid containing free sulfuric acid exhausted after chemical treatment at manufacturing process of a lead-acid storage battery, by re-using the dump liquid as electrolyte liquid for chemical reaction or by processing it so as to be used as an electrolyte liquid for manufacturing a battery.例文帳に追加

鉛蓄電池の製造過程で、化成処理後排出せしめた遊離硫酸電解液、即ち、ダンプ液を廃棄することなく、これを、化成用電解液として再利用したり、電池製造用電解液として使用できるよう処理し、ダンプ液の廃棄による環境汚染問題を解消する処理法を提供する。 - 特許庁

The device for the chemical decontamination of radioactivity utilizes a method for the chemical decontamination of radioactivity equipped with a process for soaking an object to be decontaminated which is contaminated with radioactive substances in a decontamination liquid consisting of formic acid and oxalic acid, dissolving the surface of the object by lowering the electric potential of it to its corrosion range and separating and removing metal ions in the decontamination liquid with a cation exchange resin.例文帳に追加

放射性物質で汚染された除染対象物をギ酸とシュウ酸からなる除染液に浸漬し前記除染対象物の電位を腐食領域まで下げて前記除染対象物の表面を溶解し、前記除染液中の金属イオンを陽イオン交換樹脂で分離し除去する構成とする。 - 特許庁

To provide a coating composition for a porous substrate prevented from penetration into the porous substrate and capable of giving a coating film excellent in weather resistance, water resistance, chemical resistance, stain- proofing properties, waterproofness and adhesive strength in a simple process.例文帳に追加

多孔質基材への浸透を抑え、耐候性、耐水性、耐薬品性、防汚性、防水性、接着強度に優れた塗膜を簡単な工程で形成し得る多孔質基材用コーティング組成物を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a circuit board, production process is simplified and manufacturing cost is reduced by forming a seed layer of a circuit on a base film through deposition, chemical plating or sputtering.例文帳に追加

かゝる本発明は、ベースフイルム上に回路のシード層を、蒸着、化学メッキ、又はスパッタによって形成する回路基板の製造方法にあり、これによって、工程の簡略化が図られ、コストダウンが達成される。 - 特許庁

To provide a filter glass which is excellent in chemical durability, is good in absorption characteristics at the wavelength of 700 nm even in a thin plate having the thickness of about 0.3 mm, has high thermal shock resistance and is easy in thinning process.例文帳に追加

化学的耐久性に優れ、肉厚０．３ｍｍ程度の薄板でも７００ｎｍにおける吸収特性が良好で、なおかつ耐熱衝撃性が高く薄肉への加工が容易なフィルタガラスを供給すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device, by which even a step bunching with large unevenness is flattened and the need for a polishing process such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) for the flattening is eliminated.例文帳に追加

凹凸の大きいステップバンチングに対しても平坦化可能で、かつ平坦化にあたりＣＭＰ研磨などの研磨工程を必要としない炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a membrane module by which the effective flow recovery of the membrane module can be realized in the process of chemical cleaning of the membrane module used for oil water separation to remove emulsified oil from waste oil containing oil.例文帳に追加

含油廃油から乳化油を除去するための油水分離で使用した膜モジュールの薬品洗浄において、膜モジュールの流量化を有効に回復させうる膜モジュールの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which is excellent in performances such as sensitivity transmittance, insulation and chemical resistance, remarkably improves flatness and coating property in particular, and is suitable for forming an interlayer insulating film in a process for fabricating LCD, etc.例文帳に追加

感度、透過率、絶縁性、耐化学性等の性能が優れており、特に、平坦性及びコーティング性を著しく向上させ、ＬＣＤ等製造工程の層間絶縁膜等の形成に適した感光性樹脂組成物。 - 特許庁

To provide a heating method for strictly controlling the diameter of a glass tube, particularly the outside diameter and/or the inside diameter of the glass tube in a process of heating the glass tube for example, in the modified chemical vapor deposition (MCVD) method or the collapse method.例文帳に追加

例えばＭＣＶＤ法やコラプス等における、ガラス管を加熱する工程において、ガラス管の径、特に被加熱部分のガラス管の外径及び／又は内径を厳密に制御するための加熱方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a laminated composite material which allows the reduction of the production cost and does not cause mutual peeling between its component materials even when a chemical agent is used in a process using the composite material.例文帳に追加

製造コストを低減できるともに、積層型複合材料を使用する過程で薬剤を使用しても積層型複合材料の材料同士が剥離することがない積層型複合材料の製造。 - 特許庁