「Chemical Process」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the occurrence of crack on the inside surface of a glass tube base material in a process for vapor-depositing a glass component on the inside surface of the glass tube base material with the excitation of plasma inside the glass tube base material by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

プラズマＣＶＤによりガラス管基材の内部にプラズマを励起させて当該ガラス管基材の内面にガラス成分を蒸着させるプロセスを行うに際して、ガラス管基材の内面にクラックを生じさせない。 - 特許庁

This method comprises the following process: a new microorganism, Pseudomonas putida N 210 strain (Pseudomonas putida N210; FERM P-17744) is cultured in a medium containing 6-phenylhexanoic acid, and then a polythydroxyalkanoate composed mainly of the monomer unit which is represented by chemical formula (1) is prepared by extracting the polyhydroxyalkanoate accumulated in the bacteria.例文帳に追加

６−フェニルヘキサン酸を含む培地で新規微生物シュードモナス・プチダ・Ｎ２１０株（Pseudomonas putida N210；ＦＥＲＭ Ｐ−１７７４４）を培養したのち、菌体に蓄積するポリヒドロキシアルカノエートを抽出することにより、化学式（Ｉ）： - 特許庁

To effectively raise or keep temperatures of treatment liquids in a degreasing tank and a chemical conversion tank both for immersing the above automotive body therein, in a process for coating the automotive body, and to reduce a cost for keeping the temperatures of the liquids.例文帳に追加

自動車用ボディの塗装工程において、前記自動車用ボディが浸される脱脂槽および化成槽における処理液の温度を効率的に昇温または保持し、液温を維持するためのコストの低減を図る。 - 特許庁

To obtain an improving agent for breadmaking use having excellent workability and giving bread having good quality without using an improving agent originated from a food additive synthesized by chemical process by using a useful vegetable fruit containing a prescribed amount of vitamin C in a solid phase as an active component.例文帳に追加

改良剤として化学的合成品である食品添加物を使用することなく、製造工程の作業性に優れ、品質の良好なパン類を得る改良剤および製パン方法の開発を目的とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor wafer of an end surface shape which can reduce a stress produced by a collision between an end surface of the semiconductor wafer and a retainer ring in a CMP (chemical mechanical polishing) and can decrease a fraction defective by chipping in the CMP process.例文帳に追加

ＣＭＰ工程で、半導体ウェハの端面とリテーナリングとの衝突により発生する応力を小さくでき、ＣＭＰ工程におけるチッピングによる不良率を小さくできる端面形状の半導体ウェハを得ることである。 - 特許庁

To provide a cleaning apparatus for effectively cleaning a metal stuck to a tool in the tool used in a dry etching apparatus, a CVD (chemical vapor deposition) apparatus, or the like, used in a process for manufacturing a semiconductor, a liquid crystal substrate or a solar battery.例文帳に追加

半導体又は液晶基板、太陽電池の製造過程で使用されるドライエッチング装置、ＣＶＤ装置などで使用される冶具に対して、この冶具に付着した金属を有効に洗浄する洗浄装置を実現すること。 - 特許庁

To provide a treating method of waste liquid which can efficiently treat waste liquid discharged from in a chemical mechanical polish process (CMP waste liquid), containing colloidal silica, copper compounds, hydrogen peroxide, and COD components, and stably obtain high-quality treated water at a low cost.例文帳に追加

コロイド状シリカ，銅化合物，過酸化水素およびＣＯＤ成分を含有するＣＭＰ廃液等を効率よく処理でき、安定して、安価で高品質な処理水を得ることができる廃液の処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a gray tone mask having chemical resistance (for example, against sulfuric acid) and mechanical strength required for a mask process, necessary for techniques to reduce a cost in manufacturing a liquid crystal color display, and having excellent processability and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

マスク加工プロセスに必要な耐薬品性（硫酸に対して等）及び機械強度をもち、液晶カラーディスプレイ製造のコストダウン化技術に必要であり、優れた加工性を有したグレートーンマスク及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing metal/carbon nanotube composite using electroplating in order to solve problems remaining in growth form at the time of high temperature growth taking place through the conventional chemical vapor deposition process.例文帳に追加

従来の化学気相蒸着方法を通じてなされる高温成長の際の成長形態に残存する問題を解決するために、電気メッキ方法を利用する金属／炭素ナノチューブ複合材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for producing the cyclic olefin ring-opened polymer includes a process for ring-opening-polymerizing a monomer containing a cyclic olefin compound expressed by chemical formula (A), using a ruthenium catalyst as a ring-opening polymerization catalyst.例文帳に追加

環状オレフィン系開環重合体の製造方法は、下記化学式（Ａ）で表される環状オレフィン化合物を含む単量体を、開環重合触媒としてルテニウム触媒を用いて開環重合する工程を有する。 - 特許庁

To provide a novel (aryl)difluoroacetic acid ester derivative which is useful as a drug and an agricultural chemical and synthetic intermediates thereof and a process for simply and efficiently producing the (aryl)difluoroacetic acid ester derivative.例文帳に追加

本発明は、医農薬およびそれらの合成中間体として有用な、新規な（アリール）ジフルオロ酢酸エステル誘導体及び（アリール）ジフルオロ酢酸エステル誘導体の簡便でかつ効率の良い製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, where a layer is improved in uniformity through its surface so as to be enhanced in performance and reliability when the layer in a disused region is polished in a process where a CMP(chemical mechanical polishing) method is used.例文帳に追加

ＣＭＰ法を使用して、不要な領域の層を研磨する工程を有する場合、面内均一性が向上できて、層の高性能化および高信頼度化ができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By the use of physical adsorbent and chemical adsorbent media, the gas cabinet can be enhanced in safety of operation when process gas supplied from the gas cabinet is of a toxic or hazardous property, for instance.例文帳に追加

たとえば、ガスキャビネットから供給された処理ガスが、有毒又は有害な特性のものである場合、ガスキャビネットは、物理的吸着剤及び化学吸着媒体の使用によって、運転の安全面で強化されることが可能である。 - 特許庁

The polishing solution for metals is used for the chemical mechanical polishing in a semiconductor device manufacturing process, and contains a polymer having an azole group with three or four nitrogen atoms at a side chain, an oxidant, and organic acid.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨に用いられ、窒素原子を３または４つ有するアゾール基を側鎖に有するポリマー、酸化剤および有機酸を含有することを特徴とする金属用研磨液。 - 特許庁

To provide a manufacturing method based on a hot process for solid soap using no chemical antiseptic/disinfectant for safety and harmlessness to both of a human body and an environment and exhibiting high detergency and excellent sterilization and deodorant characteristics.例文帳に追加

化学的な殺菌剤や消毒剤を使用せずに、人体にも環境にも安全無害であり、かつ高い洗浄力と、優れた殺菌及び消臭力を有する固形石鹸のホットプロセスによる製造方法を提供する。 - 特許庁

To elucidate the chemical structures of the polypeptides of erythrose reductases III, II and I and the genes encoding the polypeptides in order to establish an effective production process for erythritol and a strain of microorganism producing the same, and provide methods for utilizing them.例文帳に追加

エリスリトールの効率的な製造方法、並びにその生産菌を確立するために、エリスロース還元酵素III型、II型及びＩ型のポリペプチド、及び該ポリペプチドをコードする遺伝子の構造を解明し、これらの利用方法を提供すること。 - 特許庁

In this chemical process, an oxide sintered body including an alkali metal element, silica and/or alumina are characteristically used as a filler for preliminarily heating the starting gas and/or as a supporter for fixing the position of the catalyst.例文帳に追加

アルカリ金属元素とシリカおよび／またはアルミナとを含有して成る酸化物焼結体を、前記原料ガスの予熱のための充填材としておよび／または前記触媒の位置固定のための支持材として用いることを特徴とする。 - 特許庁

The step of forming an oxide electrode layer includes a process for causing the chemical reaction of an organic metal material containing a metal component of a conductive oxide and oxygen while supplying them and depositing a film of a reaction product.例文帳に追加

酸化物電極層を形成する工程は、導電性酸化物の金属成分を含有した有機金属材料と酸素とを供給しかつ化学反応させるとともに、その生成物を成膜する成膜プロセスを含む。 - 特許庁

This method for electroless plating includes dividing a precipitation process into several steps, and removing the catalyst of the part in which the plated layer has not been formed, between every steps by either one or both of washing or chemical etching.例文帳に追加

また、無電解メッキの処理において、メッキ析出を複数の段階に分け、各段階の中間工程でメッキ層が形成されない部分の触媒を洗浄及び化学的エッチングのいずれか一方または両方によって除去する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing (CMP) process employing chemically active slurry having polarity selected to have an effect on the relative oxidation rate of respective crystal faces of a polished polycrystalline surface.例文帳に追加

研磨されている多結晶表面のそれぞれの結晶面の相対的酸化速度に影響を及ぼすように選択された極性を有する、化学的に活性なスラリーを用いる化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを提供すること。 - 特許庁

To provide a fullerene-containing polymer material without chemical modification of fullerene, and a slightly soluble fullerene homogenously and massively dispersed in a synthetic polymer without phase separation, and a process for its production.例文帳に追加

本発明は、フラーレンを化学修飾すること無しに、難溶性であるフラーレンを相分離することなく合成高分子中に均一に多量に分散させたフラーレン含有高分子材料、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The divulged form of the invention settles the conventional technical issue by excluding whatever catalytic activity on the surface of the silica in the process of acquiring the image color fading fastness and the moisture fastness through a chemical modification of the silica.例文帳に追加

開示した実施態様は、シリカの化学的な変性によって画像退色及び湿気堅牢度に向かうシリカ表面のいかなる触媒活性も排除するという点において従来技術における課題を解決する。 - 特許庁

To provide a positive type radiation sensitive composition used as a positive type chemical amplification resist and having such high process admissibility as to ensure excellent resolving power and pattern profile even if considerable time elapses from the end of exposure to post-heating.例文帳に追加

ポジ型化学増幅レジストにあって、露光した後、後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られるプロセス許容性が大きいポジ型感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a source solution for bismuth compound that can reduce the use of the solvent in the formation of bismuth-containing thin film through the chemical vaporization deposition (CVD) process and can give the thin film of good flatness over a wide range of the substrate temperature.例文帳に追加

溶液気化ＣＶＤ法によるビスマス含有薄膜の作製において溶媒の使用量を少なくすることができ、かつ広い基板温度範囲で平坦性の良い膜が得られる、ビスマス化合物の原料溶液を提供する。 - 特許庁

To provide a raw material for cosmetics that replaces the conventional raw materials and can be produced not through a chemical synthetic process and has a variety of actions, e.g. antimicrobial, fungicidal, antioxidant, oxidation prevention action and lipolysis action.例文帳に追加

従来の化粧品原料に代わる、化学的な合成によらないで製造することができ、しかも抗菌・殺菌作用、抗酸化作用、防酸化作用、脂肪分解作用等の多種の作用をもつ化粧品原料を提供する。 - 特許庁

To provide a high density plasma chemical vapor deposition apparatus in which a PID phenomenon is suppressed while maintaining gap fill capability at a forming process for an HDP CVD, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

ＨＤＰ ＣＶＤの形成工程時にギャップフィル能力を維持しながらも、ＰＩＤ現象を抑制できる高密度プラズマ化学気相蒸着装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas barrier layer forming process is composed of a process of forming a first gas barrier layer 30a on the second electrode 50 by a physical vapor deposition method, and a process of forming a gas barrier layer 30b on the first gas barrier layer 30a by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加

基体２００上に、第２の電極５０の基体２００上で露出する部位を覆った状態でガスバリア層３０を形成するガスバリア層形成工程を有し、ガスバリア層形成工程が、物理的気相蒸着法によって第２の電極５０上に第１のガスバリア層３０ａを形成する工程と、化学的気相蒸着法によって第１のガスバリア層３０ａ上に第２のガスバリア層３０ｂを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

This treatment method of silicon wafers includes a polishing process 12 for polishing the surface of a wafer where chemical etching treatment 11 is performed by polishing liquid containing a polishing particle, a first washing process 17 for washing the surface of the wafer by first washing liquid containing hydrogen peroxide and ammonium hydroxide, and a second washing process 18 for washing the surface of the wafer by second washing liquid containing the hydrogen peroxide and diluted hydrochloric water acid.例文帳に追加

研磨粒子を含む研磨液を用いて化学エッチング処理１１を施したウェーハの表面を研磨する研磨工程１２と、ウェーハの表面を過酸化水素と水酸化アンモニウムを含む第１洗浄液により洗浄する第１洗浄工程１７と、ウェーハの表面を過酸化水素と希塩酸を含む第２洗浄液により洗浄する第２洗浄工程１８とを含むシリコンウェーハの処理方法である。 - 特許庁

For example, when a chemical substance is described merely by its name or its chemical formula in a publication and the description does not show the manufacturing process clearly enough that a person skilled in the art is able to manufacture the substance on the basis of the common general knowledge as of the filing, the chemical substance is not included in "cited inventions." (Note that this does not mean that the claim violates the enablement requirement under Article 36(4)(i) where the publication is a patent application claiming the chemical substance as one of the alternatives described in the Markush form.) 例文帳に追加

したがって、例えば、刊行物に化学物質名又は化学構造式によりその化学物質が示されている場合において、当業者が本願出願時の技術常識を参酌しても、当該化学物質を製造できることが明らかであるように記載されていないときは、当該化学物質は「引用発明」とはならない（なお、これは、当該刊行物が当該化学物質を選択肢の一部とするマーカッシュ形式の請求項を有する特許文献であるとした場合に、その請求項が第36条第4項第1号の実施可能要件を満たさないことを意味しない）。 - 特許庁

To provide a chemical reaction apparatus capable of suppressing heat loss and avoiding deterioration of hydrogen recovery rate while lowering the deterioration of performance in long-term use in the chemical reaction apparatus which increases a hydrogen recovery rate by absorbing the carbon dioxide being a by-product by using a carbon dioxide absorber in the process of forming hydrogen from a gaseous starting material.例文帳に追加

原料ガスから水素を生成させる過程で二酸化炭素吸収体を用いて副生成物である二酸化炭素を吸収させることで水素の回収率を上昇させる方式の化学反応装置において、長期の使用における性能低下を小さくしつつ、熱損失を抑え及び水素回収率を低下させない化学反応装置を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing the compound thermoelectric material comprises: a step of mixing powders of constituent elements at the measurement ratio corresponding to the chemical composition; a step of producing compound powder having the chemical composition by subjecting the powder mixture to a high-energy ball milling process or mechanical alloying; and a step of subjecting the produced compound powder to spark plasma sintering to harden and form the powder.例文帳に追加

この化合物熱電材料の製造方法は、上記化学組成に対応する計量比で各成分元素の粉末を配合し、配合された粉末混合物に高エネルギ・ボールミル過程または機械合金化を行うことにより上記化学組成の化合物粉末を生成し、生成された化合物粉末に放電プラズマ焼結を行なうことにより硬化成形する。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical processing method and apparatus using magnetic fine particles capable of processing a difficult-to-process workpiece, especially SiC, GaN, etc. with high processing efficiency and with high precision based on a processing principle utilizing a catalytic action enabling the chemical reaction introducing no lattice defect into the surface of the workpiece, and capable of obtaining a crystallographically excellent processed surface.例文帳に追加

本発明は、被加工物表面に格子欠陥が導入されない化学的な反応が可能な触媒作用を利用した加工原理に基づき、難加工物、特にＳｉＣやＧａＮ等を、加工効率が高く且つ高精度に加工することができ、結晶学的に優れた加工面が得られる磁性微粒子を用いた触媒化学加工方法及び装置を提案する。 - 特許庁

To provide a chemical substance management system which grasps each amount of input of raw material to be input in each production process or each production equipment and grasps and controls the amount of discharge of the chemical substance to atmosphere, soil and waters from each of production processes and production equipment.例文帳に追加

複数の生産プロセス又は生産設備を有し原材料物質貯蔵設備を共有している化学プラントにおいて、各生産プロセス又は各生産設備に投入される原材料物質の各々の投入量を把握し、化学物質の大気、土壌及び水域等の生産プロセス又は生産設備の外部への排出量を把握及び管理する化学物質管理システムを提供。 - 特許庁

In the method for suppressing the generation of the scale by supplying an oxidation suppressing chemical on the surface of the rolled steel material in a hot rolling process, an aqueous solution containing one or more of ascorbic acid, a derivative of ascorbic acid, and a metallic salt of ascorbic acid is used as a oxidation suppressing chemical.例文帳に追加

熱間圧延工程で、圧延鋼材表面に酸化抑制剤を供給することによりスケール生成を抑制する方法において、上記酸化抑制剤としてアスコルビン酸、アスコルビン酸の誘導体およびアスコルビン酸の金属塩のうちの１種または２種以上を含む水溶液を用いることを特徴とする熱間圧延鋼材表面のスケール生成抑制方法。 - 特許庁

To provide a composition for polishing metals which has the high selecting ratio of the polishing speed of a titanium barrier layer to the polishing speed of a conductive metal, and provide a chemical mechanical polishing method using the composition for polishing metals, in the chemical mechanical polishing process for semiconductor devices which suppresses effectively the occurrence of dishing and uses the titanium barrier layer while achieving a high polishing speed.例文帳に追加

高い研磨速度を達成しつつ、ディッシングの発生を効果的に抑制するとともに、チタンからなるバリア層を用いた半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、チタンからなるバリア層と導電性金属との研磨速度の選択比が高い金属研磨用組成物および該金属研磨用組成物を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The manufacturing method of an electrode material for an electrochemical device makes a solid material like acarbon material having electron conductivity independent from a chemical reaction coexist in a reaction solvent by hydrothermal reaction, at least before completion of the chemical reaction, in the middle of a process of obtaining metal element-containing chalcogen for the electrochemical device.例文帳に追加

水熱化学反応により電気化学デバイス用の金属元素含有カルコゲン化合物を得る工程の中間状態において、少なくとも前記化学反応の完結前までに、反応溶媒中に、電子伝導性を有し前記化学反応に組み込まれない炭素材料等の固体材料を共存させることを特徴とする電気化学デバイス用電極材料の製造方法 - 特許庁

To provide an electroplating method for a circuit board, which provides a plated film of high quality even on a minute conductor surface by surely removing air bubbles in a chemical solution, which are trapped on the conductor surface, without requiring a large remodeling of a present plating equipment, in a continuous, chemical treatment process for electrolytically depositing metal on the conductor of the circuit board.例文帳に追加

回路基板の導体上に電気メッキで金属を析出させるための連続した薬液処理工程において、現有のメッキ装置の大幅な改造を必要とせずに、薬液中で導体表面に付着する気泡を確実に除去して、微細な導体表面においても高品質なメッキ皮膜を得ることができる回路基板の電気メッキ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a porcelain composition excellent in oxygen permeability in an industrial process for selectively passing and separating oxygen and a process for partially oxidizing hydrocarbon with an oxide ion mixed conductor to provide a composite material comprising a dense continuous layer of a mixed conductor utilizing the porcelain composition and a porous support and to provide an oxygen separator and a chemical reactor.例文帳に追加

酸化物イオン混合伝導体による酸素の工業的選択透過・分離プロセス及び炭化水素の部分酸化プロセスにおいて、酸素透過特性の優れる磁器組成物、該磁器組成物を利用した混合伝導体緻密質連続層と多孔質支持体との複合材料、酸素分離装置、及び化学反応装置を提供する。 - 特許庁

To provide a material which is easily formed by a computer-aided milling process and a computer-aided trimming process, which is subsequently converted to a high strength dental product exhibiting high chemical durability and excellent optical properties, where the shrinkage during final conversion is little and where all these properties are achieved without needing ZnO.例文帳に追加

コンピュータ支援ミリングプロセスおよびコンピュータ支援トリミングプロセスによって容易に成形され得、その後、高い化学的耐性と優れた光学特性とを示す高強度の歯科用製品へと変換され得、そして上記最終変換の間に示す収縮がかなり小さく、そしてこれらの特性全てが、ＺｎＯを必要とせずに達成される材料を提供すること。 - 特許庁

The thin ferroelectric films having uniaxial preferential orientability are manufactured by forming ≥2 kinds of the thin ferroelectric films having a plurality of kinds of the preferential orientability on a polycrystalline Pt film formed on a substrate of any among a single crystal, polycrystals, or amorphous material by using an a chemical solution deposition process and an arc discharge reactive ion plating process.例文帳に追加

化学溶液堆積法とアーク放電反応性イオンプレーティング法を用いて、単結晶、多結晶、非晶質の何れかの基体上に形成された多結晶のＰｔ膜上に、２種類以上の複数種の優先的な結晶配向性の強誘電体酸化物薄膜を形成し、１軸優先配向性の強誘電体薄膜を作製する。 - 特許庁

In the surface wave excitation plasma CVD device 100, a material gas comprising silicon element is introduced into a chamber 1 by at least one of an upper surface side introduction tube and a side surface side introduction tube 7, and a process gas which makes material gas cause chemical reaction by activation by surface wave excitation plasma P is introduced into the chamber 1 by a process gas introduction tube 5.例文帳に追加

表面波励起プラズマＣＶＤ装置１００は、シリコン元素を含む材料ガスを上面側導入管および側面側導入管７の少なくとも一方によりチャンバー１内に導入し、表面波励起プラズマＰにより活性化して材料ガスに化学反応を起こさせるプロセスガスをプロセスガス導入管５によりチャンバー１内に導入する。 - 特許庁

To provide a film forming method which converts a deposited metal by CVD to a conformal and flat form film with a good followability to a substrate surface, by intermediate heat treatment during a deposition process of the metal, or by post-heat treatment after the end of the deposition process to cause a reflowing phenomenon to the deposited metal, and to provide a chemical vapor deposition apparatus.例文帳に追加

ＣＶＤによる金属堆積物を堆積工程実行中に中間熱処理するか、又は堆積工程終了後に後熱処理することによって堆積金属にリフロー現象を起こし、基材表面に対する追随性が良いコンフォーマルで平坦な膜状に改善できる成膜方法及び化学気相蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

The cleaning liquid for a semiconductor device substrate is provided which is used after a chemical mechanical polishing process in a semiconductor device manufacturing process and contains a nonionic surfactant represented by general formula (I), an organic acid and polyethylene glycol with a number average molecular weight of 5,000 or less, and has a pH of 5 or lower, and a cleaning method using the cleaning liquid.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄液であって、下記一般式（Ｉ）で表されるノニオン性界面活性剤と有機酸と数平均分子量５０００以下のポリエチレングリコールとを含み、かつ、ｐＨが５以下である半導体デバイス用基板の洗浄液、及びそれを用いた洗浄方法。 - 特許庁

This method has a process in which an insulating film 4 containing an organic siloxane as a main component and an organic component having no chemical bonding with the organic siloxane is formed on a semiconductor substrate 1; and a process in which plasma treatment is applied to the insulation film 4 to remove the organic component, and to form a modified layer 5 on the surface of the insulating film 4.例文帳に追加

半導体基材１上に有機シロキサンを主成分としこの有機シロキサンと化学結合のない有機成分を含む絶縁膜４を形成する工程と、この絶縁膜４にプラズマ処理を行うことによって有機成分を除去するとともに絶縁膜４の表面に改質層５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To improve throughput in a thin display panel manufacturing process while reducing manufacturing cost of a glass sheet, and to reduce heat shrinkage of the glass sheet in a p-Si TFT manufacturing process, by inventing an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), ensures a fast etching rate for a hydrofluoric acid-based chemical solution, and has a high strain point.例文帳に追加

生産性（特に耐失透性）に優れると共に、フッ酸系薬液に対するエッチングレートが速く、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、薄型のディスプレイパネルの製造工程において、スループットを向上させ、更にｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減する。 - 特許庁