「DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(360ページ目) - Weblio英語例文検索

Wavelength distribution is made wide by providing the diode with a light emitting element 3 which emits specified wavelength light and fluorescent layer 5 which comprises at least two kinds of phosphors 8, 9 each of which emits fluorescence whose wavelength is different from that of light of the light emitting element 3 by being excited by light from the light emitting element 3, and is arranged to cover the light emitting element 3.例文帳に追加

所定の波長光を発する発光素子３と、発光素子３からの光により励起されて発光素子３の光と異なった波長の蛍光をそれぞれ発する少なくとも２種類の蛍光体８，９を含有し、発光素子３を覆うように配置された蛍光層５とを備えることにより、波長分布を広くする。 - 特許庁

A fabrication process of a Schottky barrier diode comprises a step for forming an n-type SiC layer 10, a step for forming a trench 30 on the surface of the n-type SiC layer 10, and a step for heat treating the n-type SiC layer 10 while supplying silicon and nitrogen to the surface of the n-type SiC layer 10 after the step for forming a trench 30.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法は、ｎ型ＳｉＣ層１０を形成する工程と、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０を形成する工程の後で、ｎ型ＳｉＣ層１０の表面にケイ素と窒素とを供給した状態でｎ型ＳｉＣ層１０を熱処理する工程とを備えている。 - 特許庁

This light emitting diode module comprises a light emitting chip 22, a fluorescent layer 25 made of a fluorescent material which excites a light, emitted from the light emitting chip 22, to a light having wavelength longer than the former light, and a reflection plate 28 arranged between the light emitting chip 22 and the fluorescent layer 25 to reflect the light excited by the fluorescent layer 25.例文帳に追加

発光チップ２２と、発光チップ２２から放出された光を前記光の波長より長波長の光に励起させる蛍光物質からなる蛍光層２５と、発光チップ２２と蛍光層２５との間に配置されて、蛍光層２５で励起された光を反射させる反射板２８と、を備えることを特徴とする発光ダイオードモジュールである。 - 特許庁

To achieve a high luminance liquid crystal display screen by shortening the distance from a light emitting element to the incident face of a light guide plate when a light emitting diode is utilized as the light source for back light of the liquid crystal display screen thereby increasing the incident angle of light being led from the light emitting element to the light guide plate along with the quantity of incident light.例文帳に追加

発光ダイオードを液晶表示画面のバックライト用の光源として利用する場合に、発光素子から導光板の入射面までの距離を小さくすることで、発光素子から導光板に導かれる光の入射角を大きくとると共に入射光量を増大させ、液晶表示画面の高輝度化が達成できるようにする。 - 特許庁

This semiconductor light-emitting element (light-emitting diode element) comprises: a support substrate 1; a first junction layer 2a formed on the support substrate 1; a second junction layer 2b formed on the first junction layer 2a; a third junction layer 2c formed on the second junction layer 2b; and a semiconductor element layer 3 formed on the third junction layer 2c.例文帳に追加

この半導体発光素子（発光ダイオード素子）は、支持基板１と、支持基板１上に形成された第１接合層２ａと、第１接合層２ａ上に形成された第２接合層２ｂと、第２接合層２ｂ上に形成された第３接合層２ｃと、第３接合層２ｃ上に形成された半導体素子層３とを備えている。 - 特許庁

As for the image forming device, a thermistor as a temperature detecting means for detecting a temperature in a developing device 4 is integrally formed with a T sensor 42, and the duty of PWM supplied to the laser diode of a laser optical system 3 is changed, based on the detection results of the thermistor, then, constant image density is obtained, irrespective of the temperature variation of developer.例文帳に追加

上記現像装置４内の温度を検出する温度検出手段としてのサーミスタをＴセンサ４２と一体に設け、該サーミスタによる検出結果に基づいて、レーザ光学系３のレーザダイオードに供給されるＰＷＭのデューティを変更し、これにより現像剤の温度変動にかかわらず一定の画像濃度が得られるようにする。 - 特許庁

This switching power supply unit consists of a diode bridge 10 and a smoothing capacitor 12, a harmonic current suppression coil 21, a complex resonance type converter circuit 30, a monitor circuit 60 for outputting a control signal, and a coil 51 magnetically, coupled to the coil 21, as well as a monitor feeder circuit 50 for supplying power to the monitor 60.例文帳に追加

ダイオードブリッジ１０及び平滑コンデンサ１２と、高調波電流抑制用のコイル２１と、複合共振型のコンバータ回路３０と、コンバータ回路３０の出力電流を監視し、制御信号を出力する監視回路６０と、コイル２１に磁気結合されたコイル５１からなり、監視回路６０へ電源を供給する監視用給電回路５０とを備える。 - 特許庁

In this earth leakage breaker 1, a capacitor 13 is connected between a fourth pin of a differential amplifier output terminal of an integrated circuit 6 and a ground line 12, and a resistor 14 is connected in parallel with the capacitor 13 to compose an integration circuit 15; and a backflow-preventing diode 16 is connected between the integration circuit 15 and the fourth pin of the integrated circuit 6.例文帳に追加

漏電遮断器１は集積回路６の差動増幅器出力端子である４番ピンとグランドライン１２との間にコンデンサ１３を接続し、コンデンサ１３と並列に抵抗１４を接続して積分回路１５を構成し、積分回路１５と集積回路６の４番ピンとの間に逆流防止用のダイオード１６を接続する。 - 特許庁

The line 10 for adjusting impedance is constituted so that power of the higher harmonics generated in the diode 11 based on a high frequency signal and outputted from the port P4 when the high frequency signal is inputted in the port P2 at a state that the ports P2, P4 are connected becomes smaller than in the case that there is no line 10 for adjusting impedance.例文帳に追加

インピーダンス調整用線路１０は、ポートＰ２，Ｐ４が接続された状態でポートＰ２に高周波信号が入力されたときに、高周波信号に基づいてダイオード１１において発生されてポートＰ４より出力される高調波の電力が、インピーダンス調整用線路１０がない場合に比べて小さくなるようにする。 - 特許庁

The edge light type light-emitting diode backlight module 100 is provided with a stage 140, a thermal conductive part 120 arranged on the stage 140, a circuit base board 130 having an upper surface with a plurality of conductive wires 132 arranged and a lower surface in contact with the thermal conductive part 120, and at least one edge light type light-emitting unit 110.例文帳に追加

エッジライト式発光ダイオードバックライトモジュール１００は、台座１４０と、台座１４０上に配置された熱伝導部１２０と、複数の導電ワイヤ１３２が配置された上表面と、熱伝導部１２０に接触された下表面とを有する回路基板１３０と、少なくとも１つのエッジライト式発光ユニット１１０と、を備える。 - 特許庁

Under a state where the reference instrument 331 for regulating emission becoming the reference of detection level is secured, the value of current supply to the infrared light emitting diode 352 is regulated by a variable resistor (not shown) such that the infrared light 315 becomes equivalent to that in conventional inspection and then the reference instrument 331 is replaced by the infrared optical signal receiver 302 and its reception signal is inspected.例文帳に追加

検出レベルの基準となる発光調整用基準装置３３１を固定した状態で図示しない可変抵抗器によって赤外発光ダイオード３５２への供給電流値を調整し、赤外光３１５が従来の検査と等価となるように調整した後、赤外光信号受信装置３０２に取り替えてその受光信号を検査する。 - 特許庁

A branch line 11, a distortion generation amplifier 12, attenuators AttM 13 and AttS 14, a distortion generation amplifier 15, distributors 16 and 17, branch lines 18, 19 and 20, and a predistortion linearizer consisting of an attenuator AttE 21 and a phase shifter 22, are connected to the prestage of an element being compensated, i. e. a laser diode LD.例文帳に追加

被補償素子であるレーザダイオードＬＤの前段には、ブランチライン１１、歪発生アンプ１２、アッテネータＡｔｔＭ１３、アッテネータＡｔｔＳ１４、歪発生アンプ１５、分配器１６、分配器１７、ブランチライン１８、ブランチライン１９、ブランチライン２０、アッテネータＡｔｔＥ２１及び移相器２２から構成されるプリディストリーションリニアライザが接続されている。 - 特許庁

A light emitting diode 10 comprises a light emitting part 4 formed on a GaAs substrate 1, and a medium layer 5 and a current diffusion layer 6 made of AlGaInP, where the light emitting part 4 is composed by forming a lower clad layer 41 made of AlGaInP, a light emitting layer 42 made of AlGaInP, and an upper clad layer 43 on the GaAs substrate 1 in order.例文帳に追加

発光ダイオード１０は、ＧａＡｓ基板１上に形成された発光部４、ＡｌＧａＩｎＰからなる中間層５及び電流拡散層６を備え、発光部４は、ＡｌＧａＩｎＰからなる下部クラッド層４１、ＡｌＧａＩｎＰからなる発光層４２及び上部クラッド層４３をＧａＡｓ基板１上に順次形成して構成されている。 - 特許庁

A semiconductor device 1 connects together a source of an FET 3 and a drain of a MOSFET 4, and includes a resistance Rgs having one end connected to a gate of the FET 3 and the other end connected to a source of the MOSFET 4, and a diode D1 having an anode connected to the gate of the FET 3 and a cathode connected to the source of the MOSFET 4.例文帳に追加

半導体装置１は、ＦＥＴ３のソースとＭＯＳＦＥＴ４のドレインとが接続されるとともに、一端が、ＦＥＴ３のゲートに接続され、他端が、ＭＯＳＦＥＴ４のソースに接続される抵抗Ｒｇｓと、アノードが、ＦＥＴ３のゲートに接続され、カソードが、ＭＯＳＦＥＴ４ソースに接続されるダイオードＤ１とを備える。 - 特許庁

The EML optical module 2 has a monitor photodiode 11, a laser diode 12 as a semiconductor laser device, an electroabsorption optical modulator 13a, an electroabsorption semiconductor element 13b having the same capacity as that of the EA modulator 13a, termination resistors 14a, 14b, a thermistor 15, a Peltier element 16, and capacitors 17a, 17b.例文帳に追加

ＥＭＬ光モジュール２は、モニタフォトダイオード１１と、半導体レーザデバイスとしてのレーザダイオード１２と、電界吸収型光変調器１３ａと、ＥＡ変調器１３ａと同容量をもつ電界吸収型半導体素子１３ｂと、終端抵抗１４ａ，１４ｂと、サーミスタ１５と、ペルチェ素子１６と、コンデンサ１７ａ，１７ｂとを有している。 - 特許庁

In the power semiconductor module used in the power conversion circuit, a part connecting two or more shottky barrier diodes in series comprising at least a switching element and SiC is mounted, and the shottky barrier diode comprising at least two or more SiC connected in series above is connected in reverse parallel with the switching element.例文帳に追加

電力変換回路内において使用される電力半導体モジュールであって、少なくとも１個のスイッチング素子とＳｉＣからなる２個以上のショットキーバリアダイオードが直列に接続された部分を搭載し、前記の直列に接続された少なくとも２個以上のＳｉＣからなるショットキーバリアダイオードを前記スイッチング素子と逆並列に接続した。 - 特許庁

The inner stripe nitride laser diode structure is provided with a multiple-quantum well layer and first and second surfaces, and is provided with a waveguide layer where the first surface is in contact with the multiple- quantum well layer, and a current-blocking layer entering the second surface of the waveguide layer and divided into two portions by a stripe groove.例文帳に追加

本インナーストライプ窒化物レーザダイオード構造は、多量子ウェル層と、第１及び第２の表面を有し、前記第１の表面が前記多量子ウェル層に接触している導波層と、前記導波層の第２の表面内に突入していて、ストライプ溝によって２つの部分に分割されている電流ブロッキング層とを備えている。 - 特許庁

To provide a power converter capable of fixing switching element and diodes in a boosting circuit to a common heat dissipation member, using a simple holding member to be tightly adhered thereto, without gaps and attaining improvement in the manufacturing efficiency and reduction in the installation area, while securing proper heat dissipation properties relative to the switching element and the diode.例文帳に追加

昇圧回路のスイッチング素子およびダイオードを共通の放熱部材にしかも単一の押さえ部材でそれぞれ隙間なく密着して固定することができ、これによりスイッチング素子およびダイオードに対する良好な放熱性を確保しながら、製造効率の向上および取付け面積の縮小が図れる電力変換装置を提供する。 - 特許庁

In this light emitting diode, a light emitting element is coated with a curable composition containing an organic compound which contains at least two carbon-to-carbon double bonds having SiH radical and reactivity in one molecule, a compound which contains at least two SiH radical in one molecule, and a hydrosilylated catalyst as essential components and the curable composition is coated with a second resin.例文帳に追加

ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物と、１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物と、ヒドロシリル化触媒とを必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子を被覆し、さらにそれを第二の樹脂で被覆すること。 - 特許庁

Thereby, electromagnetic noise is not generated, and even if a voltage ripples are produced in the output of the booster circuit by boosting the n/m voltage by switching, the ripples are received by the constant current circuit by adopting a high switching frequency, and the terminal voltage of the LED element can be practically kept constant in accordance with its diode characteristics.例文帳に追加

このことで、電磁ノイズを発生することなく、スイッチングによるｎ／ｍ電圧昇圧によって昇圧回路の出力に電圧リップルが発生しても、スイッチング周波数を高く採ることでリップル分を定電流回路側が受けてＬＥＤ素子の端子電圧をそのダイオード特性に従って実質的に一定に保持することができる。 - 特許庁

The alternating LED lighting unit for the sign display device is obtained by connecting a power supply terminal, a rectifier, a capacitor, one or a plurality of light emitting diodes to a printed circuit board to form an alternating light emitting diode lighting circuit set, housing the set in a synthetic resin case and filling it with a synthetic resin insulating material.例文帳に追加

この発明は、プリント基板に電源端子と、整流器と、コンデンサーと、単数又は複数の発光ダイオードとを接続して交流用発光ダイオード点灯回路セットとし、これを合成樹脂ケースに収容し、合成樹脂絶縁材を充填したことを特徴とするサイン表示装置用の交流用ＬＥＤ点灯ユニットにより、目的を達成した。 - 特許庁

The main circuit 2A is equipped with: a diode rectifying circuit 14 which outputs rectified voltage VPQ by rectifying phase voltages V1-V3 supplied from a three-phase AC power source 21; and a voltage booster circuit 13 which has a switching element Tr1 and outputs DC voltage VO by boosting rectified voltage VPQ.例文帳に追加

主回路２Ａは、三相交流電源２１から供給される相電圧Ｖ１〜Ｖ３を整流することによって整流電圧ＶＰＱを出力するダイオード整流回路１４と、スイッチング素子Ｔｒ１を有し、整流電圧ＶＰＱを昇圧することによって直流電圧ＶＯを出力する昇圧回路１３とを備える。 - 特許庁

A laser beam irradiated from a laser diode 12 enters, as a divergent ray, a reflecting mirror 19 having a recessed reflecting surface 19A, and the laser beam reflected on the reflecting surface 19A toward the objective lens 20 is focused on the signal recording layer of the optical disk D by focusing of the objective lens 20.例文帳に追加

レーザーダイオード１２から放射されたレーザー光を反射面１９Ａが凹面にて構成された反射ミラー１９に対して発散光として入射させるとともに該反射面１９Ａにて対物レンズ２０方向へ反射されるレーザー光を該対物レンズ２０による集光動作にて光ディスクＤの信号記録面に集光させる。 - 特許庁

The drive circuit for driving an light emitting diode(LED) consists of an LED use constant current circuit that supplies a prescribed drive current to the LED and a reference voltage use constant current circuit that applies a prescribed reference voltage to the LED use constant current circuit to absorb fluctuation in the power supply voltage.例文帳に追加

発光ダイオードを駆動する駆動回路を、発光ダイオード（ＬＥＤ）に一定の駆動電流を供給するためのＬＥＤ用定電流回路と、電源電圧の変動を吸収し、ＬＥＤ用定電流回路に一定の基準電圧を印加するための基準電圧用定電流回路の２つの定電流回路により構成する。 - 特許庁

In a non-insulating type DC-DC converter wherein a power MOSFET for high side switch and a power MOSFET for low side switch are connected in series, the power MOSFET for low side switch and a Schottky barrier diode D1 connected in parallel with the power MOSFET for low side switch are formed in the same semiconductor chip 5b.例文帳に追加

ハイサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴとが直列に接続された回路を有する非絶縁型ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、ローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴと、そのローサイドスイッチ用のパワーＭＯＳ・ＦＥＴに並列に接続されるショットキーバリアダイオードＤ１とを同一の半導体チップ５ｂ内に形成した。 - 特許庁

To supply load with clean DC voltage by hindering noise contained in DC in conduction period from propagating to the load, since the noise contained in input AC voltage remains much in the conduction period of a rectifying diode in DC which is obtained by the combination of a rectifying means such as a bridge rectifier, and a smoothing capacitor.例文帳に追加

ブリッジ整流器等の整流手段と平滑コンデンサの組み合わせによって得られる直流には、入力交流電圧に含まれるノイズが、整流ダイオードの導通期間において多く残存することから、この期間に直流に含まれるノイズが負荷に伝播することを阻止して負荷にクリーンな直流電圧を供給する。 - 特許庁

A laser scanner 13 has: a scanning optical system 100 which scans a laser beam along a main scanning direction by reflecting the laser beam emitted from a laser diode 101 on a rotating polygon mirror 106; a turning back mirror 205 on which the scanned laser beam is made incident and the incident laser beam is reflected toward a photoreceptor drum 17.例文帳に追加

レーザ走査装置１３は、レーザダイオード１０１から放たれたレーザビームを回転多面鏡１０６に反射させることによって主走査方向に沿ってレーザビームを走査する走査光学系１００と、走査されたレーザビームを入射し且つ当該入射したレーザビームを感光体ドラム１７に向けて反射する折り返しミラー２０５とを有する。 - 特許庁

The cascode connection circuit of two field effect transistors (hereinafter, referred to "FET") comprises a first FET having a grounded source, a second FET having a source connected with the drain of the first FET, and a Schottky barrier diode having an anode connected with the source of the first FET, and a cathode connected with the gate of the second FET.例文帳に追加

２つの電界効果型トランジスタ（以下、「ＦＥＴ」という。）がカスコード接続されたカスコード接続回路であって、ソースが接地された第１のＦＥＴと、ソースが第１のＦＥＴのドレインに接続された第２のＦＥＴと、アノードが第１のＦＥＴのソースに接続され、カソードが第２のＦＥＴのゲートに接続されたショットキーバリアダイオードとを備えている。 - 特許庁

A light source 16 demarcates a plurality of vertical light emitting diode row groups each having no black row but having a bright (white) row and a plurality of adjacent rows and, in the groups rows, the intensity of light is systematically reduced to the min. level capable of observing a shading flaw and systematically increased as compared with the next white row.例文帳に追加

光源１６は、各々が黒い列は有しないが、明るい（白い）列と、複数の隣接する列とを有する、複数の垂直な、発光ダイオード列グループを画成し、該列グループにおいて、光強度が、遮光欠陥を観察することが可能な最小レベルまで体系的に減少し、また光強度が、次の白い列よりも体系的に増加する。 - 特許庁

A solid state image pickup device is composed by forming a plurality of imaging pixels 100 with a semiconductor substrate 101 as a base, and each imaging pixel 100 includes a photoconductive film 126 for photoelectrically converting incident light and generating signal charges, and a storage diode 104 formed inside the semiconductor substrate 101 for storing the charges generated in the photoconductive film 126.例文帳に追加

固体撮像装置は、半導体基板１０１をベースに、複数の撮像画素１００が形成されてなり、各撮像画素１００は、入射光を光電変換して信号電荷を生成する光導電膜１２６と、半導体基板１０１内に形成され、光導電膜１２６で生成された電荷を蓄積する蓄積ダイオード１０４と、を有する。 - 特許庁

The heat spreader (10) for the display device, such as the plasma display panel, the light emitting diode or the liquid crystal display is constituted by comprising at least one sheet of compressed particles of exfoliated graphite (the sheet has a surface area greater than the surface area of that part of the display device where a localized region of higher temperature is generated).例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル、発光ダイオード、または液晶ディスプレイ等の表示素子用のヒートスプレッダー（１０）であって、少なくとも一枚の、剥離されたグラファイトの圧縮された粒子から形成されたシート（シートは、ディスプレイデバイスの、局所的な高温区域が発生する部分の表面積よりも大きな表面積を有する）を含んでなる。 - 特許庁

A light-emitting diode contains n-type or p-type laminated gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements; and fluorescent paints or fluorescent pigments that emit the visible light of wavelength longer than excitation wavelength through excitation, by the visible light emitted from the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements to compensate the colors of the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の色補正をする蛍光染料又は蛍光顔料とを有する。 - 特許庁

In the laser-diode drive circuit 100 provided with a switching circuit 111 used to turn on/off a semiconductor laser 101, LC parallel resonance circuits 116, 117 are connected in series with a line to the switching circuit 111 via the semiconductor laser 101 from a power supply (+5 V) used to supply electric power to the semiconductor laser 101, and a current ringing is suppressed.例文帳に追加

半導体レーザ１０１をオン／オフするスイッチ回路１１１を備えたレーザダイオード駆動回路１００において、前記半導体レーザ１０１に電力を供給する電源（＋５Ｖ）から前記半導体レーザ１０１を経て前記スイッチ回路１１１に至る線路に直列にＬＣ並列共振回路１１６，１１７を接続し、電流リンギングを抑制する。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes a memory cell array region A formed in a p-type well 1 where a plurality of memory cells are arranged in a matrix, a plurality of word lines 13 for commonly connecting memory cells aligned in the same row, and a protective diode region B formed in the p-well 1 to be separated from the memory cell array region A.例文帳に追加

半導体記憶装置は、Ｐ型ウェル１に形成され、複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイ領域Ａと、複数のメモリセルのうち同一の行に並ぶメモリセル同士を共通に接続する複数のワード線１３と、Ｐ型ウェル１にメモリセルアレイ領域Ａと分離して形成された保護ダイオード領域Ｂとを有している。 - 特許庁

The scanning optical frame 22 fixing and supporting a laser diode 17 for scanning and exposing a pixel in a one-dimensional direction, a polygon motor 19 deflecting a laser beam and an f-θ lens 18 forming the laser beam into an image is coupled with the housing 2 through vibration absorbing means 23 and 26, which attenuate vibration generated by various image forming means.例文帳に追加

画素を一次元方向に走査露光するレーザダイオード１７、レーザビームを偏向させるポリゴンモータ１９及びレーザビームを結像させるｆ−θレンズ１８を固定支持する走査光学フレーム２２を、振動吸収手段２３、２６を介して筐体２に結合させ、振動吸収手段２３、２６が各種作像手段が発生させる振動を減衰させる。 - 特許庁

The remote controller, for controlling a control object equipment such as an illumination fixture or the like from a remote place, is a device for transmitting signals of infrared rays or the like to start or stop operations of the control object equipment, and is equipped with a light-emitting diode 2 for a transmission display to display that a transmission is made.例文帳に追加

照明器具等の制御対象機器を遠隔場所から制御するための装置であり、前記制御対象機器の動作を開始または終了するための赤外線等の信号を送信する装置であり、前記送信の際に該送信がなされたことを表示する送信表示用発光ダイオード２を備えた遠隔制御装置である。 - 特許庁

The zener diode 16 for reverse-connection protection prevents a current flow generated by the reversely-connected DC power supply 3 while allowing a current to flow generated by the surge voltage being a voltage higher than a zener voltage in the current flowing from the stepping motor 2 toward the DC power supply 3 so as to protect the IC 11 from the reversely-connected DC power supply 3.例文帳に追加

逆接保護用ツェナーダイオード１６は、ステッピングモータ２から直流電源３に向かう電流のうちツェナー電圧以上の電圧であるサージ電圧による電流の流れは許容しつつも、逆接続された直流電源３による電流の流れは阻止することで、逆接続された直流電源３からＩＣ１１を保護する。 - 特許庁

The power supply rack is provided with the auxiliary contact of a nonfuse breaker NFB provided between an AC power supply 1 and a rectification circuit 2, and a circuit on the plus side of a smoothing capacitor C consisting of resistors R1 and R2, an FET Q1, a Zener diode ZD1 and a switch SW1 in order to discharge the smoothing capacitor C quickly and forcibly.例文帳に追加

交流電源１と整流回路２の間に設けられているノン・ヒューズ・ブレーカＮＦＢの補助接点と、平滑用コンデンサＣの＋側に抵抗Ｒ１，Ｒ２とＦＥＴＱ１とツェナーダイオードＺＤ１とスイッチＳＷ１から成る回路を設けて、平滑用コンデンサＣに蓄積された電荷を強制的に急速放電させる。 - 特許庁

A communication part 36 that functions as a transmitting part generates a power control signal and generates an optical transmission signal while performing output optical power control of a laser diode on the basis of a level detection signal transmitted from a communication part 42 that functions as a receiving part through a telecommunication line, and transmits the optical transmission signal to the communication part 42 through an optical communication line.例文帳に追加

送信部として機能する通信部３６は、受信部として機能する通信部４２により電気通信線を介して送信されたレベル検出信号に基づいて、パワー制御信号を生成してレーザダイオードの出力光パワー制御を行いつつ光送信信号を生成し、光通信線を介して通信部４２に送信する。 - 特許庁

The lithography apparatus 10 for a printing form 12 is equipped with: first and second laser diode bars 14, 16 having a plurality of laser diodes 18 substantially arranged on a plurality of lines; first and second micro-optics 21, 22 which generate aberration-corrected intermediate image spots of the laser diodes 18; and a macro-optical imaging optics 23 which generate image spots 24 on the printing form 12.例文帳に追加

版１２用の描画装置１０は、実質的に複数の線上にある複数のレーザダイオード１８を有する第１、第２のレーザダイオードバー１４、１６と、レーザダイオード１８の収差補正された中間画点を生成する第１、第２のマイクロ光学系２１，２２と、版１２上に画点２４を生成するマクロ光学的な結像光学系２３を有している。 - 特許庁

A diode 2d is provided, in series with a fuse 2c, in the inner conduction passage 2b of an ink cartridge 2 and the state of the ink cartridge 2 is judged from the combination of voltages detected at the detecting points A and B at the opposite ends of the inner conduction passage 2b when a detection voltage is applied thereto in the forward and reverse directions.例文帳に追加

インクカートリッジ２の内部導通経路２ｂにヒューズ２ｃと直列にダイオード２ｄが設けられ、内部導通経路２ｂに順方向および逆方向に検出電圧を印加したときの内部導通経路２ｂ両端の検出点Ａ，Ｂのそれぞれの検出電圧の組み合わせから、インクカートリッジ２の状態が判定される。 - 特許庁

Regarding CCD cells 12 for accumulation most adjacent to a photo-diode 11, each of the CCD cells 12 for accumulation is configured, respectively to connect three photo-diodes 11 in parallel, thereby improving versatility regarding the procedure of accumulation from the photo-diodes 11 connected in parallel to the CCD cells 12 for accumulation (accumulation parts).例文帳に追加

フォトダイオード１１に最も隣接する蓄積用ＣＣＤセル１２について、その１つの蓄積用ＣＣＤセル１２について３つのフォトダイオード１１を並列的に接続するようにそれぞれを構成しているので、並列的に接続された各フォトダイオード１１から蓄積用ＣＣＤセル１２（蓄積部）に蓄積する手順について汎用性が高くなる。 - 特許庁

The switching power supply circuit comprises a primary series resonance circuit of the leakage inductance L1 of a converter transformer PIT and a primary series resonance capacitor C1, and a secondary parallel resonance circuit of a leakage inductance L2 and a secondary parallel resonance capacitor C3 connected in parallel with at least one rectifier diode forming a bridge rectifier circuit Do.例文帳に追加

コンバータトランスＰＩＴの漏洩インダクタンスＬ１と１次側直列共振コンデンサＣ１による１次側直列共振回路と、漏洩インダクタンスＬ２と、ブリッジ整流回路Ｄｏを形成する少なくともひとつの整流ダイオードに並列に接続される２次側並列共振コンデンサＣ３による２次側並列共振回路を具備する。 - 特許庁

Power is accumulated in an inductance element 11 for energy accumulation, by switching on the switching element Tr1 for power of a boosting switching power 4, and the power of the inductance element 11 is supplied to a capacitor 13 via a diode 12 and is given to a switching element 5 for load by the switching element Tr1 for power being switched off.例文帳に追加

昇圧スイッチング電源４の電源用スイッチング素子Ｔｒ１をオンすることによって、エネルギ蓄積をインダクタンス素子１１に電力が蓄積され、電源用スイッチング素子Ｔｒ１がオフすることによって、インダクタンス素子１１の電力は、ダイオード１２を経てコンデンサ１３に供給されるとともに、負荷用スイッチング回路５に与えられる。 - 特許庁

Accordingly, when the overvoltage due to static electricity with rapid rise is impressed, the electric charges due to static electricity are discharged to the GND through the good response diode 108, and after the bipolar transistor 102 becomes the snap-back voltage, the electric charges due to static electricity is discharged effectively in low electric power to the GND terminal through the bipolar transistor 102.例文帳に追加

従って、立ち上がりの早い静電気による過電圧が印加された場合、立ち上がり時においては、応答性の良いダイオード１０８によって静電気による電荷をＧＮＤへ逃がし、バイポーラトランジスタ１０２がスナップバックになった後は、当該バイポーラトランジスタ１０２により、静電気による電荷を低電力で効率良くＧＮＤ端子へ逃がすことができる。 - 特許庁