「DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(368ページ目) - Weblio英語例文検索

The detection voltage is amplified by a comparator U1 and is converted to DC by rectification, a reference voltage where voltage can be arbitrarily varied by a variable resistor VR and a detection voltage VS being converted to DC are compared and amplified by a comparator U2, and an obtained output voltage VCO is applied to a variable capacity diode VC, thus forming a loop for constantly maintaining a detection voltage.例文帳に追加

この検出電圧を比較器Ｕ１を用いて増幅し、整流を行い直流に変換し、可変抵抗器ＶＲで電圧が任意に可変出来る基準電圧と直流に変換された検出電圧ＶＳとを比較器Ｕ２を用いて比較増幅し、得られた出力電圧ＶＣＯを可変容量ダイオードＶＣに印加することにより、検出電圧を一定に保つためのループを形成する。 - 特許庁

The microplate reader is constituted of a measuring part provided with a space for sliding a microplate filled with a liquid to be measured in a well; a light-emitting diode for irradiating light to the liquid to be measured; a photodiode for receiving transmitted light transmitted through the liquid to be measured or excitation light from the liquid to be measured; and a body having a display part for displaying a voltage of the photodiode.例文帳に追加

上記課題を解決するために、ウェルに被測定液を充填するマイクロプレートがスライドする空間を設けた測定部と、前記被測定液に光りを照射する発光ダイオードと、前記被測定液を透過した透過光或いは被測定液からの励起光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの電圧を表示する表示部を有する本体とからなることを特徴とするマイクロプレートリーダーの構成とした。 - 特許庁

The earthing wire mounting confirmation device 10 for electrically confirming whether or not earthing by the earthing wire is performed relative to a trolley wire at power failure work of the train wire is provided with an electrode contacted with a rail 3; a trolley wire mounting lead wire 17 connected to the trolley wire; and a DC voltage source, a resistance and a diode connected in series between the electrode and the trolley wire mounting lead wire 17.例文帳に追加

本発明は、電車線停電作業でトロリ線に対して接地線による接地が施されているかを電気的に確認するための接地線取付け確認装置１０であって、レール３と接触する電極と、トロリ線と接続するトロリ線取付けリード線１７と、該電極と該トロリ線取付けリード線１７との間に直列接続される直流電圧源と抵抗とダイオードとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an exterior illumination fixture by a white light emitting diode which is possible to be used for a long term without maintenance cost such as an exchange because power consumption is few and running-out of the light source is remarkably reduced, possible to efficiently illuminate a wide elliptical area by installing a relatively small number of street lamps, possible to reduce expenses remarkably, and which is full of practicality.例文帳に追加

消費電力が少なく、光源の切れることが著しく逓減されたため、交換などの維持費をかけることなく長期間にわたって使用が可能であり、比較的少ない街路灯の設置によって効率良く楕円形状の広範囲に照明することができ、経費を著しく逓減することが可能で、実用性に富んだ白色発光ダイオード屋外照明器具を提供する。 - 特許庁

The amplitude modulator is configured in such a manner that first and second circulators each provided with a modulation section having the PIN diode are connected by using an output dielectric line 1c of the first circulator in common for an input dielectric line 1c of the second circulator and the frequency dependency of the transmission characteristic of a high frequency signal transmitting through the PIN diodes of the first and second circulators differs from each other.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードが設けられた変調部を具備した第１および第２のサーキュレータが、第１のサーキュレータの出力用誘電体線路１ｃが第２のサーキュレータの入力用誘電体線路１ｃを兼ねることによって接続されており、第１および第２のサーキュレータ側のＰＩＮダイオードを透過する高周波信号の透過特性の周波数依存性がそれぞれ異なる、振幅変調器である。 - 特許庁

An output light from a laser diode 1 is modulated and transmitted through a frequency discriminator element 4 to control the frequency of the output light so as to coincide with the center frequency of an absorption line of the discriminator element 4, thus stabilizing the frequency, wherein a polarizer 10 is disposed between the discriminator element 4 and an optical detector 5 for detecting the transmitted light from this discriminator element 4.例文帳に追加

レーザダイオードの出力光に変調をかけて周波数弁別素子内を透過させて、出力光の周波数を周波数弁別素子の吸収線の中心周波数に制御することにより周波数を安定化させる周波数安定化レーザ光源において、周波数弁別素子とこの周波数弁別素子の透過光を検出する光検出器との間に偏光子を設ける。 - 特許庁

The organic light emitting display device includes a lower substrate 100 which includes an organic light-emitting diode 116 with a cathode 116c formed of a transparent material, and is formed entirely over pixels 110, and an upper substrate 200 including a mesh type auxiliary electrode 210 electrically connected to the cathode 116c, which is formed so as to correspond to a non-emission area 120 between the pixels 110.例文帳に追加

本発明の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオード１１６のカソード電極１１６ｃが透明性物質で画素１１０の上部に全面的に形成された下部基板１００と、画素１１０の間の非発光領域１２０に対応するようにカソード電極１１６ｃと電気的に連結されるメッシュタイプの補助電極２１０が形成された上部基板２００とを含んでいることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor diode capable of detecting hydrogen includes a semiconductor substrate, a doped semiconductor active layer, consisting of a compound having the formula XYZ (where X is a group III element, Y is a group III element other than X, and Z is a group V element), an ohmic contact layer formed on the active layer, and a Schottky barrier contact layer formed on the active layer so as to provide the Schottky barrier.例文帳に追加

水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式：ＸＹＺ（式中、ＸはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である）を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。 - 特許庁

Two kinds of fluorescent materials are exited by a blue or bluish green light emitting diode whose wavelength range is 450 to 500 nm, then, fluorescent materials produces yellow fluorescence of a dominant wavelength 520 to 580 nm and vivid red fluorescence of dominant wavelength 580 to 640 nm respectively, and a white light emitting device excellent in emitting characteristics is attained by packaging the fluorescent materials and a package material at a predetermined mixing rate.例文帳に追加

波長範囲が４５０ないし５００ｎｍである青色光または青緑色光の発光ダイオードによって二種類の蛍光体を励起し、それぞれに主波長範囲が５２０ないし５８０ｎｍの黄色蛍光と５８０ないし６４０ｎｍの紅色蛍光を発生させ、蛍光体とパッケージング材料とを所定の混合比例によってパッケージングすると、発光特性の優れた白色光発光装置が得られる。 - 特許庁

The resonant circuit comprises an insulating gate type semiconductor element comprising a collector terminal, an emitter terminal, and a gate terminal; a diode which is connected to the insulating gate semiconductor element back-to-back; an inductance connected in series to the insulating gate semiconductor element; a resonant capacitor which serially resonates with the inductance; and a means for changing a capacitor capacitance on the voltage applied parallel to the insulating gate semiconductor.例文帳に追加

本発明の共振回路は、コレクタ端子とエミッタ端子とゲート端子を有する絶縁ゲート型半導体素子と、絶縁ゲート半導体素子と逆並列に接続されるダイオードと、絶縁ゲート半導体素子と直列に接続されるインダクタンスと、インダクタンスと直列共振させる共振コンデンサと、絶縁ゲート半導体と並列に印加電圧によってコンデンサ容量が変化する手段を設けた。 - 特許庁

The semiconductor laser diode has a 1st conductivity type semiconductor clad layer, an active layer formed on the 1st conductivity type semiconductor clad layer, a 2nd conductivity type semiconductor clad layer formed on the active layer, an insulating film formed on the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, a metal electrode electrically connected to the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, and the electric circuit element formed on the insulating film.例文帳に追加

第１導電型半導体クラッド層と、第１導電型半導体クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型半導体クラッド層と、第２導電型半導体クラッド層上に形成された絶縁膜と、第２導電型半導体クラッド層と電気的に接続された金属電極と、絶縁膜上に形成された電気回路素子とを有する。 - 特許庁

In a power semiconductor device 1, a first metal insulating film semiconductor type field effect transistor 22 and a second metal insulating film semiconductor type field effect transistor 23, connected serially in a plurality of numbers, are provided between a negative electrode terminal 11 and the source region of a power semiconductor switching element 21 of a cascode element 20, with a high-speed diode 30 electrically provided in parallel with the cascode element 20.例文帳に追加

電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。 - 特許庁

In a high side switch circuit having the switching element at a high level side of a load in the semiconductor integrated circuit device adopting a separation structure for a rear side power supply voltage, a diode D1 is inserted to a current path from a ground terminal GND to an output terminal OUT in the opposite polarity to block the current path when a negative voltage is applied to the output terminal OUT as a feature.例文帳に追加

裏面電源電圧の分離構造を用いた半導体集積回路装置であって、負荷の高電位側にスイッチング素子を有するハイサイドスイッチ回路において、接地端子ＧＮＤから出力端子ＯＵＴに抜ける電流経路に、ダイオードＤ１を逆方向に挿入し、出力端子ＯＵＴに負電圧が印加された場合に上記電流経路をブロックすること特徴としている。 - 特許庁

In the switching power supply for stably supplying a DC voltage obtained through rectifying operation to a secondary side circuit of a switching power supply transformer T by turning on/off a switching element Q1 with a switching IC IC1 on the primary side, a switching element SW2 is connected between a diode D1 connected to an auxiliary coil of the switching power supply transformer T and the switching IC IC1.例文帳に追加

整流して得られた直流電圧を、１次側のスイッチングＩＣ ＩＣ１でスイッチング素子Ｑ１をオン／オフすることによりスイッチング電源トランスＴの２次側回路に電圧を安定供給するスイッチング電源において、上記スイッチング電源トランスＴの補助巻線に接続したダイオードＤ２とスイッチングＩＣ ＩＣ１との間にスイッチ素子ＳＷ２を接続してなることを特徴としている。 - 特許庁

The light-emitting diode array where a plurality of light-emitting areas 21 and a separate longitudinal electrode 23 connected with the light-emitting areas 21 though an electrode wire 22 are disposed is characterized in that a protective film 25 is formed on the surface of the wire 22 and the surface of an edge section of the electrode 23 and the protective film on a long-side edge of the electrode 23 is removed.例文帳に追加

複数の発光領域２１と、この発光領域２１に電極配線２２を介して接続された縦長の個別電極２３とを、配置してなる発光ダイオードアレイにおいて、前記電極配線２２の表面と前記個別電極２３のエッジ部分の表面に保護膜２５を形成するとともに、前記個別電極２３の長辺エッジ上の保護膜は除去されていることを特徴とする。 - 特許庁

The inverter device 10 includes a rectifier 3, a voltage regulator 4 for controlling the DC output voltage to a stable predetermined voltage, a reverse-current preventing diode 5, an inverter circuit 6 for converting a DC power to an AC power to link to the system, and a maximum power control circuit 7 for outputting a switching signal SUP for selecting the use/non-use of the regulator.例文帳に追加

インバータ装置１０は、整流器３と、直流出力電圧を安定した一定電圧に制御する電圧調整器４と、逆流防止用のダイオード５と、直流電力を交流電力に変換して系統に連系するインバータ回路６と、電圧調整器の使用／不使用を選択する切替信号ＳＵＰを出力する最大電力制御回路７とにより構成されている。 - 特許庁

When a semiconductor chip 10 is composed of a transparent material similar to a light-emitting diode 1 made by forming gallium nitride based compound semiconductor layers 12 and 13 on a transparent sapphire substrate 11, grains 30 composed of a material harder than that of electrodes 15 and 16 are stuck to the abutting portion of a gold bump electrode 21 in the electrodes 15 and 16 formed on the surface of the semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１の当接部位に、前記電極１５，１６よりも硬い材料から成る粒体３０を付着しておく。 - 特許庁

A film obtained from the composition is useful as a hole injection layer in organic electronic devices, including electroluminescent devices such as, for example, organic light-emitting diode (OLED) displays, as a hole extraction layer in organic optoelectronics devices such organic photovoltaic devices, and in combination with metal nanowires or carbon nanotubes in applications such as drain, source, or gate electrodes in thin film field effect transistors.例文帳に追加

本発明の組成物から得られる膜は、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ等のエレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機エレクトロニクスデバイスにおける正孔注入層として、有機光電デバイス等の有機オプトエレクトロニクスデバイスにおける正孔引抜き層として、金属ナノワイヤーまたはカーボンナノチューブと組み合わせて薄膜電界効果トランジスタにおけるドレイン、ソースまたはゲート電極等の用途に有用である。 - 特許庁

In this case, since a series circuit comprising a strip line and a varactor diode provided between a ground line and a base input line of a received signal amplifying transistor in the reception amplifier section 4 forms a 1/4 wavelength open stub, the excess input for a desired frequency band can be prevented by setting the series resonance frequency of the open stub equal to the desired frequency band.例文帳に追加

このとき、受信増幅部４では、受信信号増幅用トランジスタのベース入力ラインと接地ラインとの間に設けられたストリップラインと可変容量ダイオードとによる直列回路によって、１／４波長のオープンスタブが形成されているので、このオープンスタブの直列共振周波数が所望の周波数帯域となるとように設定しておくことにより、この所望周波数帯域の過大入力が防止される。 - 特許庁

This panel light constructed of a lighting tube using a light emitting diode LED using a convenient and inexpensive dry battery as a power source is installed to an upper frame of the road construction sign plate for irradiating the whole surface of the sign plate.例文帳に追加

しかし、道路の状況によっては、工事現場が見えにくいあるいはヘッドライトの光が届き難い工事現場があったり、都市部においては、路上工事用標示板の背景には道路照明灯の光、ビルの照明、広告及び看板の照明、等が存在し、このような周辺光によっても視認性と判読性を低下させているので、標示板全体を照明灯で照らして視認性・判読性を向上させる工夫がなされている。 - 特許庁

An AM radio antenna circuit having a ferrite bar loop antenna is provided with a DC route configured and located to transmit a tuning signal to a varactor while including a resonance structure forming a balanced antenna circuit, a varactor diode tuning structure for imparting controllable capacitance to a winding structure, and the winding structure coupled to the varactor, and a means for connecting the antenna circuit to an external detection integrated circuit.例文帳に追加

フェライト・バー・ループ・アンテナを有するＡＭ無線アンテナ回路は、平衡アンテナ回路を形成する共振構造と、制御可能な容量を前記巻線構造に与えるバラクタ・ダイオード同調構造と、バラクタに結合された巻線構造を含み、同調信号をバラクタに伝達するように構成され配置されたＤＣ経路と、アンテナ回路を外部の検波集積回路に接続する手段とを備えている。 - 特許庁

The device for curing an adhesive agent uses a UV ray-curable system which uses a UV emitting diode or a UV radiating semiconductor laser to cure the adhesive agent or resin, wherein the adhesive agent coated on the first disk or substrate is irradiated with the UV ray, and the second disk or substrate is piled up to stick.例文帳に追加

紫外線発光ダイオード、もしくは紫外線放射半導体レーザにより、接着剤、もしくは樹脂を硬化する紫外線硬化機構であり、第１のディスク、もしくは基板に塗布された接着剤に紫外線を照射し、第２のディスク、もしくは基板をその上に貼り合わせる装置で、紫外線放射機構として、紫外線発光ダイオードもしくは紫外線放射半導体レーザを使用する接着剤硬化装置。 - 特許庁

A vertical MOSFET suppresses a parasitic bipolar transistor performance to improve the avalanche resistance by forming n-type regions 8 having an impurity concentration lower than an n-type substrate 1 or a p-type region 9 about the central part of a unit arrangement region having the apexes of FET cells 10 and diode cells 11 arranged on the surface of the n-type semiconductor substrate 1 with equal intervals.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型半導体基板１の表面上に等間隔に配置されたＦＥＴセル１０及びダイオードセル１１を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、Ｎ型基板１よりも不純物濃度の低いＮ型領域８を形成するか、もしくはＰ型領域９を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁

The resistance change memory device includes a memory cell MC configured by serially connecting a variable resistance element whose resistance state is reversibly changed by voltage or current application and a diode, and state transition stabilizing transistors MP and MN serially connected to the current path of the memory cell to stabilize the resistance state transition of the memory cell by an operation point movement due to the resistance state transition.例文帳に追加

抵抗変化メモリ装置は、電圧又は電流印加により抵抗状態が可逆的に遷移する可変抵抗素子とダイオードを直列接続して構成されるメモリセルＭＣと、前記メモリセルの電流経路に直列に接続されて、前記メモリセルの抵抗状態遷移に伴う動作点移動によりその抵抗状態遷移を安定化させる状態遷移安定化用トランジスタＭＰ，ＭＮとを有する。 - 特許庁

A resonance type light modulator which resonates with light from a laser diode 11 having a peak of light intensity in a wavelength region to change characteristics of the light is used, and the resonant action of the resonance type light modulator is conducted several times per pulse of an electric signal to be transmitted, to transmit one signal by a plurality of signal light beams output from the resonance type light modulator.例文帳に追加

ある波長域に光強度のピークを有するレーザダイオード１１からの光に対し、この光に共鳴することによって光の特性を変化させる共鳴型光変調器を用い、送信したい電気信号の１パルスあたり共鳴型光変調器の共鳴作用を複数回行わせることによって共鳴型光変調器から出力される複数の信号光をもって、１つの信号を伝送する。 - 特許庁

In this semiconductor laser diode with SAS type structure that has a current block layer where a stripe-shaped opening from one resonance end to the other is formed by etching to inject current to an active layer in a specific width, an area near an emission part being located directly below an opening is disordered without disordering the current lock layer.例文帳に追加

活性層に対して所定の幅に電流を注入するように、一方の共振端面から他方の共振端面に至るストライプ状の開口部がエッチングにより形成されてなる電流ブロック層を備えたＳＡＳ型構造の半導体レーザダイオードであって、各共振端面近傍において、電流ブロック層を無秩序化することなく、開口部直下に位置する出射部近傍を無秩序化した。 - 特許庁

The transmitted signal SVout is received, the number nx of pulses for a fixed time Tc is counted, and the forward voltage VF of the temperature detecting diode 112 which is extracted as the ratio of the counted number nx of pulses to the maximum number n100 of pulses is demodulated with the maximum number n100 of pulses that can be received in the fixed time Tc as pulse density 100%.例文帳に追加

そして、この伝送された信号ＳＶｏｕｔを受信して一定時間Ｔｃ中のパルス数ｎｘをカウントするとともに、この一定時間Ｔｃ中に受信し得る最大パルス数ｎ１００をパルス密度１００％として、最大パルス数ｎ１００に対するカウントしたパルス数ｎｘの割合として抽出される温度検出用ダイオード１１２の順方向電圧ＶＦを復調する。 - 特許庁

A standby power supply unit has a first standby power circuit wherein the rippled DC output voltage of a full-wave rectifier circuit 12 is filtered to output a first DC voltage, and a second standby power supply circuit having a transistor 7 wherein applying to its collector the rippled DC output voltage of a bridge rectifier circuit 3, its base is grounded via a Zener diode 9 to output a second DC voltage from its emitter.例文帳に追加

ブリッジ整流回路３の脈動直流出力電圧を平滑にした第１の直流電圧を出力する第１のスタンバイ電源回路と、コレクタに上記ブリッジ整流回路の脈動直流出力電圧が印加され、ベースがツェナーダイオード９を介して接地され、コレクタから第２の直流電圧を出力するトランジスタ７を有する第２のスタンバイ電源回路とを備えた。 - 特許庁

A water-soluble dye having absorption maximum at 520-400 nm and a half-value width of absorbance of ≥100 nm is incorporated into a silver halide photosensitive material having at least silver halide emulsion layers capable of developing cyan, magenta and yellow on a reflective support and subjected to exposure with a multi-channel blue LED (light emitting diode) light source having a maximum wavelength of 500-400 nm.例文帳に追加

反射支持体上に少なくともシアン、マゼンタ、イエローを発色可能なハロゲン化銀乳剤層を有し、極大波長５００ｎｍ〜４００ｎｍの多チャンネルＢｌｕｅＬＥＤ光源で露光するハロゲン化銀感光材料が、吸収極大５２０ｎｍ〜４００ｎｍ、吸光度の半値巾が１００ｎｍ以上の水溶性染料を含有することを特徴とするハロゲン化銀感光材料及び面積階調画像形成方法。 - 特許庁

The method of manufacturing the light-emitting diode array includes steps of: laminating a semiconductor layer on a substrate 1; forming a plurality of resist layers 100 to align along an X direction on a light emission part forming region 11 of the semiconductor layer; and forming a plurality of mutually-separated island-like light emission parts 10 formed on the semiconductor layer by mesa-etching with the resist layers 100 as masks.例文帳に追加

この発光ダイオードアレイの製造方法は、基板１上に半導体層を積層する工程と、半導体層の発光部形成領域１１上に、Ｘ方向に沿って配列するように、複数のレジスト層１００を形成する工程と、レジスト層１００をマスクとしてメサエッチングすることにより、半導体層に、互いに分離された島状の複数の発光部１０を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

When a surge voltage detecting circuit 4 detects surge voltage, a switching circuit 2 switches off a transistor TR1 thereby letting the surge voltage flow to the ground side via the resistor R1 of the switching circuit 2 and the transistor TR3 of the surge voltage detecting circuit 4, so the surge voltage never flows to the transistor TR1 which breaks the circuit and a Zener diode ZD1 which detects the surge voltage.例文帳に追加

サージ電圧検出回路４によってサージ電圧が検出されたときに、スイッチング回路２がトランジスタＴＲ１をＯＦＦにして、サージ電圧をスイッチング回路２の抵抗Ｒ１およびサージ電圧検出回路４のトランジスタＴＲ３を介して接地側へと流すものとしたので、回路を遮断するトランジスタＴＲ１、サージ電圧を検出するツェナーダイオードＺＤ１にサージ電圧が直接流れることがない。 - 特許庁

A light emitting diode 10, having a semiconductor substrate 11 and a single hetero-structure formed thereon and having at least a p-type active layer 13 and an n-type clad layer 14, is formed by forming an absorption layer 12 for absorbing light emitted by a light emitting layer, and having secondary light emitting intensity lower than the semiconductor substrate 11 between the active layer 13 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、その上に形成された少なくともｐ型の活性層１３及とｎ型のクラッド層１４とを備えたシングルヘテロ構造の発光ダイオード１０において、活性層１３と半導体基板１１との間に、発光層で発光した光を吸収すると共に、半導体基板１１より二次発光強度が低い吸収層１２を形成することにより、発光ダイオード１０を構成した。 - 特許庁

An image forming method is constituted by comprising steps of: recording an image on a recording material by using an ink composition containing at least one of cationically polymerizable compound having an oxirane ring and an oxetane ring in the same molecular; and curing the image recorded on the recording material in the image recording step by irradiating the image with an active energy ray using a light emitting diode or a semiconductor laser as an irradiation light source.例文帳に追加

同一分子内にオキシラン環及びオキセタン環を有するカチオン重合性化合物を少なくとも１種含むインク組成物を用いて被記録材に画像を記録する画像記録工程と、前記画像記録工程において前記被記録材に記録された画像に照射光源として発光ダイオード又は半導体レーザを用いる活性エネルギー線を照射して硬化させる画像硬化工程とを含む画像形成方法。 - 特許庁

A mesa diode comprises: a first semiconductor layer formed by a nitride semiconductor having a first conductivity type different from the first conductivity type; a second semiconductor layer formed by a nitride semiconductor having a second conductivity type and having, at an edge, a thin film region of a thickness thinner than that of another part; and an upper electrode formed on at least a part above the second semiconductor layer other than the thin film region.例文帳に追加

第１導電型を有する窒化物半導体で形成された第１半導体層と、第１半導体層上に、第１導電型と異なる第２導電型を有する窒化物半導体で形成され、端部に他の部分より厚さが薄い薄膜領域を有する第２半導体層と、薄膜領域以外の第２半導体層の上方の少なくとも一部に形成された上部電極と、を備えるメサ型ダイオードを提供する。 - 特許庁

An AC voltage is inputted between a common connection point of the first and second MOSFETs 3, 4 and that of the first and second diodes 5, 6 via an inductor 7, thus outputting a voltage obtained by rectifying the AC voltage from the bridge circuit 17, and outputting the rectified voltage to a smoothing capacitor 3 via the third diode for smoothing by the smoothing capacitor 8.例文帳に追加

第１のＭＯＳＦＥＴ３と第２のＭＯＳＦＥＴ４の共通接続点と第１のダイオード５と第２のダイオード６の共通接続点との間にインダクタ７を介して交流電圧を入力することによって、この交流電圧を整流した電圧をブリッジ回路１７から出力させ、この整流した電圧を第３のダイオードを介して平滑キャパシタ３に出力し、平滑キャパシタ８で平滑するように構成されている。 - 特許庁

The factory environment purifying system includes a power generation portion 2 generating electric power using discharged air discharged from factory facilities 100, a vegetation portion 5 letting plants arranged in a factory absorb odor and carbon dioxide discharged from the factory facilities 100, an illumination portion 4 lighting Light Emitting Diode to supply light for growing and maintaining the plants, and an electric power supplying portion 3 supplying electric power generated in the power generation portion 2 to the illumination portion 4.例文帳に追加

工場設備１００から排出される排風を利用して発電する発電部２と、工場内に配置される植物に工場設備１００から排出される臭気及び二酸化炭素を吸収させる植生部５と、発光ダイオードを点灯させて植物を生育維持するための光を供給する照光部４と、発電部２において発電した電力を照光部４に供給する電力供給部３とを備える。 - 特許庁

The conductive lead to which the light-emitting diode is packaged should have a projection extended in both the directions.例文帳に追加

プレート形状の基盤と前記基盤上に互いに絶縁するように絶縁物により区画された導電性リードを備えるパットフレームと前記導電性リード上に実装される発光ダイオードチップと前記発光ダイオードチップと導電性リードを囲んで、発光ダイオードチップと導電性リードの一部分が外部に露出され開口された溝を持つハウジングを含んで、前記発光ダイオードチップが実装された導電性リードは両方向に伸長した突出部を持つことを特徴とする。 - 特許庁

The light emitting diode package includes: an LED chip; a body part having the LED chip mounted thereon; a pair of reflective parts extending from the body part to face each other while interposing the LED chip therebetween, and reflecting light emitted from the LED chip; and a molding part provided between the pair of reflective parts to encapsulate the LED chip and having a top surface whose central region is curved inwards.例文帳に追加

本発明による発光素子パッケージはＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップを実装する本体部と、上記ＬＥＤチップを介し互いに向かい合うように 上記本体部から延長されて夫々具備され、上記ＬＥＤチップから放出される光を反射させる一対の反射部と、上記ＬＥＤチップを封止するように上記一対の反射部の間に形成され、中央領域が凹んだ上部面を具備するモールディング部と、を含む。 - 特許庁

The side-emitting light emitting diode 11 includes a substrate 12 formed with an electrode pattern, a light emitting element 13 to be mounted on substantially the center of a front face 12a of the substrate 12, a translucent sealer 14 sealing the light emitting element 13, and a weight 17 provided inside the sealer 14, having a greater specific gravity than the sealer 14 and arranged lower than the center of the sealer 14.例文帳に追加

電極パターンが形成された基板１２と、この基板１２の前面１２ａの略中央部に実装される発光素子１３と、この発光素子１３を封止する透光性の封止体１４とを備えた側面発光型の発光ダイオード１１において、前記封止体１４の内部に封止体１４より比重の大きいウエイト部材１７を含み、このウエイト部材１７を封止体１４の中心より下部側に配置した。 - 特許庁

A light source apparatus includes a plurality of laser diodes, a temperature sensor mounted in neighborhood of the laser diodes, a control loop for controlling an oscillation wave length by controlling temperatures of the laser diodes based on an output of the temperature sensor, respectively, and a means for compensating a temperature control condition of other laser diodes according to a temperature control condition of a reference laser diode selected from the laser diodes.例文帳に追加

本発明による光源装置は複数のレーザダイオードと、上記複数のレーザダイオードの近傍に設けられた温度センサと、上記温度センサの出力に基づき上記複数のレーザダイオードの各々の温度を制御することによりその発振波長を制御する制御ループと、上記複数のレーザダイオードから選択される参照レーザダイオードの温度制御条件に従って他のレーザダイオードの温度制御条件を補償する手段とを備えている。 - 特許庁

The light-emitting diode lighting control circuit 103 comprises a PWM signal adjustment circuit 104 which detects overlap of change in timing of a plurality of PWM signals, and alters the change in timing of at least any one PWM signal out of the plurality of PWM signals so that the change in timing of the plurality of PWM signals does not overlap each other when it is detected.例文帳に追加

発光ダイオード点灯制御回路１０３は、複数のＰＷＭ信号の変化タイミング同士の重なりを検出し、複数のＰＷＭ信号の変化タイミング同士の重なりが検出された場合、複数のＰＷＭ信号の変化タイミングが互いに重ならないように、複数のＰＷＭ信号のうちの少なくともいずれか一つのＰＷＭ信号の変化タイミングを変更するＰＷＭ信号調整回路１０４を備える。 - 特許庁

The charge suppression circuit 7, formed by connecting a resistor and a diode in parallel with each other, is serially connected to the line-separation compensation capacitor 8, and a charge current to the line-separation compensation capacitor 8 is current-controlled by the resistor of the charge suppression circuit 7.例文帳に追加

抵抗器とダイオードとが並列接続して形成された充電抑制回路７を離線補償コンデンサ８に直列接続し、離線補償コンデンサ８への充電電流は充電抑制回路７の抵抗器によって電流を制限し、パンタグラフ１ａが架線１から離線した場合には離線補償コンデンサ８から充電抑制回路７のダイオードを通して通常フィルタコンデンサ９側に電流を制限することなく必要な電流を供給する。 - 特許庁

The memory (diode ROM) comprises a plurality of selection transistors 2 each connected to each of a plurality of word lines WL to be turned on by selecting the corresponding word line, a plurality of memory cells 4 including diodes 3 having cathodes connected to drain regions of the selection transistors 2 respectively and a data determination circuit 8 connected to source regions of the selection transistors 2 for determining data read from the selected memory cell 4.例文帳に追加

このメモリ（ダイオードＲＯＭ）は、複数のワード線ＷＬの各々に接続され、対応するワード線ＷＬが選択されることによりオン状態になる選択トランジスタ２と、選択トランジスタ２のドレイン領域にカソードが接続されたダイオード３をそれぞれ含む複数のメモリセル４と、選択トランジスタ２のソース領域側に接続され、選択メモリセル４から読み出されるデータを判別するためのデータ判別回路８とを備えている。 - 特許庁

According to the embodiment of this invention, recorded data is input to first and second pulse delay circuits, first and second control signals for setting delay amounts are input to the first and second pulse delay circuits, a latch circuit is set/reset based on first and second delay pluses obtained from the first and second delay circuits, and the output of the latch circuit is output as a laser diode driving time setting pulse.例文帳に追加

この発明の実施の形態は、記録データを第１と第２のパルス遅延回路に入力し、前記第１と第２のパルス遅延回路に対してそれぞれ遅延量を設定する第１と第２の制御信号を入力し、前記第１と第２の遅延回路から得られる第１と第２の遅延パルスによりラッチ回路のセット・リセットを行い、前記ラッチ回路の出力を前記レーザーダイオード駆動時間設定パルスとして出力する。 - 特許庁

The photoelectric converting device equipped with a photoelectric converting element and a logarithmic conversion part which converts a signal from the photoelectric converting element into a voltage proportional to a logarithm by using a diode characteristic of a PN junction is characterized in that the PN junction of the logarithmic conversion part is formed of two terminals among the emitter, base, and collector of a bipolar transistor and the remaining one terminal is connected to a semiconductor substrate.例文帳に追加

光電変換素子と、ＰＮ接合のダイオード特性を用いて前記光電変換素子からの信号を対数に比例した電圧に変換する対数変換部とを備えた光電変換装置において、前記対数変換部のＰＮ接合をバイボーラトランジスタのエミッタ、ベース、コレクタの内のいずれか２つの端子により形成し、残り一つの端子が半導体基板に接続されている事を特徴とする光電変換装置を提供する。 - 特許庁