「DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(367ページ目) - Weblio英語例文検索

A comparator CP in the life discriminating circuit 31 compares high frequency pulsating current from a voltage source VA to be charged to a capacitor CX of the integrating circuit 30 with reference voltage Vref, and when charging voltage to the capacitor CX is discriminated as being dropped to the reference voltage or lower, lights a light emitting diode LED of the life informing circuit 32 to inform the end of the life of the electric ballast.例文帳に追加

寿命判別回路３１のコンパレータＣＰは、積算回路３０のコンデンサＣＸに充電される電圧源ＶＡからの高周波の脈流電圧を基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、コンデンサＣＸの充電電圧が基準電圧以下に低下したと判別したときは、寿命報知回路３２の発光ダイオードＬＥＤを点灯させて、電子安定器が寿命であることを報知する。 - 特許庁

When the first diode 11 is turned off, the second and third diodes 12, 14 are turned on for absorbing a high-frequency signal from the input terminal 16 to the terminating resistor 13 and the side of the output terminal 17 can also be matched to an external circuit by the terminating resistor 15, thus obtaining the satisfactory I/O VSWR (voltage standing wave ratio) while the switching circuit is off.例文帳に追加

第１のダイオード１１をオフ状態としたとき、第２および第３のダイオード１２、１４をオン状態とすることにより、入力端子１６からの高周波信号は終端抵抗１３に吸収され、出力端子１７側も終端抵抗１５で外部回路と整合をとることができるので、スイッチ回路のオフ状態において、良好な入出力ＶＳＷＲを得ることができる。 - 特許庁

Valve opening timing for a solenoid valve fluctuates to resultantly change an electrification period to the solenoid valve for prescribing the fuel injection quantity of an internal combustion engine, because Zener voltage clamped by a Zener diode ZD1 so as to suppress flyback voltage (flyback energy) caused by electrification cutting off for the coil CL of the solenoid valve by a transistor Tr1, has fluctuation due to such as assembly part tolerance in manufacturing.例文帳に追加

トランジスタＴr1による電磁弁のコイルＣＬの通電遮断で発生するフライバック電圧（フライバックエネルギ）を抑えるようツェナダイオードＺＤ1 でクランプされるツェナ電圧が、製造上における例えば、組付部品公差等に起因するばらつきを有しているため電磁弁の開弁タイミングがばらつき、結果として、内燃機関の燃料噴射量を規定する電磁弁への通電期間が変化してしまうこととなる。 - 特許庁

The amplitude modulator is configured in such a manner that first and second circulators each provided with a modulation section having the PIN diode are connected by using an output dielectric line 1c of the first circulator in common for an input dielectric line 1c of the second circulator and the frequency dependency of the transmission characteristic of a high frequency signal transmitting through the PIN diodes of the first and second circulators differs from each other.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードが設けられた変調部を具備した第１および第２のサーキュレータが、第１のサーキュレータの出力用誘電体線路１ｃが第２のサーキュレータの入力用誘電体線路１ｃを兼ねることによって接続されており、第１および第２のサーキュレータ側のＰＩＮダイオードを透過する高周波信号の透過特性の周波数依存性がそれぞれ異なる、振幅変調器である。 - 特許庁

An output light from a laser diode 1 is modulated and transmitted through a frequency discriminator element 4 to control the frequency of the output light so as to coincide with the center frequency of an absorption line of the discriminator element 4, thus stabilizing the frequency, wherein a polarizer 10 is disposed between the discriminator element 4 and an optical detector 5 for detecting the transmitted light from this discriminator element 4.例文帳に追加

レーザダイオードの出力光に変調をかけて周波数弁別素子内を透過させて、出力光の周波数を周波数弁別素子の吸収線の中心周波数に制御することにより周波数を安定化させる周波数安定化レーザ光源において、周波数弁別素子とこの周波数弁別素子の透過光を検出する光検出器との間に偏光子を設ける。 - 特許庁

The organic light emitting display device includes a lower substrate 100 which includes an organic light-emitting diode 116 with a cathode 116c formed of a transparent material, and is formed entirely over pixels 110, and an upper substrate 200 including a mesh type auxiliary electrode 210 electrically connected to the cathode 116c, which is formed so as to correspond to a non-emission area 120 between the pixels 110.例文帳に追加

本発明の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオード１１６のカソード電極１１６ｃが透明性物質で画素１１０の上部に全面的に形成された下部基板１００と、画素１１０の間の非発光領域１２０に対応するようにカソード電極１１６ｃと電気的に連結されるメッシュタイプの補助電極２１０が形成された上部基板２００とを含んでいることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor diode capable of detecting hydrogen includes a semiconductor substrate, a doped semiconductor active layer, consisting of a compound having the formula XYZ (where X is a group III element, Y is a group III element other than X, and Z is a group V element), an ohmic contact layer formed on the active layer, and a Schottky barrier contact layer formed on the active layer so as to provide the Schottky barrier.例文帳に追加

水素を検出可能な半導体ダイオードが、半導体基板と、この半導体基板上に形成された、式：ＸＹＺ（式中、ＸはIII族の元素、YはX以外のIII族の元素、ZはV族の元素である）を有する化合物からなるドープト半導体活性層と、活性層上に形成されたオーミックコンタクト層と、ショットキーバリアを提供するように活性層上に形成されたショットキーバリアコンタクト層と、を含む。 - 特許庁

Two kinds of fluorescent materials are exited by a blue or bluish green light emitting diode whose wavelength range is 450 to 500 nm, then, fluorescent materials produces yellow fluorescence of a dominant wavelength 520 to 580 nm and vivid red fluorescence of dominant wavelength 580 to 640 nm respectively, and a white light emitting device excellent in emitting characteristics is attained by packaging the fluorescent materials and a package material at a predetermined mixing rate.例文帳に追加

波長範囲が４５０ないし５００ｎｍである青色光または青緑色光の発光ダイオードによって二種類の蛍光体を励起し、それぞれに主波長範囲が５２０ないし５８０ｎｍの黄色蛍光と５８０ないし６４０ｎｍの紅色蛍光を発生させ、蛍光体とパッケージング材料とを所定の混合比例によってパッケージングすると、発光特性の優れた白色光発光装置が得られる。 - 特許庁

The battery pack 10 formed by connecting in series a plurality of secondary batteries is composed of a combination of an aqueous secondary battery 14 and a nonaqueous secondary battery 12, and a diode 16 having a negative resistance characteristic is connected in parallel so as to become the forward direction connection in discharge of the battery pack to the aqueous secondary battery out of the plurality of secondary batteries connected in series.例文帳に追加

本発明によって提供される複数の二次電池が直列に接続されてなる組電池１０は、水溶液系二次電池１４と非水系二次電池１２との組合せによって構成されており、前記直列に接続された複数の二次電池のうちの水溶液系二次電池に対し、負性抵抗特性を有するダイオード１６が該組電池の放電時に順方向接続となる向きで並列に接続されている。 - 特許庁

The outer circumferential dielectric strength part equipped with field plates is so structured that Zener diode groups 18a to 18e are arranged at a straight part B1 in order from a cell part to the outer circumference, and connected stepwise from a field plate 17a which is electrically connected to a gate electrode of the cell to a field plate 17g which is electrically connected to a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

フィールドプレートが備えられた外周耐圧部において、直線部Ｂ１では、セル部から外周に向かう方向で複数のツェナーダイオード群１８ａ〜１８ｅが順に配置され、セル部のゲート電極に電気的に接続されたフィールドプレート１７ａから半導体基板１に電気的に接続されたフィールドプレート１７ｇとの間でツェナーダイオード群１８ａ〜１８ｅが階段状に接続されている構造とする。 - 特許庁

An amplifier which amplifies and outputs a signal inputted from a signal source, and a waveform shaping circuit which waveform-shapes the output from the amplifier for outputting to the amplifier are provided at a previous portion of a power amplifier, which amplifies the inputted signal for outputting to a subwoofer, and an output terminal of the amplifier is grounded via a Zener diode that has lower Zener voltage than the maximum output voltage of the amplifier.例文帳に追加

入力された信号を増幅してサブウーハーへ出力するパワーアンプの前段に、信号源から入力された信号を増幅して出力するアンプと、このアンプの出力を波形整形して上記パワーアンプへ出力する波形整形回路とを設け、上記アンプの最大出力電圧よりも低いツェナー電圧を有するツェナーダイオードを介して上記アンプの出力端子を接地させておく。 - 特許庁

When transmitting a control input to a mouse 17 after conversion into cursor stroke information, the remote control 10 executes conversion based on nonlinear characteristics that have different bit allocations between ranges of relatively small and large control inputs and have more bit allocations for the range of relatively small control inputs than for the range of relatively large control inputs, and transmits the conversion result via an infrared light emitting diode 22.例文帳に追加

リモコン１０は、マウス１７の操作量をカーソルの移動量情報に変換して送信する際に、操作量が相対的に少ない領域と多い領域とでビット割り当てを異ならせ、操作量が相対的に少ない領域のビット割り当てを操作量が相対的に多い領域に比べて大きくした非線形な特性に変換して赤外線発光ダイオード２２を介して送信する。 - 特許庁

The microplate reader is constituted of a measuring part provided with a space for sliding a microplate filled with a liquid to be measured in a well; a light-emitting diode for irradiating light to the liquid to be measured; a photodiode for receiving transmitted light transmitted through the liquid to be measured or excitation light from the liquid to be measured; and a body having a display part for displaying a voltage of the photodiode.例文帳に追加

上記課題を解決するために、ウェルに被測定液を充填するマイクロプレートがスライドする空間を設けた測定部と、前記被測定液に光りを照射する発光ダイオードと、前記被測定液を透過した透過光或いは被測定液からの励起光を受光するフォトダイオードと、前記フォトダイオードの電圧を表示する表示部を有する本体とからなることを特徴とするマイクロプレートリーダーの構成とした。 - 特許庁

The earthing wire mounting confirmation device 10 for electrically confirming whether or not earthing by the earthing wire is performed relative to a trolley wire at power failure work of the train wire is provided with an electrode contacted with a rail 3; a trolley wire mounting lead wire 17 connected to the trolley wire; and a DC voltage source, a resistance and a diode connected in series between the electrode and the trolley wire mounting lead wire 17.例文帳に追加

本発明は、電車線停電作業でトロリ線に対して接地線による接地が施されているかを電気的に確認するための接地線取付け確認装置１０であって、レール３と接触する電極と、トロリ線と接続するトロリ線取付けリード線１７と、該電極と該トロリ線取付けリード線１７との間に直列接続される直流電圧源と抵抗とダイオードとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an exterior illumination fixture by a white light emitting diode which is possible to be used for a long term without maintenance cost such as an exchange because power consumption is few and running-out of the light source is remarkably reduced, possible to efficiently illuminate a wide elliptical area by installing a relatively small number of street lamps, possible to reduce expenses remarkably, and which is full of practicality.例文帳に追加

消費電力が少なく、光源の切れることが著しく逓減されたため、交換などの維持費をかけることなく長期間にわたって使用が可能であり、比較的少ない街路灯の設置によって効率良く楕円形状の広範囲に照明することができ、経費を著しく逓減することが可能で、実用性に富んだ白色発光ダイオード屋外照明器具を提供する。 - 特許庁

The resonant circuit comprises an insulating gate type semiconductor element comprising a collector terminal, an emitter terminal, and a gate terminal; a diode which is connected to the insulating gate semiconductor element back-to-back; an inductance connected in series to the insulating gate semiconductor element; a resonant capacitor which serially resonates with the inductance; and a means for changing a capacitor capacitance on the voltage applied parallel to the insulating gate semiconductor.例文帳に追加

本発明の共振回路は、コレクタ端子とエミッタ端子とゲート端子を有する絶縁ゲート型半導体素子と、絶縁ゲート半導体素子と逆並列に接続されるダイオードと、絶縁ゲート半導体素子と直列に接続されるインダクタンスと、インダクタンスと直列共振させる共振コンデンサと、絶縁ゲート半導体と並列に印加電圧によってコンデンサ容量が変化する手段を設けた。 - 特許庁

The semiconductor laser diode has a 1st conductivity type semiconductor clad layer, an active layer formed on the 1st conductivity type semiconductor clad layer, a 2nd conductivity type semiconductor clad layer formed on the active layer, an insulating film formed on the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, a metal electrode electrically connected to the 2nd conductivity type semiconductor clad layer, and the electric circuit element formed on the insulating film.例文帳に追加

第１導電型半導体クラッド層と、第１導電型半導体クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型半導体クラッド層と、第２導電型半導体クラッド層上に形成された絶縁膜と、第２導電型半導体クラッド層と電気的に接続された金属電極と、絶縁膜上に形成された電気回路素子とを有する。 - 特許庁

In a power semiconductor device 1, a first metal insulating film semiconductor type field effect transistor 22 and a second metal insulating film semiconductor type field effect transistor 23, connected serially in a plurality of numbers, are provided between a negative electrode terminal 11 and the source region of a power semiconductor switching element 21 of a cascode element 20, with a high-speed diode 30 electrically provided in parallel with the cascode element 20.例文帳に追加

電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。 - 特許庁

In a high side switch circuit having the switching element at a high level side of a load in the semiconductor integrated circuit device adopting a separation structure for a rear side power supply voltage, a diode D1 is inserted to a current path from a ground terminal GND to an output terminal OUT in the opposite polarity to block the current path when a negative voltage is applied to the output terminal OUT as a feature.例文帳に追加

裏面電源電圧の分離構造を用いた半導体集積回路装置であって、負荷の高電位側にスイッチング素子を有するハイサイドスイッチ回路において、接地端子ＧＮＤから出力端子ＯＵＴに抜ける電流経路に、ダイオードＤ１を逆方向に挿入し、出力端子ＯＵＴに負電圧が印加された場合に上記電流経路をブロックすること特徴としている。 - 特許庁

In the switching power supply for stably supplying a DC voltage obtained through rectifying operation to a secondary side circuit of a switching power supply transformer T by turning on/off a switching element Q1 with a switching IC IC1 on the primary side, a switching element SW2 is connected between a diode D1 connected to an auxiliary coil of the switching power supply transformer T and the switching IC IC1.例文帳に追加

整流して得られた直流電圧を、１次側のスイッチングＩＣ ＩＣ１でスイッチング素子Ｑ１をオン／オフすることによりスイッチング電源トランスＴの２次側回路に電圧を安定供給するスイッチング電源において、上記スイッチング電源トランスＴの補助巻線に接続したダイオードＤ２とスイッチングＩＣ ＩＣ１との間にスイッチ素子ＳＷ２を接続してなることを特徴としている。 - 特許庁

The light-emitting diode array where a plurality of light-emitting areas 21 and a separate longitudinal electrode 23 connected with the light-emitting areas 21 though an electrode wire 22 are disposed is characterized in that a protective film 25 is formed on the surface of the wire 22 and the surface of an edge section of the electrode 23 and the protective film on a long-side edge of the electrode 23 is removed.例文帳に追加

複数の発光領域２１と、この発光領域２１に電極配線２２を介して接続された縦長の個別電極２３とを、配置してなる発光ダイオードアレイにおいて、前記電極配線２２の表面と前記個別電極２３のエッジ部分の表面に保護膜２５を形成するとともに、前記個別電極２３の長辺エッジ上の保護膜は除去されていることを特徴とする。 - 特許庁

The inverter device 10 includes a rectifier 3, a voltage regulator 4 for controlling the DC output voltage to a stable predetermined voltage, a reverse-current preventing diode 5, an inverter circuit 6 for converting a DC power to an AC power to link to the system, and a maximum power control circuit 7 for outputting a switching signal SUP for selecting the use/non-use of the regulator.例文帳に追加

インバータ装置１０は、整流器３と、直流出力電圧を安定した一定電圧に制御する電圧調整器４と、逆流防止用のダイオード５と、直流電力を交流電力に変換して系統に連系するインバータ回路６と、電圧調整器の使用／不使用を選択する切替信号ＳＵＰを出力する最大電力制御回路７とにより構成されている。 - 特許庁

Supply of the regulator output voltage to the external sensor and supply of the reference voltage to the A/D converter are carried out via a diode.例文帳に追加

バッテリと、バッテリ電圧を入力信号として定電圧を出力するするレギュレータと、前記レギュレータ出力電圧を基準電圧として外部センサからのアナログ出力信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄコンバータと、制御用マイコンとからなる電子機器の制御装置であって、前記レギュレータ出力電圧の外部センサへの供給と、前記Ａ／Ｄコンバータへの基準電圧の供給はダイオードを介して供給する電子機器の制御装置。 - 特許庁

When the first time period predicted by the error occurrence prediction circuit 103 becomes less than the previously defined reference time, the supply current adjustment circuit 104 increases the current value of a current supplied to the laser diode 101 at an increasing rate which causes the time period reaching the reference current value to be longer than that when the drive current is successively supplied by the control circuit 102.例文帳に追加

供給電流調整回路104は、エラー発生予測回路103で予測された第１の時間が予め定められている基準時間以下になった場合、供給電流調整回路104は、制御回路102によって引き続き駆動電流を供給した場合に比較して基準電流値に達するまでの時間が長くなるような増加率で、レーザダイオード１０１に供給する電流の電流値を増加させる。 - 特許庁

ESD protection of an output circuit is performed by connecting an ESD protection diode to an external connection terminal receiving an output of an external output circuit in a semiconductor device and also by individually arranging a resistive element as an ESD protection resistance between each output terminal of a plurality of output transistors driven in parallel by an output control signal and the external connection terminal in the external output circuit.例文帳に追加

半導体装置における外部出力回路の出力を受ける外部接続端子にＥＳＤ保護用ダイオードを接続すると共に、前記外部出力回路には、出力制御信号によって並列的に駆動される複数の出力トランジスタの出力端子と前記外部接続端子との間に個別にＥＳＤ保護抵抗としての抵抗素子を配置して、出力回路のＥＳＤ保護を行う。 - 特許庁

To provide a driving circuit which is adapted, for a semiconductor device which exhibits a diode characteristic of flowing an abrupt current if the gate-source voltage therein exceeds a predetermined voltage, to have the functions of reducing electric-power consumption in a high-load state, reducing the loss in the driving circuit in low-load states, preventing excessive voltages, excessive currents and excessive electric-power consumption, and reducing the loss in the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、ゲート−ソース間において所定電圧を超えると急峻な電流が流れるダイオード特性を示す半導体素子の高負荷時の消費電力低減および駆動回路の低負荷時の損失低減を図るだけでなく、過電圧、過電流、過消費電力を防止する保護機能と、当該半導体素子の損失を低減する機能を有する駆動回路の提供を目的とする。 - 特許庁

In a light emitting device with a combination of a light emitting diode element emitting ultraviolet light and/or visible light and a phosphor excited with the light emission and emitting at least infrared light, only infrared light is extracted using a filter for preventing ultraviolet light and visible light from passing through, and the filter is also allowed to have a function dissipating heat produced from the phosphor toward an outside to reduce temperature extinction.例文帳に追加

紫外光及び／又は可視光を発する発光ダイオード素子と、その発光によって励起され、少なくとも赤外光を発する蛍光体とを組み合わせた発光装置において、紫外光及び可視光を通さないためのフィルタを用いて赤外光のみを取り出すと共に、フィルタに蛍光体からの熱を外部へ放散する機能をも兼ねさせ、温度消光を低減させた。 - 特許庁

The LED mounting substrate includes a light emitting diode (LED) element or an LED package, a tape automated bonding (TAB) tape having a flying lead, a highly heat-conductive adhesive layer, and a heat dissipation layer, wherein the LED element or the LED package is connected to the flying lead of the TAB tape, which is bonded to the heat dissipation layer with the highly heat-conductive adhesive layer.例文帳に追加

発光ダイオード（ＬＥＤ）素子もしくはＬＥＤパッケージ、フライングリードを有するテープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）テープ、高熱伝導接着剤層、および放熱層を有するＬＥＤ実装基板であって、前記ＬＥＤ素子もしくはＬＥＤパッケージが前記ＴＡＢテープのフライングリードに接続され、該ＴＡＢテープと前記放熱層が高熱伝導接着剤層によって接着されていることを特徴とするＬＥＤ実装基板。 - 特許庁

In reading the memory cell MC, first voltage having no temperature dependence is applied to the bit lines BLs, while second voltage having temperature dependence opposite to that of forward direction voltage of the diode 21 and having lower second voltage than the first voltage is applied to the word lines WLs, a resistance state of the phase change element 20 is detected by a read circuit 32 in accordance with a change in current flowing in the memory cell MC.例文帳に追加

このメモリセルＭＣの読み出し動作時には、温度依存性がない第１の電圧がビット線ＢＬｓに印加され、ダイオード２１の順方向電圧の温度依存性とは逆の温度依存性を有し第１の電圧より低い第２の電圧がワード線ＷＬｓに印加された状態で、メモリセルＭＣを流れる電流の変化に応じて相変化素子２０の抵抗状態がリード回路３２により検知される。 - 特許庁

There is provided the electrostatic surge protection circuit which is characterized by comprising: a CMOS; a second transistor which has a semiconductor substrate in which the CMOS and a first transistor of a higher breakdown voltage than those of transistors constituting the CMOS are formed as a collector; and a Zener diode which is connected between a base of the second transistor and the collector, breaks down at an overvoltage, and clamps an emitter-collector voltage of the second transistor.例文帳に追加

ＣＭＯＳと、前記ＣＭＯＳを構成するトランジスタよりも高耐圧の第１のトランジスタと、が形成された半導体基板をコレクタとして有する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタのベースと前記コレクタとの間に接続され、過電圧によりブレークダウンし前記第２のトランジスタのエミッタ・コレクタ間電圧をクランプするツェナーダイオードと、を備えたことを特徴とする静電サージ保護回路が提供される。 - 特許庁

To provide a simple and compact condenser lens which mixes different wavelength light beams from a plurality of light-emitting diode light sources to form light of a homogeneous color tone, reduces color irregularity in viewing to such an extent that it cannot be recognized, and selectively efficiently condenses and emits the light in a desired direction; and to provide a light source unit used to irradiate an object to be irradiated in a uniform color tone by using the condenser lens.例文帳に追加

複数の発光ダイオード光源からの異なる波長光を混合して、均質な色調にした光にすることができ、目視による色むらを認知できない程度に低減でき、所望の方向へ選択的に効率よく集光させつつ出射できる簡易で小型の集光レンズ、それを用い被照射物を均一な色調に照らすのに用いられる光源ユニットを提供する。 - 特許庁

A laser diode driving device 1 comprises a variable DC power source 3 configured to output a voltage for driving laser diodes LD1 to LDn, a current driving element 4 configured to cause a current If to flow, a current controller 5 configured to control the ON/OFF state of the current driving element 4 and the magnitude of the current If, and a power source controller 7 configured to control the output voltage of the variable DC power source 3.例文帳に追加

本発明に係るレーザーダイオード駆動装置１は、レーザーダイオードＬＤ１〜ＬＤｎを駆動するための電圧を出力する可変ＤＣ電源３と、電流Ｉｆを流す電流駆動素子４と、電流駆動素子４のＯＮ／ＯＦＦおよび電流Ｉｆの大きさを制御する電流制御部５と、可変ＤＣ電源３の出力電圧を制御する電源制御部７と、備える。 - 特許庁

When a semiconductor chip 10 is composed of a transparent material similar to a light-emitting diode 1 made by forming gallium nitride based compound semiconductor layers 12 and 13 on a transparent sapphire substrate 11, grains 30 composed of a material harder than that of electrodes 15 and 16 are stuck to the abutting portion of a gold bump electrode 21 in the electrodes 15 and 16 formed on the surface of the semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１の当接部位に、前記電極１５，１６よりも硬い材料から成る粒体３０を付着しておく。 - 特許庁

A film obtained from the composition is useful as a hole injection layer in organic electronic devices, including electroluminescent devices such as, for example, organic light-emitting diode (OLED) displays, as a hole extraction layer in organic optoelectronics devices such organic photovoltaic devices, and in combination with metal nanowires or carbon nanotubes in applications such as drain, source, or gate electrodes in thin film field effect transistors.例文帳に追加

本発明の組成物から得られる膜は、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ等のエレクトロルミネッセンスデバイスを含む有機エレクトロニクスデバイスにおける正孔注入層として、有機光電デバイス等の有機オプトエレクトロニクスデバイスにおける正孔引抜き層として、金属ナノワイヤーまたはカーボンナノチューブと組み合わせて薄膜電界効果トランジスタにおけるドレイン、ソースまたはゲート電極等の用途に有用である。 - 特許庁

In this case, since a series circuit comprising a strip line and a varactor diode provided between a ground line and a base input line of a received signal amplifying transistor in the reception amplifier section 4 forms a 1/4 wavelength open stub, the excess input for a desired frequency band can be prevented by setting the series resonance frequency of the open stub equal to the desired frequency band.例文帳に追加

このとき、受信増幅部４では、受信信号増幅用トランジスタのベース入力ラインと接地ラインとの間に設けられたストリップラインと可変容量ダイオードとによる直列回路によって、１／４波長のオープンスタブが形成されているので、このオープンスタブの直列共振周波数が所望の周波数帯域となるとように設定しておくことにより、この所望周波数帯域の過大入力が防止される。 - 特許庁

This panel light constructed of a lighting tube using a light emitting diode LED using a convenient and inexpensive dry battery as a power source is installed to an upper frame of the road construction sign plate for irradiating the whole surface of the sign plate.例文帳に追加

しかし、道路の状況によっては、工事現場が見えにくいあるいはヘッドライトの光が届き難い工事現場があったり、都市部においては、路上工事用標示板の背景には道路照明灯の光、ビルの照明、広告及び看板の照明、等が存在し、このような周辺光によっても視認性と判読性を低下させているので、標示板全体を照明灯で照らして視認性・判読性を向上させる工夫がなされている。 - 特許庁

An AM radio antenna circuit having a ferrite bar loop antenna is provided with a DC route configured and located to transmit a tuning signal to a varactor while including a resonance structure forming a balanced antenna circuit, a varactor diode tuning structure for imparting controllable capacitance to a winding structure, and the winding structure coupled to the varactor, and a means for connecting the antenna circuit to an external detection integrated circuit.例文帳に追加

フェライト・バー・ループ・アンテナを有するＡＭ無線アンテナ回路は、平衡アンテナ回路を形成する共振構造と、制御可能な容量を前記巻線構造に与えるバラクタ・ダイオード同調構造と、バラクタに結合された巻線構造を含み、同調信号をバラクタに伝達するように構成され配置されたＤＣ経路と、アンテナ回路を外部の検波集積回路に接続する手段とを備えている。 - 特許庁

The device for curing an adhesive agent uses a UV ray-curable system which uses a UV emitting diode or a UV radiating semiconductor laser to cure the adhesive agent or resin, wherein the adhesive agent coated on the first disk or substrate is irradiated with the UV ray, and the second disk or substrate is piled up to stick.例文帳に追加

紫外線発光ダイオード、もしくは紫外線放射半導体レーザにより、接着剤、もしくは樹脂を硬化する紫外線硬化機構であり、第１のディスク、もしくは基板に塗布された接着剤に紫外線を照射し、第２のディスク、もしくは基板をその上に貼り合わせる装置で、紫外線放射機構として、紫外線発光ダイオードもしくは紫外線放射半導体レーザを使用する接着剤硬化装置。 - 特許庁

The variable attenuator control circuit supplies current to a first diode (X1) functioning as a variable attenuator, while using the two control voltages (-Vcont1, Vcont2), and has an attenuation amount control means for controlling an attenuation amount by using the first voltage (-Vcont1), and a variable attenuation amount adjusting means for adjusting a variable attenuation amount by using the second voltage (Vcont2).例文帳に追加

２つの制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ１，Ｖｃｏｎｔ２）を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオード（Ｘ１）に対し、電流を供給する可変減衰器の制御回路であり、第１の制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ１）を用いて減衰量を制御する減衰量制御手段と、第２の制御電圧（Ｖｃｏｎｔ２）を用いて可変減衰量を調節する可変減衰量調節手段と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an LED (light-emitting diode) light source capable of adjustably changing its emitting light to any desired color easily, which is obtained by finding a solution to such problems in productivity as low yield due to causes of variation in the production of a color converted LED, and by making the control of color adjustment easy when converting color.例文帳に追加

色変換されたＬＥＤを生産する上で、バラツキの発生に起因する低い歩留まり率等の生産性の問題点を解決したり、色変換する際の色調整の制御を容易にするために研究開発されたものであり、ＬＥＤの発光色を簡単に所望の色に調整変化することができる色変換された発光ダイオード光源の製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

A current supplied to the organic light emitting diode element connected to a drain electrode of the EL drive transistor is controlled by a voltage between a gate electrode and a source electrode of the EL drive transistor, and a body electrode BD provided to the EL drive transistor as a fourth electrode is earthed in such a manner that excessive carriers generated in a channel area are caused to escape from the drive transistor through the body electrode.例文帳に追加

前記ＥＬ駆動用トランジスタのゲートーソース間電圧により、前記駆動用トランジスタのドレイン電極に接続された有機発光ダイオード素子に供給する電流は、制御され、前記ＥＬ駆動用トランジスタに第４の電極として設けられたボディ電極ＢＤは、チャンネル領域に発生する余剰キャリアがボディ電極を介して駆動用トランジスタから逃げるように接地されている。 - 特許庁

The method includes a step charging the electric wire 6a or 6d by a voltage source 13 through first charging circuits 14, 15, 16, 17; and a step discharging the electric wire 6a or 6b through a diode 5a or 5d without impedance matching in the machining gap after igniting a discharging gap and recharging the electric wire 6a or 6b after predetermined pulse off time.例文帳に追加

本発明は、電圧源（１３）により第１の充電回路（１４、１５、１６、１７）を介して前記電線（６ａないし６ｄ）を充電すること、放電ギャップの点火後に、前記加工ギャップで、インピーダンス整合なしにダイオード（５ａないし５ｄ）を経て前記電線（６ａないし６ｄ）を放電することおよび予め決められたパルスオフ時間の後に、前記電線（６ａないし６ｄ）を再充電することの各ステップを含む。 - 特許庁

The detection voltage is amplified by a comparator U1 and is converted to DC by rectification, a reference voltage where voltage can be arbitrarily varied by a variable resistor VR and a detection voltage VS being converted to DC are compared and amplified by a comparator U2, and an obtained output voltage VCO is applied to a variable capacity diode VC, thus forming a loop for constantly maintaining a detection voltage.例文帳に追加

この検出電圧を比較器Ｕ１を用いて増幅し、整流を行い直流に変換し、可変抵抗器ＶＲで電圧が任意に可変出来る基準電圧と直流に変換された検出電圧ＶＳとを比較器Ｕ２を用いて比較増幅し、得られた出力電圧ＶＣＯを可変容量ダイオードＶＣに印加することにより、検出電圧を一定に保つためのループを形成する。 - 特許庁

A vertical MOSFET suppresses a parasitic bipolar transistor performance to improve the avalanche resistance by forming n-type regions 8 having an impurity concentration lower than an n-type substrate 1 or a p-type region 9 about the central part of a unit arrangement region having the apexes of FET cells 10 and diode cells 11 arranged on the surface of the n-type semiconductor substrate 1 with equal intervals.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型半導体基板１の表面上に等間隔に配置されたＦＥＴセル１０及びダイオードセル１１を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、Ｎ型基板１よりも不純物濃度の低いＮ型領域８を形成するか、もしくはＰ型領域９を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁

The GaN light emitting diode comprises a first conductivity type GaN clad layer having a first contact on its top surface, an active layer formed on the bottom surface of the GaN clad layer, and a second-conductivity GaN clad layer formed on the bottom surface of the active layer.例文帳に追加

第1コンタクトが形成された上面を有する第1導電型GaNクラッド層と、前記第1導電型GaNクラッド層の下面に形成された活性層と、前記活性層の下面に形成された第2導電型GaNクラッド層と、前記第2導電型GaNクラッド層に形成された導電性接着層と、前記導電性接着層の下面に形成され、第2コンタクトが形成された下面を有する導電性基板とを含むGaN発光ダイオードを提供する。 - 特許庁