DIODEを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 18423件
With a sufficient received light quantity obtained even at a low sensitivity by possibly increasing the area of a photo diode 101, a power source SVDD for a reset MOS transistor 102, and a source-follower amplifier 104 changes according to the ISO sensitivity to possibly hold a linearity of the received light quantity of an amplification type solid-state imaging device to the output signal level.例文帳に追加
フォトダイオード101の面積を可及的に大きくして低感度でも十分な受光量を得ることができるようにしつつ、リセットMOSトランジスタ102とソースフォロアアンプ104の電源SVDDを、ISO感度に合わせて変更するようにして、増幅型固体撮像素子の受光量と出力信号レベルとのリニアリティを可及的に保つことができるようにする。 - 特許庁
In the image recording apparatus 1 which records the image by hardening ink through irradiation of ultraviolet rays to the recording medium 4 by an ultraviolet ray irradiation device 20, an ultraviolet light source is constituted of a light emitting diode which generates ultraviolet rays to have an emission wavelength peak of 390-420 nm and a maximum illuminance at a recording medium surface of 80-1000 mW/cm^2.例文帳に追加
記録媒体4に紫外線照射装置20により紫外線を照射することでインクを硬化させて、画像を記録する画像記録装置1において、紫外線光源を、発光波長ピークが390〜420nmであり、かつ記録媒体表面での最高照度が80〜1000mW/cm^2となる紫外線を発生する発光ダイオードにより構成する。 - 特許庁
In an optical communication device 2a, when an alarm signal is provided from an optical reception alarm circuit 9a, a control circuit 7a provides a trigger signal for a switching circuit 8a so as to switch connection from a laser diode 12a to a signal processing unit 16a, and also provides a control signal for the signal processing unit 16a so as to activating an OTDR.例文帳に追加
光通信装置2aにおいて、制御回路7aは、光受信アラーム回路9aから、アラーム信号が供給されると、切換回路8aにレーザダイオード12aを、信号処理部16aに切り換えて接続させるためのトリガー信号を供給するとともに、信号処理部16aにOTDRとして起動させるための制御信号を供給する。 - 特許庁
An insulating layer 12 constituting the MIM type diode element is an amorphous oxide film formed by anodically oxidizing a surface of a lower electrode 11, the lower electrode 11 is formed with a single layer film of aluminum or an aluminum alloy or a laminated film having either of them as an outermost layer, and the anodically oxidized single layer film of aluminum or an aluminum alloy is formed into an amorphous body.例文帳に追加
MIM型ダイオード素子を構成する絶縁層12が下部電極11の表面を陽極酸化により形成した非晶質な酸化膜であり、下部電極11をアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜、あるいはそれらの何れかひとつを最表層にもつ積層膜で形成し、陽極酸化されるアルミニウムもしくはアルミニウム合金の単層膜を非晶質体とした。 - 特許庁
The LED obtained by combining the phosphor with a light emitting diode for emitting a blue light has improved color rendering properties due to a large amount of a red component in luminescence and has a long duration of life since deterioration by heat is controlled in comparison with a red phosphor emitting a red light and readily stabilizes luminescent qualities by controlling luminescence and absorption efficiency of each color.例文帳に追加
この蛍光体と青色光を発生する発光ダイオード素子とを組み合わせたLEDは、発光に赤色成分が多いので演色性が向上し、赤色光を発生する赤色蛍光体に比べて熱による劣化が抑制されるので寿命が長くなり、各色の発光・吸収効率を制御して発光品質を安定させることが容易である。 - 特許庁
When output voltage of a DC/DC converter 23 exceeds a prescribed value, the microcomputer 21 determines that a secondary battery 11 connected to the DC/DC converter 23 in parallel on electronic equipment 1 side through a diode OR circuit 12 is nearly a full charge state, and controls auxiliaries 222 so as to decrease the output power from the high mode to the low mode.例文帳に追加
マイコン21は、DC/DCコンバータ23の出力電圧が所定値を越えると、このDC/DCコンバータ23と電子機器1側でダイオードOR回路12を介して並列接続される2次電池11が満充電に近い状態にあると判断し、HighモードからLowモードに出力電力を低下させるべく補機222を駆動制御する。 - 特許庁
The magneto optical sensor includes a magnetic sensor circuit 100 that supplies a magnetic signal according to a change of a magnetic field, an optical sensor circuit 200 that supplies an optical signal according to a light volume from a light emitting diode 21 based on passage of a detection object, and an arithmetic operation circuit 30 for mutually and arithmetically operating the magnetic signal and the optical signal.例文帳に追加
検出物の通過に基づく磁界変化に応じた磁気信号を供給する磁気センサ回路100と、検出物の通過に基づく発光ダイオード21からの光量に応じた光信号を供給する光センサ回路200と、を備えている光磁気センサ1であって、磁気信号、及び、光信号を相互演算する演算回路30を備えている。 - 特許庁
In the present invention, a rail-shaped electrode is separated into an electrode on normal operation and that used when replacing a battery pack and is connected by a diode for preventing the returning of power, power is fed from a used battery pack 3 on replacement via the electrode, and the pull-out of the used battery pack is completed after starting feeding power from a fresh battery pack 2.例文帳に追加
この課題を解決するために本発明はレール状電極を通常動作時の電極5と電池パックの交換時のみ使用する電極6とに分離し、電力逆流防止用のダイオード4で接続し、交換時のみ旧電池パック3から電極6を経由して給電し、新電池パック2の給電を開始してから旧電池パックの抜き取りが完了するようにする。 - 特許庁
When an output terminal 3 has a higher voltage than a power voltage terminal 1 by a motor counter electromotive voltage without need for adding a flywheel diode, a PNP transistor 4 turns on and a power transistor 9 turns on to restrain generation of excessive motor counter electromotive voltage and to operate so that a voltage of the output terminal 3 may be small, thus preventing erroneous circuit operation and element destruction.例文帳に追加
フライホイールダイオードを設けることなく、モータ逆起電圧により出力端子3が電源電圧端子1より大きな電圧になった場合に、PNPトランジスタ4がオンしてパワートランジスタ9をオンさせ、過大なモータ逆起電圧が発生するのを抑えることにより、出力端子3の電圧が小さくなるように動作させ、回路誤動作および素子破壊を防止する。 - 特許庁
Output terminal plates 20 having vertical parts 20a are respectively fixed to each stud side terminal 11 before inserted in a fixing hole 15a, and the output terminal plate 20 having the same potential as that of each stud side terminal 11 are interposed between each bolt head part 12 and a heat radiating plate 15 when each diode D1, D2 is fixed to the heat radiating plate 15.例文帳に追加
各スタッド側端子11には、取付孔15aに挿入される前に垂直部20aを有する出力端子板20がそれぞれ取り付けられ、各ダイオードD1,D2が放熱板15に固定された際には、前記各スタッド側端子11と同電位の出力端子板20が前記各ボルト頭部12と放熱板15との間にそれぞれ介在されている。 - 特許庁
An optical repeater or an optical logic circuit comprising at least one photodiode of which a cathode is connected to a constant voltage, for converting an optical signal into an electrical signal, a resistor of which one terminal is connected to an anode of the photodiode and another terminal is connected to the constant voltage, and a resonant tunnel diode of which one terminal is connected to the one terminal of the resistor.例文帳に追加
本発明は、カソードが一定電圧に接続され、光信号を電気信号に変換する少なくとも1つのフォトダイオードと、このフォトダイオードのアノードに一端を接続し、一定電圧に他端を接続する抵抗と、この抵抗の一端に一端を接続する共鳴トンネルダイオードとを設け、光中継器または光論理回路であることを特徴とするものである。 - 特許庁
The optoelectronic integrated circuit 600, having a sapphire substrate 611 of an SOS substrate 610 as a lower clad, is monolithically formed of an optical waveguide having a silicon film 611 as a core, an electronic integrated circuit 640 formed on the silicon film 611, and grooves 621, 622 for fixing optical fibers 670, 680, and is mounted in a hybrid with a photodiode array 650 and a laser diode array 660.例文帳に追加
光電子集積回路600は、SOS基板610のサファイア基板611を下部クラッドとし、かつ、シリコン膜611をコアとした光導波路と、該シリコン膜611に形成された電子集積回路640と、光ファイバ670,680を固定する溝621,622とがモノリシックに形成され、さらに、フォトダイオードアレイ650およびレーザダイオードアレイ660がハイブリッドに搭載される。 - 特許庁
The radioactive display device; for example, the plasma display panel or the light emitting diode panel or another kind of the display device, for example, the liquid crystal display device, is provided with a heat spreader constituted by including at least one sheet which has a surface area greater than the surface area of a portion facing the back side surface of the device and is formed from compressed particles of exfoliated graphite.例文帳に追加
放射性ディスプレイデバイス、例えばプラズマディスプレイパネルまたは発光ダイオードパネル、または別の種類のディスプレイデバイス、例えば液晶ディスプレイデバイスにおいて、デバイスの裏側表面に面した部分の表面積よりも大きな表面積を有する少なくとも一枚の、剥離されたグラファイトの圧縮された粒子から形成されたシートを含んでなる放熱体を備える。 - 特許庁
To provide a lighting system capable of improving light extraction efficiency of a light source module using a light emitting diode as a light source, capable of improving coupling efficiency to a light guide plate as a sidelight light source, capable of having highly uniform luminance distribution, and also capable of line control with a small number of light emitting diodes, and a liquid crystal display device using the lighting system.例文帳に追加
本発明の課題は、発光ダイオードを光源とする光源モジュールの光取出し効率を向上させるとともに、サイドライト光源として導光板へのカップリング効率向上、さらに、高均一な輝度分布が可能であり、かつ少ない数の発光ダイオードでライン制御が可能な照明装置およびこの照明装置を用いた液晶表示装置を提供することにある。 - 特許庁
Forward voltage of a single light-emitting diode is about 3.5 V and in consideration that the forward voltage is substantially constant regardless of variation in power supply on the input side, a capacitor 21 is charged with a DC voltage generated in the series circuit of light-emitting diodes 17-20 and the charging voltage of the capacitor 21 is supplied as a power supply for driving a control circuit 22.例文帳に追加
単一の発光ダイオードの順方向電圧は、3.5V程度で、この順方向電圧は、入力側の電源変動などに対してもほぼ一定であることに着目して、発光ダイオード17〜20の直列回路に発生する直流電圧によりコンデンサ21を充電し、このコンデンサ21の充電電圧を制御回路22の駆動電源として供給する。 - 特許庁
The infrared light-emitting diodes 35 and the infrared light-receiving photodiodes 39 function as the sensor part of the optical touch panel apparatus by outputting a prescribed electric signal by allowing the photodiodes 39 to receive infrared rays which is emitted from the diode 35 and reflected by a detecting object (the finger tip of a user touching to a protective acrylic plate 13).例文帳に追加
赤外線発光ダイオード35と赤外線受光フォトダイオード39とは、赤外線発光ダイオード35から出射した赤外光が検知対象物(保護用アクリル板13に触れるユーザの指先)に当って反射した赤外光を赤外線受光フォトダイオード39が受光することにより所定の電気信号を出力することで、光学式タッチパネル装置のセンサ部として機能する。 - 特許庁
By providing such a lifetime control region 13 as a current amplification factor in a transistor structure of pnp structure or npn structure which is formed by the n^++-type semiconductor region 1; the p^+-type semiconductor region 2 and the n^++-type semiconductor regions 3, 4 can be lowered, and the withstand pressure of the bidirectional planer-type diode can be raised.例文帳に追加
このようなライフタイム制御領域13を設けたことにより、n^++型半導体領域1と、p^+型半導体領域2と、n^++型半導体領域3,4とにより形成されるpnp構造あるいはnpn構造のトランジスタ構造での電流増幅率を下げることができるので、双方向プレーナ型ダイオードの耐圧を向上させることができる。 - 特許庁
An accurate constant voltage circuit toward building in of an IC can be obtained without using a Zener diode or a regulator, by feeding back the output voltage of a charge pump circuit via an output voltage detector 3 and a boosted voltage controller 4 to the power voltage of an inverter bearing the boosting action within the charge pump circuit, thereby forming an autonomous regulation system.例文帳に追加
本発明においては、チャージポンプ回路内で昇圧動作を担っているインバータの電源電圧に、出力電圧検出部3と昇圧電圧制御部4を介したチャージポンプ回路の出力電圧をフィードバックして一つの自律調整系を形成することによって、ツェナーダイオードやレギュレータを使用せずにIC内蔵化へ向けた精度の良い定電圧回路を実現した。 - 特許庁
A DC voltage produced by rectifying an AC voltage from an AC input power supply 2 through a diode bridge 5 is applied, while being divided through resistors 14 and 12, to the resistor connection terminal 11a of a PWM control IC 11 for controlling the switching operation of a switching element 10 and the frequency for controlling the switching operation is varied depending on the amplitude of the AC voltage.例文帳に追加
スイッチング素子10のスイッチング動作を制御するPWM制御IC11の抵抗接続端子11aに、交流入力電源2から供給される交流電圧をダイオードブリッジ5により整流した直流電圧を、抵抗14と抵抗12とで分圧して印加することで、スイッチング動作を制御する制御周波数を前記交流電圧の振幅に応じて変化させる。 - 特許庁
A driving circuit for a semiconductor optical amplifier gate switch constituting the matrix optical switch is provided with an operational amplifier which receives input of a driving signal and outputs a current corresponding to the driving signal, an inductance element provided to an output terminal of the operational amplifier, and a circuit formed by connecting a diode element and a resistance element, provided between the inductance element and semiconductor optical amplifier, in parallel.例文帳に追加
マトリクス光スイッチを構成する半導体光増幅器型ゲートスイッチの駆動回路に於いて、駆動信号を入力し該駆動信号に対応した電流を出力するオペレーションアンプと、該オペレーションアンプの出力端子に設けられたインダクタンス素子と、該インダクタンス素子と該半導体光増幅器間に設けられたダイオード素子と抵抗素子を並列接続した回路を設ける。 - 特許庁
The voltage controller 1 of a generator 2 for vehicle has an input terminal L receiving the voltage of a battery 5 through ignition switches 3 connected in series and a light emitting element (a light emitting diode 4) operating with low power consumption and excitation of the rotor coil 201 of the generator 2 for vehicle is started when the voltage at the input terminal L exceeds a given level.例文帳に追加
車両用発電機2の電圧制御装置1において、互いに直列に接続されたイグニッションスイッチ3と低消費電力で駆動する発光素子(発光ダイオード4)を介してバッテリ5の電圧を入力する入力端子Lを有し、この入力端子Lの電圧が所定値を越えた時に車両用発電機2のロータコイル201の励磁を開始する。 - 特許庁
To provide a signal processing circuit for a differential capacitive transducer, capable of detecting only an amount of variation in electrostatic capacitance by sine wave drive at a low voltage by not performing direct half wave rectification with a diode but performing full wave rectification with synchronous detection, and capable of simplifying a circuit scale, and not being influenced by a dc offset voltage of the signal processing circuit itself and the temperature drift thereof.例文帳に追加
ダイオードによる直接半波整流ではなく、同期検波による全波整流を行うことにより、低電圧の正弦波駆動で静電容量の変化量のみ検出することができ、回路規模を簡略化可能で、信号処理回路自身の直流オフセット電圧,温度ドリフトの影響を受けることのない差動容量型トランスデューサの信号処理回路を提供する。 - 特許庁
Then a zinc oxide crystal phosphor layer 13 composed of three layers is formed on the surface of the light emitting diode layer 12 by successively epitaxially growing a blue phosphor layer 131, a green phosphor layer 132, and a red phosphor layer 133 on the surface of the layer 12 in this order.例文帳に追加
n型Si(111)基板11上に、炭化ケイ素結晶からなる中間層15をエピタキシャル成長させ、更に、この中間層15上にp型AlGaN半導体層部121、GaN結晶層部122、及び、n型AlGaN半導体層部123の各々この順でエピタキシャル成長させて積層し、3層からなる13族元素窒化物発光ダイオード層12を形成する。 - 特許庁
To provide an organic photoreceptor which can form high resolution electrophotographic images by forming high resolution electrostatic latent images by using an image exposing light source of a semiconductor laser or a light emitting diode of the 350-500 nm oscillation wavelength on an organic photoreceptor and correctly reproducing them in high resolution toner images and is suitable for printing, and also provide an image forming method and apparatus.例文帳に追加
発振波長が350〜500nmの半導体レーザ又は発光ダイオードの像露光光源で形成された有機感光体上の静電潜像を高細密に形成し、該高細密に形成された静電潜像を忠実にトナー像として再現し、印刷分野に適した高細密の電子写真画像を形成できる有機感光体、画像形成方法、画像形成装置の提供。 - 特許庁
A receiver 30 consists of a photodiode 31 for receiving the optical signal converted by the laser diode 12 of the transmitter 10 through an optical fiber 20 and converting the optical signal into an electric signal and an amplifier 32 for amplifying the electric signal converted by the photodiode 31 and an OFDM demodulator 33 for demodulating the electric signal from the amplifier 32 to an OFDM signal.例文帳に追加
受信機30は、送信機10のレーザダイオード12により変換された光信号を、光ファイバ20を介して入力され、電気信号に変換するフォトダイオード31と、このフォトダイオード31により変換された電気信号を増幅する増幅器32と、この増幅器32からの電気信号をOFDM信号に復調するOFDM復調器33とから構成されている。 - 特許庁
In the optical disk device equipped with the laser driving circuit 19, a laser diode 8 emits a laser beam, a power regulator 43 supplies a required power voltage to the laser driving circuit 19, and a control microcomputer 42 performs control to switch a required power voltage supplied from the power regulator 43 to the laser driving circuit 19 depending on recording or reproducing.例文帳に追加
本発明に係るレーザ駆動回路19を備える光ディスク装置においては、レーザダイオード8は、レーザ光を発光し、電源レギュレータ43は、レーザ駆動回路19に所要の電源電圧を供給し、制御マイクロコンピュータ42は、記録時か再生時かによって、電源レギュレータ43からレーザ駆動回路19に供給される所要の電源電圧を切り替えるように制御する。 - 特許庁
The stress measuring apparatus 10 comprises a current supply means 14, a series circuit which is connected to the current supply means 14 and has a piezoresistance element 30 forming single gage resistance and a compensation diode 22 which is connected to the piezoresistance element 30 in series, and a voltage measuring means 16 for measuring the voltage between the both ends of the series circuit.例文帳に追加
本発明の装置10は、電流供給手段14と、その電流供給手段14に接続されており、単ゲージ抵抗を形成するピエゾ抵抗素子30とそのピエゾ抵抗素子30に直列に接続されている補償用ダイオード22を有する直列回路と、その直列回路の両端間の電圧を測定する電圧測定手段16を備えている。 - 特許庁
The semiconductor module comprises an insulating substrate 11 where an collector electrode 7 and an emitter electrode 8 are connected, an IGBT chip 1 and a diode chip 2 respectively bonded on the collector electrode 7 through a solder 12 for invert parallel connection on the insulating substrate 11, and a resistor 3 which is connected in series to the IGPT chip 1 and soldered to the emitter electrode 8.例文帳に追加
半導体モジュールは、コレクタ電極7とエミッタ電極8が接続された絶縁基板11と、その絶縁基板11上において逆並列接続されるように各々はんだ12を介してコレクタ電極7に接合されたIGBTチップ1とダイオードチップ2と、IGBTチップ1と直列接続され、エミッタ電極8にはんだ付けされた抵抗体3とを備える。 - 特許庁
When the rated voltage of a commercial AC power source is applied and a commercial AC power source has a voltage below a designed guarantee minimum AC source voltage, the voltage Vi1 of an electrolytic capacitor 21 is held above 5.3 V (= an operation guarantee minimum input voltage as to a 5V automatic voltage generator 24) only with the discharging current from a secondary coil 14 and a diode 30 is off.例文帳に追加
商用交流電源の定格電圧時、及び商用交流電源が設計上の保証最小交流電源電圧までに至らない電圧にあるときでは、電解コンデンサ21の電圧Vi1は、二次巻き線14からの充電電流のみにより5.3V(=5V自動電圧生成器24についての動作保証最小入力電圧)以上に保持され、ダイオード30はオフである。 - 特許庁
The light emitting diode comprises a base substrate 15 having an electrode, a light emitting element 16 being mounted on the base substrate 15, a first reflection cup 13 being arranged to surround the light emitting element 16, and a second reflection cup 14 being set removably in the first reflection cup and having a light reflection angle different from that of the first reflection cup 13.例文帳に追加
電極部を有するベース基板15と、このベース基板15上に載置される発光素子16と、この発光素子16を取り囲むように配置される第1の反射カップ13と、この第1の反射カップ13の内側に着脱可能に組み込まれ、前記第1の反射カップ13の光反射角とは異なる光反射角を有する第2の反射カップ14とを備えた。 - 特許庁
In a laser output control device 100 which has at least one connection structure, a laser part 110 which comprises a laser diode and a photodiode which are connected to each other by the connection structure, and a bias voltage applying part 130 which selectively applies bias voltage to the photodiode for biasing the photodiode in the reverse direction according to the connection structure, are provided.例文帳に追加
レーザ出力制御装置100に,少なくとも1つの接続構造を有し,前記接続構造により互いに接続されたレーザダイオードとフォトダイオードとを含むレーザ部110と,上記接続構造に応じて,選択的に,前記フォトダイオードを逆方向にバイアスさせるためのバイアス電圧を前記フォトダイオードに印加するバイアス電圧印加部130と,を設けた。 - 特許庁
A semiconductor element which has a structure having an undoped AlN layer and an n-type AlN layer laminated in order on a semiconductor or an insulator substrate is a Schottky diode having a Schottky electrode and an ohmic electrode formed on an n-type AlN layer or a field-effect transistor having a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode formed on an n-type AlN layer.例文帳に追加
半導体または絶縁体基板上に、アンドープAlN層、n型AlN層の順で積層された構造を有する半導体素子であって、その半導体素子が、n型AlN層上にショットキー電極およびオーミック電極を形成したショットキーダイオード、またはn型AlN層上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を形成した電界効果トランジスターである。 - 特許庁
To individually enable a plurality of pairs of optical wireless terminals to conduct two-way communication, to almost completely eliminate substantial waste in hardware layout of components, such as a light emitting diode LED and waste of power consumption, and to realize these with only a simple structure.例文帳に追加
光無線端末装置同士の間での双方向の通信を、複数対のそれぞれで個別に行うことができ、しかもLEDなどのハードウェア的な配置の実質的な無駄や消費電力量の無駄をほぼ完全に解消することができ、しかもそれらを簡易な構造のみで実現することが可能である、光無線集配装置及びそれを用いた光無線通信方法を提供する。 - 特許庁
The light emitting diode including the mount substrate that supports a light emitting active structure formed from the group III nitride material system, a bonding structure that supports a group III nitride active structure, and the bonding structure, and is provided with a mount substrate containing a material that reflects a substantial amount of light having a predetermined frequency irradiated by an active structure.例文帳に追加
III族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、III族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 - 特許庁
A diode 42a is connected between a well electrode 17 and a cathode terminal 31, and a MOSFET 41 is connected between the cathode electrode 18 and cathode terminal 31, so that this device operates as a thyristor when a current flowing between the anode terminal 32 and the cathode terminal 31 has small current density and as a bipolar transistor when the current has large current density.例文帳に追加
ウェル電極17とカソード端子31との間にダイオード42aを接続し、カソード電極18とカソード端子31との間にMOSFET41を接続することによって、アノード端子32とカソード端子31との間を流れる電流の電流密度が小さいときにはサイリスタとして動作し、電流密度が大きいときにはバイポーラトランジスタとして動作する。 - 特許庁
To provide an APD(Avalanche Photo Diode) bias voltage control circuit that can combine an optical reception module and an APD bias voltage control section in a general purpose way, downsize the optical reception module by externally mounting the APD bias voltage control section and commonly structure the PIN element optical reception module.例文帳に追加
本発明はAPDバイアス電圧制御回路に関し、光受信モジュールとAPDバイアス電圧制御部との汎用的な組み合わせが可能で、APDバイアス電圧制御部の外付けによる光受信モジュールの小型化、更にはPIN素子光受信モジュールの構造の共通化が可能となるAPDバイアス電圧制御回路を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide an LED lamp capable of easily and properly holding mounted attitudes of a plurality of light emitting diodes, and capable of introducing power to light each light emitting diode, converting it, and adjusting it with a simple structure, as a fluorescent lamp type LED lamp used by mounting it to a ready-made fluorescent lamp luminaire in lieu of the fluorescent lamp.例文帳に追加
既製の蛍光灯照明器具にその蛍光灯に代えて取り付けて使用する蛍光灯型LEDランプとして、複数の発光ダイオードの取付け姿勢を容易かつ的確に保持すること、その各発光ダイオードを点灯させるための電力の取り入れやその電力の変換、調整をより簡易な構成で実現すること等が可能なLEDランプを提供する。 - 特許庁
To surely prevent increase of excessive currents at forward current flow and reverse currents which is caused by a pin hole formed on a Shottky electrode, relating to a Shottky barrier diode in which the Shottky electrode is provided on the surface of a silicon carbide epitaxial film grown from the surface of a silicon carbide single crystal substrate, on which a pad electrode is provided.例文帳に追加
炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の表面にショットキー電極が設けられ、ショットキー電極の上にパッド電極が設けられたショットキーバリアダイオードにおいて、ショットキー電極に形成されたピンホールを起因とする順方向通電時における過剰電流および逆方向リーク電流の増加を確実に防止すること。 - 特許庁
The light emitting diode has an LED chip which is bonded on a substrate with a die bonding member and a color conversion member containing a fluorescent material which absorbs at least part of the light emitted by the LED chip and performs wavelength conversion to emit light; and a light emission layer of the LED chip is a nitride-based compound semiconductor and the die bonding member is formed of a resin containing an inorganic member.例文帳に追加
本願発明は、基板上にダイボンド部材によって固定されたLEDチップと、LEDチップからの発光の少なくとも一部を吸収し波長変換して発光する蛍光物質を含む色変換部材とを有する発光ダイオードであって、LEDチップの発光層が窒化物系化合物半導体であると共にダイボンド部材が無機部材含有の樹脂である。 - 特許庁
An output of a high frequency unit 5 is connected on a + side of an output terminal of a lead battery charging unit by a capacitor and a diode 14 and a charging current and a high-frequency current are diverted so that they do not flow reversely, and the charging life extension and regeneration system device 11 for the charging device and the vehicle-mounted lead battery can be easily installed.例文帳に追加
鉛電池(バッテリー)用充電装置の出力端子+側に高周波装置5の出力をコンデンサーとダイオード14によって、充電電流と高周波電流を逆流しないように分流させるようにされたことにより、充電装置と自動車搭載鉛電池(バッテリー)の充電延命再生システム装置器11を容易に取り付ける様に構成する。 - 特許庁
The light-emitting part includes a plurality of RGB LEDs (Light-emitting Diodes) capable of emitting red, green and blue light, and each of RGB LEDs is arranged so that part of the light from a prescribed RGB LED which illuminates the illumination part overlaps with part of the light from the other RGB LEDs that illuminate the illumination part before entering the illumination part.例文帳に追加
そして、上記発光部は、赤色・緑色・青色の各光を発光可能なRGB LED(Light Emitting Diode)を複数備えており、所定の上記RGB LEDから上記照光部に照光される光の一部が他の上記RGB LEDから上記照光部に照光される光の一部と当該照光部に入射する前に重なるよう、上記各RGB LEDを配置している。 - 特許庁
Accordingly, a depletion layer formed by the channel layer 37 in a drift layer 33 and a depletion layer formed by the resurf region 52 in the drift layer 33 are smoothly linked at around a boundary between the IGBT cell 10 and the diode cell 20 thereby easing electric field concentration at around the boundary to ensure the breakdown voltage of the semiconductor device.例文帳に追加
これにより、チャネル層37によってドリフト層33に形成される空乏層とリサーフ領域52によってドリフト層33に形成される空乏層とがIGBTセル10とダイオードセル20との境界付近で滑らかに接続されるので、当該境界付近における電界集中を緩和することができ、半導体装置の耐圧を確保することができる。 - 特許庁
The light-emitting diode includes: an n-type nitride semiconductor layer; a p-type nitride semiconductor layer; and an active region of multiple quantum well structure interposed between the n-type nitride semiconductor layer and the p-type nitride semiconductor layer and including an InGaN quantum well layer; and a superlattice layer intervened between the n-type nitride semiconductor layer and the active region.例文帳に追加
発光ダイオードは、n型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層と、前記n型窒化物半導体層と前記p型窒化物半導体層との間に介在され、InGaN量子井戸層を含む多重量子井戸構造の活性領域と、前記n型窒化物半導体層と前記活性領域との間に介在された超格子層とを含む。 - 特許庁
The optical device has a member 63 having anisotropic light transmissivity, in which a photonic band gap is formed by cyclically arranging two dimensionally or three dimensionally two or more dielectric materials which have different dielectric constants, which is interposed between such optical elements as a single mode optical fiber 1 or a laser diode 6 thus the light propagation except a specific direction is blocked.例文帳に追加
誘電率を異にする2種類或いはそれ以上の誘電体物質を周期的に2次元或いは3次元に配列してフォトニックバンドギャップを発現し、特定方向以外の方向に対する光伝播を阻止する異方導光性部材63をシングルモード光ファイバ1或いはレーザダイオード6の如き光学素子の間に介在させた異方導光性部材を有する光学装置。 - 特許庁
Non-woven fabric carrying a photocatalyst, titanium oxide in particular, or a metallic mesh type photocatalyst carrier and an ultraviolet light emitting diode are faced to be juxtaposed, a solution passage allowing the purifying object solution to flow is formed therebetween, and these are contained in one vessel to form the small solution purification device, particularly suited to sterilization of cut flower dipping liquid.例文帳に追加
光触媒(とくに、酸化チタン)を担持した不織布または金属メッシュタイプの光触媒担持体と紫外線発光ダイオードとを対向させて併設し、両者間に浄化対象溶液が流通可能な溶液路を形成するとともに、これらを一つの容器内に収納したことを特徴とする小型溶液浄化装置で、とくに切り花浸け液の浄化に好適な装置。 - 特許庁
The semiconductor integrated circuit device comprises a boosting circuit, a first transistor whose gate is driven by an output voltage of the boosting circuit and which is used for driving signal lines, a second transistor which is diode-connected for generating the necessary driving voltage for the signal lines to be supplied to the drain of the first transistor by reducing the output voltage of the boosting circuit, and a serial resistor circuit.例文帳に追加
半導体集積回路装置は、昇圧回路と、前記昇圧回路の出力電圧によりゲートが駆動される、信号線駆動用の第1のトランジスタと、前記昇圧回路の出力電圧を降下させて、前記第1のトランジスタのドレインに供給される必要な信号線駆動電圧を生成するためのダイオード接続された第2のトランジスタと抵抗の直列回路とを有する。 - 特許庁
The plurality of light guide poles 32 are fixed and supported to the light source support member 24 at a first bridge 34 which is formed in an integral molding with the left end portion, and a positioning structure for positioning the left end face of each light guide pole 32 to each light-emitting diode 22 is installed in the first bridge 34 and the light source support member 24.例文帳に追加
複数の導光柱32は、その左端部に一体成形により形成された第1ブリッジ34において光源支持部材24に固定支持された構成とし、その第1ブリッジ34および光源支持部材24に、各導光柱32の左端面を各発光ダイオード22に対して位置決めするための位置決め構造が設けられた構成とする。 - 特許庁
A mounting-part waveguide element 31 on which optical components such as a laser diode 38 and a photodiode 39 are mounted and an optical wave multiplexing/demultiplexing part waveguide element 45 having the function of multiplexing and demultiplexing light waves are split into separate components, so that only nondefective components can be sorted out for each component and combined, so that the manufacturing yields of a hybrid waveguide module are greatly enhanced.例文帳に追加
さらにレーザダイオード38やフォトダイオード39等の光部品を搭載した搭載部導波路素子31と、光の合分波機能を有する光合分波部導波路素子45とを分割して別部品にしたことにより、各部品の中で良品のみを選別して組み合わせることができるので、ハイブリッド型導波路モジュールの製造歩留まりが大幅に向上する。 - 特許庁
Since high speed transmission is made possible using TOSA 41 and ROSA 42 while a surface emitting laser diode (VCSEL) is used for data transmission between a measurement data obtaining section 20 and a data processing section 30, and the distance between the measurement data obtaining section 20 and the data processing section 30 can optionally be set by using an optical fiber 44, the high withstand voltage is attained.例文帳に追加
測定データ取得部20とデータ処理部30間のデータ伝送を、面発光型レーザダイオード(VCSEL)を利用して、TOSA41及びROSA42を用いることで高速伝送が可能となり、また光ファイバ44を用いることで測定データ取得部20とデータ処理部30との距離を任意に設定することが可能となるため高耐電圧化を図ることができる。 - 特許庁
To provide a ZnSe white light emitting diode that is equipped with a ZnCdSe/ZnSe active layer or a ZnSeTe active layer and a ZnSe substrate doped with SA light emitting impurities, which has a long service life and is improved in brightness by preventing the injected electrons from overflowing into a p-type clad layer, and by restraining the injected holes from overflowing into an n-type clad layer.例文帳に追加
ZnCdSe/ZnSe活性層またはZnSeTe活性層とSA発光不純物をドープしたZnSe基板をもつLEDにおいて、注入された電子がp型クラッド層へオーバーフローすること、注入された正孔がn型クラッド層へオーバーフローすることを防ぎ、より高輝度でより長寿命のZnSe系白色発光ダイオードを提供すること。 - 特許庁
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