「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vending machine control information rewriting system with which a control program can be easily rewritten at a low cost by using a flash ROM for a control program storage memory of a vending machine and sales managing information can be efficiently investigated at a low cost.例文帳に追加

自動販売機の制御プログラム記憶メモリに、フラッシュＲＯＭを用い、その制御プログラムを簡便かつ低コストで書き換えできると共に、低コストで効率よく販売管理情報を調査できる自動販売機制御情報書換システムを提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a transistor of a NAND flash memory element by which the performance of the transistor in a cell region and a peripheral region is improved by defining an active width wider than a real STI pitch by forming a step STI profile using a spacer.例文帳に追加

スペーサを用いたステップＳＴＩプロファイルを形成して実際ＳＴＩピッチより広いアクティブ幅を確保することにより、セル領域と周辺領域のトランジスタ性能を向上させるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子のトランジスタ形成方法を提供する。 - 特許庁

A system control circuit 36 checks a difference between the recording date and time of the precedingly recorded retrieved image and the recording start date and time this time and writes the compressed retrieved image by the retrieved image compression circuit 30 to a flash memory 32 with the time code.例文帳に追加

システム制御回路３６は、前回、記録された検索画の記録日時と今回の記録開始日時との差を調べ、その差が所定値以上のときに、検索画圧縮回路３０による圧縮検索画をフラッシュメモリ３２にタイムコードと共に書き込む。 - 特許庁

Preferred interfaces include commercially available flash memory slots of various types, Universal Serial Bus (USB) interfaces in digital image systems configured to have USB host capabilities, and those conforming to the IEEE 1394 ('Fire Wire') standards.例文帳に追加

好適なインタフェースは、様々なタイプの市販されているフラッシュ・メモリ・スロット、ＵＳＢホスト・ケイパビリティを有するように構成されたデジタル画像システムのユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）インタフェース、及びＩＥＥＥ１３９４（“Ｆｉｒｅ Ｗｉｒｅ”）規格に準拠しているものを含む。 - 特許庁

A photoresist film 80 is formed on semiconductor substrates 10, 20 and patterned, in order to expose a source line region 85 in a flash memory array region 90 and a polysilicon film region 40 in CMOS circuit regions 100, 110.例文帳に追加

半導体基板１０、２０上にホトレジスト膜８０を形成し、フラッシュ・メモリ・アレイ領域９０内のソース線領域８５及びＣＭＯＳ回路領域１００、１１０内の多結晶シリコン膜領域４０を露出するためにホトレジスト層８０にパターニングを施す。 - 特許庁

In the information recording/reproducing device, when a caption registering process is started, an OSD display for editing is carried out, and when reproduction is temporarily stopped in a scene selecting operation when the title to be edited is reproduced, scene information including an elapsed time of a temporarily stopped reproduction is stored in a flash memory (S5).例文帳に追加

字幕を登録する処理が開始されると、編集用のＯＳＤ表示を行い、編集するタイトルを再生させているときにシーン選択操作で再生が一時停止されると、一時停止再生経過時間を含むシーン情報をフラッシュメモリに格納する。 - 特許庁

When it is discriminated that the device information corresponding to the type identification information is stored in the first or second device information storage means, the device information is acquired and set in an interface means for accessing the flash memory.例文帳に追加

第１又は第２のデバイス情報記憶手段に、当該品種識別情報に対応するデバイス情報が格納されていると判別した場合、当該デバイス情報を取得し、当該デバイス情報を前記フラッシュメモリにアクセスするためのインターフェース手段に設定する。 - 特許庁

The programming of data is executed by the write units which are less than blocks as erasure units, and not less than pages as program units in the flash type EEPROM memories, and the conversion table of a logical address and a physical address by the write units is stored in the ferroelectric memory.例文帳に追加

上記フラッシュ型ＥＥＰＲＯＭメモリには、イレーズ単位であるブロックより小さく、プログラム単位であるページ以上のライト単位でデータのプログラムを行い、上記強誘電体メモリには、上記ライト単位の論理アドレスと物理アドレスの変換テーブルを記憶する。 - 特許庁

DRAM devices and SRAM devices have a NAND interface system (interface system in which the same pin is commonly used for an address and data) so as to be coupled directly to a bus (address/data bus and control bus) of a NAND flash memory device connected to a microprocessor.例文帳に追加

本発明によると、DRAM装置及びSRAM装置はマイクロプロセッサーに連結されたNAND型フラッシュメモリ装置のバス（アドレス/データバス及び制御バス）に直接連結されるようにNANDインターフェイス方式（同一のピンがアドレス及びデータに共通に使用されるインターフェイス方式）を有する。 - 特許庁

Even if the digital copying machines 10a-10f store no operation section display language data in the 2nd language in their flash memory, by having them request the other digital copying machines 10a-10f storing the operation section display language data on request in their flash memories and receive the operation section display language data to use a language switching function, operability of the users is enhanced.例文帳に追加

したがって、第２言語の操作部表示言語データがフラッシュメモリに格納されていないデジタル複写装置１０ａ〜１０ｆであっても、要求される操作部表示言語データをフラッシュメモリに格納しているデジタル複写装置１０ａ〜１０ｆに言語データの転送要求を行って、操作部表示言語データを受け取ることで、言語切換機能を使用することができ、ユーザの操作性を向上させることができる。 - 特許庁

When an interrupt occurs during the automatic writing or automatic erasure, a microcomputer with a built-in nonvolatile semiconductor memory temporarily stops automatic writing or automatic erasure by using a microcomputer interrupt request signal as an input from the outside equipment which controls the automatic writing and automatic erasure processing of the flash memory, and automatically performs an operation that receives interrupt processing.例文帳に追加

フラッシュメモリの自動書き込み、自動消去処理を制御する外部からの入力としてマイコンの割り込み要求信号を用いることにより、自動書き込みや自動消去中に割り込みが発生すると自動書き込み、自動消去を一時中断し、割り込み処理を受け付けるといった作業を自動で行うことができる不揮発性半導体メモリ内蔵のマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory device capable of improving the operation performance of a memory cell in which a nitride film is first deposited on a semiconductor substrate or a polysilicon film and then an oxide film is formed under the nitride film by an oxidization process using an anneal process, so that a tunnel oxide film or an ONO1 oxide film having a thin thickness and a good film quality can be formed.例文帳に追加

半導体基板またはポリシリコン膜の上に窒化膜をまず蒸着した後、アニール工程を用いた酸化工程によって窒化膜の下方に酸化膜を形成することにより、さらに薄くて優れた膜質を有するトンネル酸化膜またはＯＮＯ１酸化膜を形成してメモリセルの動作性能を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

In the writing apparatus of a nonvolatile semiconductor memory apparatus for writing data to a flash memory 11 and moreover, verifying written data and rewriting data not correctly written, a write signal-generating means 51 is set for comparing write data of an address where the data is written and verified data and selectively rewriting data to be written.例文帳に追加

フラッシュメモリ１１にデータを書込むと共に、書込んだデータをベリファイし、その結果正しく書込まれないデータを再び書込むための不揮発性半導体記憶装置の書込み装置において、データを書込んだアドレスの書込みデータとベリファイしたデータとを比較し、再書込みするデータのみを選択的に書込む書込信号の生成手段５１を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

On receipt of a grade designation signal for designating a grade from a set unit 11, a controller 3 of a semiconductor memory unit 1 executes logic block assignment processing so that the data write processing and the data read processing can be executed in parallel to a flash memory chip CP of which the number corresponds to a grade designated by the received grade designation signal.例文帳に追加

この半導体記憶装置１のコントローラ３は、設定装置１１からグレードを指定するためのグレード指定信号を受信すると、当該受信したグレード指定信号により指定されたグレードに対応する個数のフラッシュメモリチップＣＰに対してデータ書込処理及びデータ読出処理を並列的に実行し得るように論理ブロック割当処理を実行するようにした。 - 特許庁

In an 8-valued NAND type multivalued flash memory designed to execute the multivalued parallel write with the bit line voltage set according to write data, a pulse-like word line voltage is applied to a word line to write while the pulsewidth of an effective word line voltage corresponding to the time taken for substantially writing data in memory cells to be written is controlled according to the write data.例文帳に追加

書き込みデータに応じてビット線電圧を設定し、多値並列書き込みを行うようにした８値のＮＡＮＤ型多値フラッシュメモリにおいて、ワード線にパルス状のワード線電圧を印加して書き込みを行い、この際、書き込み対象のメモリセルに実質的にデータの書き込みがなされる時間に対応する実効的なワード線電圧のパルス幅を書き込みデータに応じて制御する。 - 特許庁

When first access instruction information is applied from a host system 4, first operation instruction information for accessing an area including a first access area based on the first access instruction information and an area following the first access area is applied to the flash memory module 2.例文帳に追加

ホストシステム４から第１のアクセス指示情報が与えられたときに、第１のアクセス指示情報に基づく第１のアクセス領域と、該第１のアクセス領域に後続する領域とを含む領域にアクセスするための第１の動作指示情報をフラッシュメモリモジュール２に与える。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device capable of supplying a voltage higher than a voltage supplied from the outside by a low power consumption to semiconductor circuits of a flash memory or the like, and also arranged so that the voltage supplied to the semiconductor circuit does not fluctuate even though the operating condition is changed over.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体回路に対して、外部から供給される電圧よりも高電圧の電圧を低消費電力で供給でき、かつ、動作状態が切り替わっても半導体回路に供給される電圧が変動しないようにした半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

When a deletion command and an address are issued from a host system 300 and it is detected that the address designates a boot block, the boot block flash memory control circuit 303 outputs the address of the boot block and a deletion command for deleting a plurality of boot blocks.例文帳に追加

ブートブロックフラッシュメモリ制御回路３０３は、ホストシステム３００から消去コマンドおよびアドレスが発行されたときに、そのアドレスがブートブロックを指定していることを検出すると、複数のブートブロックの消去を行うためにブートブロックのアドレスおよび消去コマンドを出力する。 - 特許庁

To provide a stream data transfer control mechanism capable of efficiently transmitting/receiving stream data to/from a recording means in consumer or industrial digital equipment equipped with the recording means such as an HDD, a semiconductor flash memory, or the like, and capable of simplifying its equipment configuration.例文帳に追加

ＨＤＤや半導体フラッシュメモリ等の記録手段を備える民生及び産業用デジタル機器において、そのような記録手段に対してストリームデータを効率よく送受信し、機器構成の簡素化が可能なストリームデータ転送制御機構を提供することを目的とする - 特許庁

A flash memory 50 is provided beforehand with: boot program areas 51 to 53 in which a plurality of boot programs are stored so that each of the programs can be individually read; and a flag area 54 in which a flag for selecting a latest boot program out of the plurality of boot programs is stored.例文帳に追加

フラッシュメモリ５０には、複数のブートプログラムがそれぞれ個別に読み出し可能に記憶されるブートプログラム領域５１〜５３と、これら複数のブートプログラムのうちの最新のブートプログラムを選択するためのフラグが記憶されるフラグ領域５４とが予め設けられている。 - 特許庁

In a digital camera 1, a CPU first reads out selected panorama picture data from a flash memory to store it in a VRAM when reproducing and display of a panorama picture is selected by depression of a '+' key 17a or a '-' key 17b after designation of the reproducing mode.例文帳に追加

デジタルカメラ１において、ＣＰＵ３６は、再生モードが指定された後、「＋」キー１７ａ、あるいは「−」キー１７ｂが押圧操作されることによりパノラマ画像が再生表示選択されると、先ずフラッシュメモリ３１から選択されたパノラマ画像データを読み出し、ＶＲＡＭ２６に格納する。 - 特許庁

A cap body 20 is allowed to cover the connector (not shown) of the USB flash memory from the left side in figure, a hook 50 is rotated counterclockwise by a cam rotated along with a cylinder 30 disposed in the cap body 20 and a tip locking nib 52 is inserted into the locking hole of the connector, thus preventing the cap from being pulled out.例文帳に追加

図の左側からキャップ本体２０をＵＳＢフラッシュメモリーのコネクタ（図示せず）にかぶせ、キャップ本体２０に介装したシリンダ３０とともに回動するカムによってフック５０を反時計方向に回動させて先端の係止爪５２をコネクタの係止孔に入れ、キャップを抜けなくする。 - 特許庁

Based on a trimming range specified by a user, trimming image data is generated from image data in the extracted quadrilateral profile and subjected to trapezoidal/barrel distortion correction processing and fading correction processing before being recorded in a flash memory 13.例文帳に追加

そして、ユーザによって指定されたトリミング範囲に基づいて、該抽出した四辺形輪郭内の画像データからトリミング画像データを生成し、該生成されたトリミング画像データに上記した台形・樽型歪補正処理、退色補正処理を施してフラッシュメモリ１３に記録する。 - 特許庁

This NAND flash memory device includes a cell array connected to a plurality of bitlines, a page buffer for storing data to be programmed in the cell array, and a bitline setup circuit for successively setting up the plurality of bitlines with a specified unit in accordance with the data stored in the page buffer.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数個のビットラインに連結されるセルアレイと、前記セルアレイにプログラムされるデータを貯蔵するページバッファと、前記ページバッファに貯蔵されたデータに応じて複数個のビットラインを一定の単位で順にセットアップするビットラインセットアップ回路とを含む。 - 特許庁

A control unit 10 of the DSC 1 obtains a current position from a GPS module 26 at imaging time, reads out the INDEX 30 corresponding to the current position from the flash memory 11, and automatically performs the camera setting by the setting values described in the INDEX 30.例文帳に追加

そして撮影時に、ＤＳＣ１の制御部１０が、ＧＰＳモジュール２６から現在位置を得、この現在位置に対応するＩＮＤＥＸ３０をフラッシュメモリ１１から読み出し、そのＩＮＤＥＸ３０に記された設定値で自動的にカメラ設定を行うようにした。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a non-volatile memory device capable of effectively embodying an NOR flash cell array composed using a 2-beat sidewall floating gate element having self-convergence characteristics, where a threshold voltage converges to a fixed value in erasing.例文帳に追加

本発明はイレイズの時しきい電圧が決まった値打ちに収斂する特性を枝は自体に収斂する２ビートサイドワル・フローティングゲート素子を使って構成したＮＯＲフラッシュセルアレイを効果的に具現することができる不揮発性メモリー素子の製造方法に関するのである。 - 特許庁

To allow the increase in inversion leakage or the like to be suppressed in an HV transistor while suppressing the occurrence of crystal defects in an LV transistor, in a NAND flash memory having an LV transistor region and an HV transistor region in a peripheral circuit part.例文帳に追加

本発明は、周辺回路部にＬＶ系トランジスタ領域とＨＶ系トランジスタ領域とを有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ＬＶ系トランジスタでの結晶欠陥の発生を抑制しつつ、ＨＶ系トランジスタでの反転リークなどの増加を抑制できるようにする。 - 特許庁

To provide a high voltage transistor of a flash memory which can obtain an uniform and constant saturation current independent of the number of contact holes, in a source/drain junction of a DDD structure which is made up of a high concentration impurity region and a low concentration impurity region surrounding it.例文帳に追加

高濃度不純物領域とこれを取り囲む低濃度不純物領域とからなるＤＤＤ構造のソース／ドレイン接合部においてコンタクトホールの個数と関係なく均一且つ一定の飽和電流を得ることが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタを提供する。 - 特許庁

An image data memory area 8a in a compact flash (R) 8 stores in advance image data to be attached to fax-received image data corresponding to information to particularize attached data and a composite data registration table 8b stores in advance conditions for the composition.例文帳に追加

ファクシミリ受信した画像データに付加すべき画像データを、付加データを特定する情報に対応してコンパクトフラッシュ（登録商標）８内の画像データメモリ領域８ａに予め格納するとともに、合成するときの条件を合成データ登録テーブル８ｂに予め格納しておく。 - 特許庁

A CPU 15 allows an image processing section 6 to generate a basic image from the photographed image, to select a removable recording medium 7 or an auxiliary recording section 14-22 of an image recording section 14-2 in a flash memory 14 and to record the basic image in the selected medium.例文帳に追加

ＣＰＵ１５は、画像処理部６に撮影画像から基本画像を作成させる一方で、着脱記録媒体７とフラッシュメモリ１４内の画像記録部１４−２における補助記録部１４−２２とのいずれか一方を選択し、選択されたものに基本画像を記録させる。 - 特許庁

While the data transmission from the router 20 is stopped, the configuration controller reads the configuration data upgraded from a flash memory and transfers the data to the programmable logic circuit (FPGA) after all data stored in a buffer of the programmable logic circuit (FPGA) are sent out.例文帳に追加

ルータ２０からのデータの送信が停止している間、コンフィグレーションコントロール部は、プログラマブル論理回路（ＦＰＧＡ）のバッファに蓄えられている全てのデータを送出させた後、フラッシュメモリからアップグレードされたコンフィグレーションデータを読み出して、プログラマブル論理回路（ＦＰＧＡ）に転送する。 - 特許庁

This microcomputer comprises a fixed oscillating circuit 130 for outputting a clock signal with fixed frequency for generating a writing clock signal for writing data to the flash memory 100, to an external main oscillating circuit 120 for outputting a clock signal for operating the microcomputer.例文帳に追加

マイコンを動作させるためのクロック信号を出力する外付けのメイン発振回路１２０に対し、フラッシュメモリ１００にデータを書き込むための書き込みクロック信号を生成するための周波数が固定されたクロック信号を出力する固定発振回路１３０を備える。 - 特許庁

To smoothly succeed decoding processing from a plurality of syndrome calculation circuits to an error correction circuit when decoding data read out from a flash memory by using the plurality of syndrome calculation circuits arranged in each channel and one error correction circuit to be used with the plurality of syndrome calculation circuits.例文帳に追加

チャンネル毎に設けられた複数個のシンドローム計算回路と共用される1個の誤り訂正回路を用いてフラッシュメモリから読み出されたデータを復号化するときに、複数個のシンドローム計算回路から誤り訂正回路への復号化処理の引継ぎを円滑に行うこと。 - 特許庁

This flash memory comprises a floating gate electrode 3, the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5 provided on the floating gate electrode 3 whose minimum film thickness being ≥5 nm, and a control gate electrode 4 provided on the polycrystalline inter-gate-electrode insulating film 5.例文帳に追加

フラッシュメモリは、フローティングゲート電極３と、フローティングゲート電極３上に設けられ、最小膜厚が５ｎｍ以上である膜厚分布を有する多結晶のゲート電極間絶縁膜５と、多結晶のゲート電極間絶縁膜５上に設けられたコントロールゲート電極４とを具備している。 - 特許庁

The address of each image server 17 is stored in a flash memory 5 in an image forming device 1, the image forming device 1 is connected to the image server 17 by using the address every fixed time, downloads image data registered in the image server after the previous connection like this and stores the image data as an image database.例文帳に追加

画像形成装置１にフラッシュメモリ５には、各画像サーバ１７のアドレスが保管されており、一定の時間毎に、このアドレスを用いて画像サーバ１７に接続し、前回のかかる接続以降に画像サーバ１７に登録された画像データをダウンロードし、画像データベースとして保管する。 - 特許庁

If the slide member 1 is slid manually via an operating part 1b, a main power supply switch 3 turns on a main power supply of the digital camera, and at the same time, a lower end part 2b of the locking member 2 is inserted into a notch 20a of a small flash memory card 20 to lock the card 20.例文帳に追加

スライド部材１が操作部１ｂを介して手動でスライドされると、主電源スイッチ３がデジタルカメラの主電源を投入すると同時に、ロック部材２の下端部２ｂが小型フラッシュメモリーカード２０の切欠２０ａに填まり込んで当該カード２０をロックする。 - 特許庁

When a power source of the camera 1 is turned on, the control part 8 decides whether to perform the image blur correction by using the control parameter already recorded in the flash memory or newly calculating the control parameter, and performs the image blur correction by using the control parameter based on a result of decision.例文帳に追加

そして、制御部８は、カメラ１の電源オン時に、既にフラッシュッメモリに記録されている制御パラメータを使用して像振れの補正を行うか、新たに制御パラメータを算出して像振れの補正を行うかを判定し、判定結果に基づく制御パラメータを使用して像振れの補正を行う。 - 特許庁

The NOR flash memory reading method is used in an embedded Linux operating system to verify cyclic redundancy check values, and then determine whether repeated readout of journaling file system data is continued, based on a threshold of the number of repeated readout operations set for a counter in advance.例文帳に追加

本発明は、ＮＯＲフラッシュメモリの読み取り方法を提供し、組込み式Ｌｉｎｕｘオペレーションシステムで使用され、巡回冗長検査値を照合し、カウンタに予め設けられた繰り返し読み取り回数の閾値により、ジャーナリングファイルシステムデータの繰り返し読み取りを継続するか否かを決定する。 - 特許庁

Therefore, the set parameter of the BIOS stored in the CMOS is copied to the flash memory by the first copy part 23 so that even when the set parameter of the BIOS stored in the CMOS is lost, the set parameter of the BIOS can be restored by the second copy part 24.例文帳に追加

第１のコピー部２３は、ＣＭＯＳに記憶されたＢＩＯＳの設定パラメータを、フラッシュメモリにコピーするので、ＣＭＯＳに記憶されたＢＩＯＳの設定パラメータが消失した場合でも、第２のコピー部２４によってＢＩＯＳの設定パラメータを復帰させることが可能となる。 - 特許庁

A control unit 20 includes a mode changing means 21 of alternating two operation modes, i.e. the operation mode wherein a transmission signal including an address is sent out to a signal line in response to an operation of a switch of an operation input unit 23 and the address setting mode wherein the address to be stored in a flash memory 13 is set.例文帳に追加

制御部２０は、操作入力部２３におけるスイッチの操作に応じてアドレスを含む伝送信号を信号線上に送出する操作モードと、フラッシュメモリ１３に記憶されるアドレスを設定するアドレス設定モードとの２つの動作モードを切り替えるモード切替手段２１を有する。 - 特許庁

If a write instruction is issued from a host HST to a flash memory FM via a controller CTL, the CTL stores write data in a RAM (S101), and uses an all-zero determination section ALL0J to determine whether or not the write data is "all zero" (ALL 00h) (S104).例文帳に追加

ホストＨＳＴよりコントローラＣＴＬを介してフラッシュメモリＦＭに対して書き込み命令がなされた場合に、ＣＴＬは、当該書き込みデータをＲＡＭに格納し（Ｓ１０１）、当該書き込みデータがオールゼロ（ＡＬＬ ００ｈ）か否かをオールゼロ判定部ＡＬＬ０Ｊを用いて判定する（Ｓ１０４）。 - 特許庁

Thereby, large waveform data can be dealt with without causing performance degradation by avoiding the problem that the loading waiting time increases and use efficiency of a sound generating resource (a sound generating channel) decreases, as the waveform data stored in the flash memory become larger.例文帳に追加

これにより、フラッシュメモリに格納する波形データの大容量化に伴ってロード待ち時間が増大して発音資源（発音チャンネル）の使用効率が低下するという弊害を回避する結果、性能劣化を引き起こすことなく波形データの大容量化に対応することが出来る。 - 特許庁

When the data storage area in the flash memory 4 is rewritten, the masked ROM 5 is mapped and in other cases, the masked ROM 5 is not mapped to facilitate the rewriting of the data storage area and disable the program storage area to be rewritten.例文帳に追加

フラッシュメモリ４内のデータ記憶領域を書き換える場合にマスクＲＯＭ５がマッピングされるようにし、その他の場合はマスクＲＯＭ５がマッピングされないようにすることにより、データ記憶領域の書き換えを容易にし、プログラム記憶領域が書き換えられないようにすることができる。 - 特許庁

As one expansion card 10 which has the above structure enables both the expansion of function of the PDA and data recording by mounting the flash memory 13, it is not necessary to replace the expansion card 10 at the time of recording data while the function of the PDA is expanded.例文帳に追加

このように構成された拡張カード１０は、フラッシュメモリ１３を装着することにより、ＰＤＡの機能の拡張とデータの記録とを１つの拡張カードで両立できるため、ＰＤＡの機能を拡張した状態でデータを記録する際に、拡張カードを交換する必要がない。 - 特許庁

To reduce the thickness of a silicon oxynitride film used for the gate insulating film of a CMOS transistor or the tunnel oxide film or a flash memory, and in addition, to improve the reliability of the film, by making the stress resistance of the film secured, while increase in interface state density, the deterioration in carrier mobility, etc., are suppressed.例文帳に追加

絶縁膜に関し、ＣＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜やフラッシュ・メモリのトンネル酸化膜などに用いるシリコン酸窒化膜を薄膜化し、しかも、界面準位密度の増加やキャリヤ易動度の劣化などを抑制しつつストレス耐性を確保できるようにして信頼性を向上させる。 - 特許庁