「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

When the vote history associated with the corresponding video ID is not stored in the flash memory (step S204: NO), the CPU causes a monitor to display a user feedback input screen (step S212) so as to receive feedback on the content.例文帳に追加

対応する動画ＩＤに対応付けられた投票履歴がフラッシュメモリに保存されていない場合（ステップＳ２０４においてＮＯの場合）には、ステップＳ２１２において、ＣＰＵは、ユーザ評価入力画面をモニタに表示する（ステップＳ２１２）とともに、コンテンツに対する評価を受付ける。 - 特許庁

In a method for erasing information stored in a flash memory element, erasure is performed, in a state in which a ground potential is applied to a source and first voltage Vd is applied to a drain, by a hot hole injecting method in which bias voltage Vg is applied to a gate stepwise from high voltage to low voltage.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法は、ソースに接地電位を印加しドレインに第１電圧(Vd)を印加した状態で、ゲートに高電圧から低電圧に段階的なバイアス電圧(Vg)を印加することによるホットホール注入方法によって消去を行なう。 - 特許庁

Subsequently, in response to an instruction at a location on a map displayed on a display device 60, the information processing device sets a route from the current position to the point of the instruction, and calculates the required time of the route, based on the required time stored in the RAM or the flash memory (S12-S16).例文帳に追加

その後、表示装置６０に表示されている地図上における地点の指示を受けると、現在位置から指示を受け付けた地点までの経路を設定し、その経路における所要時間をＲＡＭやフラッシュメモリに保存されている所要時間を用いて算出する（Ｓ１２〜Ｓ１６）。 - 特許庁

The sheet processing apparatus attachable to/detachable from an image forming apparatus is configured such that a flash memory provided to the sheet processing is divided into rewritable areas and rewrite disabled areas, and electric communication between the sheet processing apparatus and the image forming apparatus is executed in the rewrite disabled areas.例文帳に追加

本発明に係るシート処理装置の構成は、画像形成装置に着脱可能なシート処理装置において、シート処理装置に設けられたフラッシュメモリを書換え可能領域と書換え不可領域に分割し、画像形成装置との電気的通信を書換え不可領域で実行する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device capable of preventing a smiling phenomenon on an ONO layer and a bird's beak phenomenon on a tunnel oxide film, controlling increase of a surface resistance of a control gate, and increasing productivity by shortening the whole processing time.例文帳に追加

ＯＮＯ層のスマイリング現象及びトンネル酸化膜のバーズビーク現象を防止することができ、コントロールゲートの面抵抗の増加を抑制することができるうえ、全体時間時間を短縮して生産性を向上させることができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the on-vehicle electronic control device 1, when the user instructs update of the data such as the point registration while an engine is stopped, immediately after that, the data stored in an SRAM6 at that time, namely updated data is copied and stored in a flash memory 7.例文帳に追加

車載電子制御装置１において、エンジンが停止状態にあるときにユーザが例えば地点登録などのデータを更新する指示を行うと、その直後に、その時点でＳＲＡＭ６に保存されているデータ、つまり、更新されたデータをフラッシュメモリ７にコピーして保存させる。 - 特許庁

When a write access to data required for booting the system is generated (S1, S2), a portion corresponding to the data to be accessed in an HDD is updated (S3) and data with the updated result reflected therein are copied to a flash memory (high-speed storage medium) (S5, S7).例文帳に追加

起動対象のシステムの起動時に必要なデータへの書き込みアクセスがあったときに（Ｓ１，Ｓ２）、ＨＤＤ上で当該アクセス対象のデータに該当する部分を更新するとともに（Ｓ３）、その更新結果を反映したデータをフラッシュメモリ（より高速の記憶媒体）にコピーする（Ｓ５，Ｓ７）。 - 特許庁

The control part 60 calculates the download amount of musical data, calculates the rate of the musical data to a total data amount concerning the download amount and displays a picture in a LCD 54 by picture data which is stored in the flash memory 64 in a state corresponding to the calculated rate.例文帳に追加

制御部６０は、音楽データのダウンロード量を算定し、このダウンロード量についての当該音楽データの総データ量に対する割合を算出し、算出した割合に応じた態様で、フラッシュメモリ６４に格納されている画像データによる画像をＬＣＤ５４に表示する。 - 特許庁

Based on a dictionary file constituted of a large number of words stored in a flash memory, words are extracted from a program title and program contents of broadcast program information that the EPG has, and in which broadcast program information each word is used for is extracted and index data are generated.例文帳に追加

フラッシュメモリに記憶された多数の単語から構成される辞書ファイルを元に、ＥＰＧが有する放送番組情報の番組タイトル及び番組内容から単語を抽出し、単語毎にどの放送番組情報で用いられているのかを抽出し、索引データを作成する。 - 特許庁

When receiving the logical address from a host system, micro processor 121 copies the corresponding LTPb 152-i located in the flash memory 15, stores it in the region 142 if no corresponding LTPb 152-i exists on RAM 14, and replaces the content of the region 142 with the corresponding LTPb 152-i.例文帳に追加

マイクロプロセッサ１２１はホストシステムから論理アドレスが与えられると、対応するＬＴＰｂ１５２-iがＲＡＭ１４上に存在しないなら、当該ＬＴＰｂ１５２-iをフラッシュメモリ１５から領域１４２にコピーして、この領域１４２の内容を当該ＬＴＰｂ１５２-iに置き換える。 - 特許庁

A desired embroidery pattern is selected from among plural kinds of the embroidery patterns (S3), and when the pattern data of the embroidery pattern are read (S8), the subtractive color display data are prepared by executing the subtractive color processing (S17) and the subtractive color display data are stored in a flash memory (S18).例文帳に追加

複数種類の刺繍模様から所望の刺繍模様を選択され（Ｓ３）、その刺繍模様の模様データが読込まれると（Ｓ８）、その刺繍模様のカラー表示データに減色処理を施して減色表示データが作成され（Ｓ１７）、その減色表示データがフラッシュメモリ２５に記憶される（Ｓ１８）。 - 特許庁

A main CPU 27 instructs the image processing CPU 252 to execute processing of detecting and deleting defective data, where all of the start mark, image data and the end mark are not in existence, among video recording data stored in the flash memory before stopping supply of power to the video recording block.例文帳に追加

メインＣＰＵ２７は、録画ブロックへの電源供給を停止する前に、画像処理ＣＰＵ２５２に対して、フラッシュメモリに保存された録画データの中からスタートマーク、画像データ及びエンドマークのそろっていない不良データを検出して消去する処理の実行を指示する。 - 特許庁

A method of programming a NAND flash memory includes the steps of applying a program voltage to a selected word line; applying a pass voltage to an non-selected word line; and recovering the selected word line and the non-selected word line to a ground voltage, after lowering the selected word line to the pass voltage.例文帳に追加

本発明によるＮＡＮＤフラッシュメモリのプログラム方法は、選択ワードラインにプログラム電圧を印加し、非選択ワードラインにパス電圧を印加するステップと、選択ワードラインをパス電圧に低下させた後、選択ワードライン及び非選択ワードラインを接地電圧に復旧するステップと、を含む。 - 特許庁

Code patterns are registered in a code book storage part 604 beforehand by sorting them in order of power, and a fixed parameter presenting a size of code pattern selection range (a value recordable by an analog flash memory 603 or less) and a fluctuation parameter presenting an offset value from the code book starting end in the selection range are prepared.例文帳に追加

コードブック格納部６０４にコードパタンをパワー順にソートして登録しておき、コードパタンの選択範囲の大きさ（アナログフラッシュメモリ６０３で記録できる値以下）を示す固定パラメータと、この選択範囲のコードブック始端からのオフセット量を示す変動パラメータを用意する。 - 特許庁

In the memory control device, a logical address (log) assigned to a physical block and a physical address (next_p) of the physical block to which the logical address (log+1) next to the logical address (log) is assigned are stored in a redundant region of the page 1 in each physical block in a flash EEPROM 12.例文帳に追加

フラッシュＥＥＰＲＯＭ１２内の各物理ブロック内のページ１の冗長領域には、当該物理ブロックに割り当てられた論理アドレス（ｌｏｇ）と、当該論理アドレス（ｌｏｇ）の次の論理アドレス（ｌｏｇ＋１）が割り当てられている物理ブロックの物理アドレス（ｎｅｘｔ＿ｐ）とが格納されている。 - 特許庁

The flash memory device preserves the program voltage of a first high-voltage line during the previous program operation to a second high-voltage line connected to a second mat during a readout operation, and reutilizes it to generate the program voltage of the first high-voltage line during the next program operation.例文帳に追加

以前プログラム動作時に第１高電圧ラインのプログラム電圧を、読み出し動作の間に第２マットと連結される第２高電圧ラインに保存して、次のプログラム動作時に、第１高電圧ラインのプログラム電圧の発生のために再活用するフラッシュメモリ装置である。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which supplies a voltage higher than a voltage from the outside with a low power consumption to semiconductor circuits of a flash memory or the like, and also is arranged so that the voltage to be supplied to the semiconductor circuit does not fluctuate even if the operating state is changed over.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の半導体回路に対して、外部から供給される電圧よりも高電圧の電圧を低消費電力で供給でき、かつ、動作状態が切り替わっても半導体回路に供給される電圧が変動しないようにした半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for easily and safely executing reading and writing of data to a flash memory, in response to a command received through a contactless IC card interface in an IC card, such as a SIM (subscriber identity module) card, a cellular phone to which the IC card is mounted, or the like.例文帳に追加

ＳＩＭカード等のＩＣカード、さらにこのＩＣカードを搭載した携帯電話などにおいて、非接触ＩＣカードインタフェースを通じて受信したコマンドに応じてフラッシュメモリのデータを読み書きすることを容易かつ安全に行うことができる技術を提供する。 - 特許庁

In a NAND flash memory, the sides of an element isolation region 107 and the ends of an element region and floating gates 103 and 104 are formed in a self-aligned manner, and a part of the top of the element isolation region 107 is recessed to serve as a recess 111 in the mutual region of the adjacent floating gates.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリにおいて、素子分離領域107 の一対の側面部と素子領域および浮遊ゲート103,104 の各端部が自己整合状態で形成されており、隣接する浮遊ゲート相互間領域の素子分離領域の上面の一部が窪んで凹部111 となっている。 - 特許庁

To provide a charging preventing strap for holding a cellular phone, an IC card type ID card, a flash memory and so on, preventing charging by stably discharging static electricity caused due to the friction between the strap to which the above things are attached and clothing, and avoiding feeling of discomfort due to spark, breakage of a device and data extinction.例文帳に追加

携帯電話、ＩＣカード型ＩＤカード、フラッシュメモリー等が付されたストラップと衣服の摩擦により生じた静電気を安定的に放電させる事で帯電防止し、スパークによる不快感や機器の破損並びにデータ消失を免れる事のできる、帯電防止ストラップを提供すること。 - 特許庁

An unused page management table 32, which manages corresponding chips and blocks 21 of a flash memory 20 for each number of the pages 22 concerned, is prepared, and garbage collection processing is made in a descending order by using the unused page management table 32, from the block 21 of a chip, having larger unused pages 22.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０の未使用ページ２２の数ごとに該当するチップおよびブロック２１を管理できる未使用ページ管理テーブル３２を設け、当該未使用ページ管理テーブル３２により未使用ページ２２の数が多いチップのブロック２１からガベージコレクション処理を行うようにした。 - 特許庁

Then in the case of booting the receiver 1, the receiver 1 selects the program guide in a booted time zone among the program guides stored in the flash memory 16 and outputs the selected program guide as a boot picture until a control program is loaded and the system is started.例文帳に追加

そして、装置１のブートの際、フラッシュメモリ１６に記憶されている番組表の中からブートされる時間帯における番組表を選択し、この選択された番組表を、制御プログラムがロードされてシステムが起動されるまでの間、ブート画面として出力する。 - 特許庁

To solve a problem that data capacitance is great and a long time is required for writing in a case where a data communication transmission rate between devices is low, or the like since write data from an external device are received by a video signal receiving apparatus via a data communication line conventionally and written into a flash memory by an internal CPU.例文帳に追加

従来は外部装置からの書込みデータを映像信号受信装置がデータ通信線を介して受信し、内部のＣＰＵによりフラッシュメモリに書き込むようにしているため、データ容量が大きく、装置間のデータ通信伝送速度が低い場合などは書込みに長時間を要する。 - 特許庁

A state machine 106 for managing the internal state transition reports, when an unauthorized command is received, it to a CPU 101 by use of an interruption signal line 103, whereby unauthorized writing to a flash memory 107 can be detected, and correction of a trouble of software can be facilitated.例文帳に追加

内部での状態遷移を管理するステートマシン１０６が、不正なコマンドを受け付けた際に、割込信号線１０３を使用してＣＰＵ１０１に通知することにより、フラッシュメモリ１０７への不正な書き込みの検出が可能となり、ソフトウエアの不具合の修正が容易になる。 - 特許庁

To obtain a fixed-point observation apparatus which can be installed at any location and can record picked-up images on a removable recording medium, such as a flash memory card, modem card, optical disk, etc., so that the images may be viewed as necessary by loading the recording medium in the monitor, etc., in an office, etc.例文帳に追加

本発明はどんな場所にでも設置することができるとともに、取り込んだ画像を着脱可能なフラッシュメモリカード、モデムカード、光ディスク等の記録媒体に記録して、必要時この記録媒体を事務所等のモニターで見ることができる定点観測装置を得るにある。 - 特許庁

An electrification range of the heating resistor 7 is set by a control part on the basis of both distance data of the width direction B from a resistor position reference 53 of the heating resistor 7 to the measurement reference 52 of the thermal head position detecting part 51 that is preliminarily stored in a flash memory, and the position detection data.例文帳に追加

あらかじめフラッシュメモリに記憶されている、発熱抵抗体７の抵抗体位置基準５３からサーマルヘッド位置検知部５１の測定基準５２までの幅方向Ｂの距離データと、位置検出データとに基づいて、制御部にて発熱抵抗体７の通電範囲を設定する。 - 特許庁

To provide a full electronic flash memory type external storage method and device which can be driven by software, can perform the active plug-in/out operations and can be applied to a small data processing system and have high efficiency, small volume containing all elements built into a single product, large capacity and a static operation and also high speed.例文帳に追加

高効率性、全てのエレメートを一つの単一製品に組み込んだ小容積、大容量、高速度、静的操作、ソフトウェアで駆動、活動プラグ・イン・アウトが可能で、小型データ処理システムに適用する全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

On the other hand, corruption of the data to be written in the flash memory 100 is prevented by interrupting the writing when it is judged that the writing can not be completed by the charged voltage by the capacitors 80, 81, and by restarting the writing from an interrupted place when power of the battery 10 is restored.例文帳に追加

一方コンデンサ８０、８１の充電電圧では書き込みが完了できないと判断したときは、書き込みを中断し、バッテリ１０が回復したときは、中断したところから書き込みを再開することにより、フラッシュメモリ１００へ書き込まれるデータの破壊を防止することができる。 - 特許庁

When the power supply ability of a power source 40 is down to no more record pictures on a magnetic tape 110, the pictures are recorded in a compact flash (registered trademark) memory 120 and, if the power supply ability of the power source 40 is more down, the pictures are recorded in an EEPROM 32.例文帳に追加

電源４０の電力供給能力が低下して磁気テープ１１０に対する画像の記録ができなくなったら、コンパクトフラッシュ（登録商標）メモリ１２０に画像を記録し、電源４０の電力供給能力が更に低下したら、ＥＥＰＲＯＭ３２に画像を記録する。 - 特許庁

A voltage adjusting circuit 11 adjusts a voltage which is higher between a power supply voltage (Vin) to be supplied from the outside and a charging voltage (C2 voltage) to be charged in a capacitor C2 by the power supply voltage (Vin) to an operating voltage to be supplied to a flash memory system, and outputs it.例文帳に追加

電圧調整回路１１は、外部から供給される電源電圧（Ｖｉｎ）とこの電源電圧（Ｖｉｎ）によってコンデンサＣ２に充電される充電電圧（Ｃ２電圧）のいずれか高い方の電圧をフラッシュメモリシステムに供給する動作電圧に調整して出力する。 - 特許庁

The flash memory system comprises a sector determination circuit 13 which detects a sector of unwritten status out of a plurality of sectors (0)-(3) when receiving a write command from a microprocessor 1, and writes data received from the outside in an unwritten status sector when the sector determination circuit 13 detects the sector of unwritten status.例文帳に追加

マイクロプロセッサ１から書込コマンドを受信すると、複数のセクタ（０）〜（３）の中から未書込状態のセクタを検出するセクタ判定回路１３を設け、そのセクタ判定回路１３が未書込状態のセクタを検出すると、外部から受信したデータを当該セクタに書き込むようにする。 - 特許庁

The low order device 4 is provided with a TS separating/synchronizing circuit 41 for extracting the program data downloaded through the high order device 3 from the specified TS number in the control 104, and a flash memory 42 for storing the program data extracted by the TS separating/synchronizing circuit 41.例文帳に追加

下位装置４は上位装置３を通してダウンロードされたプログラムデータを指定された通信路１０４上のＴＳ番号から抽出するＴＳ分離／合成回路４１と、ＴＳ分離／合成回路４１で抽出されたプログラムデータを保存するフラッシュメモリ４２とを備えている。 - 特許庁

When an exclusive card is installed into a card slot 200 in order to set an exclusive mode, a micon for controlling 30 accommodates a set information read in from the exclusive card to a flash memory 32 and is set so that a printer body 100 can be operated only in the exclusive mode at the same time.例文帳に追加

カードスロット２００に、専用モードを設定するための専用カードが装着された場合に、制御用マイコン３０は、フラッシュメモリ３２に当該専用カードから読み込んだ設定情報を格納すると共に、プリンタ本体１００を専用モードでのみ動作するように設定する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device manufacturing system which can make with LOCOS the element isolation films, that is, the size of an active region to be fixed for each semiconductor substrate to be manufactured in formation of an element isolation film on a semiconductor substrate, whereon a flash memory is formed.例文帳に追加

フラッシュメモリが形成される半導体基板上に素子分離膜をロコスで形成する場合において、素子分離膜間の距離、すなわち活性領域の寸法を製造される半導体基板ごとに一定にさせることが可能な半導体装置製造システムを得ること。 - 特許庁

The microcomputer with a built-in flash or an interface circuit is structured so that, when a prescribed command such as a status demanding command is received from the OS while the program in the nonvolatile memory is being rewritten, dummy data not affecting the procedures of the OS is sent back.例文帳に追加

不揮発性メモリのプログラム書換え中にＯＳからステータス要求コマンドのような所定のコマンドを受信した時は、ＯＳの処理手順に影響を与えないようなダミーデータを返信するようにフラッシュ内蔵マイコンもしくはインタフェース回路を構成するようにした。 - 特許庁

The control circuit 420 includes a receiving signal processing circuit 422 to acquire an information included in the signal from the receiving circuit 410 and an optical ID signal generating circuit 424 to generate an identification information based on the acquired information and the data stored in the flash memory 430.例文帳に追加

制御回路４２０は、受信回路４１０からの信号に含まれる情報を取得する受信信号処理回路４２２と、取得された情報とフラッシュメモリ４３０に格納されているデータとに基づいて識別情報を生成する光ＩＤ信号生成回路４２４とを含む。 - 特許庁

The data management apparatus used for the flash memory includes an operation determination part which determines operations required for performing the data operation requested by a user program, an operation registration part with which an operation list including the operations determined is registered and an operation processing part which performs the data operation through the registered work.例文帳に追加

ユーザープログラムを通じて要請されたデータ演算に必要な作業を判断する作業判断部と、判断された作業のリストが登録される作業登録部と、登録された作業を通じてデータ演算を行う作業処理部と、を含むフラッシュメモリのデータ管理装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having both a logic more microscopic than a level of 0.18 μm and a flash memory, capable of easily and accurately manufacturing a groove type element separation, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

０．１８μｍレベルよりも微細なロジックとＦｌａｓｈメモリを混載した半導体装置において、溝型素子分離の製造を容易な方法で高精度に行うことのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor storage device for realizing a multilayer gate insulating film capable of surely separating electric charges to a source and a drain, and trapping the electric charges even when adopting a micro-processed gate although the multilayer gate insulating film employs alumina for realizing excellent performance as a mirror flash memory.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造方法に関し、ミラーフラッシュメモリとして優れた性能を実現させるアルミナを用いた多層ゲート絶縁膜でありながら、ゲートを微細化した場合でも、ソース側及びドレイン側に電荷を確実に分離してトラップすることが可能であるようにする。 - 特許庁

When the comparison part 8b detects matching of the counted value and the counted value of the second counter 8a an address information calculation part 5 inputs address information in the buffer 3 of the compression frame specified by the counted value from an address detection part 8c and calculates the address information on a flash memory 11 of the specified frame.例文帳に追加

比較部8bがそのカウント値と第二のカウンタ8aのカウント値との一致を検出した時、アドレス情報算出部5は、そのカウント値で特定される圧縮フレームのバッファ3でのアドレス情報をアドレス検出部8cから入力し、その特定フレームのフラッシュメモリ11上のアドレス情報を算出する。 - 特許庁

A plurality of DSP (digital signal processors) 1-2, a bus protocol conversion function part 3 connecting data buses of various protocols, and a flash ROM 5 are connected to a data bus 11, and an external storage device 4 including a volatile memory is connected to the bus protocol conversion function part 3 to constitute a DSP card 13.例文帳に追加

複数のＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）１〜２と、種々のプロトコルのデータバスを接続するバスプロトコル変換機能部３と、フラッシュＲＯＭ５がデータバス１１に接続され、揮発性のメモリからなる外部記憶装置４が、バスプロトコル変換機能部３に接続されてDSPカード１３を構成している。 - 特許庁

The mobile communication terminal stores a music file in a storage unit such as a flash memory 114 or the like in the form shown by a dotted line section 207, and converts the file into music data (a dotted line section 205) for outputting by using a converter contained in a controller 112 when the file after arranging is reproduced.例文帳に追加

音楽ファイルを点線部２０７に示す形でフラッシュメモリ１１４等の記憶装置に保存し、アレンジ後の音楽ファイルを再生するときには制御部１１２に内蔵されている変換コンバータを用いて出力用の音楽データ（点線部２０５）に変換する。 - 特許庁

To provide an automatic generating method for a LSI test pattern program which can generate automatically a test pattern program easily when capacity, the number of I/O, and the like are changed, its device, and a LSI test method, in a semiconductor memory such as a DRAM, a SRAM, a FLASH, or the like.例文帳に追加

ＤＲＡＭやＳＲＡＭやＦＬＡＳＨなどの半導体メモリにおいて、容量やＩ／Ｏ数などが変更されたとき容易にテストパターンプログラムを自動生成できるようにしたＬＳＩテストパターンプログラム自動生成方法およびその装置並びにＬＳＩテスト方法を提供することにある。 - 特許庁

To perform a WL control including a PB, in which data low in rewriting frequency are stored, only when the deviation of an erasure count in a plurality of physical blocks (PB) configuring a flash memory becomes large without setting a ware leveling (WL) control system by a user.例文帳に追加

ユーザがウェアー・レベリング（ＷＬ）制御方式の設定を行う必要がなく、フラッシュメモリを構成する複数個の物理ブロック（ＰＢ）において消去回数の偏りが大きくなったときにだけ、書き換え頻度が低いデータが格納されているＰＢを含めたＷＬ制御が行われるようにする。 - 特許庁

Therefore, in the flash memory device, since a CLE signal, a ALE signal, an RE signal and a WE signal are not necessary, advantages of easy control of an internal circuit, decrease in probability of skew within a chip, improvement in performance and decrease in the number of pins are obtained.例文帳に追加

したがって、前記フラッシュメモリ装置では、ＣＬＥ信号、ＡＬＥ信号、ＲＥ信号及びＷＥ信号が必要ないため、内部回路に対する制御が簡単になり、チップ内部でスキューが発生する可能性が減り、性能が向上し、且つピン数が減るという利点がある。 - 特許庁