「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

A step-down power supply part 8 for generating an internal power source voltage VDDP provided in a flash memory 1 outputs the internal power supply voltage VDDP to a control system circuit 5 by a first step-down power supply circuit 19 in a normal operation mode when about 3. 3V is supplied from the outside as a power supply voltage VCC.例文帳に追加

フラッシュメモリ１に設けられた内部電源電圧ＶＤＤＰを生成する降圧電源部８は、外部から電源電圧ＶＣＣとして、３．３Ｖ程度が供給された場合、通常動作時は、第１降圧電源回路１９によって内部電源電圧ＶＤＤＰが制御系回路５に出力される。 - 特許庁

In flash ROM 2, a mail header memory 3 stores a mail header file including the header portion of the plain text e-mail, and a received mail management table 2t includes the relation of the plain text e-mail and a transfer processing result code indicating whether the plain text e-mail has been transferred to a mail server apparatus 40 or not.例文帳に追加

フラッシュＲＯＭ２において、メールヘッダメモリ３は、上記平文電子メールのヘッダ部を含むメールヘッダファイルを格納し、受信メール管理テーブル２ｔは、上記平文電子メールと当該平文電子メールがメールサーバ装置４０に転送されたか否かを示す転送処理結果コードとの関係を含む。 - 特許庁

An MPU 62 reads the information on the delay from the flash memory 64 in response to the ON/OFF selection of the signal processing function by a user, a time difference of delays generated in the video-signal processing section 6 and the audio-signal processing section 7 is computed and the delay time of a delay section 8 is set at the value for synchronization.例文帳に追加

ユーザによる信号処理機能のＯＮ／ＯＦＦの選択指示に応じて、ＭＰＵ６２はフラッシュメモリ６４から遅延時間の情報を読み出し、映像信号処理部６及び音声信号処理部７で発生する両遅延時間の差を算出し、遅延部８の遅延時間をその値に設定して同期合わせを行う。 - 特許庁

To enable threshold voltage of an erase cell to be verified stably in a NAND flash memory element, where the quantity of electrons filled in a floating gate does not change, the basic threshold voltage of the erase cell will therefore not change and the threshold voltage of the cell is made to increase only in the operating mode.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子において、フローティングゲートに充填された電子の量が変化することなく、したがって、消去セルの基本しきい値電圧が変化することなく、動作モードでのみセルのしきい値電圧を増加させて安定して消去セルのしきい値電圧を検証できるようにする。 - 特許庁

When the data required for booting the system are rewritten and the location of the data in the HDD is changed (S4, S6), an address or the like of the new data is calculated, an address in an address management table is rewritten on the basis of the calculated result, and then the updated data are copied to the flash memory.例文帳に追加

また、当該システムの起動時に必要なデータが書き換えられて当該データのＨＤＤ上での位置が変更された場合には（Ｓ４，Ｓ６）、その新たなデータのアドレス等を計算し、その結果に基づいてアドレス管理テーブルのアドレスが書き換えると共に、その更新後のデータをフラッシュメモリにコピーする。 - 特許庁

Thereafter, when the shift operation of the photographed image 63 from the first display section 11 to the second display section 12 is carried out by using the touch panel (C)(D), the photographed image 63 is determined as a recorded image and stored in a flash memory or the like, and the second display section 12 displays the stored image as a newest recorded image 62a (E).例文帳に追加

その後、タッチパネルにより第１表示部１１から第２表示部１２へ撮影画像６３を移動する操作がなされたら（Ｃ）（Ｄ）、撮影画像６３を記録画像として確定しフラッシュメモリ等へ保存するとともに、第２表示部１２に最新の記録画像６２ａとして表示する（Ｅ）。 - 特許庁

The method for manufacturing the flash memory device comprises the steps of forming the dielectric film 25, and then forming an amorphous silicon layer 31 to alleviate a topology generated by patterning a first polysilicon layer 24 in a cell region so that the silicon layer 31 conducts a role of a dielectric film protective layer of the cell region at the time of forming the gate oxide film 26 of the peripheral circuit region.例文帳に追加

誘電体膜２５を形成した後、アモルフォスシリコン層３１を形成してセル領域で第１ポリシリコン層２４のパターニングで発生したトポロジーを緩和させ、アモルフォスシリコン層３１が周辺回路領域のゲート酸化膜２６形成の時にセル領域の誘電体膜保護層の役割をするようにする。 - 特許庁

The in-card processing system 100 is provided with an area change request means 130 that requests reservation of an area of a flash memory 200, a reserve area information receiving means 140 that receives the information of a reserve area, and a management information search means 160 that holds storage position information of card-dedicated file management information 220.例文帳に追加

カード内処理系１００は、フラッシュメモリ２００の領域の確保などを要求する領域変更要求手段１３０、確保領域の情報を受信する確保領域情報受信手段１４０、カード専用ファイル管理情報２２０の格納位置情報を保持する管理情報検索手段１６０を有する。 - 特許庁

When an information part 15a is detected by a PI 22, it is recognized by a microcomputer 23 that the information inputting device 1 is loaded in the cartridge chamber, and information recorded by a magnetic information recording part 13 in the information inputting device 1 is read by a magnetic head 24, and then, the read information is stored in a flash memory 23b.例文帳に追加

ＰＩ２２が情報部１５ａを検出すると、マイコン２３はパトローネ室に情報入力装置１が装填されたと認識し、情報入力装置１内の磁気情報記録部１３に記録されている情報を磁気ヘッド２４で読み取り、読み取った情報をフラッシュメモリ２３ｂ内に格納する。 - 特許庁

To provide a music reproducing device which can actualize a copyright protecting function using the identification number of a semiconductor recording medium by using a general reader writer and a device driver on a PC side even when the specifications of the semiconductor recording medium and the manufacturer are different as to a music reproducing device which takes music data out of a recording medium having a semiconductor memory including a flash memory and reproduces the data.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリを初めとする半導体メモリを有する記録媒体から音楽データを取り出して再生する音楽再生装置に関し、半導体記録媒体の仕様や製造会社が異なっても汎用的な読み出し／書き込み装置とデバイスドライバをＰＣ側に用いて半導体記録媒体の識別番号を利用した著作権保護機能を実現できる音楽再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The flash memory includes an array of memory cells arrayed in rows and columns, and a randomization and derandamization circuit configured to randomize data stored in the array, and the randomization and derandamization circuit generates an initial seed corresponding to random data according to whether data stored in the array is the random data, generates a random sequence based upon the initial seed, and randomizes the random data based upon the random sequence.例文帳に追加

ここに提供されるフラッシュメモリ装置は行と列に配列されたメモリセルのアレイと、前記アレイに格納されるデータをランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を含み、前記ランダム化及びデランダム化回路は前記アレイに格納されるデータがランダムデータであるか否かにしたがって前記ランダムデータに対応する初期シードを生成し、前記初期シードに基づいてランダムシークェンスを発生し、前記ランダムシークェンスに基づいて前記ランダムデータをランダム化させる。 - 特許庁

An erase command to designate a partition number as the object of erase is issued from a host to an NAND type flash memory device, and the control part of a device interprets the address of an erase object area specified on the basis of the partition number by referring to a partition map for a control, and erases all the data stored in an erase object partition on the basis of the interpretation.例文帳に追加

ホストからＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイスへ、消去対象となるパーティション番号を指定した消去コマンドを発行し、デバイスの制御部は、制御部用のパーティションマップを参照して、該パーティション番号で特定された消去対象領域のアドレスを解釈し、該解釈に基づき消去対象パーティションに記憶されている全データを消去する。 - 特許庁

When data are written to consecutive pages P0 to P31 of the flash memory, (01011) and (11000) are set in redundant areas of writing start pages P0 and P11 as end point information corresponding to writing end pages, and (01011) and (11000) are set in redundant areas of the writing end pages P10 and P23 as writing completion information.例文帳に追加

フラッシュメモリの連続したページＰ０〜Ｐ３１にデータを書込む際に、書込開始ページＰ０，Ｐ１１の冗長領域に、書込終了ページに対応する終点情報として（０１０１１），（１１０００）を設定し、書込終了ページＰ１０，Ｐ２３の冗長領域に書込完了情報として（０１０１１），（１１０００）を設定する。 - 特許庁

At a part where there are relatively less actual wiring patterns 15 connecting a first bonding pad 10c for a controller chip and a second bonding pad 10m for a flash memory chip and the adjacent actual wiring patterns 15 are separated for 0.5 mm or more, dummy wiring patterns 17 are arranged at almost equal intervals in the same direction as one direction where the actual wiring patterns 15 are extended.例文帳に追加

コントローラチップ用の第１ボンディングパッド１０ｃとフラッシュメモリチップ用の第２ボンディングパッド１０ｍとを繋ぐ実配線パターン１５が相対的に少なく、隣接する実配線パターン１５が０．５ｍｍ以上離れている箇所に、ダミー配線パターン１７を実配線パターン１５の延在する一つの方向と同じ方向にほぼ等間隔で配置する。 - 特許庁

In the case of initializing an one-chip microcomputer, specific data are previously stored in a specific address of a RAM 6, and after checking that the contents of the specific address of the RAM 6 having a volatile characteristic coincide with contents obtained at the time of initialization, the step-up operation of a booster circuit 17 and the data rewriting operation of a flash memory 1 are started.例文帳に追加

１チップマイクロコンピュータを初期化する際にＲＡＭ６の特定番地に特定データを予め格納し、揮発特性を有するＲＡＭ６の特定番地の内容が初期化時点の内容と同一であることを確認してから、昇圧回路１７の昇圧動作とフラッシュメモリ１のデータ書き換え動作とに移行する構成とした。 - 特許庁

For example, when digital information compressed by a compression method and stored in a flash memory 4 is fast-forwarding-reproduced, frame data for calculating parameters for calculating parameters of the frame data are taken out together with frame data for reproduction being an object of fast forwarding reproduction by a data read-out/write-in section 5a, and transferred to a RAM 7a.例文帳に追加

例えば，フラッシュメモリ４内に上記のような圧縮方法で圧縮，格納されたディジタル情報を早送り再生する際に，データ読出書込部５ａによって，早送り再生の対象とする再生用フレームデータと共に，そのフレームデータのパラメータを算出するためのパラメータ算出用フレームデータを取り出し，ＲＡＭ７ａに転送する。 - 特許庁

In the apparatus having a plurality of recording media such as a DVD and a flash memory and capable of outputting data stored in the recording media, a function selecting picture capable of executing both of the selection of a recording medium and the selection of a function (PC mode or PictBridge) to be executed is displayed as a setting picture for setting a data output format or the like.例文帳に追加

ＤＶＤとフラッシュメモリなど、データ記録可能な複数の記録メディアを有し、記録メディア格納データを出力可能とした装置において、データ出力態様などを設定する設定画面として、記録メディアの選択と、実行する機能（ＰＣモードまたはＰｉｃｔＢｒｉｄｇｅ）の選択を併せて実行可能とした機能選択画面を表示する構成とした。 - 特許庁

This device has a CPU 21 for displaying part of first image data, while overlapping it on an image displayed on a monitor by changing the transmittance of the first image when these first image data are acquired and for recording and preserving two pieces of image data as a single piece of image data arranged side by side in a flash memory 28 at a time point when second image data are provided.例文帳に追加

第１の画像データを取得すると、その第１の画像データの一部を透過率を変えて表示部２５でモニタ表示される画像に重ね合わせて表示させ、第２の画像データが得られた時点で２つの画像データを左右に並べた１つの画像データとしてフラッシュメモリ２８に記録保存するＣＰＵ２１を有する。 - 特許庁

A reading/writing/erasing voltage generating circuit 5 for flash memory is provided with a booster circuit 20 for generating a step-up voltage VP1 from an internal power supply voltage VDD, a booster circuit 21 for generating a step-up voltage VPP from the step-up voltage VP1, and a voltage step-down circuit 22 for generating a step-down voltage VDL.例文帳に追加

フラッシュメモリの読み出し／書き込み／消去電圧生成回路５には、内部電源電圧ＶＤＤから昇圧電圧ＶＰ１を生成する昇圧回路２０、該昇圧電圧ＶＰ１から昇圧電圧ＶＰＰを生成する昇圧回路２１、および昇圧電圧ＶＰ１から、降圧電圧ＶＤＬを生成する降圧回路２２が設けられている。 - 特許庁

When user data are written through the terminal of the JTAG interface in the flash memory, a command to instruct writing in an ATA register 27 is inputted from a terminal ITD to a soft register 26f, and an address and user data to be continuously inputted from the terminal TDI according to the command are shift-inputted to an address register 26d and a data register 26c.例文帳に追加

ＪＴＡＧインターフェースの端子を介してフラッシュメモリにユーザデータを書き込む場合、ＡＴＡレジスタ２７への書き込みを指示するコマンドを端子ＴＤＩからシフトレジスタ２６ｆに入力し、そのコマンドに従い、端子ＴＤＩから続いて入力されるアドレスとユーザデータとを、アドレスレジスタ２６ｄとデータレジスタ２６ｃとにシフト入力する。 - 特許庁

An arithmetic processing unit(APU) 20 executes data writing in the flash memory 24 through a bus line 25, and in the case of writing data when a battery 1 is detached, power supply to external equipment such as an external data reader 30 and a communication equipment 40 is stopped and the external equipment side of the bus line 25 is set up to high impedance.例文帳に追加

また、フラッシュメモリ２４へのデータの書き込みは、演算処理装置２０において、バスライン２５を介して行われ、バッテリ１が外されてデータの書き込みを行うときに、外部データ読み取り装置３０、通信装置４０などの外部機器に電源供給を行わないようにするとともに、バスライン２５の外部機器側をハイインピーダンスにする。 - 特許庁

When any colorimetric data whose evaluation value has been stored already match colorimetric data of the selection image, all evaluation values in the past associated with the colorimetric data and the evaluation value of the selection image are additionally averaged, a correction parameter stored in a flash memory 48 is corrected with the obtained evaluation value, and the evaluation value is stored in association with the colorimetric data.例文帳に追加

何らかの評価値が既に記憶されている測色データのうちいずれかと選択画像の測色データが一致する場合、測色データに対応付けされた過去の全評価値と選択画像の評価値とを加算平均し、得られた評価値でフラッシュメモリ４８に記憶された補正パラメータを修正し、測色データに対応付けして記憶する。 - 特許庁

When events related to photographing, more specifically, operation of a pop-up flash, detection of eye contact to an eye cup, various setting related to photographing, setting of a memory card related to photographing, and operations on focusing, zooming, diaphragm, shutter button, sound recording, and display switching are detected in the reproducing mode MD2, the mode is switched automatically to the photographing mode MD1.例文帳に追加

逆に再生モードＭＤ２において撮影に関するイベント、具体的にはポップアップフラッシュの操作、アイカップへの接眼の検知、撮影に関する各種設定、撮影に関するメモリカードの装着およびセルフ撮影、フォーカス、ズーム、絞り、シャッターボタン、録音、表示切換の各操作が検出されると撮影モードＭＤ１へ自動的に移行する。 - 特許庁

To provide a data transferring system capable of improving the tolerance of this system by detecting the kind of a connector while transferring data, and performing local deletion and writing while the data are written in a flash memory, and realizing the error detection of data written in various products whose software can be updated and the recovery of the data.例文帳に追加

データを転送している間に、コネクタの種類を検出してシステムの許容度を向上させ、そしてデータがフラッシュメモリに書き込まれている間に、局部的な削除、書き込みができると共に、ソフトが更新できる各種の製品に対して書き込まれたデータのエラー検出及びデータ回復ができる転送方式を提供すること。 - 特許庁

A translating part 430 translates the recognized character string in the specific language into a character string in another language (other data) by using a translation program only when the character string in the specific language and the character string data in the other language whose meaning is common to, and whose transmission format is different from the character string are not stored in association with each other into a flash memory 160.例文帳に追加

翻訳部４３０は，認識された特定言語の文字列と，その文字列と意味が共通していて伝達形式が異なる他の言語の文字列データとが対応付けられてフラッシュメモリ１６０に記憶されていない場合のみ，翻訳プログラムを用いて特定言語の文字列を他の言語の文字列（他のデータ）に翻訳する。 - 特許庁

When referring to data after download, the language data is designated with a number, the address of the language data is acquired while referring to a pointer table, the added leading address 72 of the language data is subtracted from the acquired address and the leading address of a display language selected at present is added so that the address of data on a flash memory after download can be provided.例文帳に追加

ダウンロード後のデータの参照は、言語データを番号で指定してポインタテーブルを参照し言語データのアドレスを取得し、取得したアドレスから前記追加した言語データの先頭アドレス７２を引き、現在選択されている表示言語の先頭アドレスを足すことにより、ダウンロード後のフラッシュメモリ上でのデータのアドレスを得ることができる。 - 特許庁

The control module is configured so as to separate attribute information from saving data, which are read from the flash memory with the predetermined size, store the attribute information in an attribute information storage buffer and transfer user data contained in the saving data to a saving data storage region during a writing operation including a read modify write operation of data, of which sizes are smaller than the predetermined size.例文帳に追加

前記制御モジュールは、前記サイズ単位未満のデータの書き換えを含む書き込み動作時に、前記フラッシュメモリから読み出した前記サイズ単位の退避データから属性情報を分離して属性情報格納用バッファに格納し、前記退避データに含まれるユーザデータを退避データ格納領域に転送する構成である。 - 特許庁

The information processing apparatus includes a main processing device 22, having a disk access checking function for checking the disk access error and an OS emergency dump generation function for generating an OS emergency dump from the OS dump; a main controller 21 that transfers the OS emergency dump to a subcontroller 31; and a flash memory 34 that stores the OS emergency dump transferred to the subcontroller 31.例文帳に追加

ディスクアクセス異常を検出するディスクアクセスチェック機能とＯＳダンプからＯＳ緊急ダンプを作成するＯＳ緊急ダンプ生成機能とをそなえたメインプロセッサ２２と、ＯＳ緊急ダンプをサブコントローラ３１へ転送するメインコントローラ２１と、サブコンローラ３１へ転送されてきたＯＳ緊急ダンプを保存するフラッシュメモリ３４とをそなえる。 - 特許庁

To respond at low cost with flexibility to advanced and complicated requirements from a user by increasing data volume to be stored with efficient use of a flash memory, and the like, and using a storage medium processing method with its device and a card reader/writer.例文帳に追加

フラッシュメモリ等の記憶手段を効率よく使用して記憶可能なデータ量を増大し、さらにプロトコルの変更やセキュリティシステムの変更等のシステム変更にも柔軟に対応できる記憶媒体処理方法とその装置、及びカードリーダ／ライタを提案し、高度化複雑化する利用者の要求に対して低コストでフレキシブルに対応して利用者の満足度を向上させる - 特許庁

In a flash memory having a simultaneously performing function, when the data of the selected blocks to be erased selected over a plurality of the banks are serially erased by the block unit, the read of data of the block to be erased in which erasure operation is finished previously is performed without waiting for finish of the erasure operation of all the remaining blocks to be erased.例文帳に追加

同時実行機能を有するフラッシュメモリにおいて、複数のバンクにわたって選択した消去対象選択ブロックをブロック単位でシリアルにデータ消去を行う際は、先に消去動作が終了した消去対象ブロックのデータの読み出しを、残りの全ての消去対象ブロックの消去動作が終了するまで待つことなく行う。 - 特許庁

A remote operating device has a ROM 112 for storing standard layout informations made previously to correspond at each apparatus, and has a CPU 110 setting layout informations for a display, based on the standard layout informations stored in the ROM 112 and a flash memory 114 for making the set layout informations for the display correspond to the apparatuses and storing the set layout information.例文帳に追加

予め機器ごとに対応付けられた標準レイアウト情報を記憶するためのＲＯＭ１１２を備え、ＲＯＭ１１２に記憶された標準レイアウト情報に基づく表示用レイアウト情報を設定するためのＣＰＵ１１０と、設定された表示用レイアウト情報を、機器と対応付けて記憶するためのフラッシュメモリ１１４とを備える。 - 特許庁

When a CPU 11 selects a broadcast service corresponding to a channel number entered by an IR processing section 12 from the broadcast services stored in the flash memory 13 and the entered channel number is the same as the channel number entered at a previous time, the CPU 11 selects a broadcast service different from the broadcast service selected at the previous time.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、ＩＲ処理部１２によって入力されたチャンネル番号に対応する放送サービスを、フラッシュメモリ１３に記憶された複数の放送サービスの中から選択するときに、入力されたチャンネル番号が前回入力されたチャンネル番号と同じである場合、前回選択された放送サービスと異なる放送サービスを選択する。 - 特許庁

A sequence flag monitoring part 41 detects the assert of a status check signal and notifies a buffer control part 42 of the detection, and the buffer control part 42 disables a buffer, and generates a bus access by controlling chip enable, output enable and address bus, and reads a sequence flag inside a flash memory, and starts the monitor of automatic erasing operation executing circumstances.例文帳に追加

シーケンスフラグ監視部４１はステータスチェック信号のアサートを検出したことをバッファ制御部４２に通知し、バッファ制御部４２によってバッファをディセーブルし、チップイネーブル、アウトプットイネーブル、アドレスバスを制御することによってバスアクセスを生成してフラッシュメモリ内部のシーケンスフラグをリードし、自動消去動作実行状況の監視を開始する。 - 特許庁

Therefore, since it is not necessary upon image drawing to read the corresponding image data from a character ROM 187 which consists of a NAND type flash memory 187a with the slow read speed, the time required for read-out can be eliminated, the drawing of the image is immediately performed, and the drawn image can be displayed on an auxiliary display part 65.例文帳に追加

よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁

To provide a flash memory element manufacturing method for which can minimize the interference effect between adjacent cells, and can improve a coupling ratio by increasing the contact area between a dielectric film and a floating gate, and can make the coupling ratio increased, a gate oxide film in a high voltage transistor area thicker than that of the tunnel oxide film in a cell area too.例文帳に追加

隣接セル間の干渉効果を最小化することができ、誘電体膜とフローティングゲートの接触面積を増加させてカップリング比を向上させることができ、セル領域のトンネル酸化膜より厚い高電圧トランジスタ領域のゲート酸化膜によってもカップリング比を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法の提供。 - 特許庁

An electronic apparatus 1 provided with at least one of a flash device, an LCD back light device 25, a motor device 29, a switch device 21, and a memory card device 27, and a battery 2 being a driving source for these devices is provided with a catalyst 3, with which hydrogen discharged from the battery 2 is oxidized with catalytic reaction and is converted to water and heat.例文帳に追加

少なくともフラッシュ装置２３、ＬＣＤバックライト装置２５、モータ装置２９、スイッチ装置２１及びメモリカード装置２７の何れか一つと、これらの装置の駆動源となる電池２とを備えた電子機器１において、電子機器１は触媒３を備え、電池２から放出される水素を触媒反応により酸化させて水と熱に変換するようにした。 - 特許庁

In a flash memory provided with floating gates 12, stripe-like control gates 11, and stripe-like erasure gates 13 on a semiconductor substrate 1, the control gates 11 are isolated from each other at alternately different intervals X1 and X2 (X1>X2) and the erasure gates 13 are provided so as to fill up the gaps corresponding to the longer intervals X1.例文帳に追加

半導体基板１上にフローティングゲート１２、ストライプ状のコントロールゲート１１、ストライプ状の消去ゲート１３を備えたフラッシュメモリにおいて、前記コントロールゲートが、距離Ｘ１と距離Ｘ２（但し、Ｘ１＞Ｘ２である。）により互いに交互に隔てられており、広い方の距離Ｘ１に対応する間隙を埋めるように前記消去ゲートが設けられる。 - 特許庁

Also, in the actual operation, the CPU core 40 controls the I/O control circuit 34 to a signal break state, thus electrically breaking an external terminal and an address/data bus 37, preventing the inside of the chip from being affected by external noise, and preventing the address and data of the flash memory and CPU core chips 20 and 30 from being leaked to the outside.例文帳に追加

また、実動作時には、ＣＰＵコア４０が入出力制御回路３４を信号遮断状態に制御するので、外部端子とアドレス／データバス３７を電気的に遮断されて、チップ内部は外部からのノイズの影響を受けることがなければ、フラッシュメモリチップ２０およびＣＰＵコアチップ３０のアドレスやデータが外部に漏れることもない。 - 特許庁

The flash memory includes a region 11 for storing an interruption vector; a region 12 that is a region for storing an adjustment parameter; a region 13 that is a region for storing a firmware updating program; a region 14 for storing a control program corresponding to a system that a device 100 uses; and a region 15 for storing an adjustment/inspection program.例文帳に追加

フラッシュメモリには、割込みベクタが記憶された領域１１と、調整パラメータが記憶されルべき領域である領域１２と、ファームウェア更新プログラムが記憶されるべき領域である領域１３と、装置１００が使用されるシステムに対する制御プログラムが記憶された領域１４と、調整・検査プログラムが記憶された領域１５とが含まれる。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

An area rewritable by a PC (Personal Computer) and an area unrewritable are formed when connecting the PC by physically dividing an HDD (or a flash memory) recording the content into a first HDD 3a and a second HDD 3b, or logically dividing one HDD 4 into a first partition 4a and a second partition 4b.例文帳に追加

コンテンツを記録するＨＤＤ（またはフラッシュメモリ）を、物理的に第１ＨＤＤ３ａ、第２ＨＤＤ３ｂに分割して、または、一つのＨＤＤ４を論理的に第１パーティション４ａ、第２パーティション４ｂに分割することにより、ＰＣに接続した際該ＰＣから書き換え可能な領域と、書き換え不可能な領域とに分離する。 - 特許庁

A resistance value of the resistors R1 and R2 and a threshold voltage of the flash memory transistors 71a and 71b are adjusted under a prescribed condition so that a voltage level of the detection signal ERR in the state not irradiated with the electromagnetic wave and a voltage level of the detection signal ERR in the state irradiated with the electromagnetic wave are varied.例文帳に追加

電磁波が照射されていない状態の下での検出信号ＥＲＲの電圧レベルと、電磁波が照射された状態下での検出信号ＥＲＲの電圧レベルとが変化するように、両抵抗Ｒ１及びＲ２の抵抗値、及び両フラッシュメモリトランジスタ７１ａ及び７１ｂの閾値電圧を所定の条件下に調整する。 - 特許庁

When a server system 10 obtains a serial number of a product to be maintained together with a request of onsite maintenance from a user, it acquires parts specific information corresponding to the serial number from an order DB 39a and transfers software or the like in accordance with the acquired parts specific information from a soft DB 39b to a flash memory 62 of a service base terminal 60.例文帳に追加

サーバシステム１０は、ユーザからオンサイト保守の依頼と共に保守対象製品のシリアル番号を取得したとき、そのシリアル番号に対応する部品特定情報を注文ＤＢ３９ａから取得し、該取得した部品特定情報に応じたソフトウェア類をソフトＤＢ３９ｂからサービス拠点端末６０のフラッシュメモリ６２に転送する。 - 特許庁

The camera comprises: a lens optics system 22 to photograph an image, CCD 23 and others; a control part 32 which automatically determines color components to be emphasized based on the image data acquired by photographing and conducts color emphasizing on each pixel composing the image data based on the determined color components; and a flash memory 38 which records the image data which have undergone the color emphasizing.例文帳に追加

画像を撮影するレンズ光学系22、ＣＣＤ23その他と、撮影で得た画像データにより強調する色成分を自動決定し、決定した色成分に基づいて撮影で得た画像データを構成する各画素に色強調処理を施す制御部32と、色強調処理を施した画像データを記録するフラッシュメモリ38とを備える。 - 特許庁

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.例文帳に追加

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁