「FLASH memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flash memory element and a method for manufacturing it for configuring a floating gate so that the upper part can be made narrower than the lower part, for reducing the area of the floating gate while maintaining the overlap area between the control gate and the floating gate, and for reducing intercell interference without lowering a program speed.例文帳に追加

本発明は、フラッシュメモリ素子及びその製造方法に関するものであり、フローティングゲートを下部より上部が狭くなるように構成し、コントロールゲートとフローティングゲート間のオーバーラップ面積は維持させながらフローティングゲートの面積を減少させてプログラムスピード(program speed)の低下なしにセル間の干渉(interference)を減らすことを目的としている。 - 特許庁

When the color image forming apparatus receives a command A (2nd rewrite instruction information), a password A and the apparatus identification information from a host computer 20, the color image forming apparatus collates the password, gives rewrite instruction information and the apparatus identification information to a CPU 12-5 of an engine 12, and a flash memory 12-6 rewrites the apparatus identification information.例文帳に追加

その後、ホストコンピュータ２０から、コマンドＡ（第二の書替指示情報）、パスワードＡ及び装置特定情報が入力されると、パスワードの照合の後、エンジン１２のＣＰＵ１２−５へ、書替指示情報及び装置特定情報が送られ、フラッシュメモリ１２−６において装置特定情報が書き替えられる。 - 特許庁

When the program processing of the one-chip microcomputer runs away, the contents of the specific address of the RAM 6 are made different from the contents intentionally prepared at the time of initialization, so that even when a rewriting subroutine program instruction is executed in error due to a runaway of program processing, the contents of the flash memory 1 can be prevented from being rewritten in error.例文帳に追加

これにより、１チップマイクロコンピュータのプログラム処理が暴走した時は、ＲＡＭ６の特定番地の内容が初期化時点で意図的に作成した内容とは異なってしまう為、プログラム処理の暴走に伴い書き換え用のサブルーチンプログラム命令が誤って実行されても、フラッシュメモリ１の誤書き換えを防止できる。 - 特許庁

A switch 40a for storing a log of operations such as a communication history of telephone devices 21a, 22a that is sent from the telephone devices 21a, 22a to a management device 70 via a network NW is provided having a RAM 43, a flash memory 44, a telephone-device interface 48, and a CPU 42.例文帳に追加

通話装置２１ａ、２２ａからネットワークＮＷを介して管理装置７０に送信する通話装置２１ａ、２２ａの通信履歴等の動作ログを格納するための交換機４０ａであって、ＲＡＭ４３と、フラッシュメモリ４４と、通話装置インターフェイス４８と、ＣＰＵ４２と、を備える交換機４０ａを提供する。 - 特許庁

A CPU 11 calculates the actual occupation size occupying a flash memory 18 in the storage of the compressed image data from a cluster size and the file size, and determines a corrected compression rate from the value of the change rate of compression file size in reference to a correspondence table in which the compression rate is preliminarily conformed to the change rate of compression file size.例文帳に追加

ＣＰＵ１１は、圧縮された画像データの保存時にフラッシュメモリ１８を占有する実際の占有サイズを、クラスタサイズとファイルサイズとから算出し、予め圧縮率と圧縮ファイルサイズの変化率とを対応付けた対応テーブルを参照して、圧縮ファイルサイズの変化率の値から、補正圧縮率を求める。 - 特許庁

A CPU 21 counts the number of sheets of an image photographed after detection of the start of photography break time by turn on power before detection of the end of photography break time by turn off power and stores the count in a flash memory 22, for example, and then displays the number of sheets photographed during that period on an LCD 24.例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、本体の電源投入等により撮影区切り時間の開始を検出してから電源ＯＦＦ等の撮影区切り時間の終了を検出するまでの期間に撮影された画像の撮影枚数を計数して例えばフラッシュメモリ２２に記憶させておき、ＬＣＤ２４にその期間の撮影枚数を表示させる。 - 特許庁

The NOR flash memory element includes a gate formed of a first polysilicon pattern, a dielectric film, and a second polysilicon pattern formed on a semiconductor substrate, a plurality of electrodes formed between the first polysilicon pattern in a line form by inserting into the semiconductor substrate, and contacts formed respectively on the respective electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１ポリシリコンパターン、誘電体膜及び第２ポリシリコンパターンで構成されたゲートと、前記第１ポリシリコンパターンの間に形成されて、前記半導体基板に挿入されてラインの形態に形成された複数の電極と、及びそれぞれの電極ごとに一つずつ形成されたコンタクトを含む。 - 特許庁

Therefore, a CPU 21 determines that rewrite processing (A) is completed if a rewrite processing flag 23a is in a cleared state according to the reset timing determination program 61a, and performs the processing according to a new in-vehicle program 60 transferred to an in-vehicle program storage area 22b of the flash memory 22.例文帳に追加

このためＣＰＵ２１は当該リセット時判断プログラム６１ａにしたがい、書き換え実行中フラグ２３ａがクリア状態になっている場合には、書き換え処理（Ａ）が完了したと判断して、フラッシュメモリ２２の車載プログラム記憶領域２２ｂに転写された新しい車載プログラム６０にしたがい処理を実行する。 - 特許庁

The built-in battery of a portable information terminal connected through a USB cable to a data automatic vending machine side is made to perform external power supply (S29), and the built-in flash memory of the portable terminal connected through the USB cable to the data automatic vending machine side is made to download a music file (S31).例文帳に追加

ＵＳＢケーブルを介して、データ自動販売機側に接続されている携帯情報端末の内蔵バッテリーに対して外部電源供給を行わせるとともに（Ｓ２９）、データ自動販売機側に接続されている携帯情報端末の内蔵フラッシュメモリに音楽ファイルをダウンロードさせる（Ｓ３１）。 - 特許庁

When a predetermined print designation file designated to an image photographed and recorded in a flash memory 108 is recorded in a recording medium, only an image print-designated by a system controller 113 is reproduced on a liquid crystal display 112, and print designation is operated by an operation key 115 again.例文帳に追加

撮影されてフラッシュメモリ１０８aに記録された画像に対して指定される所定のプリント指定ファイルを記録媒体に記録される場合に、システムコントローラ１１３によりプリント指定された画像のみを液晶ディスプレイ１１２に再生し、再びプリント指定を操作キー１１５により行う構成を特徴とする。 - 特許庁

The flash memory element has the plurality of word lines including a floating gate, a dielectric film and a control gate, and a plurality of selection lines formed where a part of the dielectric film is removed and the floating gate is directly connected to the control gate; wherein the plurality of word lines and the plurality of selection lines are formed with a uniform interval.例文帳に追加

フローティングゲート、誘電体膜及びコントロールゲートを含む複数のワードラインと、前記誘電体膜の一部が除去されフローティングゲートとコントロールゲートとが直接接続された複数のセレクトラインを備え、前記複数のワードラインと前記複数のセレクトラインが均一な間隔で形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flash memory devices that prevents a polysilicon layer from being oxidated on the interface of the polysilicon layer and dielectric film in the dielectric film formation process and the subsequent process, by forming a floating-gate polysilicon layer in a laminated structure of doped and undorped polysilicon layers.例文帳に追加

フローティングゲート用ポリシリコン層をドーフトポリシリコン層とアンドーフトポリシリコン層の積層構造で形成することにより、誘電体膜を形成する過程又は他の後続工程でポリシリコン層と誘電体膜の界面でポリシリコン層が酸化することを防止することができるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of recording data which can record by generating recording data of optimal quality according to a transfer rate to which a recording medium corresponds when original data obtained by imaging by using an image recorder, such as a digital video camera, etc. is recorded as recording data on a recording medium, such as a flash memory, etc., and to provide a recording apparatus.例文帳に追加

デジタルビデオカメラ等の画像記録装置を用いて撮像して得られた原データを記録データとしてフラッシュメモリ等の記録媒体に記録する場合に、記録媒体が対応している転送速度に応じた最適な品質の記録データを生成し、記録することが可能なデータ記録用法及び記録装置を提供する。 - 特許庁

In the case of reproducing each slit image recorded in the flash memory 38 on a display section 13, each slit image is decoded, the decoded slit images are composited by concatenating them in a direction opposite to the moving direction of the object in a photographing time order and the composited image and the time count information are displayed on the display section 13.例文帳に追加

フラッシュメモリ３８に記録された各スリット画像を表示部１３に再生する際、それらの各スリット画像を復号化し、復号化された各スリット画像を、撮影時間順に、被写体の移動方向と逆方向に連結することによって合成し、合成された画像と計時情報を表示部１３に表示する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a flash memory element capable of improving a difference in an EFH caused by the protrusions of an element isolation layer in each of a high voltage transistor region and a low voltage transistor/cell region, between these regions to ensure the stability of processes thereby promoting the reliability of the element.例文帳に追加

高電圧トランジスター領域及び低電圧トランジスター／セル領域それぞれの素子隔離膜の突出部によってこれらの領域の間に誘発されるＥＦＨ差を改善させて工程の安定性を確保し、素子の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A mobile educational Web server system and method are concerned with an education system using a mobile flash memory for loading a program for education in a Web server with mobility to enable a teacher to prepare teaching materials as the top manager of the Web server, and to give a lesson to students by way of on/off line.例文帳に追加

本発明は、移動式フラッシュメモリを用いた教育システムに関するものであって、移動性が提供されるウェブサーバに教育用プログラムを搭載して教師がウェブサーバの最高管理者として授業資料を作成し、学生とオン・オフラインで授業できる移動式教育用ウェブサーバシステム及び方法に関する。 - 特許庁

To provide a flash memory element and program method in which, in a program operation of a multi-level-tip, different voltages corresponding to voltage differences from the threshold voltages are applied to bit lines and program operations having different threshold voltage value sections are simultaneously performed to reduce the program operation frequency and to shorten the program operation time.例文帳に追加

マルチレベルチップのプログラム動作において、ビット線にしきい値電圧との電圧差に相当する異なる電圧を印加し、異なるしきい電圧値区間を有するプログラム動作を同時実行してプログラム動作回数を減らし、プログラム動作時間を短く減らすフラッシュメモリ素子とプログラム方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第２導電膜の厚さを１５００Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The reception processing for storing data received from a memory reloader 30 into a rotating buffer for reception inside a RAM 14 at a microcomputer 11 is parallelly executed while utilizing time required for write processing for storing these data in a buffer for write inside the RAM 14 as write data and writing them into a flash ROM 13.例文帳に追加

メモリ書換機３０から受信されたデータをマイクロコンピュータ１１のＲＡＭ１４内の受信用ローテーティングバッファに格納する受信処理が、そのデータを書込データとしてＲＡＭ１４内の書込用バッファに格納しフラッシュＲＯＭ１３に書込む書込処理に要する時間を利用し並行に実行される。 - 特許庁

In accordance with the configuration rule of the directory for storing various data files in a flash memory 11, the data merge section 14 creates the file management information so that the file corresponding to the content data which can be provided by the UPnP media server can be arranged under the subordinate of a prescribed directory according to the type.例文帳に追加

そして、データマージ部１４は、各種データファイルをフラッシュメモリ１１へ格納するためのディレクトリの構成規則に従って、ＵＰｎＰメディアサーバが提供可能なコンテンツデータに対応するファイルが、その種類に応じて所定のディレクトリ配下に配置されているように、当該ファイル管理情報を生成する。 - 特許庁

A common control section 15 arranged in the abnormal call processing monitor 1 reads out a test procedure from a flash memory FM storing the test procedure of call processing in an exchange, performs call processing test through the line connecting section 11 according to that test procedure and informs the test results through the line connecting section 12.例文帳に追加

呼処理異常監視装置１に構成された共通制御部１５が、交換機における呼処理の試験手順が格納されたフラッシュメモリＦＭから試験手順を読み込みむとともに、該試験手順に従い、回線接続部１１を介して呼処理の試験を行い、その試験の結果を、回線接続部１２を介して通知する。 - 特許庁

A digital disk image recording apparatus 3 is provided with a CPU 5, storage unit (ROM 11) for programs executed by the CPU 5 and data referred to by the CPU 5, network connecting means 8, storage means (e.g. ROM 11) for storing a fixed IP address, and flash memory 2 for storing an changeable IP address.例文帳に追加

ディジタルディスク画像記録装置３に、ＣＰＵ５と、ＣＰＵ５が実行するプログラム及びＣＰＵ５が参照するデータを記憶する記憶部（ＲＯＭ１１）と、ネットワーク接続手段８と、固定ＩＰアドレスを記憶する記憶手段（例えばＲＯＭ１１）と、変更可能なＩＰアドレスを記憶するフラッシュメモリ２と、を具備させる。 - 特許庁

When the object program is executed, an image data of a print object is specified according to the control sequence specified by the object program, the specified print object image data is read from the card type flash memory, and a print image data is generated by an image processing program (S41, S42, and S43).例文帳に追加

当該オブジェクトプログラムが実行されると、当該オブジェクトプログラムによって規定される制御シーケンスに従って、印刷対象の画像データが特定され、特定された印刷対象画像データがカード型フラッシュメモリから読み込まれ、画像処理プログラムによって印刷イメージデータが生成される（Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ４３）。 - 特許庁

Thus, since it is not needed to read corresponding image data from a character ROM 187 including a NAND type flash memory 187a of a slow read speed when drawing images, the time required for the read is saved, the images are immediately drawn and the drawn images are displayed at an auxiliary display portion 65.例文帳に追加

よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁

Upon transmitting the image file in the DPOF format and a print condition file from the facsimile machine 10 to a facsimile machine 13, the facsimile machine 13 temporarily preserves the received image file and print condition file in a compact flash memory 14, or transmits them to a printer 16 in a DPE store or the like.例文帳に追加

ファクシミリ装置１０からファクシミリ装置１３にＤＰＯＦ形式の画像ファイルおよび印刷条件ファイルを送信すると、ファクシミリ装置１３は、受信した画像ファイルおよび印刷条件ファイルを一旦コンパクトフラッシュメモリ１４に保存するか、あるいは、ＤＰＥ店等のプリンター１６に送信する。 - 特許庁

The flash memory control part 11 accesses a deletion area pointer storage area 13b, and sets an area in which data to be deleted by the data deletion request is stored, that is, an area of 32 pages from the O page to the 31 page of the physical block associated by the physical block address 3 as a virtual deleted area.例文帳に追加

フラッシュメモリ制御部１１は、消去領域ポインタ記憶領域１３ｂにアクセスして、データ消去要求による消去対象のデータが記憶される領域、つまり、物理ブロックアドレス“３”が対応付けられた物理ブロックの０ページ目から３１ページ目までの３２ページ分の領域を仮想消去領域として設定する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-voltage transistor of a flash memory element, which can restrain the punch leakage current of an element isolation film, while not requiring a mask process for the field stop of the high-voltage transistor, an ion implantation process, and a mask removing process, and satisfying the active property of the high-voltage transistor.例文帳に追加

高電圧トランジスタのフィールドストップのためのマスク工程、イオン注入工程及びマスク除去工程を必要とすることなく、高電圧トランジスタのアクティブ特性を満足させながら、素子分離膜のパンチ漏洩電流を抑制することが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An evaluation element 100, which evaluates the contact resistance dispersion within a flash memory 300's cell formed on a silicon wafer W, has a hole chain 20 containing a plurality of units, having a structure similar to a contact region in the cell to evaluate a resistance value between a first and second electrode pads 2a and 2b.例文帳に追加

シリコンウエーハＷ上に形成されるフラッシュメモリ３００のセル内におけるコンタクト抵抗のばらつきを評価するための評価素子１００であって、セル内のコンタクト部位と同じような構造を持ったユニットを複数個含むホールチェーン２０を備え、第１、第２の電極パッド２ａ，２ｂ間の抵抗値を測定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MOS type semiconductor integrated circuit device which integrates a MISFET element, a flash memory element, a capacitance element such as a polysilicon capacitor which use silicon nitride films formed in a hot wall type batch vacuum CVD furnace which prevents the generation of a foreign substance caused by the deformation and minute movement of a wafer.例文帳に追加

ウエハが変形し微妙な移動によって異物が発生を防止したホット・ウォール型のバッチ式減圧ＣＶＤ炉で成膜される窒化シリコン膜を使用したＭＩＳＦＥＴ素子、フラッシュ・メモリ素子、およびポリシリコン・キャパシタ等の容量素子等を集積したＭＯＳ型半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Only when error detection signals EDS are at an H level at a certain point of time within a read cycle or the error detection signals EDS are changed to an L level in a present read cycle though they were at the H level in the prior read cycle, a microcomputer 100A with a built-in flash memory inserts 1 weight WT to sense amplifier activation signals SAA.例文帳に追加

フラッシュメモリ内蔵マイコン１００Ａは、リードサイクル内のある時点で誤り検出信号ＥＤＳがＨレベルであるか、または前リードサイクルの誤り検出信号ＥＤＳがＨレベルだったのが現リードサイクルではＬレベルに変化した時のみ、センスアンプ活性化信号ＳＡＡに１ウェイトＷＴを挿入する。 - 特許庁

In a NAND flash memory, with respect to high-voltage driving transistors HV-P, HV-N and a low-voltage driving P-channel transistor LV-P of its peripheral circuit, after forming their gate electrodes 7, when ion-implanting impurities into them; their gate insulating films 6, 8 are so removed at the same time by a lithographic processing as to implant ions into them.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、周辺回路の高電圧駆動トランジスタＨＶ−Ｐ、ＨＶ−Ｎと低電圧駆動ＰチャンネルトランジスタＬＶ−Ｐについて、ゲート電極７の形成後に、不純物のイオン注入時に、リソグラフィ処理で同時にゲート絶縁膜６、８を除去し、イオン注入を行う。 - 特許庁

In this flash memory 312, a storage region is divided so as to be independently handled, and information corresponding to each of operating system storage region 311A to warning log file old storage region 311G of an SRAM 311 is duplicated to each region from a backup region 312A to a backup region 312G.例文帳に追加

フラッシュメモリ３１２は、記憶領域を分割して独立的に扱う事が可能で、バックアップ領域３１２Ａからバックアップ領域３１２Ｇにかけての各領域に、ＳＲＡＭ３１１のオペレーティングシステム記憶領域３１１Ａから警報ログファイルオールド記憶領域３１１Ｇのそれぞれに対応した情報が複製されている。 - 特許庁

To provide a method of protecting the sides of laminated word lines during SAS etching to avoid the problem that the sides of the laminated word lines of flash memory cells are exposed during SAS etching and prevents an inter-polysilicon dielectric and a gate dielectric from being undercut to increase the data hold loss.例文帳に追加

フラッシュ・メモリ・セルの積層されたワード線の側をＳＡＳ食刻中に露呈すること生ずる問題点、ポリシリコン間誘電体及びゲート誘電体をアンダーカットし、データ保持損失の増加を生ずること、を防ぐため、ＳＡＳ食刻中に、積層されたワード線の側を保護する方法を提供する。 - 特許庁

When the prescribed print designation file designated to an image picked up and recorded on a flash memory 108a is recorded on the recording medium, a system controller 113 performs control to reproduce the print- designated image on a liquid crystal display 112 corresponding to the prescribed print designation file.例文帳に追加

撮像されてフラッシュメモリ１０８ａに記録された画像に対して指定される所定のプリント指定ファイルを記録媒体に記録されている場合に、システムコントローラ１１３が該所定のプリント指定ファイルに応じてプリント指定されている画像を液晶ディスプレイ１１２上に再生制御する構成を特徴とする。 - 特許庁

Also, thumbnails other than the moving image and the still image recorded in the optical disk and a play list describing TOC (Table Of Contents) and a reproduction procedure are stored in a flash memory 109 mounted on this apparatus together with storage medium identifying information for identifying each optical disk and are managed.例文帳に追加

また、光ディスクに記録された動画像、静止画を除くサムネイル、及び、ＴＯＣ（Ｔａｂｌｅ Ｏｆ Ｃｏｎｔｅｎｔｓ）、再生手続きを記述したプレイリストについては、本装置に搭載されたフラッシュメモリ１０９に、各光ディスクを識別する記憶媒体識別情報とともに記憶され管理される。 - 特許庁

When errors in each operation mode of erasing and writing data in a flash memory 9 are in a range in which errors can be corrected by the error detection/correction unit 7 conforming to some decided algorithm, the error discriminating section 81 permits the error, and functions so that it is regarded that normal erasure or write-in is performed.例文帳に追加

エラー判定部８１は、フラッシュメモリ９におけるデータの消去、書き込みの各動作モードでのエラーが、ある決められたアルゴリズムに従ってエラー検出・訂正ユニット７で訂正できる範囲に収まっていれば、そのエラーを許可し、正常な消去または書き込みがなされたとみなされるよう作用する。 - 特許庁

Deformed image data obtained when the image data read from the flash memory 106 are deformed into a shape suited for concentric or spiral arrangement are outputted under control of a CPU 101 to output label image data where the deformed image data are arranged in a concentric or spiral shape.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１の制御により、フラッシュメモリ１０６より読み出した画像データを同心円状または螺旋状に配置するために適した形に変形した変形画像データを出力して、変形した変形画像データを同心円状または螺旋状に並べて配置したラベル画像データを出力する。 - 特許庁

When the software update for the communication terminals is performed in a wireless communication system, the maintenance system solves problems in which the maintenance staff is so far required to go to the installed site for the communication terminal in order to replace a ROM on which a program is written or load on a flash memory by connecting a maintenance device with a wireline.例文帳に追加

本発明は上記目的を達成するため、無線回線により転送元から端末局にソフトウェアを送信し、通信端末側で自動的にソフトウェアの更新を行うことで、保守員が現地へ赴く必要がなく、一度に複数台の通信端末のソフトウェア更新を実現することができる。 - 特許庁

The wireless voice adapter 11 mounting a Bluetooth(R) communication section 19 and performing Bluetooth wireless communication with an external device through connection with a portable telephone 10 is provided, in the body 12 thereof, with a USB interface connector (USB port) 15 and connected with an external apparatus such as a USB flash memory that is used as the device of the wireless voice adapter 11.例文帳に追加

ブルートゥース通信部１９を搭載し、携帯電話機１０に接続されて外部の装置とブルートゥース無線通信を行うワイヤレスボイスアダプタ１１において、本体１２にＵＳＢインターフェースコネクタ（ＵＳＢポート）１５を備え、ＵＳＢフラッシュメモリなどの外部機器を接続してワイヤレスボイスアダプタ１１のデバイスとして使用する。 - 特許庁

The utilization condition managing program operates an MAC value (hash value) from a cryptographic key enciphering contents stored in the data part of the flash memory 61-1 and important information containing a variable seq# and compares that value with an MAC value stored in a header part and when both the value are not matched, the reproduction of contents is inhibited.例文帳に追加

利用条件管理プログラムは、フラッシュメモリ６１−１のデータ部に記憶されているコンテンツを暗号化している暗号鍵と、変数seq#を含む重要情報とからMAC値（ハッシュ値）を演算し、その値と、ヘッダ部に記憶されているMAC値とを比較し、両者が一致しなければ、コンテンツの再生を禁止する。 - 特許庁

Thus, the counter area between adjoining floating gate electrodes FG and that between the floating gate electrode FG and other wiring (for example, plug 22) can be reduced for reduced coupling capacitance related to the floating gate electrode FG, thereby improving the performance and operation reliability of the flash memory.例文帳に追加

これにより、隣接する浮遊ゲート電極ＦＧ同士の対向面積や浮遊ゲート電極ＦＧと他の配線（例えばプラグ２２）との対向面積を低減でき、浮遊ゲート電極ＦＧに付随するカップリング容量を低減することができるので、フラッシュメモリの性能および動作信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

The word line enable method of the flash memory device includes the step of driving a signal line corresponding to a selected word line with a work line voltage, and the step of stepwise increasing a gate voltage of a switch transistor connected between the selected word line and the signal line during a program execution period.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置のワードラインイネーブル方法は、選択されたワードラインに対応する信号ラインをワードライン電圧で駆動する段階と、そしてプログラム実行区間の間に前記選択されたワードラインと前記信号ラインとの間に連結されたスイッチトランジスタのゲート電圧を段階的に増加させる段階とを含む。 - 特許庁

The second regulator 14 stably outputs third direct current voltage higher than the second direct current voltage on the basis of the first direct current voltage, and a first boosting circuit 4 further boosts the third direct current voltage into fourth direct current voltage and supplies it as operating power supply Vpp to a flash memory 9.例文帳に追加

第２レギュレータ１４は、第１直流電圧に基づいて第２直流電圧より高電圧の第３直流電圧を安定的に出力し、更に第１昇圧回路４によって第４直流電圧に昇圧してフラッシュメモリ９に対して動作用電源Ｖｐｐとして供給する。 - 特許庁

Each of a plurality of sectors 1a forming a flash memory 1 is divided into a plurality of blocks 1b, and each block 1b is equipped with a data recording area 1c and a block state management area 1d for recording data indicating whether the data is not yet recorded, being recorded, or already recorded on the data recording area 1c.例文帳に追加

フラッシュメモリ１を形成する複数のセクタ１ａ各々を複数のブロック１ｂに分割し、これら複数のブロック１ｂ各々にはデータ記録領域１ｃとこのデータ記録領域１ｃにデータを未記録、記録中または記録済かを示すデータを記録したブロック状態管理領域１ｄを設ける。 - 特許庁

Even if the main oscillating circuit 120 having a different frequency is externally installed, the writing of data to the flash memory 100 is performed by the clock signal of the fixed frequency of the fixed oscillating circuit 130, whereby surplus voltage by the write disturb time error in data writing is minimized so as to hardly cause the holding omission of data.例文帳に追加

周波数が異なるメイン発振回路１２０が外付けされる場合でも固定発振回路１３０の固定した周波数のクロック信号でフラッシュメモリ１００へのデータ書き込みを行うことで、データ書き込み時におけるライトディスターブ時間の誤差による余剰電圧を少なくし、データ保持抜けをし難くする。 - 特許庁