「Gate Way」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A molten metal is made to flow from a gate so as to be a casting without applying facing to the mold composed of a lower mold 11, an upper mold 12 and a core 13 composed in this way.例文帳に追加

こうして構成された下型１１，上型１２，中子１３から成る鋳型に塗型をすることなく、湯口より溶湯を流し込んで鋳物とする。 - 特許庁

When the film 10 is arranged in such a way, the gate layer 7 and p-type layer 6 can be insulated and separated from the source layer 8.例文帳に追加

このように、絶縁膜１０を配置することによって、ｐ^+型ゲート層７及びｐ^-型層６とｎ^+型ソース層８との間を絶縁分離することができる。 - 特許庁

In this way, the sliding door 8 is energized in a closing direction by the drive streak unit 21 of the door closing energizing mechanism 20 provided in a member constituting the edge part of the gate 2.例文帳に追加

これによって、出入口２の縁部を構成する部材に設けた戸閉付勢機構２０の駆動条体２１により引き戸８を戸閉方向に付勢する。 - 特許庁

In this way, it is possible to operate the gate circuit 1 on the critical path at high speed, suppressed the overall leakage current and reduce the power consumption.例文帳に追加

これにより、クリティカルパス上のゲート回路１を高速動作させることができ、かつ全体的なリーク電流も抑制でき、消費電力の低減が図れる。 - 特許庁

Densuke was on his way to submit shinokin (money for admission fee) to Hongan-ji Temple in Kyoto from his district but was betrayed and caught; he was beheaded, and his head was displayed at the prison gate. 例文帳に追加

伝助は地元から京都の本願寺に志納金を納めに行く途中裏切りに会い捕らえられ、打ち首獄門に処せられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The gate 11 is provided in a freely movable way between a closing position where the ejection opening of the rack 7 is closed and an opening position where the ejection opening is opened.例文帳に追加

ゲート１１は、商品ラック７の払出口７ｅを閉鎖する閉鎖位置と、払出口７ｅを開放する開放位置との間で移動自在に設けられている。 - 特許庁

Furthermore, when using the generated session to receive an access request from the terminal, the proxy device determines a dial-up GW (Gate Way) device to accept the access request.例文帳に追加

また、生成したセッションを用いてアクセス要求を端末から受信すると、当該アクセス要求を受け付けるダイアルアップＧＷ装置を決定する。 - 特許庁

The second road radio device, having a function as a management device decides whether the entrance gate passage information is acquired from the passing vehicle, and provides wrong-way driving warning information which warns the vehicle that the vehicle is traveling in wrong way, when the entrance gate passage information is not acquired.例文帳に追加

そして、管理装置としての機能を有する第２路側無線装置は、通過車両から入口ゲート通過情報が取得されたか否かを判定し、この入口ゲート通過情報が取得されない場合には、当該車両に逆走していることを警告する逆走警告情報を提供する。 - 特許庁

An opening part 12b is formed based on a resist pattern 16 formed in such a way that the region where the opening part is formed is flatly overlapped only with one gate electrode 5 as the opening part where a surface of one gate electrode 5 is exposed.例文帳に追加

一のゲート電極５の表面を露出する開口部として、開口部が形成される領域が平面的に一のゲート電極５のみに重なるように形成されたレジストパターン１６に基づいて開口部１２ｂが形成される。 - 特許庁

Upon detecting the passage of a radio tag RT, a gate part 10 generally construes it as an actually purchased or unprocessed commodity passing through the gate part 10 and causes an alarm device 58 to issue an alarm indicating that the commodity is being taken out in an unauthorized way.例文帳に追加

ゲート部１０は、無線タグＲＴの通過を検出した場合、原則としてゲート部１０を実購入又は未処理の商品が通過するものとして、無断持ち出しの警報をアラーム装置５８から発生させる。 - 特許庁

On the carrier supply layer 14, a gate electrode 15 is provided so as to fill the recessed portion 14b, and a source electrode 16 and a drain electrode 17 are provided by leaving a space in a sideward way of the gate electrode 15.例文帳に追加

キャリア供給層１４の上には、凹部１４ｂを充填するようにゲート電極１５が設けられていると共に、ゲート電極１５の側方に間隔をおいてソース電極１６及びドレイン電極１７が設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can manufacture efficiently a minute gate electrode by reducing the opening size in such a way that a gate electrode opening may be made thick and formed by using ordinary ultraviolet-ray exposure.例文帳に追加

通常の紫外線露光により形成したゲート電極開口を厚肉化して開口寸法を縮小することにより、微細なゲート電極を効率的に製造可能な半導体装置の製造方法等の提供。 - 特許庁

The first and second gate each have a non-uniform shape, and the second gate is oriented with respect to an orientation of the first gate in such a way that an effect of an overlay error on a device parameter of the second transistor has an opposite sign in comparison to an effect of the overlay error on a corresponding device parameter of the first transistor.例文帳に追加

第１および第２のゲートはそれぞれ不同形状を有し、そして、第２のゲートは、第２のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響が、第１のトランジスタのデバイスパラメータに対するオーバーレイエラーの影響に比較して逆の符号を有する形で第１のゲートの向きに対して配向されている。 - 特許庁

To provide a timing adjustment circuit for adjusting the timing (phase) of an output signal in a way of avoiding fluctuation by compensating a variation in a gate threshold voltage of a transistor and fluctuation in a power supply voltage.例文帳に追加

トランジスタのゲート閾値電圧のばらつきや、電源電圧の変動を補償して、出力信号のタイミング（位相）がばらつかないように調整すること。 - 特許庁

The local gateway 30 transmits the monitoring information received from the point 40 by LONWORKS (R) to the host gateway 20 by the gate way protocol.例文帳に追加

ローカルゲートウェイ３０は、ＬＯＮＷＯＲＫＳ（登録商標）によりポイント４０から受信した監視情報を、ゲートウェイプロトコルにより上位ゲートウェイ２０に送信する。 - 特許庁

The unit 10 is mounted in a substrate 3, which is positioned in the vicinity of a gate valve 13 of the film-forming unit, in such a way as to perform light radiation, almost vertically to the substrate 3.例文帳に追加

センサユニット１０は、成膜装置のゲートバルブ１３の近傍に位置する基板３に対して、ほぼ垂直に光照射を行なうように取付けられている。 - 特許庁

A gate door 6 integrated with a pump 5 is arranged in a vertically openable/closeable manner in an opening portion at one end of a gutter pipe 2 installed on the way of a water channel 1.例文帳に追加

水路１の途中に設置した樋管２の一端側開口部に、ポンプ５を一体化させたゲート扉体６を上下方向へ開閉可能に配置する。 - 特許庁

Gate drive circuits 21-26 are supplied with a primary power supply input from power supply terminals 101 and 102 by way of separate transformers T1-T6.例文帳に追加

各ゲート駆動回路２１〜２６には、いずれも電源端子１０１，１０２から、それぞれ個別のトランスＴ１〜Ｔ６を介して１次電源入力が供給されている。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor device is constituted in such a way that a punchthrough-type IGBT of a planar gate structure is realized, and that a bonding substrate 22 is bonded to the p^+ collector layer 17.例文帳に追加

こうして、プレーナゲート構造のパンチスルー型のＩＧＢＴを実現するとともに、ｐ+ 型コレクタ層１７に接合基板２２を接合してなる構成となっている。 - 特許庁

To provide a passenger movement support system for showing a stranger the way to a boarding gate, as ell as a passenger who has not boarded yet, quickly.例文帳に追加

不慣れな乗客を搭乗口へ案内すると共に、搭乗が遅れている乗客を迅速に搭乗口に案内することができる乗客移動支援システムを提供する。 - 特許庁

The home gate way 1, when receiving a data storing demand, refers to the management information and selects a device to be used for data storing based on a specified selection standard.例文帳に追加

ホームゲートウェイ１は、データ格納要求を受けると、その管理情報を参照し、所定の選択基準に基づいて、データ格納に使用する装置を選択する。 - 特許庁

By doing it this way, the discharge of the charge accumulated in the gate at turn-off of the p-channel MOSFET transistor Tr_u+ is performed via a current limiting resistor Ra.例文帳に追加

こうすることで、ＰチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴｒ_ｕ＋のターンオフの際のゲートに蓄積した電荷の放電は電流制限抵抗Ｒａを介して行なう。 - 特許庁

A gate way device 40 has a circuit ensuring section 42 ensuring a circuit on the basis of one discriminating number to the communication with the transmission terminal and the reception terminal.例文帳に追加

ゲートウェイ装置４０は、発信端末と着信端末との通信に対して、１つの識別番号に基づき、回線を確保する回線確保部４２を備える。 - 特許庁

To inhibit a short circuit between contact plugs formed in such a way as to sandwich a butting part of gate electrodes, via voids formed in an insulation film of the butting part.例文帳に追加

ゲート電極同士の間の突合わせ部を挟むように形成されたコンタクトプラグ同士が、当該突合わせ部の絶縁膜内に形成されたボイドを介してショートすることを防ぐ。 - 特許庁

To cut down the number of processes in a manufacturing method of a semiconductor device wherein after forming the source and the drain of MIS transistor its gate electrode is formed in a self-aligning way.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソース及びドレインを形成した後にセルフアラインでゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、工程数の削減を図る。 - 特許庁

In this way, the dangling bond of an interface between a gate oxide film and a p-type base layer constituting a channel region can be terminated with an element such as H or OH.例文帳に追加

これにより、ゲート酸化膜とチャネル領域を構成するｐ型ベース層の界面のダングリングボンドをＨもしくはＯＨの元素で終端させることが可能となる。 - 特許庁

To entirely improve an image sharpness by raising a dynamic range in such a way that a noise is decreased by reducing a dark current generated at the region of a transfer gate of a CMOS image sensor.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサの転送ゲートの領域で生成された暗電流を低減することでノイズを低減し、ダイナミックレンジを高め、画質を全体的に改良する。 - 特許庁

Since the gate patterns are disposed at side faces of a channel region in this way, a degree of the integration of the semiconductor device can be increased and also a channel width of each transistor can be increased.例文帳に追加

これにより、ゲートパターンがチャネル領域の側面に配置されるので、半導体装置の集積度を増加させることと同時にトランジスタのチャネル幅を増加させうる。 - 特許庁

The ECU where the encryption key is set produces a respondence (key confirmation) expressing it and returns encrypted data which is encrypted by using the encrypted key to the gate way ECU.例文帳に追加

また暗号鍵を設定したＥＣＵは、その旨を表す応答（鍵確認）を生成し、これを暗号鍵を用いて暗号化した暗号化データをゲートウェイＥＣＵに返送する。 - 特許庁

Gate valves V3, V4 are composed in the same way to be automatically opened by internal pressure from the adsorber of a desorption process and supply water vapor to the condenser after desorption.例文帳に追加

仕切弁Ｖ３，Ｖ４も同様に構成して脱着工程の吸着器からの内圧で自動的に開いて脱着後の水蒸気を凝縮器に供給する。 - 特許庁

In the first half of the story, Agui no Hoin identifies himself and says he's on his way to Ishiyama-dera Temple, meets the soul of Murasaki Shikibu and holds a dialog with persons standing in front of Ishiyama-dera Temple gate, after which the second half begins. 例文帳に追加

前段、安居院法印の名のりから石山寺への道行き、紫式部の霊との出会いがあり、石山寺門前の者との問答ののち後段にうつる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This highly reliable semiconductor device is constituted in such a way that metallic films are caused to be deposited on the side face and top face of gate wiring by electroplating in a GOLD structure in which the metallic films are superposed upon an LDD area through a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート配線の側面および上面に電解めっき法により金属膜を析出させ、この金属膜をゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域と重ねたＧＯＬＤ構造にすることにより、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

This automatic ticket gate 11 judges whether the passage through the passage way of the automatic ticket gate 11 is permitted or not on the basis of the ticket information stored in the inserted ticket 8, when two sheets of slips, that is, the ticket 8 and a member card 7 are inserted.例文帳に追加

自動改札機１１は、乗車券８、および会員カード７の２枚の券が本体に投入されると、投入された乗車券８に記憶されている乗車券情報に基づいて自動改札機１１の通路の通行可否を判断する。 - 特許庁

Then a second drain region 16 used also for a drift region is formed in a way of self-alignment to the gate electrode 19 along the side wall of the trench through ion implantation of n-type impurities while using the gate electrode 19 for part of a mask.例文帳に追加

そして、このトレンチの側壁に沿って、ドリフト領域を兼ねる第２のドレイン領域１６を、ゲート電極１９をマスクの一部に用いたｎ型不純物のイオン注入により、ゲート電極１９に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

In this way, the flexible streak unit 11 is wound to the winding drum 10 and stored in the edge part of the gate 3 at ordinary time, the flexible streak unit 11 is drawn out from the winding drum 10 and temporarily provided by extending it mutually between the edge parts of the gate 3 at maintenance work time.例文帳に追加

これによって、常時は可撓条体１１を巻胴１０に巻回して出入口３縁部に保管し、保守作業時に可撓条体１１を巻胴１０から引き出して、出入口３の縁部の相互間に張設して仮設する。 - 特許庁

When an AC power supply AC is connected, electricity is applied to a primary winding 51a of a transformer 51 and a diode bridge 563, electricity is applied to a capacitor 564, a trigger current is passed through a gate of a two way thyristor 561 by a charging current, and the two way thyristor 561 changes from OFF to ON.例文帳に追加

交流電源ACの接続時には、トランス51の１次巻線51aとダイオードブリッジ563に通電されてコンデンサ564に通電され、充電電流により双方向サイリスタ561のゲートにトリガ電流が流れ、双方向サイリスタ561がオフからオンに変わる。 - 特許庁

In the same way, high speed read-out can be performed by making control gate voltage of a memory cell and selection gate voltage of the selection transistor different voltage also for DINOR, AND, NOR type cells and a NAND type cell to which one memory cell is connected.例文帳に追加

ＤＩＮＯＲ、ＡＮＤ、ＮＯＲ型セル及び１個のメモリセルを接続したＮＡＮＤ型セルに対しても、メモリセルの制御ゲート電圧と選択トランジスタの選択ゲートの電圧とを異なる電圧にすれば、同様に高速読み出しを可能にすることができる。 - 特許庁

A first feed-controlling means 72 controls gate signals in such a way that, when the output of the gate signals to switching elements 31, 32 is started, the period of supplying energy accumulated in an input coil 12 to the common wirings 14, 16 becomes shorter.例文帳に追加

第一の給電制御手段７２は、スイッチング素子３１，３２へのゲート信号の出力を開始するときには、入力コイル１２に蓄積されたエネルギーを共通配線１４，１６側へ供給する期間が短くなるようにゲート信号を制御する。 - 特許庁

A semiconductor device is manufactured, in such a way that after a trench groove is formed into silicon 3 and the internal surface of the groove is covered with a gate oxide film 1, the groove is filled up with a vapor- phase deposited polysilicon 2, and the polysilicon 2 is back-etched until the gate oxide film 1 formed on the flat section of the silicon 3 is exposed (a).例文帳に追加

シリコン３にトレンチ溝を形成し、このトレンチ溝にゲート酸化膜１を被覆し、その後、ポリシリコン２を気相堆積させて、トレンチ溝を埋め、シリコン３の平坦部に形成されたゲート酸化膜１が露出するまで、ポリシリコン２をバックエッチする（ａ）。 - 特許庁

A CoxSiy (x≥y) intermediate reaction layer is formed on a diffusion layer 6 and a gate silicon film 4 in self-aligning way, by intermittently depositing first and second Co films 7a and 7b while the silicon substrate 1 of a MOS transistor 10, in which the diffusion layer 6 constituting a source-drain region and the gate silicon film 6 constituting a gate electrode are formed is heated.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域である拡散層６及びゲート電極であるゲートシリコン膜４が形成されたＭＯＳトランジスタ１０のシリコン基板１を加熱しながら第１Ｃｏ膜７ａ及び第２Ｃｏ膜７ｂを間欠的に堆積して、拡散層６及びゲートシリコン膜４上にＣｏ_xＳｉ_y（ｘ≧ｙ）の中間反応層を自己整合的に形成する。 - 特許庁

This baggage control gate is provided with an exciting coil 11 forming the alternate magnetic field in a passage way 1 leading to a management area, and detection coils 21 detecting magnetization reversal of a magnetic body generating a large Barkhausen effect while they are stored in storage cases different from each other and they faces the passage way 1.例文帳に追加

管理領域へ出入りする通路１に交番磁界を形成する励磁コイル１１と、 大バルクハウゼン効果を生じる磁性体の磁化反転を検出する検出コイル２１とを、それぞれ別個の収容ケース内に収容して通路１に面して設ける。 - 特許庁

By this operation, since the entry prohibition is securely informed to the passenger who would enter from the exit direction of the gate, the collision of the passengers in the way of passage can be eliminated.例文帳に追加

この動作により、ゲートの退場方向から進入しようとする通行人に対しては進入禁止を確実に通知できるので、通路途中でぶつかることがなくなる。 - 特許庁

An ion implantation step is carried out with the mask of the dummy gates 7 and 8 and the gate-side wall insulating film 9 to form deep source drain regions 11p and 11n at first as in a reverse way to the usual one.例文帳に追加

次にダミーゲート７，８、ゲート側壁絶縁膜９をマスクに用いてイオン注入を行い、通常とは逆に深いソース／ドレイン領域１１ｐ，１１ｎを先に形成する。 - 特許庁

In this circuit, while the noise is generated on the input side of the NAND gate 5, the noise is prevented from being generated in output signals Q and QN by the way of taking the output.例文帳に追加

この回路はナンドゲート５の入力側にノイズが発生するが、上記の出力の取り方によって出力信号Ｑ、ＱＮにノイズが発生することを防止している。 - 特許庁

Before passing an express way entrance/exit gate 1 or 2, a specific application of a portable telephone 5 (or an optional one of portable telephones) owned by a driver of an automobile 6 is started up in advance.例文帳に追加

高速道路入口／出口のゲート１、２通過前に、自動車６に乗っている人の携帯電話５（複数存在する場合は、任意の一台）において特定のアプリケーションを起動しておく。 - 特許庁