「IB and」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for producing an ellagic acid derivative (Ib) comprises reacting ellagic acid with a dihalogenomehane, to form a partially cyclized ellagic acid, reacting the product with a reactive derivative of a hydroxy-protected glucose and eliminating the protective groups of glucose.例文帳に追加

エラグ酸にジハロゲノメタンを作用させて、部分環化エラグ酸とし、次いでこれに水酸基保護グルコースの反応性誘導体を作用させ、更にグルコースの保護基を脱離することを特徴とするエラグ酸誘導体（Ｉｂ）の製造法。 - 特許庁

The diagnosing device starts current integration from the start of discharge when a voltage (hereinafter referred to as discharge start voltage V0) of the battery block at the start of discharge is lower than the measurement start voltage Vs, and calculates a current integration value ∫Ib' until the block voltage Vb reaches the measurement end voltage Ve.例文帳に追加

診断装置は、放電開始時の電池ブロックの電圧（以下「放電開始電圧Ｖ０」という）が測定開始電圧Ｖｓよりも低い場合、放電開始時から電流積算を開始しブロック電圧Ｖｂが測定終了電圧Ｖｅに低下するまでの電流積算値∫Ｉｂ´を算出する。 - 特許庁

An RSSI amplifier 102 is provided for performing voltage-to-current conversion from a voltage amplitude of each absolute value signal being output from the differential amplifiers 109-112 using a current source IB 104 functioning as a power source for conversion so as to add and output.例文帳に追加

差動増幅器１０９〜１１２から出力される各絶対値信号の電圧振幅をそれぞれ、変換用電力源となる電流源ＩＢ１０４を用いて電圧電流変換し加算して出力するＲＳＳＩアンプ１０２を設ける。 - 特許庁

Along with connecting power generating facilities D to an existing outlet C for a lighting circuit, detecting a current Ib which flows into the outlet for the lighting circuit from the facilities D and controlling the current, an overcurrent protection for a current which flows in electrical wire A for a branch circuit can also be performed.例文帳に追加

既存の電灯コンセントＣに発電設備Ｄを接続するとともに、電灯コンセント回路に流れる電流Ｉｂを検出し電流を制御することで分岐回路の電線Ａに流れる過電流の保護も行える様にする。 - 特許庁

A current ia is applied from a DC current source ISa to a MOS transistor Pa via a switch SWa, and a MOS transistor Pb which is connected in common to the MOS transistor Pa in the gates thereof; outputs the current ib proportional to the current ia.例文帳に追加

直流電流源ＩＳａからスイッチＳＷａを介してＭＯＳトランジスタＰａに電流ｉａを流し、ＭＯＳトランジスタＰａとゲート同士が共通接続されたＭＯＳトランジスタＰｂから電流ｉａに比例した電流ｉｂを出力する。 - 特許庁

Only during non-modulation period of an emission output signal, th APC circut controls the emission output to lower based on the photodiode output current Ipd and the base current Ib thus reducing noise level during non-modulation period on the receiving side so that the tone signal can be discriminated readily.例文帳に追加

ＡＰＣ回路は、発光出力の信号における無変調期間のみにおいて、フォトダイオード出力電流Ｉｐｄ及びベース電流Ｉｂに基づき発光出力を低下する制御を行い、受信側での無変調期間におけるノイズレベルを低減して、トーン信号を判別しやすくする。 - 特許庁

The use of a pn junction formula on the pnp transistors Q1, Q2 yields, as an inverse proportion relation, characteristics between an input voltage VIN to the non-inverting input terminal of an operational amplifier OPAamp and the collector current Ib of the pnp transistor Q2.例文帳に追加

ｐｎｐトランジスタＱ１，Ｑ２に関するｐｎジャンクションの式を利用して、演算増幅器ＯＰＡｍｐの非反転入力端子への入力電圧ＶＩＮとｐｎｐトランジスタＱ２のコレクタ電流Ｉｂとの間の特性を反比例関係とすることができる。 - 特許庁

A motor control part 20 sets a target driving value Ia of a motor 11 by a target driving value setting part 21, and sets a control driving value Ic of the motor 11 by a control driving value setting part 25 so that a detection driving value Ib is the target driving value Ia.例文帳に追加

電動機制御部２０は、目標駆動値設定部２１で電動機１１の目標駆動値Ｉａを設定し、制御駆動値設定部２５で検出駆動値Ｉｂが目標駆動値Ｉａとなるように電動機１１の制御駆動値Ｉｃを設定する。 - 特許庁

The control device 30 determines that a system relay SMR 3 has been welded when a direct current Ib has a reference value Istd or more in the case a signal SE 1 of an H level is formed and only the system relay SMR 1 is switched on.例文帳に追加

制御装置３０は、Ｈレベルの信号ＳＥ１を生成してシステムリレーＳＭＲ１のみをオンしたときの直流電流Ｉｂが基準値Ｉｓｔｄ以上であるとき、システムリレーＳＭＲ３が溶着していると判定する。 - 特許庁

Elements belonging to a group 8 or a group Ib, or a laminated film or an alloy film of them are used for a constituent of the upper electrode of the thin-film electron source, and the quantity of an S content or the like adhering to the upper electrode is set not larger than 20 mol% of the total of the elements used for the upper electrode in terms of element.例文帳に追加

薄膜電子源の上部電極成分として８族またはＩｂ族に属する元素、あるいはそれらの積層膜、合金膜を用い、上部電極に付着しているＳ分等の量を、元素換算で、上部電極として用いられている元素総量の２０mol％以下とした。 - 特許庁

The method for producing the organosilicon compound represented by formula (Ia) and having a halide content of 10,000 mass ppm or below comprises heating an organosilicon compound comprising units represented by formula (Ib): R_a(R^1O)_bY_cSiO_(4-a-b-c)/2.例文帳に追加

この課題は、ハロゲン化物含量が１００００質量ｐｐｍ以下である、一般式（Ｉｂ） Ｒ_ａ（Ｒ^１Ｏ）_ｂＹ_ｃＳｉＯ_（４−ａ−ｂ−ｃ）／２ （Ｉｂ）の単位から構成されている有機ケイ素化合物を加熱することにより達せられる。 - 特許庁

It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.例文帳に追加

アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁

In the state impressing alternating current signal output from a pseudo random noise generation means 12 to an analysis object battery 11 via an impedance element 13, the alternating voltage VB and alternating current iB of the battery 11 are sampled with an analog/digital converter 14.例文帳に追加

擬似ランダム雑音発生手段１２から出力された交流信号を解析対象の電池１１にインピーダンス素子１３を介して印加した状態で、電池１１の交流電圧ｖB 及び交流電流ｉB をアナログ／デジタル変換器１４によってサンプリングする。 - 特許庁

The method for synthesizing the theaflavins, e.g. a compound represented by formula (Ia) or (Ib) includes selectively protecting a phenolic hydroxy group on a chroman ring of a catechin or an epicatechin, converting the compound into an orthoquinone, reacting the product with an epigallocatechin, and deprotecting the product.例文帳に追加

カテキンまたはエピカテキンのクロマン環上のフェノール性水酸基を選択的に保護し、オルトキノンに変換、エピガロカテキンと反応させ、脱保護により、テアフラビン類、例えば次式：で表される化合物を合成する方法。 - 特許庁

The variable impedance means 22 is constituted capable of switching over between a low impedance to flow a corrosion prevention current IA to the detection conductive path 17 and a high impedance to flow a connection detection current IB to the detection conductive path 17.例文帳に追加

可変インピーダンス手段２２は、腐蝕防止電流ＩＡを検出導電路１７に通電する低インピーダンスと、接続検出電流ＩＢを検出導電路１７に通電する高インピーダンスとに切替え可能に構成される。 - 特許庁

If a battery current Ib is loaded (S12) and exceeds a SOC satisfaction determination current value I set in accordance with a then outside temperature, a battery charging amount is determined to be short, so that a charging control mode is selected (S14 to S16).例文帳に追加

バッテリ電流Ｉｂを読み込み（Ｓ１２）、バッテリ電流Ｉｂがそのときの外気温に応じて設定されるＳＯＣ満足判定電流値Ｉ_SOCを上回っていれば、バッテリ充電量が不足していると判定して充電制御モードを選択する（Ｓ１４→Ｓ１６）。 - 特許庁

To provide a metal precursor formation material for solar cell with which a metal precursor having good film quality can be manufactured at low cost, a method of manufacturing the metal precursor formation material for solar cell, and a method of manufacturing an IB-IIIA-VIA-based compound solar cell.例文帳に追加

安価に、膜質が良好な金属プリカーサーを製造することができる太陽電池用金属プリカーサー形成材、太陽電池用金属プリカーサーの製造方法およびIＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

When two original images are recorded, on an XYZ global coordinate system, two original images Ia, Ib are defined as the aggregates of point light sources, respectively, and further, two kinds of propagation spaces Sa, Sb capable of propagating light emitted from an original point Q on an αβγ local coordinate system are defined.例文帳に追加

２つの原画像を記録する場合、ＸＹＺグローバル座標系上に、２つの原画像Ｉａ，Ｉｂをそれぞれ点光源の集合として定義するとともに、αβγローカル座標系上の原点Ｑから射出した光の伝播が可能な２通りの伝播空間Ｓａ，Ｓｂを定義する。 - 特許庁

To suppress the variation of an arc length caused by the generation of a short-circuit in alternating current pulse arc welding where the energizing of electrode minus current In during an electrode minus time Tn, peak current Ip during a peak time Tp and base current Ib during a base time Tb is repeated.例文帳に追加

電極マイナス期間Ｔｎ中の電極マイナス電流Ｉｎ、ピーク期間Ｔｐ中のピーク電流Ｉｐ及びベース期間Ｔｂ中のベース電流Ｉｂの通電を繰り返す交流パルスアーク溶接において、短絡の発生によるアーク長の変動を抑制すること。 - 特許庁

A first arithmetic cell 11 includes a first comparison unit 21a for generating a first current I1a by subtracting a reference current Ir1 from a current Ia and a second comparison unit 21b for generating a second current I1b by subtracting a current Ib from the reference current Ir1.例文帳に追加

第１演算セル１１は、電流Ｉａから基準電流Ｉｒ１を減算して第１電流Ｉ１ａを生成する第１比較部２１ａと、基準電流Ｉｒ１から電流Ｉｂを減算して第２電流Ｉ１ｂを生成する第２比較部２１ｂとを備えている。 - 特許庁

On the other hand, a spectral sensitivity measuring device 5 changes the intensity of the white bias light in multiple i stages, and finds the spectral sensitivity of a solar cell 2 Pi(λ)=P(λ,Ib)=P(λ,∫L(λ)dλ) for every stage by a DSR method which applies a bright beam from a spectral light source.例文帳に追加

一方、分光感度測定装置５では、白色バイアス光の強度を複数ｉ段階に変化させ、都度、分光光源から輝線照射を行うＤＳＲ法によって、太陽電池２の分光感度Ｐｉ（λ）＝Ｐ（λ，Ｉｂ）＝Ｐ（λ，∫Ｌ（λ）ｄλ）を求める。 - 特許庁

The raw material oil containing the oxygen-containing organic compound and the water insoluble chlorine-containing compound and an adsorbent including a porous inorganic oxide and at least one metal selected from group IA, group IIA and group IB are brought into contact with each other and the water insoluble chlorine-containing compound is adsorbed by the adsorbent to obtain a dechlorinated oil.例文帳に追加

含酸素有機化合物及び非水溶性の含塩素化合物を含有する原料油と、多孔性無機酸化物並びに第ＩＡ族、第ＩＩＡ族及び第ＩＢ族から選ばれる少なくとも１種以上の金属を含んで構成される吸着剤と、を接触させて、非水溶性の含塩素化合物を吸着剤に吸着させて脱塩素油を得る。 - 特許庁

The invention provides the acyclic nucleotide analogs, involving salts of these compounds, whereby the compound expressed by a formula IA or IB is substantially free of its enantiomer and wherein B is a substituted or unsubstituted purine or pyrimidine moiety, or an aza and/or deaza analog thereof and is other than guanine; and R is independently H, alkyl (1-6C), aryl or aralkyl.例文帳に追加

本発明は、非環式ヌクレオチドアナログを提供し、この化合物は、この化合物の塩を包含し、ここで、式ＩＡまたはＩＢの化合物は、実質的にこの化合物のエナンチオマーを含まず、Ｂは、置換または非置換のプリンまたはピリミジン部分、もしくはそのアザおよび／またはデアザのアナログであり、そしてＢは、グアニン以外であり、そしてＲは、独立して、Ｈ、アルキル（１〜６Ｃ）、アリールまたはアラルキルである。 - 特許庁

The photographic material includes a base and at least one layer containing at least one spectrally sensitized silver halide emulsion, contains at least one compound of formula Ia and/or formula Ib and is characterized by increased sensitivity, a high sensitivity to fog ratio and a good storage life under humid conditions.例文帳に追加

支持体と少なくとも１種の分光増感されたハロゲン化銀乳剤を含んでなる少なくとも１つの層とを含んでなる写真材料であって、材料が少なくとも１種の式 および／または の化合物を含有することを特徴とする写真材料は、増加した感度、高い感度／かぶり比および湿潤条件下での良好な貯蔵寿命により特徴づけられる。 - 特許庁

To suppress the peak value of a current (iA+iB) flowing from an operating power supply to the exciting coils 4A and 4B of an electromagnet apparatus being closed simultaneously upon turning a breaker contact 1 on with the closing currents being controlled constantly by PWM control through current mode PWM control ICs 11A and 11B, main FETs 17A and 17B, and the like.例文帳に追加

ブレーカ接点１のオンにより同時投入され、投入電流がそれぞれカレントモード型ＰＷＭ制御ＩＣ１１Ａと１１Ｂ、主ＦＥＴ１７Ａと１７Ｂ等を介しＰＷＭ制御により一定に制御される電磁石装置の励磁コイル４Ａと４Ｂへ操作電源から流れる電流（ｉＡ＋ｉＢ）の波高値を抑制する。 - 特許庁

Data signals for video display are output from two output ends OUT1 and OUT2 and a phase difference between data signals in respective output ends is 1/2, so that a total current amount of occurring switching currents can be divided by output end and the occurrence of divided switching currents IA and IB can be temporally distributed.例文帳に追加

映像表示用のデータ信号を２つの出力端ＯＵＴ１，ＯＵＴ２から出力し、且つ各出力端におけるデータ信号の位相が１／２異なるので、発生するスイッチング電流の総電流量を出力端ごとに分割すると共に、分割されたスイッチング電流ＩＡ，ＩＢの発生を時間的に分散することができる。 - 特許庁

The ion implanting device 101 comprises an ion source 11 which generates and extracts ion beam IB, a mass spectrometer 12 having a magnet, an ion beam convergence part such as an electrostatic lens and Q lens (four-pole lens), and an ion beam emittance measuring mechanism 15 between the ion source 11 and the mass spectrometer 121, preferably at the rear stage of the electrostatic lens 141.例文帳に追加

イオン注入装置１０１は、イオンビームＩＢを発生、引き出すイオン源１１、マグネット（電磁石）を有する質量分析器１２、イオンビームを加速する加速器１３、静電レンズ、Ｑレンズ（４極レンズ）等のビーム収束部１４、そして、イオン源１１と質量分析器１２１の間、好ましくは静電レンズ１４１の後段にイオンビームエミッタンス測定機構１５が設けられる。 - 特許庁

The method for producing chalcopyrite type fine particles includes at least partially dissolving a group Ib metal compound, a group IIIb metal compound, and a simple substance of a group VIb element and/or a compound thereof in a polar organic solvent to obtain a raw material solution 1 and heating the raw material solution 1 to bring the polar organic solvent into a supercritical state 3 to synthesize the chalcopyrite type fine particles.例文帳に追加

第Ｉｂ族金属化合物、第ＩＩＩｂ族金属化合物、及び第ＶＩｂ族元素の単体及び/又はその化合物を、極性有機溶媒に少なくとも部分的に溶解させて、原料溶液１を得、そしてこの原料溶液１を加熱して極性有機溶媒を超臨界状態３にすることによって、カルコパイライト系微粒子を合成することを含む、カルコパイライト系微粒子の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a technology for forming a film of group IB-IIIA-VIA elements and related compound on a substrate having a wide are a with good controllability and uniformity of composition, and a compound film having excellent electronic properties suitable for fabrication of an active electronic device, e.g. a solar cell having conversion efficiency close to or higher than 10%.例文帳に追加

良好な組成の制御性および均一性を備えた、広い面積の基板上にＩＢ−ＩＩＩＡ−ＶＩＡ族元素およびそれに関連する化合物の膜を提供する技術を提供すること、並びに、アクティブな電子デバイス、例えば変換効率が１０％に近いか、またはそれ以上のソーラー電池の製造に適するような、優れた電子的性質を備えた化合物膜を提供すること。 - 特許庁

When hydrogen ions are implanted into a predetermined depth of the semiconductor substrate, a hydrogen gas is introduced into a container 37 with inside pressure reduced and with a predetermined magnetic field formed; microwaves MV are introduced into the magnetic field to generate plasma; a hydrogen ion beam IB containing hydrogen molecule ions is extracted from the plasma; and the hydrogen molecule ions are applied to and implanted into the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の所定深さに水素イオンを注入する際に、内部が減圧されており且つ所定磁場が形成された容器３７内に水素ガスを導入し、磁場内にマイクロ波ＭＷを導入してプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む水素イオンビームＩＢを引き出し、水素分子イオンを半導体基板に照射して注入する。 - 特許庁

The controller 10 outputs control signals IE and IB respectively to a throttle driving actuator 11 and a brake driving actuator 12 so that when the pedal stroke T is not greater than a predetermined value T1, throttle opening E becomes zero, and so that the amount of braking B decreases gradually as the pedal stroke T increases.例文帳に追加

コントローラ１０では、ペダルストローク量Ｔが所定値Ｔ1以下のときは、スロットル開度Ｅが０となり、ブレーキ量Ｂがペダルストローク量Ｔの増加に伴い漸減するように、スロットル駆動用アクチュエータ１１とブレーキ駆動用アクチュエータ１２にそれぞれ制御信号ＩE,ＩBを出力する。 - 特許庁

A metal precursor formation material 10 for solar cell according to the present invention has a plurality of particles 12 deposited on a base 11, and the particles 12 have core particles 16 containing a group IIIA element, and a coating substrate 14 which covers peripheries of the core particles 16 and contains a group IB element.例文帳に追加

本発明に係る太陽電池用金属プリカーサー形成材１０は、複数の粒子１２が基体１１上に堆積されている太陽電池用金属プリカーサー形成材であって、粒子１２は、IIIＡ族元素を含むコア粒子１６と、コア粒子１６の周りを被覆し、IＢ族元素を含む被覆物質１４とを有することを特徴とする。 - 特許庁

Assuming that the peak is split into peaks a, b, and c sequentially from a higher magnetic field side of a chemical shift, and the respective peaks have signal heights Ia, Ib, and Ic, respectively; then a signal height ratio R is expressed as R=Ic/Ia≥0.1.例文帳に追加

^１１Ｂ−ＭＱＭＡＳ固体ＮＭＲスペクトルにおいて、ピークを化学シフトの高磁場側から順次ピークa、ピークb、およびピークcとするとともに、それぞれのピークのシグナル高さを順次シグナル高さＩａ、シグナル高さＩｂ、およびシグナル高さＩｃとしたとき、シグナル高さ比ＲはＲ＝Ｉｃ／Ｉａ≧０．１である。 - 特許庁

The bias current Ib is controlled by a negative feedback signal based on an average value of the monitor value, and the modulation current Im is generated by a laser diode driver circuit 2 and a pre-emphasis driver circuit 3 which are individually controllable, and is independently controlled by each negative feedback signal based on a peak value of the monitor value.例文帳に追加

バイアス電流Ｉｂは、モニタ値の平均値に基づく負帰還信号により制御され、変調電流Ｉｍは、個別に制御可能なレーザダイオードドライバ回路２とプリエンファシスドライバ回路３とにより生成され、モニタ値のピーク値に基づく負帰還信号によりそれぞれ独立に制御される。 - 特許庁

The laminate for transfer printing is made by laminating the base film [I], the curable resin layer [II] and a printed layer [III], wherein the base film [I] comprises a polyvinyl alcohol based resin layer [Ia] containing filler and a thermoplastic resin layer [Ib], and the polyvinyl alcohol based resin layer [Ia] is laminated so as to be in contact with the curable resin layer [II].例文帳に追加

ベースフィルム［Ｉ］、硬化性樹脂層［II］、印刷層［III］が積層された転写印刷用積層体であり、ベースフィルム［Ｉ］が、フィラーを含有したポリビニルアルコール系樹脂層［Ｉａ］と熱可塑性樹脂層［Ｉｂ］とからなり、ポリビニルアルコール系樹脂層［Ｉａ］が硬化性樹脂層［II］と接するように積層されてなることを特徴とする転写印刷用積層体。 - 特許庁

The ion implanting apparatus 10 comprises a process chamber 12 for arranging a semiconductor wafer 100, a beam line part 14 having a source portion 24, an ion beam selecting portion 26 and a post stage accelerating portion 28 and irradiating an ion beam IB to the semiconductor wafer 100, and H2 gas supplying part 18 for supplying H2 gas to the post stage accelerating portion 28 of the beam line part 14.例文帳に追加

イオン注入装置１０は、半導体ウェハ１００を配置するプロセスチャンバ１２と、ソース部２４とイオンビーム選別部２６と後段加速部２８とからなり半導体ウェハ１００にイオンビームＩＢを照射するビームライン部１４と、ビームライン部１４の後段加速部２８にＨ_2ガスを供給するＨ_2ガス供給部１８とを備えている。 - 特許庁

The perovskitic nanoparticles have a perovskite structure represented by A_xB_yO_z (wherein A is an at least one element selected from the group consisting of group IA elements, group IB elements, group IIA elements, and group IIB elements; and B is at least one element selected from the transition metal elements) and have a primary particle diameter of 10 to 50 nm.例文帳に追加

本発明のペロブスカイト型ナノ粒子は、Ａ_ｘＢ_ｙＯ_ｚ（ただし、ＡはＩＡ族元素、ＩＢ族元素、ＩＩＡ族元素、ＩＩＢ属元素の群から選択される１種または２種の元素、Ｂは遷移金属元素から選択される１種以上の元素）からなるペロブスカイト構造を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

That is, it equalizes forward currents Ia and Ib which flow in each diode 12a and 12b by positively heating the diode small in the forward current IF thereby adjusting the forward voltage VF, in case that there is a risk that the forward current IF may flow concentratedly to a specified diode, by the dispersion of the junction temperatures between the diodes 12a and 12b.例文帳に追加

すなわち、ダイオード１２ａ、１２ｂ間の接合温度のばらつきにより、特定のダイオードに集中して順方向電流ＩＦが流れるおそれがある場合に、順方向電流ＩＦが少ないダイオードを積極的に加熱することにより順方向電圧ＶＦを調整して、各ダイオード１２ａ、１２ｂを流れる順方向電流Ｉａ、Ｉｂを均等化させる。 - 特許庁

The resist composition contains: a polymer comprising a polymer (IA) or a polymer (IB); a resin which includes an acid labile group and which is insoluble or hardly soluble with an alkali aqueous solution and is changed into soluble with an alkali aqueous solution by an action of an acid; and an acid generator.例文帳に追加

重合体（ＩＡ）又は重合体（ＩＢ）の重合体と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物であって、重合体（ＩＡ）は式（Ｉ）のモノマーに由来する構造単位からなり、重合体（ＩＢ）は、式（Ｉ）のモノマーに由来する構造単位と、式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）のモノマーに由来する構造単位からなる。 - 特許庁

The surface protective film has an adhesive layer (I) and a substrate layer (II) and the adhesive layer (I) is mainly made up of a block copolymer (Ia) having a crystalline olefin block and a linear low density polyethylene (Ib) having 0.880-0.938 g/cm^3 density.例文帳に追加

粘着層（Ｉ）と基材層（ＩＩ）とを有する表面保護フィルムであって、該粘着層（Ｉ）が、結晶性オレフィンブロックを有するブロック共重合体（Ｉａ）と、密度が０．８８０〜０．９３８ｇ／ｃｍ^３である直鎖状低密度ポリエチレン（Ｉｂ）とを主成分とすることを特徴とする新規表面保護フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound semiconductor thin film where a uniformity in a Ga distribution in the direction of a film thickness is appropriate or the Ga distribution in the direction of the film thickness can be arbitrarily controlled in the compound semiconductor thin film that comprises a group IB element, a group IIIB element, and a group VIB element and contains In and Ga as the group IIIB element.例文帳に追加

ＩＢ族元素、ＩＩＩＢ族元素およびＶＩＢ族元素から成り、ＩＩＩＢ族元素としてＩｎとＧａを含む化合物半導体薄膜において、その膜厚方向のＧａ分布の均一性が良好であるか、または膜厚方向のＧａ分布を任意に制御することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

A crude reaction product containing a mixture of a 7α-OH isomer and a corresponding 7β-OH isomer represented by formulas (Ia) and (Ib), with other arbitrary compounds is recrystallized using an alcohol solvent or a solvent mixture comprising an alcohol solvent and at least one solvent miscible with the alcohol solvent.例文帳に追加

次の式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）：の７α−ＯＨ異性体と対応する７β−ＯＨ異性体と任意の他の化合物の混合物を含んでなる粗反応生産物を、アルコール溶媒あるいはアルコール溶媒と該アルコール溶媒と混和性である少なくとも１種の溶媒を含んでなる溶媒混合物から、再結晶化させる。 - 特許庁

The compound represented by formula (IA, IB or IC) is applied to medicinal use including protection against hypoxia and ischemia-induced injury and treatment of adenosine-sensitive cardiac arrhythmia as the allosteric adenosine receptor modulator.例文帳に追加

本発明は、式（ＩＡ、ＩＢおよびＩＣ）で表される化合物、それらの化合物の製造法、それらの化合物の薬剤処方、ならびに低酸素症および虚血性損傷の保護、アデノシン感応性心臓不整脈の治療を含む用途に対するアロステリックアデノシン受容体修飾物質としての医薬用途に関するものである。 - 特許庁

Load MOS groups 300a, 300b are simultaneously operated, a combination current Ia+Ib (> potential decision current Ia) is caused to temporarily flow to a vertical signal line 18 to accelerate read of a pixel signal, and read to a memory 114 is settled within a predetermined time, thereby striking a balance between the reduction of the read time and the suppression of longitudinal streak noise.例文帳に追加

負荷ＭＯＳ群３００ａ，３００ｂを同時に動作させ、垂直信号線１８に合成電流Ｉａ＋Ｉｂ（＞電位確定用電流Ｉａ）を一時的に流して画素信号の読出しを加速し、記憶部１１４への読出しが所定時間内に収まるようにすることで、読出時間の短縮化と縦筋ノイズの抑圧を両立させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell including a photoelectric conversion layer formed of at least one compound semiconductor consisting of a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and an insulating layer formed by anodizing Al, in which degradation of insulating characteristics caused by a crack in the insulating layer can be prevented even when the photoelectric conversion layer is formed at a high temperature exceeding 500°C.例文帳に追加

Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族元素からなる少なくとも１種の化合物半導体からなる光電変換層、および、Ａｌを陽極酸化してなる絶縁層を有する太陽電池の製造において、光電変換層の成膜を５００℃を超える高温で行っても、絶縁層のクラックに起因する絶縁特性の劣化を防止できる太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁