「IB and」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Even if ice is solidified upward of the discharge port 46, the feed motor 54 is once actuated, and then the feed screw 48 is rotated, part of the ice escapes into the escape space 58 and simultaneously an ice block IB collapses and is discharged from the discharge port 46.例文帳に追加

氷が放出口４６の上方で固まったとしても、送出モータ５４が起動されて次に送出スクリュ４８が回転すると、矢線Ｘのように、一部が逃がし空間５８に逃がされつつ氷の固まりＩＢが崩れ、放出口４６から放出される。 - 特許庁

The linear model 50 with a current Ib applied to a secondary battery 28 and a cooling temperature Tc for cooling the secondary battery 28 as model input information and with a battery temperature Tb and battery power Pb of the secondary battery 28 as model output information is constructed inside an ECU (Electronic Control Unit) 30.例文帳に追加

ＥＣＵ３０内に、二次電池２８に印加される電流Ｉｂおよび当該二次電池２８の冷却のための冷却温度Ｔｃをモデル入力情報とし、二次電池２８の電池電力Ｐｂおよび電池温度Ｔｂをモデル出力情報とする線形モデル５０を構築する。 - 特許庁

The optical transmitting module in which the ambient temperature of an LD1 is detected, and in which the bias current Ib and the modulation current Im of the LD are adjusted according to the ambient temperature, includes a temperature monitoring means to detect a temperature and a bias current monitoring means to detect a bias current.例文帳に追加

ＬＤ１の周囲温度を検出し、この周囲温度に応じてＬＤのバイアス電流Ｉｂおよび変調電流Ｉｍが調整される光送信モジュールで、温度を検出する温度モニタ手段およびバイアス電流を検出するバイアス電流モニタ手段を備える。 - 特許庁

When ice is stored for a long time in a state that rotation of the agitator is stopped, ice pieces are molten as shown in a chain line and freezed to form a large lump IB, and an outer peripheral part is molten into a state that a gap is produced between the inner wall of the ice storage chamber 3 and the lump.例文帳に追加

アジテータの回転が停止した状態で長く貯留されると、鎖線のように氷片が溶けて結合して大きな塊ＩＢとなり、また外周部が溶けて貯氷庫３０の内壁との間に隙間ができた状態となる。 - 特許庁

in stage ib, one or more of the following is true: (1) the tumor is larger than 3 centimeters; (2) cancer has spread to the main bronchus of the lung, and is at least 2 centimeters from the carina (where the trachea joins the bronchi); (3) cancer has spread to the innermost layer of the membrane that covers the lungs; and/or (4) the tumor partly blocks the bronchus or bronchioles and part of the lung has collapsed or developed pneumonitis (inflammation of the lung). 例文帳に追加

ib期では、以下の条件の1つ以上が満たされる：（1）腫瘍の大きさが3cmを超える；（2）発生元の肺の主気管支までがんが拡がっていて、気管分岐部（気管と気管支が連結している所）から2cm以上離れた所まで達している；（3）肺の表面を覆っている膜の最も内側の層までがんが拡がっている；（4）腫瘍によって気管支または細気管支が部分的に閉塞していて、さらに肺の一部がつぶれるか肺炎（肺の炎症）を起こしている。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

A base current compensation bipolar transistor 24 is provided which compensates for a base current Ib of a current mirror constituted of RF signal input bipolar transistors 13a and 13b and a bias bipolar transistor 22, and a current supply circuit 25 supplies to the bias bipolar transistor 22 a current corresponding to a compensation amount of the base current Ib due to the base current compensation bipolar transistor 24.例文帳に追加

ＲＦ信号入力用バイポーラトランジスタ１３ａ，１３ｂ及びバイアス用バイポーラトランジスタ２２から構成されるカレントミラーのベース電流Ｉｂを補償するベース電流補償用バイポーラトランジスタ２４を設け、電流供給回路２５がベース電流補償用バイポーラトランジスタ２４によるベース電流Ｉｂの補償量に応じた電流をバイアス用バイポーラトランジスタ２２に供給する。 - 特許庁

This ceramic dispersion contains a ceramics, a dispersing medium and a carboxylic acid-based compound selected from a carboxylic acid, an ammonium carboxylate, a salt of a Ia group metal, IIa group metal, IIIa group metal, Va group metal, VIa group metal, VIIa group metal, VIII group metal, Ib group metal, IIb froup metal, IIIb group metal, IVb group metal and lanthanoid.例文帳に追加

セラミックス、分散媒ならびに、カルボン酸、カルボン酸アンモニウム、カルボン酸のIa族金属塩、カルボン酸のIIa族金属塩、カルボン酸のIIIa族金属塩、カルボン酸のVa族金属塩、カルボン酸のVIa族金属塩、カルボン酸のVIIa族金属塩、カルボン酸のVIII族金属塩、カルボン酸のIb族金属塩、カルボン酸のIIb族金属塩、カルボン酸のIIIb族金属塩、カルボン酸のIVb族金属塩およびカルボン酸のランタノイド塩から選ばれるカルボン酸系化合物を含むことを特徴とするセラミックス分散液。 - 特許庁

An H2 gas supplying part 18 supply H2 gas to the post stage accelerating portion 28 such that the total sum of out gas generated from the semiconductor wafer 100 by irradiation of an ion beam IB and H2 gas supplied from the H2 gas supplying part 18 can be fixed nearly and constantly.例文帳に追加

Ｈ_2ガス供給部１８は、イオンビームＩＢの照射によって半導体ウェハ１００から生ずるアウトガスとＨ_2ガス供給部１８から供給されるＨ_2ガスとの総和が常にほぼ一定となるように、後段加速部２８にＨ_2ガスを供給する。 - 特許庁

Ion beam IB is deflected by a control of a prescribed scan electrode of a scan mechanism 15 corresponding to a setting of acceleration condition of an accelerating tube 13, and the central region of the beam passes through a prescribed beam restricting slit S2 and reaches a faraday cup FC.例文帳に追加

加速管１３の加速条件の設定に応じたスキャン機構１５の所定の走査電極制御によりイオンビームＩＢは偏向され、所定のビーム制限スリットＳ２によりビーム中心領域が通過しファラディーカップＦＣに到達される。 - 特許庁

By generating bias current IB from threshold current IO and hysteresis current IH, the hysteresis width |BH| is provided using a resistance ratio A and hence determining A keeps the hysteresis width |BH| constant regardless of a sensor current detecting resistor RS1.例文帳に追加

バイアス電流ＩＢを、閾値電流ＩＯとヒステリシス電流ＩＨで発生することにより、ヒステリシス幅｜ＢＨ｜が抵抗比Ａにより与えられるので、Ａが決定されればヒステリシス幅｜ＢＨ｜はセンサ電流検出抵抗ＲＳ１によらず、一定に保たれる。 - 特許庁

There is provided a preventive and/or therapeutic agent for an allergic disease selected from pollinosis, allergic rhinitis, allergic conjunctivitis, atopic dermatitis, and asthma, which agent comprises either a low-molecular polysulfated hyaluronic acid derivative represented by formula (IB) or a pharmaceutically acceptable salt thereof as an active ingredient.例文帳に追加

下記一般式（ＩＢ）で表される低分子量多硫酸化ヒアルロン酸誘導体又はその製薬学的に許容される塩を有効成分とする花粉症、アレルギー性鼻炎、アレルギー性結膜炎、アトピー性皮膚炎及び喘息から選ばれるアレルギー性疾患の予防及び／又は治療剤。 - 特許庁

A transistor n11 having a small emitter area is current mirror- connected to a drive transistor 21a for driving a pnp type power transistor 11, and a fewer current I12 is carried to the transistor n11 and a resistor R12 according to the base current Ib of the power transistor 11.例文帳に追加

ｐｎｐ型のパワートランジスタ１１を駆動するドライブ用トランジスタ２１ａには、エミッタ面積の少ないトランジスタｎ１１がカレントミラー接続されており、トランジスタｎ１１および抵抗Ｒ１２には、パワートランジスタ１１のベース電流Ｉｂに応じ、より少ない電流Ｉ１２が流れる。 - 特許庁

The bias current monitoring means includes a control portion 8 which divides the bias current Ib into a monitor current I_1 which varies in a predetermined range and a shunt bias current I_2 which varies stepwisely in a constant magnitude current, and an A/D converter 6 which digital converts the monitor current I_1.例文帳に追加

バイアス電流モニタ手段は、バイアス電流Ｉｂを予め定めた範囲内で変化するモニタ電流Ｉ_１と一定の大きさの電流で段階的に変化する分流バイアス電流Ｉ_２とに分流させる制御部８と、モニタ電流Ｉ_１をデジタル変換するＡ／Ｄ変換器６とを備えている。 - 特許庁

The sanitary insect pest repellent is obtained by allowing crystalline fine particles of titanium oxide having an average particle diameter within the range of 2-500 nm to contain at least one element selected from group VIIA, VIII, IB and IIB elements and boron within the range of 0.1-20 wt.% expressed in terms of oxides as a repellent component.例文帳に追加

平均粒子径が２〜５００ｎｍの範囲にある結晶性酸化チタン微粒子に、忌避成分として周期律表 VIIＡ、VIII、ＩＢ、IIＢ族およびホウ素から選ばれた少なくとも１種の元素成分を酸化物として０．１〜２０重量％の範囲で含有する。 - 特許庁

Furthermore, the control device 30 determines that the system relay SMR 1 has been welded when the signal SE 3 of the H level is formed and only the system relay SMR 3 is switched on and the direct current Ib has the reference value Istd or more.例文帳に追加

また、制御装置３０は、Ｈレベルの信号ＳＥ３を生成してシステムリレーＳＭＲ３のみをオンしたときの直流電流Ｉｂが基準値Ｉｓｔｄ以上であるとき、システムリレーＳＭＲ１が溶着していると判定する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor thin film for suppressing that a bottom electrode and a metal substrate are excessively made into a group VI while being densified in high temperature, and manufacturing a high quality IB-IIIA-VIA system compound semiconductor thin film with less VI group defect.例文帳に追加

高温中で緻密化を図りつつ、下部電極や金属基板が過剰にＶI族化されることを抑制し、且つＶI族欠陥の少ない高品質なIＢ−IIIＡ−ＶIＡ族系化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Two amplification circuits 31, 32 of the level converting amplification section 30 are connected in parallel with respect to the transistors T3, T4 of the selector circuit section 20, and turn on one of the transistors T3, T4 and turn off the other simultaneously in response to an output of the differential circuit section 10 to switch the bias current Ib.例文帳に追加

レベル変換増幅部３０の２つの増幅回路３１，３２は、セレクタ回路部２０のトランジスタＴ３，Ｔ４に対して並列に接続されており、差動回路部１０の出力に応じてトランジスタＴ３，Ｔ４の一方をオンし同時に他方をオフすることでバイアス電流Ｉｂを切り換える。 - 特許庁

The signal generation circuit 20 generates control signals D1 through D4 and an alarm signal D5 in accordance with the decision signal SC output from the electric current comparator 19 in order to set the current value I1 of the first signal SI1 within the range between the low reference current value Ia and the high reference current value Ib.例文帳に追加

信号生成回路２０は、電流比較器１９から出力される判定信号ＳＣに応じて、第１信号ＳＩ１の電流値Ｉ１を低基準電流値Ｉａ及び高基準電流値Ｉｂの範囲内にするべく制御信号Ｄ１〜Ｄ４及びアラーム信号Ｄ５を生成する。 - 特許庁

When the optical disk is a DVD-RAM having low reflectance and low multiple speed, the gain of the operational amplifier 20 is increased by the feedback resistor changeover circuit 30, and also a small current (e.g. 0.5 mA) as the same bias current Ib is selected in the variable current source 40.例文帳に追加

反射率が低くかつ低倍速のＤＶＤ−ＲＡＭである場合には、帰還抵抗切換回路３０により演算増幅器２０のゲインを大きくし、かつ同バイアス電流Ｉｂとして小さい電流（例えば０．５ｍＡ）を可変電流源４０において選択する。 - 特許庁

A second current detector 21b detects a direct pulse current Ia flowing in a second transistor 25, and a direct-current Ib which flows in the reverse direction to the pulse current Ia, and does not contain ripple currents contained in the pulse current Ia, since the ripples are removed by using an electrolytic capacitor 34.例文帳に追加

第２の電流検出器２１ｂは、第２のトランジスタ２５を流れる直流パルス電流Ｉａと、該直流パルス電流Ｉａと逆向きに流れ、且つ電解コンデンサ３４により直流パルス電流Ｉａに含まれるリップル電流を除いた直流電流Ｉｂとを検出する。 - 特許庁

The polymer comprises a unit represented by formulas (Ia) and (Ib) having a group unstable to acids, a unit represented by a formula (II) having an adamantane structure containing a substituent to be eliminated by the action of acids, and a unit represented by a formula (III) having a polycyclic lactone structure.例文帳に追加

酸に不安定な基を有する式（Ｉａ）および式（Ｉｂ）のユニットと、酸の作用により脱離する置換基を有するアダマンタン構造を有する式（ＩＩ）のユニットと、多環式のラクトン構造を有する式（ＩＩＩ）のユニットとを含有する重合体。 - 特許庁

This sensor threshold determination circuit is configured to generate a sensor threshold voltage Vx by setting the voltage of a terminal VPX or VNX as a reference potential by using a voltage drop as the product of output impedance RSUM1 and RSUM2 of an impedance conversion circuit 170 and sensor bias currents ±IB.例文帳に追加

インピーダンス変換回路１７０の出力インピーダンスＲＳＵＭ１、ＲＳＵＭ２とセンサバイアス電流±ＩＢとの積である電圧ドロップを用いることで、端子ＶＰＸ又はＶＮＸの電圧を基準電位にしてセンサ閾値電圧Ｖｘを発生させる。 - 特許庁

The thus-read material image Ib of the picture Pb or the like is stored and also displayed on the liquid crystal display part 14, and various material images are arranged in optional positions by operating an operation part 12 while watching the liquid crystal display part 14 to form an album image.例文帳に追加

このようにして読み取られた写真Ｐｂ等の素材画像Ｉｂは、保存されると共に液晶表示部１４へ表示されることになり、この液晶表示部１４を見ながら、操作部１２の操作で各種の素材画像を任意の位置に配置してアルバム画像を作成する。 - 特許庁

During external charging, when the charger 24 and the auxiliary load 20 are turned off and a determination condition for determining that the current IB is zero on the basis of the value detected by the current sensor 28 is satisfied, the controller 26 carries out offset learning of the current sensor 28.例文帳に追加

制御装置２６は、外部充電時、充電器２４および補機負荷２０が停止し、かつ、電流センサ２８の検出値に基づいて電流ＩＢが０であると判定するための判定条件が成立すると、電流センサ２８のオフセット学習を実行する。 - 特許庁

To provide an n-type compound semiconductor thin film, a method of manufacturing thereof and a solar cell using the same, by allowing a compound semiconductor thin film expressed as a composition formula AB3C5 (A is a group Ib element, B is a group IIIb element, and C is a group VIb element) in which a group II element is contained.例文帳に追加

組成式がＡＢ_3Ｃ_5（ただしＡはＩｂ族元素、ＢはIIIｂ族元素、ＣはVIｂ族元素）で表わされる化合物半導体薄膜にII族元素を含有させることによって、キャリア密度の高いｎ型の化合物半導体薄膜およびその製造方法ならびにこれを用いた太陽電池を提供する。 - 特許庁

The polymer (IA) comprises a structural unit derived from a monomer of formula (I); and the polymer (IB) comprises a structural unit derived from a monomer of formula (I) and a structural unit derived from a monomer of formula (II) or formula (III).例文帳に追加

［式中、Ｒ^１、Ｒ^４及びＲ^８はＨ等；Ｒ^２、Ｒ^３は飽和炭化水素基；Ａ^1、Ａ^２は−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＯ−Ｏ−＊等；ｍは１〜６の整数；＊はＮとの結合手；Ｒ^５は芳香族炭化水素基；Ｒ^６は炭化水素基；Ｒ^７はフッ化アルキル基；Ａ^３は２価の飽和炭化水素基を表す。 - 特許庁

At the connection point of the diode D1 and the second capacitor C2, one end of a resistor R3 is connected, and bias current Ib of continuous current passes through the connection point via the resistor R3 by applying a predetermined reference voltage Vbias to the other end of the resistor R3.例文帳に追加

更に、ダイオードＤ１と第２コンデンサＣ２との接続点には、抵抗Ｒ３の一端が接続され、この他端に所定の基準電圧Ｖbiasを印加して、抵抗Ｒ３を介して上記接続点に直流のバイアス電流Ｉｂを流すようにしている。 - 特許庁

When output current Ib of the variable current source CS13 is changed and sum current of the collector current of the transistors Q11 and Q12 is changed, voltage at both ends of a resistance R11 is changed to change output current Iout outputted from an output terminal of the division circuit.例文帳に追加

可変電流源ＣＳ１３の出力電流Ｉｂを変化させてトランジスタＱ１１とトランジスタＱ１２のコレクタ電流の和電流を変化させると、抵抗Ｒ１１の両端の電圧が変化し、除算回路の出力端子から出力される出力電流Ｉｏｕｔが変化する。 - 特許庁

By using a reaction device (a reaction column) 14 equipped with a fixed catalytic reaction stage 22, the ETBE together with t-butyl alcohol (TBA) are synthesized by performing the liquid phase reaction of IB with EtOH and water stoichiometrically under the mild conditions of a middle pressure (≥1,000 kPa) and middle temperature (≥100°C).例文帳に追加

そして、固定触媒反応ステージ２２を備えた反応装置（反応塔）１４を用いて、ＩＢをＥｔＯＨ及び水と化学量論的に中圧（１０００ｋＰａ以下）・中温（１００℃以下）の温和な条件で液相反応させてＥＴＢＥとともにｔ−ブチルアルコール（ＴＢＡ）を合成する。 - 特許庁

At that time, whether a steering torque detection value T and a yaw rate detection value Y are abnormal (whether an error is included or not) is detected based on a shift of the steering torque detection value T, the yaw rate detection value Y and a current command value Ib of the one-sided flow restraining control.例文帳に追加

このとき、操舵トルク検出値Ｔ、ヨーレート検出値Ｙ及び片流れ抑制制御の電流指令値Ｉｂの推移に基づいて、操舵トルク検出値Ｔ及びヨーレート検出値Ｙの異常（誤差が含まれているか否か）を検知する。 - 特許庁

In a color converting apparatus, two-dimensional positions X_i, Y_i of input RGB data on a plane passing through three points of a white point, a black point and input RGB data (R_iG_iB_i), in an input RGB space depending upon a target device, are specified and stored in a storage device 18.例文帳に追加

ターゲットデバイスに依存する入力ＲＧＢ空間の白点、黒点及び入力ＲＧＢデータ（Ｒ_iＧ_iＢ_i）の３点を通る平面ｉ上における入力ＲＧＢデータの２次元位置Ｘ_i，Ｙ_iを特定し、記憶装置１８に記憶させる。 - 特許庁

The polymer includes a unit expressed by formula (Ia) and formula (Ib) both of which have an acid-unstable group, a unit which is expressed by formula (II) that has an adamantane structure having a hydroxyl group protected with an acetal-based protective group, and a lactone structure-containing unit which is expressed by any one of formulae (IIIa) through (IIIf).例文帳に追加

酸に不安定な基を有する式（Ｉａ）および式（Ｉｂ）のユニットと、アセタール系の保護基で保護された水酸基を有するアダマンタン構造を有する式（ＩＩ）のユニットと、（IIIａ）〜（IIIｆ）のいずれかで表されるラクトン構造含有ユニットとを含有する重合体。 - 特許庁

To prevent the waste of Se material when the semiconductor thin film, such as CIGS based thin film, is formed during manufacturing of a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se, and a photoelectric conversion device.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。 - 特許庁

The failure in a motor driving part 20 is detected based on a detected current difference |Ia-Ib| which is a difference between an inflow current Ia and an outflow current Ib of a motor driving circuit 30 detected by an inflow current detection circuit 23 and an outflow current detection circuit 26.例文帳に追加

流入及び流出電流検出回路２３，２６で検出されるモータ駆動回路３０の流入及び流出電流Ｉａ，Ｉｂの差である検出電流差｜Ｉａ−Ｉｂ｜に基づき、モータ駆動部２０における故障を検出する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se uses cracked and radicalized Se by the plasma in a film-forming process.例文帳に追加

Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 - 特許庁

The ion beam etching method according to the embodiment comprises: a cooling stage S52 of cooling a drawing electrode E with an inert gas; and an etching stage S54 of etching a substrate W using an ion beam IB drawn by the drawing electrode E.例文帳に追加

実施形態に係るイオンビームエッチング方法は、引き出し電極Ｅを不活性ガスにより冷却する冷却工程Ｓ５２と、引き出し電極Ｅによって引き出されたイオンビームＩＢを用いて基板Ｗをエッチングするエッチング工程Ｓ５４とを含む。 - 特許庁

In addition, during opening operation of the solenoid, a reverse electromotive force absorption circuit 110 absorbs the reverse electromotive force of the coil 300, and a reflux circuit 130 intermittently detours reflux current IA flowing through the reverse electromotive force absorption circuit 110 as reflux current IB.例文帳に追加

また、ソレノイドの開放動作の際、逆起電力吸収回路１１０が、コイル３００の逆起電力を吸収すると共に、還流回路１３０が、逆起電力吸収回路１１０を流れる還流電流ＩＡを還流電流ＩＢとして断続的に迂回させる。 - 特許庁

The thin film can be manufactured by irradiating a surface of a substrate S with ion beams IB so as to be incident at an angle α which exceeds 10° and smaller than or equal to 40°, while depositing a material M having the wurtzite crystal structure on the surface of the substrate S.例文帳に追加

この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 - 特許庁

A power meter 100 adjusts the value of bias current Ib to be supplied to a microwave generator 20 and controls the microwave generator 20 so that the power efficiency of the microwave outputted from the microwave generator 20 keeps a target value.例文帳に追加

パワーメータ１００は、マイクロ波発生装置２０から出力されたマイクロ波の電力効率が目標値を保つように、マイクロ波発生装置２０に供給するバイアス電流Ｉｂの値を調整して、マイクロ波発生装置２０を制御する。 - 特許庁

A data rotation unit 500 of a printing apparatus 100 reads printing data formed as a result of decode processing for every line and performs predetermined address computation to thereby accumulate the data in an image buffer IB in the longitudinal direction for every 8×8-pixel square block.例文帳に追加

印刷装置１００のデータ回転ユニット５００は、デコード処理の結果生成された印刷データをライン毎に読み込むと、所定のアドレス計算を行うことで、これを、８×８画素の正方ブロック毎に、イメージバッファＩＢ内に縦方向に蓄積する。 - 特許庁

Thus, contrast of a projection image is improved by narrowing the incident angle range of illuminating luminous flux IB made incident on liquid crystal light valves 50a, 50b and 50c, or the contrast is improved by reducing light shielding by a projection optical system 70.例文帳に追加

これにより、例えば液晶ライトバルブ５０ａ，５０ｂ，５０ｃに入射させる照明光束ＩＢの入射角度範囲を狭めることにより、投射画像のコントラストを向上させることができ、或いは投射光学系７０による遮光を低減してコントラストを向上させることができる。 - 特許庁

When the output voltage of the auxiliary power source is equal to or less than a first voltage threshold Vth1, the ECU turns on/off a switching element on the lower stage side (earth side) of a boost circuit to charge the auxiliary power source, and based on the output current value Ib of the main power source, varies the on-duty ratio of the switching element.例文帳に追加

そして、補助電源の出力電圧が第１の電圧閾値Ｖth１以下である場合には、補助電源を充電すべく昇圧回路の下段側（接地側）のスイッチング素子をオン／オフさせるとともに、主電源の出力電流値Ｉbに基づいて、そのスイッチング素子のオンＤｕｔｙ比を可変する。 - 特許庁

On an outside of a photoelectric conversion film 13, there is provided a reflection portion 15b which guides, by reflection action to the photoelectric conversion film 13, the white light IB which is irradiated on an outer edge portion of the effective euphotic region ER provided on the transparent light receiving board 11 and moreover is not guided directly to the photoelectric conversion film 13.例文帳に追加

光電変換膜１３の外側には、透明受光板１１上に設定された有効受光領域ＥＲの外縁部分に照射され、且つ、光電変換膜１３に直接的に導かれない白色光ＩＢを反射作用により光電変換膜１３に導く反射部１５ｂが配されている。 - 特許庁

In the balun, a current in response to the input signal is produced in a 1st port and an inverted current to the current flowing to the 1st port is produced in a 2nd port resulting in being complementary differential currents iA, iB, which are used for operating currents of the differential pairs.例文帳に追加

バランにより、入力信号に応じた電流を第１のポートに生じさせ、この第１のポートと逆相の電流を第２のポートに生じさせて、互いに相補な差動電流（ｉＡ，ｉＢ）を生成して差動対の動作電流とする。 - 特許庁

A power unit control device for shift-controlling a continuously variable transmission mechanism in a multistage shift mode includes a speed ratio selection section 83 outputting a target speed ratio ib as a speed stage switching signal based on the traveling state of a vehicle and the operation state of a driver.例文帳に追加

無段変速機構を多段変速モードで変速制御するパワーユニットの制御装置は、車両の走行状態や運転者の操作状態に基づいて目標変速比ｉｂを変速段切換信号として出力する変速比選択部８３を備えている。 - 特許庁