「ITO」に関連した英語例文の一覧と使い方(54ページ目) - Weblio英語例文検索

A terminal electrode 2 composed of ITO drawn from pixel electrodes arranged on the surface of a glass substrate composing an LCD panel 1 and a TCP 3 having a terminal electrode 4 designed and produced corresponding to the terminal electrode 2 are heated and pressurized through the anisotropic conductive film composed of conductive particles 5 and resins 6, and the terminal electrode 2 and terminal electrode 4 are connected.例文帳に追加

液晶表示パネル１を構成するガラス基板の表面に配された画素電極から引き出されたＩＴＯからなる端子電極２と、端子電極２に対応するように設計および製作された端子電極４を有するＴＣＰ３とを、導電性粒子５と樹脂６とからなる異方性導電膜を介して加熱加圧し、端子電極２と端子電極４とを接続する。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an electrode substrate for a color liquid crystal display device simply and with no quality problem, wherein the display device has a colored layer directly provided either on the common display electrode of the common display electrode forming substrate or on a transparent pixel display electrodes (usually ITO electrodes) of the TFT substrate.例文帳に追加

共通表示電極形成側の基板の共通表示電極部や、ＴＦＴ基板側の透明な画素表示電極（通常、ＩＴＯ電極）部に、直接着色層を設けた構造の、カラー液晶表示装置用の電極基板を、簡単に、且つ品質的にも問題なく作製できる方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method includes steps S1 and S3 for forming, at normal temperature, a pixel electrode and a counter electrode applying driving voltage to a liquid crystal and composed of an ITO on a TFT substrate and a counter substrate, respectively, by using a film-deposition apparatus and steps S2 and S4 for forming inorganic alignment layers on the pixel electrode and the counter electrode, respectively.例文帳に追加

ＴＦＴ基板及び対向基板に、成膜装置を用いて、液晶に駆動電圧を印加するＩＴＯからなる画素電極、対向電極を、常温でそれぞれ形成するステップＳ１、ステップＳ３と、画素電極、対向電極上に無機配向膜を形成するステップＳ２、ステップＳ４と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

At the time of constituting an alternating balance adjusting circuit which optimizes the alternating balances of liquid crystal driving voltages while adjusting a common electrode potential to be applied to common electrodes 201 of a TFT liquid crystal panel, in short, adjusts flicker, ITO (indium tin oxide) electrode parts 601 whose resistance values are adjustable by laser irradiation are arranged.例文帳に追加

ＴＦＴ液晶パネルの共通電極２０１に印加する共通電極電位を調整し液晶駆動電圧の交流化バランスを最適化、つまりフリッカー調整を行う交流化バランス調整回路を構成するに際し、レーザー照射により抵抗値を調整可能なＩＴＯ電極部６０１を配置する。 - 特許庁

The original table glass used for an original reader is obtained by subjecting a glass substrate 2 to chemical strengthening or strengthening by air blast cooling and then depositing a film comprising tin doped indium oxide (ITO film) 1 on at least one surface 2a of the glass substrate 2 in 15-20 nm thickness (t).例文帳に追加

原稿読み取り機に用いる原稿台ガラスにおいて、ガラス基板２に予め化学強化または風冷強化を施し、その後ガラス基板２の少なくとも一方の表面２ａに錫をドープした酸化インジウムからなる膜（ＩＴＯ膜）１を形成し、このＩＴＯ膜１の膜厚ｔを、１５ｎｍ〜２０ｎｍとした。 - 特許庁

For the thin film transistor 20, which switches the light- emitting element 10, the semiconductor active layer 13 composed of i-type ZnO is formed via an insulation layer 12 composed of SiO_2 on a gate 11 composed of ZnO and a drain 15 and a source 16 composed of ITO are formed via a contact layer 14, composed of n-type ZnO on the semiconductor active layer 13.例文帳に追加

発光素子１０をスイッチングする薄膜トランジスタ２０は、ＺｎＯから成るゲート１１上にＳｉＯ_2から成る絶縁層１２を介してｉ型のＺｎＯから成る半導体活性層１３を形成し、半導体活性層１３上にｎ型のＺｎＯから成るコンタクト層１４を介してＩＴＯから成るドレイン１５及びソース１６を形成する。 - 特許庁

This invention is industrially useful as the method where, from an etching waste liquid produced when the indium-containing material to be etched such as an ITO film is subjected to etching treatment with an oxalic acid solution, and in which metal components such as indium and tin are present as complex compounds together with oxalic acid, the indium whose separation/recovery are extremely difficult owing to its low concentration is selectively separated/recovered.例文帳に追加

ＩＴＯ膜などのインジウム含有被エッチング材をシュウ酸溶液でエッチン処理した際に生ずるインジウム、スズなどの金属成分がシュウ酸と共に錯体化合物として存在するエッチング廃液から、低濃度のため分離回収が極めて困難なインジウムを選択的に分離回収する方法として工業的に有用である。 - 特許庁

This organic EL element is provided with: transparent electrodes 18 formed on the surface of a transparent substrate 10 of glass, quartz or resin with a transparent electrode material such as ITO or SnO2; a luminescent layer 20 laminated on the transparent electrodes 18 and formed of an EL material; and back electrodes 22 laminated on the luminescent layer 20, and formed oppositely to the transparent electrodes 18 with Al, Li, Cs, etc.例文帳に追加

ガラスや石英、樹脂等の透明基板１０の表面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１８と、透明電極１８に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電極１８に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ，Ｃｓ等からなる背面電極２２とを備える。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for forming an overcoat which satisfies conventional requirements such as adhesiveness, visible light transparency and high surface hardness, and is also excellent in high temperature resistance, particularly in ITO vapor deposition resistance, particularly when it is used as an overcoat of a colored resin film for color filters for liquid crystal displays.例文帳に追加

従来からの要求性能である密着性、可視光透過性を満足し、かつ高い表面硬度を有する保護膜を形成するとともに、特に液晶表示用カラーフィルター着色樹脂膜の保護膜として使用した場合の、高温耐性、特にはＩＴＯ蒸着耐性に優れた保護膜形成用エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The heat-shielding film has translucency and is characterized in that a main matrix component is a resin, ITO fine particles and/or ATO fine particles having an average particle diameter of ≤200 nm are dispersed in the matrix, the film thickness is at least 1 μm and the surface resistance is at least 1 MΩ/square.例文帳に追加

透光性を有する熱遮蔽膜であって、前記遮蔽膜は、樹脂を主たるマトリックス成分とし、平均粒径２００ｎｍ以下のＩＴＯ微粒子および／またはＡＴＯ微粒子が分散されてなり、前記熱遮蔽膜の膜厚は少なくとも１μｍであり、その表面抵抗値が少なくとも１ＭΩ／□であることを特徴とする熱遮蔽膜である。 - 特許庁

Disclosed is an infrared shielding film-coated glass plate comprising a glass substrate and a 200-3,000 nm-thick infrared-shielding film formed thereon and having a structure in which fine ITO particles having an average particle diameter of at most 100 nm are dispersed in a matrix based on silicon oxide and containing at least 2 atom% nitrogen based on the Si atoms.例文帳に追加

酸化ケイ素を主体とし、かつ、Ｓｉに対して２原子％以上の窒素を含むマトリックス中に、平均一次粒子径１００ｎｍ以下のＩＴＯ微粒子が分散している構成の、層厚２００〜３０００ｎｍの赤外線遮蔽層をガラス基板の表面上に有することを特徴とする赤外線遮蔽層付きガラス板。 - 特許庁

A dispersion liquid of fine particles of metal oxides such as ITO or the like is applied on a substrate to be treated and sintered at 150-200°C in the atmosphere to form a porous transparent conductive film, and then heated at 100-250°C in a mixture atmosphere of a gas including oxygen or ozone and an indium halide gas or an organic indium gas.例文帳に追加

ＩＴＯ等の透明導電膜形成用金属酸化物の微粒子の分散液を被処理基板上に塗布し、大気中で１５０〜２００℃で燒結して多孔質透明導電膜を形成し、次いで、酸素又はオゾンを含むガスとハロゲン化インジウムガス又は有機インジウムガスとの混合ガス雰囲気中で１００〜２５０℃で加熱して成膜する。 - 特許庁

This method for recovering indium includes a stage in which ITO indium-containing scrap is dissolved with hydrochloric acid to form an indium chloride solution, a stage in which a sodium hydroxide aqueous solution is added to the indium chloride solution to remove tin contained in the scrap as tin hydroxide and a stage in which indium is substituted with zinc and recovered from the remaining solution freed of the tin hydroxide.例文帳に追加

ＩＴＯインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化インジウム溶液とする工程、該塩化インジウム溶液に水酸化ナトリウム水溶液を添加してスクラップ中に含有する錫を水酸化錫として除去する工程、該水酸化錫除去した後液から亜鉛によりインジウムを置換、回収する工程からなることを特徴とするインジウムの回収方法。 - 特許庁

This light emitting element contains a liquid-crystal electron injection layer 15 comprising the organic charge transport material having a liquid-crystal phase between two electrodes (ITO electrode 12 and Al electrode 17) facing each other, and the molecular major axes of the liquid-crystal phase of the liquid-crystal injection layer 15 are arranged almost parallel to the plane of the electrode.例文帳に追加

対向する２つの電極（ＩＴＯ電極１２とＡｌ電極１７）の間に、液晶相を有する有機電荷輸送材料からなる液晶性電子注入層１５を含有し、液晶性電子注入層１５の液晶相の分子長軸は、前記電極の平面に対して略平行に配列されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the organic electric field light- emitting element 23 wherein the layer having electron transporting layers which are the light emitting regions between ITO transparent picture element electrodes 2 and negative electrodes 22, at least the electron transporting layers 5 among the layers are formed in a prescribed pattern by dropping an organic EL material solution 5a of the constituting materials of the layers.例文帳に追加

ガラス基板１上のＩＴＯ透明画素電極２と陰極２２との間に、発光領域である電子輸送層を有する層が設けられた有機電界発光素子２３の製造方法において、前記層のうち少なくとも電子輸送層５をその構成材料の有機ＥＬ材料溶液５ａの滴下によって所定パターンに形成する、有機電界発光素子２３の製造方法。 - 特許庁

This lighting system comprises an insulating transparent substrate 12 made of glass or resin, etc., and an EL element 14 prepared with transparent electrodes 14a made of ITO, etc., mounted on the transparent substrate 12, EL luminous layers 14c set on the transparent electrodes 14a and back electrodes 14b set on the EL luminous layers 14c and facing the transparent electrodes 14a.例文帳に追加

ガラスや樹脂等の絶縁性の透明基板１２と、透明基板１２に設けられたＩＴＯ等の透明電極１４ａと、この透明電極１４ａ上に設けられたＥＬ発光層１４ｃと、このＥＬ発光層１４ｃ上に透明電極１４ａと対向して設けられた背面電極１４ｂとを備えたＥＬ素子１４を有する。 - 特許庁

The insulating film-forming coating material comprises an organic solvent which has good wettability to any of a glass compound such as a glass substrate, a metallic compound such as an Ag electrode, and a ceramic compound such as an ITO film and of which contact angle to the above inorganic materials is smaller than 5°, inorganic fine particles, and a binder resin as the essential components.例文帳に追加

ガラス基板などのガラス化合物、Ａｇ電極などの金属化合物、ＩＴＯ膜などのセラミックス化合物のいずれとも濡れ性が良く、前記各無機材料との接触角が５°未満である有機溶剤と、無機微粒子及びバインダー樹脂とを必須成分として含有する絶縁膜形成用塗料とする。 - 特許庁

In the projection display apparatus by three-plate processing, ITO (indium tin oxide) having ≤2,000 cm^-1 absorbance for light at 410 nm wavelength is used for a pixel electrode 9a formed at a lower layer of an alignment film 16 of a liquid crystal apparatus 961B which modulates at least blue light.例文帳に追加

３板方式からなる投射型表示装置にあって、少なくとも青色を光変調する液晶装置９６１Ｂの配向膜１６の下層に位置して形成される画素電極９ａに、波長４１０ｎｍの光に対する光吸収係数が２０００ｃｍ^-1以下のＩＴＯが用いられることを特徴とする。 - 特許庁

A state with the mean square of unevenness on the surface of the transparent electrode being 30 nm or smaller, the state that the transparent electrode formed of an indium tin oxide(ITO), the state that the base material formed of zirconia stabilized yttrium(YSZ), and the state that the element used as an resonator type organic luminescent element are preferable.例文帳に追加

前記透明電極の表面における凹凸の２乗平均が３０ｎｍ以下である態様、前記透明電極がインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）である態様、前記基材がジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）で形成された態様、共振器型有機発光素子として用いられる態様、などが好ましい。 - 特許庁

The non-volatile memory element contains a variable resistance substance and includes a lower electrode 21, an intermediate layer 22 which is formed on the lower electrode and is composed of one substance selected among HfO, ZnO, InZnO or ITO, an NiO layer 23 formed on the intermediate layer, and an upper electrode 24 formed on the NiO layer.例文帳に追加

下部電極２１と、下部電極上に形成されたＨｆＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯまたはＩＴＯのうちから選択されたいずれか一つの物質から形成された中間層２２と、中間層上に形成されたＮｉＯ層２３と、ＮｉＯ層上に形成された上部電極２４とを備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

For the conductive film or the conductive sheet with a conductive layer formed on the surface of one side of a transparent film or a transparent sheet, the conductive layer is formed of a composition consisting of ITO fine particles and a binder, with a surface of its outermost face in fine convex and concave shapes.例文帳に追加

透明フィルムまたは透明シートの片面の表面に導電性層が形成された導電性フィルムまたは導電性シートであって、該導電性層はＩＴＯ微粒子およびバインダーよりなる組成物から形成されかつ該導電性層の最外面の表面は、微細凹凸形状を有することを特徴とする導電性フィルムまたは導電性シート。 - 特許庁

Since a pixel electrode 9a and a counter electrode 21 are formed using the same material (ITO), contact potentials generated between the pixel electrode 9a and counter electrode 21, and the liquid crystal are equal to each other and then display defects such as sticking of the liquid crystal and the flickering can be reduced.例文帳に追加

画素電極９ａ及び対向電極２１が相互に同じ材料（ＩＴＯ）を用いて構成されているため、画素電極９ａ及び対向電極２１の夫々と液晶との間に生じる接触電位が相互に等しくなり、液晶の焼き付き、及びフリッカ等の表示不良を低減することが可能である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a liquid crystal device by which the occurrence of an alignment defect of a liquid crystal caused by ruggedness of an inorganic alignment layer formed by being affected by a rugged shape of an electrode constituted of an ITO film and the occurrence of a display defect such as a display unevenness can be easily prevented while productivity and reliability of the liquid crystal device are enhanced.例文帳に追加

ＩＴＯ膜によって構成された電極の凹凸形状に影響されて形成された無機配向膜の凹凸に起因して液晶の配向不良が発生し、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを、液晶装置の生産性及び信頼性の向上を図りながら簡単に防止することができる液晶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic EL element has a transparent electrode 12 formed of a transparent electrode material such as ITO or SnO2 on the surface of a transparent substrate 10 such as glass, quartz, or resin, a light emitting layer 16 made of an organic EL material, and back plates 18, 20 made of Al or Li stacked on the light emitting layer 16 and facing the transparent electrode 12.例文帳に追加

ガラスや石英、樹脂等の透明な基板１０の表面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１２と、透明電極１２に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層１６と、この発光層１６に積層され、透明電極１２に対向して形成されたＡｌ，Ｌｉ等からなる背面電極１８，２０とを備える。 - 特許庁

When a pixel electrode 131 is formed of a light-transmissive conductive oxide film of ITO, IZO, etc., the inter-substrate connection line 151 is formed on wirings L51 by using the light-transmissive conductive oxide film, the wirings L51 of adjacent array substrates of the multi-unit array substrate are connected to each other by the inter-substrate connection line 151.例文帳に追加

ＩＴＯやＩＺＯ等の光透過導電酸化膜によって画素電極１３１を形成する際に、当該光透過導電酸化膜を利用して配線Ｌ５１上に基板間接続線１５１を形成し、この基板間接続線１５１によって多数個取りアレイ基板内の隣接するアレイ基板間で配線Ｌ５１同士を接続する。 - 特許庁

To provide an oxide sintered compact sputtering target assembly in which the efficient sputtering capable of coping with a local erosion caused by magnetron sputtering is made possible, the use of an expensive raw material of the oxide sintered compact target such as ITO can be saved as much as possible without affecting the sputtering performance and a large-sized product difficult in integrately forming can be easily manufactured.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリングによる局部的エロージョンに対応できる効率的なスパッタリングを可能とし、スパッタ性能に影響を与えることがなくＩＴＯ等の酸化物焼結体ターゲットの高価な原料の使用量を可能な限り節減し、かつ一体成形が困難な大型品を容易に製造できる酸化物焼結体スパッタリングターゲット組立体を提供する。 - 特許庁

In the optoelectronic device mounted in a portable telephone set, a flexible board 70 is mounted on an optoelectronic panel 400 with an anisotropic conductive material 800 and the rear-side terminals 721 of the flexible board 70 are electrically connected to terminals 911 consisting of ITO(indium tin oxide) films of the optoelectronic panel 400.例文帳に追加

携帯電話機に搭載した電気光学装置において、電気光学パネル４００にはフレキシブル基板７０が異方性導電材８００によって実装され、電気光学パネル４００のＩＴＯ膜からなる端子９１１に対して、フレキシブル基板７０の裏面側端子７２１が電気的に接続されている。 - 特許庁

This organic EL element comprises a transparent electrode formed of transparent electrode material such as ITO and SnO2 or the like on a surface of a transparent substrate of glass, quartz, and resin or the like, a luminescent layer including organic EL material laminated on the transparent electrode, and a back surface electrode facing to the transparent electrode and formed on each of unit luminescent pixels 10a.例文帳に追加

ガラスや石英、樹脂等の透明基板の表面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極と、上記透明電極に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層１２と、この発光層１２に積層され、透明電極に対向して単位発光画素１０ａ毎に形成された背面電極とを有した有機ＥＬ素子である。 - 特許庁

The vertical transfer electrodes V1-V4 are formed of a translucent electrode material, e.g. a thin film of In_2O_3 or ZnO based translucent conductive material represented by ITO, a polysilicon film thin enough to exhibit translucence, or a multilayer of these films functioning as an integrated electrode.例文帳に追加

この垂直転送電極Ｖ１〜Ｖ４は、ＩＴＯを代表とするＩｎ_2Ｏ_3系、またはZnＯ系などの透明導電材料薄膜、多結晶シリコンを光透過性を有する程度の膜厚に薄膜化したもの、あるいはそれらを積層して一体的な電極として機能させたものなど、光透過性の電極部材で形成する。 - 特許庁

The UV-curable resin composition comprises a resin comprising at least (A) a carbazole monomer having an ethylenically unsaturated group in the molecule or a polymer having 20,000 to 150,000 number average molecular weight (Mn), or a mixture of them, (B) a crosslinking agent, (C) a photopolymerization initiator and (D) a dispersant, and containing (E) ITO fine particles.例文帳に追加

少なくとも（Ａ）分子内にエチレン性不飽和基を有するカルバゾールモノマー又は数平均分子量（Ｍｎ）が２００００〜１５００００の範囲のポリマー、若しくはそれらの混合物、及び（Ｂ）架橋剤、（Ｃ）光重合開始剤、（Ｄ）分散剤から成ることを特徴とする樹脂が、（Ｅ）ＩＴＯ微粒子を含有して紫外線硬化樹脂組成物を構成する。 - 特許庁

To provide a resin composition for an adhesive comprising a copolyester that has excellent tackiness and adhesiveness to a substrate such as a polyethylene terephthalate sheet, a polycarbonate sheet, an FPC (flexible printed circuit), a glass, or a substrate such as the above with an ITO vapor- deposited thereon, and has an extremely good hydrolysis resistance, and to provide a laminate using the composition.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレートシートやポリカーボネートシート、ＦＰＣ、ガラス、といった基材、あるいはこれらの基材にＩＴＯを蒸着したものに対して、粘着性、接着性に優れると共に、耐加水分解性に極めて優れた共重合ポリエステルを含む粘接着剤用樹脂組成物及びこれを用いた積層体を提供する。 - 特許庁

An OEL element 11 is structured of a positive electrode 15 composed of an ITO or the like, an organic layer 16 containing an electro-luminescence layer 21, an electron injection layer 17 composed of Ba or the like, a buffer layer 18 composed of Al or the like, and a transparent negative electrode layer 19 composed of indium zinc oxide laminated in that order.例文帳に追加

ＯＥＬ素子１１は、ＩＴＯ等から構成される陽極層１５と、電界発光する発光層２１を含む有機層１６と、Ｂａ等から構成される電子注入層１７と、Ａｌ等から構成されるバッファー層１８と、インジウム亜鉛酸化物等から構成される透明陰極層１９と、が順に積層されて構成されている。 - 特許庁

This Mg-containing ITO sputtering target has a composition consisting essentially of In, Sn, Mg and O and can be manufactured by using a method wherein indium oxide powder, tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed or indium oxide - tin oxide powder and basic magnesium carbonate powder are mixed, formed and sintered and the resultant sintered body is subjected to working.例文帳に追加

実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットであって、酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、又は酸化インジウム−酸化スズ粉末と塩基性炭酸マグネシウム粉末とを混合し、成形した後、焼結してなる焼結体を加工するＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を用いる。 - 特許庁

To provide a pressure sensitive adhesive composition which has high adhesion in various transparency substrates such as glass, PC (polycarbonate), acrylic resins and the like, and conductive members such as transparent conductive film including an ITO, and metallic circuit, and in which foam and peeling off are hardly generated also under the high temperature or the high-humidity/temperature condition.例文帳に追加

ガラス、ＰＣ（ポリカーボネート）、アクリル等の各種透明基材およびＩＴＯをはじめとする透明導電膜や金属回路などの導電部材において高い接着性を有し、高温又は高温高湿条件下においても発泡や剥がれが発生しにくい感圧式接着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing fine powder of hexagonal indium oxide or fine powder of hexagonal indium oxide containing tin, which are suitable for forming a sintered body for vacuum film deposition, by which an ITO film having a stable transparency and an excellent conductivity or a heat-shielding performance is obtainable, and suitable for a coating method or a method for dispersing in a resin as well.例文帳に追加

安定した透明性及び優れた導電性あるいは熱線遮蔽性を有するＩＴＯ膜を得ることのできる真空成膜用焼結体の形成に適し、かつ、塗布法あるいは樹脂中分散法にも好適な六方晶系酸化インジウム微粉末あるいは六方晶系スズ含有酸化インジウム微粉末の安定的な製造方法を提供する。 - 特許庁

This substrate 20 for a transparent electrode is characterized by that a grid 22 formed of a film of a passivated metal is formed on a transparent substrate 21; the surfaces of the grid and the transparent substrate are coated with an ITO film 23 as a first transparent conductive film; and an FTO film 23 as a second transparent conductive film is formed on the first transparent conductive film.例文帳に追加

透明基材２１上に不動態化金属の膜からなるグリッド２２が形成され、該グリッド及び前記透明基材の表面が第１の透明導電膜としてのＩＴＯ膜２３により被覆され、該第１の透明導電膜上に第２の透明導電膜としてのＦＴＯ膜２４が形成されたことを特徴とする透明電極用基材２０。 - 特許庁

The input device 10 of a display device 100 with an input function serves as a capacitive touch panel, a first light-transmitting electrode pattern 11 and a second light-transmitting electrode pattern 12 made of an ITO film with film thickness of 20 nm and the refractive index of 1.91 are formed on one surface of a light-transmitting substrate 15.例文帳に追加

入力機能付き表示装置１００の入力装置１０は静電容量型のタッチパネルであり、透光性基板１５の一方面には、膜厚が２０ｎｍで屈折率が１．９１のＩＴＯ膜からなる第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２が形成されている。 - 特許庁

The display device is equipped with an EL device 11 having a transparent electrode 14 made from a transparent electrode material such as ITO and SnO2 on the surface of a transparent substrate 10, a light-emitting layer 16 consisting of an organic El material laminated on the transparent electrode 14, and a back electrode 18 laminated on the light-emitting layer 16 and facing the transparent electrode 14.例文帳に追加

透明基板表１０の面にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１４と、透明電極１４に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層１６と、この発光層１６に積層され、透明電極１４に対向して形成された背面電極１８とを有したＥＬ素子１１を備える。 - 特許庁

This preparation consists of a step forming a semiconductor layer comprising a laminated structure of a-Si film 5 and n+ a-Si film 6, a step forming ITO film 7 as a transparent pixel electrode at a separated position from the semiconductor layer, a step forming an SiNx protective film 10 in whole area and an etching step patterning so as to separate this protective film from the transparent pixel electrode.例文帳に追加

ガラス基板１の上にａ−Ｓｉ膜５およびｎ^+ ａ−Ｓｉ膜６の積層構造からなる半導体層を形成する工程と、半導体層と離れた位置に透明画素電極となるＩＴＯ膜７を形成する工程と、全体にＳｉＮｘ保護膜１０を形成する工程と、この保護膜を、透明画素電極と離れるようにパターンニングするエッチング工程と、により液晶表示装置用のアレイ基板を製造する。 - 特許庁

The heat radiation reflecting arrangement structure with an improved high heat resistance to the temperature of 500°C or lower includes a substrate, a heat reflecting layer (A) on at least one side of the substrate which contains indium tin oxide (ITO), and a barrier layer (B) that covers the heat reflecting layer (A), which contains at least one metal oxide and at least one metal nitride.例文帳に追加

５００℃以下の温度に対して高耐熱性である熱反射配列構造体を、基板と、基板の少なくとも片面上に設けられるインジウム酸化錫（ＩＴＯ）含有熱反射層(Ａ)と、熱反射層（Ａ）を被覆するためであって、少なくとも１種の金属酸化物及び少なくとも１種の金属窒化物を含有するバリア層（Ｂ）から構成する。 - 特許庁

The semiconductor device is manufactured by forming a film of a nitride-based compound on any substrate selected from a group consisting of a substrate with ITO formed on a surface thereof, a silicon substrate and an aluminum substrate, wherein the nitride-based compound includes one or more elements selected from group IIIA elements of the periodic table, a nitrogen atom and hydrogen, and generates photoluminescence at the band edges at room temperature.例文帳に追加

ＩＴＯが表面に設けられた基板、シリコン基板、アルミニウム基板からなる群から選択される何れかの基板上に、周期律表におけるIII Ａ族元素から選択される１以上の元素と窒素原子と水素とを含み、かつ、室温においてバンド端でのフォトルミネッセンスを発生する窒化物系化合物による膜を設けたことを特徴とする半導体デバイス。 - 特許庁

A collector electrode made of ITO membrane is formed on the face plate 30 on the opposing face to the rear plate 20, and a plurality of pixels (picture elements) are formed on the opposing face to the rear plate 20 of the collector electrode, and each electron source element 10 is arranged for each sub pixel 32 made of one phosphor cell (phosphor layer) respectively.例文帳に追加

フェースプレート３０におけるリヤプレート２０との対向面にはＩＴＯ膜よりなるコレクタ電極が形成されるとともに、コレクタ電極におけるリヤプレート２０との対向面に、複数のピクセル（画素）が形成されており、各電子源素子１０はそれぞれ１つの蛍光体セル（蛍光体層）からなるサブピクセル３２毎に配設されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high refractive index film superior visible light transmissivity, having a refractive index equal to an ITO film, capable of forming a film at a relatively low temperature, capable of easily forming a coating film having the sufficient film thickness, and superior in adhesion; the high refractive index film provided by this manufacturing method; and an organic EL display having this high refractive index film.例文帳に追加

可視光透過性に優れ、ＩＴＯ膜と同等の屈折率を有し、比較的低温にて成膜可能であり、充分な膜厚の塗膜を容易に形成可能であり、かつ、密着性に優れた高屈折率膜の製造方法、および、この製造方法によって得られた高屈折率膜、並びに、この高屈折率膜を備えた有機ＥＬディスプレイを提供する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable electroconductive film-forming composition exhibiting fluidity suitable for coating by a coating method using ITO (indium tin oxide) powder, readily curable by irradiation of active energy rays such as ultraviolet light or electron beams, applicable even to resin substrates having low heat resistance or substrates of diversified shapes and forming a transparent electroconductive film sufficiently satisfying characteristics such as smoothness, electroconductivity and transparency.例文帳に追加

ＩＴＯ粉末を用いた塗工法により、塗布に適した流動性を示し、紫外線、電子線などの活性エネルギー線の照射により容易に硬化し、耐熱性の低い樹脂基板や多様な形状の基板にも適用でき、平滑性、導電性、透明性等の特性が十分に満足できる透明導電膜を形成することができる活性エネルギー線硬化性導電膜形成組成物を提供すること。 - 特許庁

In a so-called gate storage type liquid crystal display device using a thin film transistor as a switching element and forming auxiliary capacitance between a pixel electrode 4 and gate wiring 8, a partial metallic film constituting the gate wiring 8 of the part forming an auxiliary capacitance with the pixel electrode 4 is notched, and an ITO film 9 being a transparent film is formed so as to cover the notched part as the gate wiring.例文帳に追加

スイッチング素子として薄膜トランジスタを用い、かつ、画素電極４とゲート配線８との間で補助容量を形成する、いわゆるゲートストレージ型の液晶表示装置において、画素電極４との間で補助容量を形成する部分のゲート配線８を構成する金属膜を一部切り欠き、切り欠いた部分を覆うように透明導電膜であるＩＴＯ膜９をゲート配線として形成する。 - 特許庁