「Line elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

When converting graphic elements having an inclination side 8910 into partial run length data, at first, graphic density and background density are applied for each unit region 800 divided by a division straight line 801 according to the ratio of the occupancy of the graphic elements in the plotting pixel 802.例文帳に追加

傾斜辺８９１０を有する図形要素を部分ランレングスデータに変換する際に、まず、分割直線８０１により区切られた単位領域８００毎に、描画画素８０２に対する図形要素の占める割合に従って図形濃度および背景濃度が付与される。 - 特許庁

To provide an injection molding mold for diffraction optical elements for optical communication which improves shape transferability by smoothing the resin flow in manufacturing the diffraction optical elements for optical communication composed of a resin on which a straight line diffraction gating is formed by injection molding.例文帳に追加

直線状の回折格子が形成された樹脂からなる光通信用の回折光学素子を射出成形により製造する際に、樹脂材の流れを円滑にして形状転写性を向上させる光通信用の回折光学素子の射出成形金型を提供すること。 - 特許庁

The detector elements 150 in respective regions 102, 104 in the two-dimensional array 100 can be gate-controlled separately and the detector elements can be gate-driven at a flock (112 or 14) unit so as to read out data to a region frontal amplifier 106 via a common data line 152.例文帳に追加

２次元アレイ（１００）内の各領域（１０２，１０４）内の検出器素子（１５０）は、別々にゲート制御することができ、また、共通のデータ線（１５２）を介して領域前置増幅器（１０６）へデータを読み出すように、検出器素子をフロック（１１２又は１４）単位でゲート駆動することができる。 - 特許庁

In the array antenna apparatus provided with antenna elements 21A, 21B and a feeder line 10 which are patterned on an upper substrate 1 and a lower substrate 2, a no-power-supply element 32 is formed so as to be disposed on a position of less than 1/2 wavelength from respective antenna elements 21A, 21B.例文帳に追加

上層基板１及び下層基板２上にパターン化されたアンテナ素子２１Ａ，２１Ｂと給電線路１０とを備えたアレーアンテナ装置において、各アンテナ素子２１Ａ，２１Ｂに対して、２分の１波長未満の位置に位置するように無給電素子３２を備える。 - 特許庁

An MRAM 10 is constituted by making one memory cell comprise 2 MTJ elements 1 and 2 and a single MOS transistor 8, and arranging the respective MTJ elements 1 and 2 at the intersection positions of 2 word lines 4a and 4b corresponding to each of them and one common bit line 3 common to both of them.例文帳に追加

ＭＲＡＭ１０を、１メモリセルが２個のＭＴＪ素子１，２と単一のＭＯＳトランジスタ８を含み、各ＭＴＪ素子１，２を、それぞれに対応した２本の書き込みワード線４ａ，４ｂと、両者に共通の１本の共通ビット線３との交差位置に配置して構成する。 - 特許庁

Or, this gives hysteresis properties and prevents a malfunction due to noise, by providing three or more resistor elements which divide the voltage of an AC signal and connecting the junction between the resistor elements on the grounding side more than the voltage dividing point and the line of a primary zero cross signal with each other via a resistor element or a diode.例文帳に追加

或いは，交流信号を分圧する３つ以上の抵抗素子を設け，分圧点よりも接地側の抵抗素子の接続点と１次側ゼロクロス信号のラインとを抵抗素子又はダイオードを介して接続することにより，ヒステリス特性を付与してノイズによる誤動作を防止する。 - 特許庁

The graphic elements to obtain the distance are specified from a stereoscopic graphic displayed at a display means (S1010 and S1030), a projection standard is decided on the basis of a line-of-sight direction and the geometric information of the respective graphic elements and the projection plane is decided on the basis of the projection standard (S1060).例文帳に追加

表示手段に表示されている立体図形から距離を求める図形要素を指定し（Ｓ１０１０、Ｓ１０３０）、視線方向とそれぞれの図形要素の幾何情報とに基づき投影基準を決定し、その投影基準に基づき投影面を決定する（Ｓ１０６０）。 - 特許庁

In the sensor unit 20, the distortion generating member 21 is provided at a position deviated from a line L passing the center of the rolling elements 5 and extending in a direction forming a rolling element contacting angle, and further on an outer board side than the rolling element 5 on the outer board side out of the double-row rolling elements 5.例文帳に追加

センサユニット２０は、その歪み発生部材２１が前記転動体５の中心を通り転動体接触角をなす方向に延びる線分Ｌから外れた位置で、前記複列の転動体５のうちのアウトボード側の転動体５よりもさらにアウトボード側の位置に設ける。 - 特許庁

A control circuit 14 controls first and second signal line driving circuits 13a and 13b in such a manner that the scanning signal lines of the respective display elements are sequentially selected in a plurality of periods in one frame and that the respective display elements are repetitively scanned by as much as the number of the plurality of periods during one period.例文帳に追加

制御回路１４は、１フレーム中の複数の期間において各表示部の走査信号線が順次選択され、各表示部が１周期中に複数の期間の数だけ繰り返し走査されるように第１および第２信号線駆動回路１３ａ，１３ｂを制御する。 - 特許庁

To improve measurement accuracy by reducing an measurement error caused by variation of intensity of a measuring light beam or the like, in a measurement device used for detecting a position of a dark line by comparing light detection signals detected by a plurality of light receiving elements by using outputs of every two adjacent light receiving elements.例文帳に追加

複数の受光素子により検出した光検出信号を、隣接する２つの受光素子の出力毎に比較して暗線の位置の検出を行う測定装置において、測定する光ビームの強度の変化等に起因する測定誤差を低減して測定精度を向上させる。 - 特許庁

A radio terminal device comprises first and second flipper antenna elements 3Fa and 3Fb formed in an electrically same length and provided at a flipper 15 openably and closably mounted at a lower part of a body, and a balanced-to-unbalanced transforming means (balun 20) provided between the first and second flipper antenna elements and an unbalanced transmission line.例文帳に追加

本体下部に開閉自在に取り付けられたフリッパ１５に、電気的に同じ長さに形成された第１、第２のフリッパアンテナエレメント３Ｆａ、３Ｆｂを設け、さらに、第１及び第２のフリッパアンテナエレメントと不平衡伝送線路の間に平衡不平衡変換手段（バラン２０）を備える。 - 特許庁

In the test pattern area 10, a plurality of unit test patterns 12, wherein ruled line patterns 14 corresponding to individual printing elements and having a fixed length in a relative moving direction are arrayed as parallel lines at different heights in the relative moving direction, are arrayed along the array direction of the printing elements.例文帳に追加

ここで、テストパターン領域１０は、個々の印刷素子に対応する罫線パターン１４であって、相対的な移動方向に一定長を有するものを、相対的な移動方向に段違いに配置した単位テストパターン１２が、印刷素子の配列方向に沿って複数個配列してなる。 - 特許庁

Magnetic sensors A, B are Hall elements having an equal temperature characteristic together, and are arranged so that a straight line passing through the center O of the disk and the magnetic sensor A and a straight line passing through the center O and the magnetic sensor B form an angle of approximate 90 degrees.例文帳に追加

磁気センサＡおよびＢは、共に等しい温度特性を有するホール素子であり、円板の中心Ｏと磁気センサＡとを通る直線、および中心Ｏと磁気センサＢとを通る直線とがなす角度が概ね９０度になるように配置されている。 - 特許庁

A connection conductor 15, connected to end portions of the second form elements 12a and 12b, has a first line part 15a placed along the X direction so as to be in parallel with the radiation conductor 14b, and a second line part 15b placed along the Y direction.例文帳に追加

第２の形状要素１２ａ，１２ｂの端部に接続される接続導体１５は、放射導体１４ｂと並行するようにＸ方向に沿って配設された第１の直線部分１５ａと、Ｙ方向に沿って配設された第２の直線部分１５ｂとを有する。 - 特許庁

Here, one of the 1st and 2nd switching elements is turned ON in response to a select signal from a 1st scanning line and the other one is turned ON in response to a control signal controlling the operation of the pixel circuit connected to a 2nd scanning line.例文帳に追加

ここで、第１及び第２スイッチング素子のうちのいずれか一つは、第１走査線からの選択信号に応答してターンオンされ、残りの一つは、第２走査線に連結された画素回路の動作を制御する制御信号に応答してターンオンされる。 - 特許庁

A liquid crystal display panel 1 has a plurality of pixels P1 arrayed in a matrix form, and each of the pixels P1 comprises a TFT element 10, a gate line G, a data line D, liquid crystal elements 11A and 11B, and a capacity element 12B in an equivalent circuit.例文帳に追加

液晶表示パネル１は、複数の画素Ｐ１がマトリクス状に配列されたものであり、画素Ｐ１は、等価回路において、ＴＦＴ素子１０と、ゲート線Ｇと、データ線Ｄと、液晶素子１１Ａ，１１Ｂと容量素子１２Ｂとから構成されている。 - 特許庁

Thus, the excessive increase in the signal pressure to be applied to the pressure regulating valve during signal fail to the solenoid valve is prevented and the excessive increase in the line pressure is prevented, thereby avoiding the sudden engagement of the frictional engagement elements due to the supply of high line pressure and reducing shifting shock during the signal failure.例文帳に追加

これによりソレノイド弁への信号フェール時の、調圧弁への印可信号圧の過昇が防止され、ライン圧の過昇が防止されるため、高いライン圧供給による摩擦係合要素の急係合が解消され、信号フェール時の変速ショックが低減される。 - 特許庁

Generated magnetism caused by current flow in the current line 12 disposed vertically to the substrate 10 is detected by the longitudinal Hall elements 11, to thereby detect the current flowing in the current line 12 from the detected magnetism.例文帳に追加

そうして、この基板１０に垂直に配設された電流線１２に電流が流れることに起因して発せられる磁気を、これら縦型ホール素子１１により検出することによって、該検出される磁気から電流線１２に流れる電流を検出する。 - 特許庁

The antenna 100 comprises antenna elements 10, 11 arranged at an interval (α=12.5 mm) that is shorter than the half wavelength of a frequency to be received, a transmission line L1 and a transmission line L2 having a delay circuit 14 having specified electric length, and a selection switch 13.例文帳に追加

アンテナ１００は、受信すべき周波数の半波長より短い間隔（α＝１２．５ｍｍ）で配置されたアンテナ素子１０，１１と、伝送線路Ｌ１および所定電気長の遅延回路１４を有する伝送線路Ｌ２と、切り換えスイッチング１３とを備える。 - 特許庁

To effectively shield a magnetic field from semiconductor elements for a line conductor formed through insulating layers, to prevent the transmission mode of the line conductor from changing halfway, and to prevent the resistance of the conductor from changing sharply over the whole length.例文帳に追加

絶縁層を貫通して形成された線路導体に対して半導体素子から発生する磁界を有効にシールドし、また線路導体の伝送モードが途中で変化せず、さらに導体抵抗が線路導体の全長にわたって大きく変化しないものとすること。 - 特許庁

In an active-matrix substrate in which the signal conductor 18 and the scanning line 12 are disposed on a glass substrate 11 in a latticed, and switching elements 4 and picture-element electrodes 5 are formed at every unit lattice; an opening section 181 is formed to the signal conductor 18 (or the scanning line 12).例文帳に追加

ガラス基板１１上に、信号線１８、走査線１２が格子状に配設され、単位格子毎にスイッチング素子４と画素電極５が形成されたアクティブマトリクス基板において、上記信号線１８（又は走査線１２）に、開口部１８１を形成する。 - 特許庁

A terminal-side fault detecting circuit 12 of this communication controller generates a fault signal from elements of a fault signal detected by a terminal-side line drive circuit 10 and a fault signal detected by a terminal- side line format circuit 11 and sends it out to a fault converting circuit 15.例文帳に追加

端末側障害検出回路１２は端末側回線ドライブ回路１０で検出した障害信号、及び端末側回線フォーマット回路１１で検出した障害信号の要素から障害信号を生成して障害変換回路１５に送出する。 - 特許庁

In the inkjet printer 1, piezoelectric elements 60a-60c are provided in a line head 60 such that they can move the line head 60 two-dimensionally, e.g. circular movement or elliptical movement along the plane of a print sheet.例文帳に追加

インクジェットプリンタ１は、ラインヘッド６０に圧電素子６０ａ〜６０ｃを備えており、これら圧電素子６０ａ〜６０ｃによって、印刷用紙の紙面に沿って円運動あるいは楕円運動させるといったように、ラインヘッド６０を２次元的に移動させることが可能である。 - 特許庁

At mutual connection parts of the elements P1 to P12, bent portions C1 to C11 are formed by cutting outside corner parts of the conductor line 11, and then reflection caused at the outside corner parts of the conductor line 11 in a high-frequency range can be suppressed.例文帳に追加

要素Ｐ１〜Ｐ１２同士の接続箇所において導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１〜Ｃ１１をそれぞれ形成することにより、高周波の分野において導体線１１の外側の角部で発生する反射を抑制することができる。 - 特許庁

A repeating-side fault detecting circuit 18 generates a fault signal from elements of a fault signal detected by a repeating-side line drive circuit 16 and a fault signal detected by a repeating-side line format circuit 17 and sends it out to the fault converting circuit 15.例文帳に追加

中継側障害検出回路１８は中継側回線ドライブ回路１６で検出した障害信号、及び中継側回線フォーマット回路１７で検出した障害信号の要素から障害信号を生成して障害変換回路１５に送出する。 - 特許庁

To provide an integrated circuit of a CMOS for preventing the breakdown of internal elements of the integrated circuit by triggering a switching operation at the timing of a voltage change of a node which generates a voltage change almost equal to that in a power source line when a static electricity surge is applied to the power source line.例文帳に追加

電源ラインに静電気等によるサージが印加された際に、電源ラインとほぼ同等な電位変化を起こすノードの電位変化をトリガにスイッチを作動させて集積回路内部の素子の破壊を防止するCMOSの集積回路を提供する。 - 特許庁

The control means executes the control to validate the drive line which is connected through one of the input/output ports in the cycle of controlling the light emitting elements and do the drive line connected through the other of the input/output ports when it is invalidated.例文帳に追加

また、制御手段が、発光素子を制御するサイクルにおいて、一方の入出力ポートを介して接続される駆動ラインを有効とし、無効としたときに他方の入出力ポートを介して接続される駆動ラインを有効にする制御を実行する。 - 特許庁

Driving modes of light emitting elements of the first light emitting element group and the second light emitting element group are stored with a plurality of patterns, in a position where a latent image line by the first image-focusing optical system is overlapped with a latent image line by the second image-focusing optical system.例文帳に追加

第１の結像光学系による潜像列と、第２の結像光学系による潜像列とが重なり合う重複位置では、第１の発光素子グループおよび第２の発光素子グループの発光素子の駆動態様が複数パターン記憶されている。 - 特許庁

A pixel part 102 including a group of scanning lines 103, a group of data lines 104, and EL elements formed at the crossing part of above lines, is formed on a substrate 101, and data line side stick drivers 105 and scanning line side stick drivers 106 are connected to the above.例文帳に追加

走査線群１０３、データ線群１０４およびそれらの交差部に形成されたＥＬ素子を含む画素部１０２が基板１０１上に形成されており、その上にデータ線側スティックドライバ１０５および走査線側スティックドライバ１０６が接続されている。 - 特許庁

To accelerate correction processing and reduce memory capacity in an apparatus of reading radiation image information which obtains one pixel of a final image by adding and correction processing of output from a plurality of photoelectric conversion elements adjacent to a line sensor in the longitudinal direction of the line sensor.例文帳に追加

ラインセンサ長手方向の隣接する複数個の光電変換素子からの出力を加算および補正処理を行って最終画像の1画素を得る放射線画像情報読取装置において、補正処理を高速化し、メモリの容量を軽減する。 - 特許庁

A MIMO communication device 100 includes antenna elements 101-1, 101-2 as a first and a second antenna element which are arranged on a single straight line, an antenna element 102-1 or an antenna element 102-2 as a third antenna element which is arranged out of the straight line, and a MIMO modulation/demodulation unit 105 connected to all the antenna elements.例文帳に追加

ＭＩＭＯ通信装置１００に、配設される位置が１つの直線上にある、第１および第２のアンテナ素子としてのアンテナ素子１０１−１，２と、その直線上から外れた位置に配設される第３のアンテナ素子としてのアンテナ素子１０２−１又はアンテナ素子１０２−２と、すべてのアンテナ素子と接続されるＭＩＭＯ変復調部１０５と、を設けた。 - 特許庁

To achieve a linear polarized wave in a direction inclined at a predetermined angle to a feeding strip line and to obtain a characteristic of symmetrical directivity in a single element of radiation antenna elements respectively connected to one side and the other side in a microstrip array antenna in which the radiation antenna elements are connected to both sides of the feeding strip line.例文帳に追加

給電ストリップ線路の両側辺に放射アンテナ素子が接続されたマイクロストリップアレーアンテナにおいて、給電ストリップ線路に対して所定角度で傾斜した方向の直線偏波を実現しつつ、一方の側辺及び他方の側辺にそれぞれ接続されている放射アンテナ素子の素子単体での指向性が鏡対称な特性となるようにすることを目的とする。 - 特許庁

Respective pixels P_ji include: pixel electrodes 20; two switching elements 21 and 22 which are arranged serially between a signal line 15-i which is provided for the line or the row of the pixels to which the pixel P_ji belongs and the pixel electrode 20 and which simultaneously turn on and off; and a resistance element 30 for connecting a prescribed constant voltage between the two switching elements 21 and 22.例文帳に追加

夫々の画素Ｐ_ｊｉは、画素電極２０と、画素Ｐ_ｊｉが属する画素の行又は列に対して設けられている信号線１５−ｉと画素電極２０との間に直列に配置され、同時にオン及びオフする２つのスイッチング素子２１、２２と、２つのスイッチング素子２１、２２の間に所定の一定電圧を接続する抵抗素子３０とを有する。 - 特許庁

The N-line helical antenna has a ground plate (GP), four helical radiation elements (11-14) helically wound around a virtual cylinder erecting on the ground plate, a conductor wall (15) surrounding the four helical radiation elements on the ground plate, and a coupler (16) for electrically crosswise coupling the four top ends of the four helical radiation elements.例文帳に追加

本発明によるＮ線ヘリカルアンテナは、グランド板（ＧＰ）と、このグランド板上に立設し、仮想円筒の外周面上にヘリカル状に巻かれた４本のヘリカル放射素子（１１〜１４）と、これら４本のヘリカル放射素子の周囲にグランド板上に設けられた導体壁（１５）と、４本のヘリカル放射素子の４点の頭頂部を互いに電気的に十字に結合する結合部（１６）とを有する。 - 特許庁

The memory is provided with first magnetoresistance effect elements MTJ1 to 0 arranged in a matrix to be used as storage elements, and a second magnetoresistance effect element BMTJ1 inserted in between a bit line to which the first magnetoresistance effect elements are connected and a reading bias power source to supply a negative current from the reading bias power source circuit.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、記憶素子として使用するマトリクス状に配置された第１の磁気抵抗効果素子ＭＴＪ１−０と、該第１の磁気抵抗効果素子が接続されたビット線と読み出し用バイアス電源との間に介挿されて、該読み出し用バイアス電源回路からの負荷電流を供給する第２の磁気抵抗効果素子ＢＭＴＪ１とを具備する。 - 特許庁

The tuning circuit employing the tunnel junction elements comprises the two 1-wavelength tunnel junction elements each of which comprises upper and lower electrodes made of a superconducting material and a tunnel junction formed between them and wherein no overhang exists in the upper electrode at least in the widthwise direction of the junction; and the half wavelength microstrip line interconnecting the elements.例文帳に追加

トンネル接合素子を用いた同調回路は、２個の１波長のトンネル接合素子であって、超電導体からなる上部電極及び下部電極とこれらの間に形成されるトンネル接合とからなり、少なくとも当該接合の幅方向における上部電極のオーバーハングが無いトンネル接合素子と、これらの間を接続する半波長のマイクロストリップ線路とからなる。 - 特許庁

In a protective circuit having an element for protecting the inner circuit of a semiconductor device against electrostatic discharge or electrical overstress, a bypass line 14 independent from the line of the inner circuit 15 is provided in the semiconductor device and protective elements 11-13 are connected between the bypass line 14 and the terminals 16-18 of the inner circuit 15, respectively.例文帳に追加

静電気放電又は電気的過剰ストレスに対して半導体装置の内部回路を保護する保護素子を有する保護回路において、半導体装置に内部回路１５の配線から独立したバイパス配線１４を設け、該バイパス配線１４と内部回路１５の各端子１６〜１８との間に保護素子１１〜１３を各々接続した。 - 特許庁

The memory device further includes for each line among the row lines BL and/or the column lines WL a respective set of local lines LWL each one for selecting a group of memory cells P of the corresponding line, and also a respective set of selection elements each one for selecting the corresponding local line LWL in response to the selection of the respective lines.例文帳に追加

メモリ装置は、行ラインＢＬと列ラインＷＬとの双方又はいずれか一方のうちの各ラインに対し、対応するラインのメモリセルＰの群をそれぞれ選択するローカルラインＬＷＬの群をそれぞれ有するとともに、それぞれのラインの選択に応答して対応するローカルラインＬＷＬをそれぞれ選択する選択素子の群を有している。 - 特許庁

A second resistor 49, whose resistance value is greater than the resistance value of the first resistor 43, is inserted between the pixel array region 10b and the scanning line drive circuit 104, The resistance value from the central position in the longitudinal direction of the scanning line 3a up to the scanning line driving circuit 104 is greater than the resistance value from the central position up to the diode elements 41, 42.例文帳に追加

画素配列領域１０ｂと走査線駆動回路１０４との間には、第１の抵抗４３よりも抵抗値が大きい第２の抵抗４９が介挿され、走査線３ａの長さ方向の中央位置から走査線駆動回路１０４までの抵抗値は、中央位置からダイオード素子４１、４２までの抵抗値よりも大きい。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a memory cell array MA in which memory cells MC in which diodes Di and variable resistance elements VR are connected in series respectively are arranged at cross parts of a plurality of bit lines BL and a plurality of word lines, and a control circuit for driving selectively the bit line Bl and the word line WL.例文帳に追加

半導体記憶装置は、ダイオードＤｉと可変抵抗素子ＶＲとが直列接続されたメモリセルＭＣが複数のビット線ＢＬ及び複数のワード線の交差部に配置されたメモリセルアレイＭＡと、ビット線ＢＬ及びワード線ＷＬを選択駆動する制御回路とを備える。 - 特許庁

In this nonvolatile semiconductor memory device, a memory string connecting in series a plurality of storage elements MT101 to MT116 that can electrically write and delete the data is connected between the first and second common lines (bit line connected to the memory string and the adjacent bit line).例文帳に追加

電気的にデータの書き込みおよび消去が可能な記憶素子ＭＴ１０１〜ＭＴ１１６が複数個直列に接続されたメモリストリングが、第１および第２の共通線（当該メモリストリングが接続されたビット線と、隣のビット線）の間に接続された不揮発性半導体記憶装置である。 - 特許庁

Also, regarding the memory cell matrix among the divided peripheral circuit and memory cell matrix, the entire connection verification is performed for a decoder, the connection verification is performed within a constituting element for a common signal line and an intrinsic signal line in the constituting elements other than the decoder, and a unit circuit is taken out and the connection verification is performed.例文帳に追加

また、分割した周辺回路とメモリセルマトリックスのうちメモリセルマトリックスに関してデコーダは全体の接続検証を行い、デコーダ以外の構成要素において共通信号線、固有信号線は構成要素内で接続検証を行い、単位回路は取り出して接続検証を行う。 - 特許庁

A plurality of press type switch elements SW are connected to one switch signal line 15, and once a switch signal from the switch signal line 15 is detected, a press type switch element in an input state can be specified based upon coordinate data obtained from a primary input sensor 5.例文帳に追加

複数の押圧型スイッチ素子ＳＷは一つのスイッチ信号ライン１５に接続されており、前記スイッチ信号ライン１５からスイッチ信号を検知すると、第一次入力センサ５から得られた座標データに基づいて、入力状態にある前記押圧型スイッチ素子を特定することが出来る。 - 特許庁

Even if a trouble occurs in any one nozzle of the line head 60 and ink cannot be ejected, the piezoelectric elements 60a-60c move the line head 60 and complement printing by neighboring nozzles such that missing dots becomes inconspicuous.例文帳に追加

したがって、ラインヘッド６０のいずれかのノズルに不具合が生じ、インクが吐出されない状態となっても、圧電素子６０ａ〜６０ｃによってラインヘッド６０が移動されることにより、近傍のノズルによって印刷を補完することができ、ドット抜けを目立たせなくすること可能である。 - 特許庁

The correction values Ha and Hb corresponding to the incident light quantities Ta and Tb of at least two different levels made incident on the line sensor 20 are determined and the correction values Hc for the respective photoelectric conversion elements 21 are determined according to the levels of actual incident light quantities in accordance with Ha and Hb, by which the output of the line sensor 20 is corrected.例文帳に追加

ラインセンサ20に入射する少なくとも２つの異なるレベルの入射光量Ta、Tbに対応した前記補正値Ha、Hbを求め、Ha、Hbに基づいて、実際の入射光量のレベルに応じて各光電変素子21に対する補正値Hcを求めて、ラインセンサ20の出力を補正する。 - 特許庁