「Main Gate」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

When the high level width of the main block signal CLK1 is at least the four stages of NAND gate 21-NAND gate 22, the high level of a gate chain output signal S28 can be prolonged for 12 stages.例文帳に追加

主クロック信号ＣＬＫ１のハイレベル幅がＮＡＮＤゲート２１〜ＮＡＮＤゲート２２の４段分以上であれば、ゲートチェーン出力信号Ｓ２８のハイレベルを１２段分迄延ばすことができる。 - 特許庁

While the gate rod is in the closing position or the opening position, an angle of a connecting line between a rotational center of the driving wheel and the roller to the roller guide rail of the gate rod becomes 90 degrees, so that the gate rod is locked on the main pillar side.例文帳に追加

遮断桿が遮断位置と開放位置おいて、駆動輪の回転中心と前記ローラとを結ぶ線の、遮断桿のローラ案内レールに対して成す角度が９０度となり、遮断桿が主柱側にロックされる。 - 特許庁

A gate part 7 which penetrates the bottom mold 6 and the second foot part mold 5 is formed, and the tip of the gate passage 7a of the gate part 7 is arranged in a part corresponding to the bottom part 14 of the container main body 11.例文帳に追加

底型６と第２脚部型５を貫通してゲート部７が設けられ、ゲート部７のゲート通路７ａ先端は容器本体１１の底部１４に対応する部分に配置されている。 - 特許庁

DRIVE UNIT OF DOOR OR GATE, LEARNING METHOD OF OPENING DIRECTION AND CLOSING DIRECTION OF DOOR OR GATE AND METHOD FOR MEASURING AND/OR ADJUSTING DRIVING FORCE APPLIED TO MAIN EDGE AND/OR SIDE EDGE OF DOOR OR GATE例文帳に追加

ドアまたはゲートの駆動ユニット、ドアまたはゲートの開放方向および閉鎖方向の学習方法、およびドアまたはゲートのメインエッジおよび／またはサイドエッジにかかる駆動力を測定および／または調整する方法 - 特許庁

To provide water regulating means, water discharging facilities and inspection method for the water discharging facilities capable of reducing cost and of inspecting a sub-gate and a main gate even when there is no auxiliary gate.例文帳に追加

コスト低減を実現でき、かつ、予備ゲートがなくとも、副ゲート、主ゲートの点検を行うことのできる制水手段および放流設備並びに放流設備の点検方法を提供すること。 - 特許庁

A transistor for control is connected between the gate and drain of a main transistor whose source is grounded, Vcc is applied to the gate of the transistor for control, and a voltage Vcc/2 is applied to the gate of the transistor for control for a specified time.例文帳に追加

ソースを接地する主トランジスタのゲート、ドレイン間に制御用トランジスタを接続し、主トランジスタのゲートにＶｃｃを与えると共に、制御用トランジスタのゲートにＶｃｃ／２の電圧を所定時間与える。 - 特許庁

To prevent a short-circuit between gate electrodes in an STI technique, where gate insulating films and gate electrode material films are formed in order on a semiconductor substrate and after that, an element isolation insulating film is embedded in a groove provided on the main surface of the substrate.例文帳に追加

ゲート絶縁膜及びゲート電極材料膜を順次形成した後に素子分離絶縁膜を埋め込み形成するＳＴＩ技術においてゲート電極同士の短絡を防止すること。 - 特許庁

The crossing portion 160 is formed into a layer which is identical to a gate electrode, for example, and the main portion 170 is formed in a layer which is identical a source/drain electrode, a gate wiring X1 and the current supply line Y2 with a gate insulator interposed between them.例文帳に追加

交差部分１６０を、例えばゲート電極と同層に形成し、主要部分１７０を、ゲート絶縁膜を間にしてソース／ドレイン電極，ゲート配線Ｘ１および電流供給線Ｙ２と同層に形成する。 - 特許庁

Each of the plurality of sub-control gate lines SCG is connected any one of four main gate control gate lines MCG in the row direction and in order.例文帳に追加

複数のサブコントロールゲート線ＳＣＧの各々は、行方向で順番に、４本のメインコントロールゲート線ＭＣＧのいずれか１本に接続される。 - 特許庁

T-shaped gate electrode composed of a prop-like main gate electrode 6 and a beam-like conductor pattern 7 is provided on a semiconductor layer 3 to be isolated by a substrate isolating insulation film 2 from a semiconductor substrate 1 to form active regions, and the gate insulation film just beneath the beam-like conductor pattern 7 is made thicker than the gate insulation film 4 just beneath the main gate electrode 6.例文帳に追加

基板分離用絶縁膜２によって半導体基板１から分離した能動領域となる半導体層３上に、支柱状の主ゲート電極６と梁状導電体パターン７からなるＴ字状のゲート電極を設けるとともに、梁状導電体パターン７の直下のゲート絶縁膜の膜厚を主ゲート電極６の直下のゲート絶縁膜４の膜厚より厚くする。 - 特許庁

And, a gate potential from the gate terminal is directly applied to the sense Tr3 while a potential obtained from dividing the gate potential by a first and a second resistances 31, 32 is applied to the main Tr2 such that a gate-source voltage of the main Tr2 and a gate-source voltage of the sense Tr3 become equal to each other.例文帳に追加

そして、センスＴｒ３にはゲート端子からそのままゲート電位が印加されると共に、メインＴｒ２にはセンスＴｒ３に印加されるゲート電位が第１、第２抵抗３１、３２によって抵抗分割された電位が印加され、メインＴｒ２のゲート−ソース間電圧と、センスＴｒ３のゲート−ソース間電圧とが等しくなるようにする。 - 特許庁

After the funeral motorcade departed from the main gate of the Imperial Palace as the Japan Self-Defense Forces made a twenty-one gun funeral salute, it passed the Sakurada-mon Gate, the main gate of the Diet Building, Parliamentary Museum, Miyakezaka, Akasakamitsuke, Aoyama 1-chome, Gaienmae, and Aoyama 3-chome with playing the funeral music called 'Kanashimi no Kiwami' (a funeral march composed by Franz Eckert) before reaching the main gate of the funeral place at the Shinjuku Gyoen National Garden. 例文帳に追加

葬列（車列）は自衛隊による21発の弔砲に送られて皇居正門を出発し、葬送曲「哀の極」の奏楽の中を桜田門、国会議事堂正門前、憲政記念館前、三宅坂、赤坂見附、青山一丁目、外苑前、青山三丁目を経て新宿御苑の葬場総門に到着した後、 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Route 101: Doshisha Women's College of Liberal Arts Main Gate - Doshisha University Main Gate - Doshisha University Faculty of Engineering - Doshisha University Davis Memorial Auditorium (into the Doshisha University campus) 例文帳に追加

101　同志社女子大学正門-同志社大学正門-同志社大学工学部-同志社大学ディヴィス記念館（同志社大学の大学構内に乗り入れる） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A semiconductor device comprises a main element with an insulated gate bipolar transistor structure, and a sense element with an insulated gate bipolar transistor structure having a larger feedback capacitance than the main element.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ構造を有するメイン素子と、前記メイン素子よりも帰還容量が大きい絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ構造を有するセンス素子とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes a first semiconductor layer 31, a second semiconductor layer 32, a two-dimensional carrier gas layer 33, a first main electrode 41, a second main electrode 42, a first gate electrode 51, and a second gate electrode 52.例文帳に追加

半導体装置１は、第１の半導体層３１と、第２の半導体層３２と、二次元キャリアガス層３３と、第１の主電極４１と、第２の主電極４２と、第１のゲート電極５１と、第２のゲート電極５２とを備える。 - 特許庁

Thereby, the number of main decoders of the main decoder section 6 can be made almost same as the number of gate decoders of the gate decoder sections 14a, 14b, and layout area of a semiconductor chip can be reduced.例文帳に追加

これにより、メインデコーダ部６のメインデコーダ数とゲートデコーダ部１４ａ，１４ｂのゲートデコーダ数とを同じ程度にでき、半導体チップのレイアウト面積を大幅に小さくすることができる。 - 特許庁

A backup device is newly provided, between the device and an information processor main body is connected by an internal gate and between an input/output device and the information processor main body is connected by an external gate.例文帳に追加

新たにバックアップ装置を設け、この装置と情報処理装置本体との間を内部ゲートで結び、また、入出力装置と情報処理装置本体との間にも外部ゲートで結んだ。 - 特許庁

The floating gate 27 of a non-volatile memory element is formed on the main surface of a semiconductor substrate 21, and then a nitride silicon film 60 is formed on the main surface of the semiconductor substrate 21 in a manner to cover the floating gate 27.例文帳に追加

半導体基板２１の主面上に不揮発性記憶素子のフローティングゲート２７を形成した後、フローティングゲート２７を覆うように、半導体基板２１の主面上に窒化シリコン膜６０を形成する。 - 特許庁

The silver ink (IJ-Ag) which is the same as that of a the main metal layer LMM of the gate electrode part GT is used for a main metal layer LMM of the gate terminal part GTM and ITO ink (IJ-ITO) is used for a cap layer LCP2.例文帳に追加

ゲート端子部ＧＴＭの主メタル層ＬＭＭはゲート電極部ＧＴの主メタル層ＬＭＭと同じ（ＩＪ−Ａｇ）を、キャップ層ＬＣＰ２はＩＴＯインク（ＩＪ−ＩＴＯ）を用いている。 - 特許庁

An SOI MOS transistor includes a main MOSFET Qm and a sub-MOSFET Qs, and a control gate (152) of a body potential is formed separately from a main gate (151).例文帳に追加

ＳＯＩ ＭＯＳトランジスタにおいて、主ＭＯＳＦＥＴ Ｑｍ、副ＭＯＳＦＥＴ Ｑｓを有し、主ゲート（１５１）に対してボディー電位の制御ゲート（１５２）を別に有する構成となっている。 - 特許庁

The number of gate stages from an output end of the pre-decoder 10A to an output end of the main decoder 21 is 3, and this number is equal to the number of gate stages from an output end of the pre-decoder 10A to an output end of the main decoder 22.例文帳に追加

プリデコーダ１０Ａの出力端からメインデコーダ２１の出力端までのゲート段数は３であり、これはプリデコーダ１０Ａの出力端からメインデコーダ２２の出力端までのゲート段数に等しい。 - 特許庁

A control part 18 discharges a gate charge of a switching element which the main current flows to switch off the switching element and flows the main current to a gate of the switching element on the reverse phase side and charges the charge.例文帳に追加

制御部１８は、主電流が通電するスイッチング素子のゲート電荷を放電し当該スイッチング素子をオフすると同時に、主電流を逆位相側のスイッチング素子のゲートに通電し電荷を充電する。 - 特許庁

A theory says that it was overlooked by the army and escaped the fire because the main temple buildings, including the main hall, where the inner part were far from the main gate and the main priest's residence and the several hundred meter stone steps came between them. 例文帳に追加

当寺の本堂をはじめとする中心堂宇は総門や本坊のある地点から数百メートルの石段を上ったはるか奥にあるため、見落とされ、焼き討ちをまぬがれたのではないかという説もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

FRP-MADE MAIN ROLLER AXLE PRESSING PLATE OF ROLLER GATE, MAIN ROLLER AXLE, MAIN ROLLER AXLE SUPPORTING PLATE, MAIN ROLLER, SIDE ROLLER, SIDE ROLLER AXLE, SIDE ROLLER AXLE SUPPORTING PLATE AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ローラゲートのＦＲＰ製主ローラ軸押え板・主ローラ軸・主ローラ軸支持板・主ローラ・サイドローラ・サイドローラ軸・サイドローラ軸支持板及びその製造方法 - 特許庁

The facing method includes: a substrate facing step of performing the substrate facing on a side gate opposing area 42 of a rim forming part 41 of an upper mold 40, the side gate opposing area 42 being opposite to a side gate 11; and a main facing step of performing the main facing on the rim forming part 41 and a lower face 44, after the substrate facing step.例文帳に追加

塗型方法は、上型４０のリム部形成部４１の、サイドゲート１１に対向するサイドゲート対向領域４２に、下地塗型を行う下地塗型工程と、次いで、リム部形成部４１と下面４４とに、本塗型を行う本塗型工程と、を含む。 - 特許庁

Also, an inductance L is connected between the single DC current source E of the gate driving circuit 17 and the gate side main terminal 16 of each of the triacs 14, and a sneak current from the main circuit 11 to the gate driving circuit 17 is suppressed when each of the triacs 14 ia made conductive.例文帳に追加

また、ゲート駆動回路１７の単一の直流電源Ｅと各々のトライアック１４のゲート側主端子１６との間にインダクタンスＬを接続し、各々のトライアック１４が導通したとき、三相誘導電動機主回路１１からゲート駆動回路１７側に回り込む電流を抑制する。 - 特許庁

The gate heater 30 is constituted of the heater main body 31 fixed to either one of the molds to form at least a part of the gate G and the runner R between both molds and a heating element 34 heating the vicinity of the gate of the heater main body.例文帳に追加

ゲート加熱装置は、金型の何れか一方に固定されて他方の金型との間にゲートとランナの少なくとも一部を形成するヒータ本体３１と、このヒータ本体のゲート付近を加熱する加熱要素３４により構成されている。 - 特許庁

A drive circuit for controlling on-off operation of a main semiconductor switching element of an insulated gate type uses a bipolar semiconductor element of an insulated gate control type, particularly an IGBT, at an output stage of a circuit for controlling a gate voltage of the main semiconductor switching element.例文帳に追加

絶遠ゲート型の主半導体スイッチング素子のオン、オフを制御する駆動回路において、前記主半導体スイッチング素子のゲート電圧を制御する回路の出力段に絶縁ゲート制御型のバイポーラ半導体素子、特に、ＩＧＢＴを用いる。 - 特許庁

Utilizing a point that full main circuit current iA commutates to a gate driving circuit 2 during its turn-off operation in the GCT thyristor element 1, gate current iG is measured with an off-gate current detecting circuit 25 after the start of turn-off operation to monitor the main circuit current.例文帳に追加

ＧＣＴサイリスタ素子１ではそのターンオフ動作中に主回路電流ｉＡの全てがゲート駆動回路２へ転流する点を利用して、ターンオフ開始後にゲート電流ｉＧをオフゲート電流検出回路２５で測定し、主回路電流をモニターする。 - 特許庁

According to an embodiment, a semiconductor device includes a first main electrode, a semiconductor layer, a first conductivity type base layer, a second conductivity type base layer, gate trenches, a first conductivity type semiconductor region, a second main electrode, a gate insulator film, a gate electrode, and an interlayer film.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、第１の主電極と、半導体層と、第１導電形ベース層と、第２導電形ベース層と、ゲートトレンチと、第１導電形半導体領域と、第２の主電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間膜とを備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory is provided with a plurality of memory cells respectively having three gates consisting of an assist gate AG formed on the main surface of a substrate 1, a floating gate FG formed on the assist gate AG through an insulation film 11, and a control gate CG formed through an insulation film 14 on one side wall of the floating gate FG and through the insulation film 11 on the assist gate AG.例文帳に追加

基板１の主面上に形成されたアシストゲートＡＧと、アシストゲートＡＧ上に絶縁膜１１を介して形成されたフローティングゲートＦＧと、フローティングゲートＦＧの一方の側壁側で絶縁膜１４を介すると共に、アシストゲートＡＧ上に絶縁膜１１を介して形成されたコントロールゲートＣＧとの３つのゲートを有してなる複数のメモリセルを備える。 - 特許庁

The Gwanghwamun gate as the main gate of the palace was moved and conserved in the Chosen Sotoku-fu, and although most of the annexed buildings of the Gyeongbokgung Palace, the main palace of the Korean Dynasties, were destroyed (some say it was more than 80%), the most parts of the symbolic building including the Geunjeongjeon Hall as the main hall and the Gyeonghoeru Pavilion were conserved. 例文帳に追加

朝鮮総督府は宮殿正門の光化門を移築の上保存し、朝鮮王朝の正宮だった景福宮の付随的な建物の多くは破却したが（一説に8割以上とも）、正殿の勤政殿や慶会楼などの象徴的な建物の大部分は保存されることとなった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, after an operation roller at an end of the steel door body of the auxiliary derricking gate is joined to support the steel door body of the main derricking gate, the steel door body of the auxiliary derricking gate is operated to rise/fall by a pneumatic operation device on land, so that the steel door body of the main derricking gate can be operated to rise/fall.例文帳に追加

加えて、副起伏ゲートの鋼製扉体の先端の操作ローラーが、主起伏ゲートの鋼製扉体を支持するよう組み合わせた上で、副起伏ゲートの鋼製扉体を陸上の空気操作装置によって起伏操作することにより、主起伏ゲートの鋼製扉体を起伏操作するのである。 - 特許庁

A composite semiconductor device 20 has first and second main terminals 11 and 12, a main control terminal 13, a main MOSFET 14, a sub MOSFET 15, and a gate resistor 16.例文帳に追加

複合半導体装置２０は、第１及び第２の主端子１１，１２と、主制御端子１３と、主ＭＯＳＦＥＴ１４と、副ＭＯＳＦＥＴ１５と、ゲート抵抗１６とを有する。 - 特許庁

The electrodes for controlling a triac 10 are T1 electrode (first main electrode) 11 and T2 electrode (second main electrode) 12 serving as main electrodes and a gate electrode 13.例文帳に追加

このトライアック１０を制御する電極は、主電極となるＴ１電極（第１の主電極）１１、Ｔ２電極（第２の主電極）１２と、ゲート電極１３である。 - 特許庁

The channel is constituted of a main channel 2 having a gate pump 10 and a dust collecting channel 4 for collecting the dust or the like branched from the main channel 2 and provided by neighboring to the main channel.例文帳に追加

水路は、ゲートポンプ１０を有する主水路２と、この主水路２から分岐し且つこの主水路２に隣接して設けられた塵芥類回収のための集塵水路４とからなる。 - 特許庁

A caption LSYNC denotes a main scanning synchronizing signal that is used to take synchronization in the main scanning direction when an image of an original is read and a caption LGATE depicts a main scanning gate signal that validates reading of the image by the CCD when the LGATE signal is at an L level.例文帳に追加

ＬＳＹＮＣは原稿の画像を読み取る際の主走査方向の同期をとる主走査同期信号であり、ＬＧＡＴＥはＬレベルのときにＣＣＤによる画像の読み取りを有効とする主走査ゲート信号である。 - 特許庁

The resistance of wirings is reduced in a three-layer structure of gate electrodes in pixels, by forming a material film containing W as a main component, a material film containing Al as a main component, and a material film containing Ti as a main component.例文帳に追加

本発明は、画素部のゲート電極をＷを主成分とする材料膜と、Ａｌを主成分とする材料膜と、Ｔｉを主成分とする材料膜との３層構造として配線の低抵抗化を図るものである。 - 特許庁

Though remains such as Seokguram, and Gyeongbokgung Palace, where the building of Sotoku-fu was, destroyed or damaged by Japan, and palaces such as Gyeonghuigung Palace was completely destroyed, some buildings including Gwanghwamun Gate, the main gate of Gyeongbok Palace, and Sungnyemun Gate were preserved by preservation movement. 例文帳に追加

石窟庵等の遺跡、総督府庁舎の置かれた景福宮等が日本による破却や損傷を受けており、慶熙宮のように完全に破却された宮殿もあったが、景福宮正門であった光化門や崇礼門など、保存運動などによって保存された建造物もあった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The asymmetrical FET contains the n-type gate portion and p-type gate portion on the main body of the vertical semiconductor and the interconnection between the gate portions and the flattened structure on the interconnection.例文帳に追加

垂直半導体本体上のｐ型ゲート部分およびｎ型ゲート部分と、前記ｐ型ゲート部分と前記ｎ型ゲート部分の間の相互接続と、前記相互接続の上の平坦化構造とを含む非対称電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の製造方法に関する。 - 特許庁

The first control gate electrode CG1, the first interpoly insulation film IPD1, the floating gate electrodes FG, the second interpoly insulation film IPD2 and the second control gate electrode CG2 are stacked in the direction vertical to the main plane of the semiconductor substrate.例文帳に追加

第１コントロールゲート電極ＣＧ１、第１インターポリ絶縁膜ＩＰＤ１、フローティングゲート電極ＦＧ、第２インターポリ絶縁膜ＩＰＤ２、および第２コントロールゲート電極ＣＧ２は、半導体基板の主平面に対して垂直方向に積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with, on the upper side of a base 21: a plurality of gate electrodes 13 formed mutually parallel to a gate width direction 15; a base line part 17 formed extending to the gate length direction 11; and a plurality of main electrodes 19.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート幅方向１５に互いに平行にかつ離間して形成されている複数のゲート電極１３と、ゲート長方向１１に延在して形成されている基線部１７と、複数の主電極１９とが下地２１の上側に設けられている。 - 特許庁

The particle size of the metal silicide layer 11b is smaller than a width W1c in a gate length direction in the source/drain region arranged between adjoining gate electrodes GE, being closest to each other in the gate length direction, among a plurality of source/drain regions of MISFETs formed on the main surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の主面に形成された複数のＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域のうち、ゲート長方向に最も近接して隣り合うゲート電極ＧＥ間に配置されたソース・ドレイン領域のゲート長方向の幅Ｗ１ｃよりも、金属シリサイド層１１ｂの粒径が小さい。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit and a power control method therefor in a MOS gate drive power IC, for use as a power supply of an upper arm drive circuit for supplying a gate signal to the main IGBT 21 of the upper arm of an inverter, with a simple and stable power supply without need of preparing a special power supply.例文帳に追加

ＭＯＳゲート駆動用パワーＩＣにおいて、インバータ上アームの主ＩＧＢＴ２１へのゲート信号供給用の上アーム駆動回路の電源として、専用電源を用意することなく、簡単で安定した電源を持つゲート駆動回路を提供する。 - 特許庁

A basic functional module 4 is equipped with a connector for connecting with each connection port 22 and 23, at the rear and it is connected to the gate device 1 such that it covers the front of the gate device main body 10, and is connected to the power line and the information line via the gate device 1.例文帳に追加

基本機能モジュール４は、各接続口２２，２３に接続するためのコネクタを背面に備え、ゲート装置本体１０の前面を覆うようにしてゲート装置１に接続され、ゲート装置１を介して電力線および情報線に接続される。 - 特許庁