「Memory Device」に関連した英語例文の一覧と使い方(412ページ目) - Weblio英語例文検索

In a moving image reproducing apparatus having a reproduction control means for controlling reproduction of moving image data, the moving image reproducing apparatus has a storage control means for storing the moving image data in a memory and a transfer means for sequentially transferring to an external storage device moving image data to be reproduced last first in order from moving image data stored in the memory.例文帳に追加

動画像データの再生を制御する再生制御手段を有する動画像再生装置において、動画像データをメモリに記憶する記憶制御手段と、前記メモリに記憶された動画像データのうち、後に再生される動画像データから順に、外部の蓄積装置へ転送する転送手段と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

There is provided a system LSI 201 which displays an image of image data recorded in a memory card 500 on a display monitor 301 as a translucent small image smaller than the through image or the reproduced image, the image being superimposed on the through image picked up by the imaging device or the reproduced image formed by reproducing the image data recorded in the memory card 500.例文帳に追加

本発明は、撮像素子が撮像しているスルー画像、またはメモリカード５００に記録された画像データを再生した再生画像に重畳して、半透明で、スルー画像の大きさまたは再生画像の大きさより小さい小画像として、メモリカード５００に記録された画像データの画像を表示モニタ３０１に表示するシステムＬＳＩ２０１を備える。 - 特許庁

This device is equipped with a magnification variation processing part 17 which varies the magnification of image data expanded in a frame memory 15 so that the number of pixels of the frame memory 15 is equal to that of a display area of a display part 20 and a control part 22 which controls power variation processing for image data by the magnification variation processing part 17.例文帳に追加

ビデオ信号に変換する際に、フレームメモリ１５の画素数と表示部２０の表示領域の画素数とが等しくなるようにフレームメモリ１５に展開された画像データを変倍する変倍処理部１７と、変倍処理部１７による画像データに対する変倍処理を実行するか否かを制御する制御部２２、とを備える。 - 特許庁

To provide a disk array device capable of using a memory area other than one in which failure has occurred in a failed I/O process controller and minimizing the influence of performance degradation, without taking over all I/O processes to an I/O controller of the other system, when a part of a cache memory is failed.例文帳に追加

キャッシュメモリの一部に障害が発生した場合に、Ｉ／Ｏ処理を全て他系のＩ／Ｏ処理コントローラへ引き継ぐことなく、障害が発生したＩ／Ｏ処理コントローラの障害が発生したメモリ領域以外のメモリ領域を活用するとともに、性能劣化の影響を極小化させることが可能なディスクアレイ装置を提供する。 - 特許庁

When normal patterns X and Y are finalized and displayed in a success mode while a special game, in which the variable winning device 22 is opened/closed, is executed, the unprocessed normal pattern success memory is stored in a memory means, and the special operation of the normal electric generator for widely opening the normal electric generator 15 is executed.例文帳に追加

可変入賞装置２２が開閉作動する特別遊技作動中に、普通図柄Ｘ，Ｙを当り態様で確定表示する場合は、未処理普通図柄当り記憶を記憶手段に記憶保持し、当該特別遊技作動終了後に、普通電動役物１５を拡開作動する普通電動役物特別作動を実行する構成とした。 - 特許庁

In the back light device comprising a plurality of substrates each including a light emitting element, an optical sensor, and a memory means and a drive circuit for driving the light emitting element, the memory means of each substrate stores information corresponding to an output value of the optical sensor in a condition in which the light emitting element emits a light of a predetermined luminance or chromaticity.例文帳に追加

発光素子、光センサ及びメモリ手段を備えた複数の基板並びに前記発光素子を駆動する駆動回路を備えたバックライト装置であって、前記各基板の前記メモリ手段には前記発光素子が所定の輝度又は色度の光を発する条件における前記光センサの出力値に対応する情報が記憶されている。 - 特許庁

A waveform measurement device 1 includes: an A-D conversion section 11 that converts, a signal to be measured that is input thereto via an input terminal T1 into digital signal waveform data; a waveform data memory 12 that stores the obtained waveform data; and a control section 13 that controls a display 20 so that the display can display the waveform data stored in the waveform data memory 12.例文帳に追加

波形測定装置１は、入力端子Ｔ１を介して入力される被測定信号をディジタル信号の波形データに変換するＡ／Ｄ変換部１１、変換された波形データを記憶する波形データメモリ１２、及び波形データメモリ１２に記憶された波形データを表示部２０に表示させる制御を行う制御部１３を備える。 - 特許庁

This device is provided with plural address counters and plural timing generating circuits, provided corresponding to each of plural memory banks, a data bus for read-out and a data bus for write-in provided commonly for plural memory banks, a data output buffer connected to the data bus for read-out, and a data input buffer connected to the data bus for write-in.例文帳に追加

複数のメモリバンクのそれぞれに対応して設けられた複数のアドレスカウンタおよび複数のタイミング発生回路と、複数のメモリバンクに共通に設けられた読出し用データバスおよび書込み用データバスと、読出し用データバスに接続されたデータ出力バッファと、書込み用データバスに接続されたデータ入力バッファとを設ける。 - 特許庁

Stacked capacitor lower electrodes 7 of the memory cells of a dynamic semiconductor semiconductor memory device(DRAM) are patterned, and an insulating oxide film 9 is filled into a gap between the lower electrodes 7 to be flush with the top surface of the lower electrode 7, and then a rugged polysilicon (HSG-Si) 7a is formed on the top surfaces of the lower electrodes 7.例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）のメモリセルのスタックキャパシタ下部電極７をパターニング後、隣接するスタックキャパシタ下部電極７間にキャパシタ下部電極７の上面と同一高さに絶縁酸化膜９を埋設し、次いでスタックキャパシタ下部電極７上面にポリシコンからなる凹凸ポリシコン（ＨＳＧ−Ｓｉ７ａ）の形成する。 - 特許庁

This device is a semiconductor memory consisting of a plurality of memory cells arranged along a row and a column, word lines connected to all rows are pre-charged (standby state) based on specification of a row address externally specified, that is, activation of address buffer output, simultaneously, redundancy discrimination operation and address decoding operation are started in parallel.例文帳に追加

本発明の半導体記憶装置は、行及び列に沿って配列された複数のメモリセルからなる半導体記憶装置であり、外部から指定される行アドレスの指定、即ちアドレスバッファ出力の活性化を契機として、全ての行に接続されるワード線をプリチャージ（待機状態）し、同時に冗長判定動作とアドレスデコード動作を並行して開始する。 - 特許庁

This circuit is a read-out circuit for a magnetic memory device reading out information recorded in a memory cell having a magneto-resistance element, and has a reference cell connected in series to the magneto-resistance element, and a comparator comparing a potential at a connection point of the magneto-resistance element and the reference cell with the reference potential.例文帳に追加

磁気抵抗素子を有するメモリセルに記録された情報を読み出す磁気メモリ装置の読み出し回路であって、前記磁気抵抗素子に対して直列に接続される参照セルと、前記磁気抵抗素子と前記参照セルとの接続点の電位と基準電位とを比較する比較器と、を有する磁気メモリ装置の読み出し回路。 - 特許庁

The memory device further includes for each line among the row lines BL and/or the column lines WL a respective set of local lines LWL each one for selecting a group of memory cells P of the corresponding line, and also a respective set of selection elements each one for selecting the corresponding local line LWL in response to the selection of the respective lines.例文帳に追加

メモリ装置は、行ラインＢＬと列ラインＷＬとの双方又はいずれか一方のうちの各ラインに対し、対応するラインのメモリセルＰの群をそれぞれ選択するローカルラインＬＷＬの群をそれぞれ有するとともに、それぞれのラインの選択に応答して対応するローカルラインＬＷＬをそれぞれ選択する選択素子の群を有している。 - 特許庁

This nonvolatile memory device includes a lower side electrode 130 extending in a first direction, an upper side electrode 230 positioned in the upper part of the lower side electrode 130 while extending in a second direction intersecting the first direction, and a memory part 300 provided between the lower side electrode 130 and the upper side electrode 230 while using a metal oxide and a phase change material.例文帳に追加

第１の方向に延在する下側電極１３０と、下側電極１３０の上方に位置し、第１の方向と交差する第２の方向に延在する上側電極２３０と、下側電極１３０と上側電極２３０との間に設けられた金属酸化物や相変化材料を用いた記憶部３００と、を備える。 - 特許庁

This device is provided with a data determination means 310 for determining an attribute of data required from a mobile terminal, a cache memory 340 for storing temporarily the data provided to the mobile terminal, and data request processing means 320, 330 for acquiring the necessary data from the cache memory or an external server in accordance with a determination result in the data determination means.例文帳に追加

本装置は、移動端末から要求されたデータの属性を判別するデータ判別手段３１０と、移動端末に提供したデータを一時記憶するキャッシュメモリ３４０と、データ判別手段の判別結果に応じて、前記キャッシュメモリ又は外部サーバから、必要なデータを取得するデータ要求処理手段３２０，３３０とを備える。 - 特許庁

To provide the device structure of a superconducting random access memory of ultra high speed and a large scale, of which the high temperature process can be employed for most of manufacturing processes, a memory cell can be miniaturized, an inductance can be efficiently formed on a DC bias current supply line, and a magnetic field is not affected by the bias current.例文帳に追加

大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。 - 特許庁

This communication control device has a control memory for discriminating whether transmission data are to be transmitted at a peak rate (PCR) or average rate (SCR), transmission part and CAM array part 39 for mutually correspondently storing the class (PCR or SCR) of the transmission rate discriminated by the control memory and transmission part and the time of transmission.例文帳に追加

通信制御装置は、送信データをピークレート（ＰＣＲ）及び平均レート（ＳＣＲ）のいずれによって送信するかを判定するコントロールメモリ１７及び送信部２０と、コントロールメモリ１７及び送信部２０によって判定された送信レートの種別（ＰＣＲ、ＳＣＲ）と送出時刻とを相互に対応させて記憶するＣＡＭアレイ部３９とを有している。 - 特許庁

A relay device 15 receives raster image data from an option controller 3 to be stored in a memory 42, receives a control command based on a result of the process that depends on the print engine 11 from the main controller 14, reads the raster image data from the memory 42 in accordance with the control command, and supplies the read raster image data to the print engine 11.例文帳に追加

中継装置１５は、オプションコントローラー３からラスター画像データを受信してメモリー４２に記憶し、プリントエンジン１１に依存する処理の結果に基づく制御コマンドをメインコントローラー１４から受信し、その制御コマンドに従ってメモリー４２からラスター画像データを読み出し、読み出したラスター画像データをプリントエンジン１１に供給する。 - 特許庁

The device also comprises a circuit comparing a fault row address stored in the memory matrix 14 with a selected row address in order to recognize a selected row address ADr and perform relieving selection of a fault row and selection of a corresponding redundant cell row at the time of recognizing validness, and configuration register comprising a matrix of a non-volatile memory cell and a control circuit.例文帳に追加

選択した行アドレスＡＤｒを認識し、有効認識時に故障した行の選択解除および対応する冗長セル行の選択を行うために、メモリマトリックス１４に含まれる故障した行アドレスと選択した行アドレスとを比較する回路と、不揮発性メモリセルのマトリックスおよび制御回路も含むコンフィギュレーションレジスタとをさらに含む。 - 特許庁

In the image display device compatible with DDC, there are provided one DDC compatible nonvolatile memory 11 and a control means 13 that writes, in the DDC compatible nonvolatile memory 11, EDID data for inputting image signals among the EDID data for multiple kinds of image signals, on the basis of information indicating kinds of image signals to be inputted.例文帳に追加

ＤＤＣに対応した映像表示装置に、１個のＤＤＣ対応不揮発性メモリ１１と、入力する映像信号の種類を示す情報に基づき、複数種類の映像信号用のＥＤＩＤデータのうち、この入力する映像信号用のＥＤＩＤデータをＤＤＣ対応不揮発性メモリ１１に書き込む制御手段１３とを備える。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell, having a self-aligned two-layer gate structure which includes a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, a first conductor 3 serving as a floating gate layer, a second conductor 7 serving as a control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された、ゲート絶縁膜と、浮遊ゲート層となる第１の導電体３と、制御ゲート層となる第２の導電体７と、第１の導電体と前記第２の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜６と、からなる自己整合的な二層ゲート構造を有するメモリセルを含む。 - 特許庁

A calculation unit 114 calculates communication quality between the own device and each of the plurality of first communication terminals 110 as a target terminal based on the strength stored in the memory 113 for the target terminal and the strength stored in the memory 113 for a first communication terminal 110 other than the target terminal.例文帳に追加

算出部１１４は、複数の第１通信端末１１０のそれぞれを対象端末として、対象端末について記憶部１１３に記憶された強度と、対象端末以外の第１通信端末１１０について記憶部１１３に記憶された強度と、に基づいて自端末と対象端末との間の通信品質を算出する。 - 特許庁

In these semiconductor memory device, occurrence of deterioration of the property during a test of the plurality of RAM-macro RAM1 to RAM7 can be prevented when execution periods of the plurality of memory tests are set, so that power consumption consumed during tests of the plurality of RAM-macro RAM1 to RAM7 become the allowable maximum power Wmax or less.例文帳に追加

このような半導体メモリ装置は、複数のＲＡＭマクロＲＡＭ１〜ＲＡＭ７のテスト時に消費される消費電力が許容最大電力Ｗｍａｘ以下になるようにその複数メモリテスト実施期間が設定されているときに、複数のＲＡＭマクロＲＡＭ１〜ＲＡＭ７のテスト時の特性劣化が発生することを防止することができる。 - 特許庁

This device has a map information memory 13 for storing maps, each drawn to different scales, an origin selection instruction means to pick up one from among several reference origins on the maps, and an object memory measures 12 for storing the objects related to their origins and their positional relations.例文帳に追加

縮尺倍率が互いに異なる複数の地図が記憶された地図情報記憶手段１３と、地図上で基準となる複数の起点の中から一つの起点を選択させるための起点選択指示手段と、夫々の起点に関連付けられた複数の対象物、及びそれらの位置情報を記憶する対象物記憶手段１２とを備える。 - 特許庁

To provide a display method and a device reducing electric power consumption by changing methods for writing from an interface to a display memory and for reading from the display memory according to a display mode such as a regular display and a decreased gradation display relative to a display means such as a liquid crystal display system and an organic EL display system.例文帳に追加

液晶表示システムや有機ＥＬ表示システムなどの表示手段に対して、通常表示や減階調表示などの表示モードに応じて、表示メモリへのインターフェースからの書き込みや、表示メモリからの読み出しの方法を切り替えることにより、電力消費を減少することができる表示方法及び表示装置を提供する。 - 特許庁

The mobile device (355) operable in a mobile telecommunications network (300) is equipped with a memory module (274) for storing data in machine readable format for retrieval and execution by a central processing unit (272) and an operating system (275) operable to execute an intrusion detection application (91) stored in the memory module (274).例文帳に追加

モバイル通信ネットワーク（３００）において動作可能なモバイル機器（３５５）であって、中央演算処理装置（２７２）による検索および実行のためにマシン読み取り可能フォーマットでデータを格納するメモリモジュール（２７４）と、該メモリモジュール（２７４）に格納される不正侵入検出アプリケーション（９１）を実行するように動作可能なオペレーティングシステム（２７５）と、を備える。 - 特許庁

This device is provided with predecoders (3A, 3B) predecoding an applied address signal, address latch circuits (4A, 4B) latching respectively output signals of these predecoders, and decode circuit (5A, 5B) decoding respective output signals of the address latch circuits and performing memory cell selection operation in a corresponding memory block (MBA, MBB).例文帳に追加

メモリブロック（ＭＢＡ，ＭＢＢ）それぞれに対応して、与えられたアドレス信号をプリデコードするプリデコーダ（３Ａ，３Ｂ）と、これらのプリデコーダの出力信号をそれぞれラッチするアドレスラッチ回路（４Ａ，４Ｂ）と、アドレスラッチ回路それぞれの出力信号をデコードして対応のメモリブロックにおいてメモリセル選択動作を行なうデコード回路（５Ａ，５Ｂ）とを設ける。 - 特許庁

A reconfiguration remote control device 200 transmits a configuration memory number M132 indicating a configuration memory 104-1 for storing a reconfiguring instruction identifier R133 for instructing an execution of a reconfiguration and circuit composition information CM1, and a reconfiguration control packet 130 including empty data Dbit 131 necessary for executing the reconfiguration.例文帳に追加

リコンフィギュア遠隔制御装置２００が、リコンフィギュレーションの実施を指示するリコンフィギュア指示識別子Ｒ１３３、回路構成情報ＣＭ１が格納されているコンフィグメモリ１０４−１を示すコンフィギュレーションメモリ番号Ｍ１３２、及びリコンフィギュレーションの実施のために必要な空データＤｂｉｔ１３１を含むリコンフィギュア制御パケット１３０を送信する。 - 特許庁

To provide a memory interface device for stabilizing data reading/writing operation of a memory by separately delaying data transmission timings in reading and writing as required, and so that a clock signal can be synchronized with data in a timing suitable for reading/writing, when there are a plurality of memories for reading and writing data synchronously with a clock signal.例文帳に追加

クロック信号に同期してデータを読み書きするメモリが複数あるときに、読み書きに適したタイミングでクロック信号とデータとが同期されるように、読み出し時と書き込み時のデータの伝送タイミングを各別に、且つ、必要な時間遅延させることで、メモリのデータ読み書き動作を安定させることができるメモリインタフェース装置を提供する。 - 特許庁

In this information providing device, a tag 2 is provided with an access counter 6 for updating the access information of a writer or reader, and for storing it in a memory 8 when the tag 2 is accessed by the writer or reader and an access flag managing part 7 for managing access to the provision information of the memory 8 based on the access information stored in the access counter 6.例文帳に追加

本発明の情報提供装置は、タグ２内部に、タグ２に対するライタ又はリーダのアクセス時にライタ又はリーダのアクセス情報を更新してメモリ８に記憶するアクセスカウンター６と、アクセスカウンター６に記憶されたアクセス情報に基づいてメモリ８の提供情報へのアクセスを管理するアクセスフラグ管理部７とを備えたものである。 - 特許庁

The subliminal image eliminating device is provided with a frame memory 1 that can store data by at least 3 frames, a pixel change quantity detection circuit 3 that compares the data by 3 frames stored in the frame memory 1 and detects a pixel change amount (motion quantity) among the frames so as to discriminate a subliminal image, and a frame extract circuit 4 that extracts the frame data including the discriminated subliminal image.例文帳に追加

少なくとも３フレーム分のフレームデータを記憶可能なフレームメモリー１と、フレームメモリー１に記憶された３フレーム分のフレームデータを比較して、各フレーム間の画素変化量（動き量）を検出し、サブリミナル画像を判別する画素変化量検出回路３と、判別したサブリミナル画像のフレームデータを抜き取るフレーム抜き取り回路４とを備えている。 - 特許庁

This storage device constituted of a main recording medium (hard disk drive or the like), and the nonvolatile memory (flash memory or the like) used as the cache of the main recording medium, is provided with a block control part for dividing a cache area into a fixed area and a nonfixed area depending on fixation of the data and for changing dynamically blocks allocated to the respective areas.例文帳に追加

主記録媒体（ハードディスクドライブ等）、及び主記録媒体のキャッシュとして使われる不揮発性メモリ（フラッシュメモリなど）より構成される保存装置において、キャッシュ領域をデータの固定如何によって固定領域及び非固定領域に分け、これら各領域に割当てるブロックを動的に変更する、ブロック管理部を備える。 - 特許庁

A semiconductor storage device 20 includes memory cell arrays 1a to 1m, memory cell replacement judging circuits 2a to 2m, fuse information holding circuits 3a to 3m, fuse information holding control circuits 4a to 4m, and a refresh control circuit 5.例文帳に追加

半導体記憶装置２０には、メモリセルアレイ１ａ乃至メモリセルアレイ１ｍ、メモリセル置き換え判定回路２ａ乃至メモリセル置き換え判定回路２ｍ、ヒューズ情報保持回路３ａ乃至ヒューズ情報保持回路３ｍ、ヒューズ情報保持制御回路４ａ乃至ヒューズ情報保持制御回路４ｍ、及びリフレッシュ制御回路５が設けられている。 - 特許庁

The information providing device includes also a memory 13 which stores information related to electronic coupon tickets corresponding to an erase processing command for each sponsor when this command of erase processing of electronic coupon tickets is acquired, and totalization results of advertisement information which has been subjected to erase processing and which is stored in the memory 13 are provided to sponsors of advertisement information.例文帳に追加

電子クーポン券を消去処理する旨の指令を取得すると、当該消去処理指令に対応する電子クーポン券に関する情報をその広告主別に記憶するメモリ１３をさらに含み、このメモリ１３に記憶された消去処理済みの広告情報の集計結果は、その広告情報の広告主に提供される。 - 特許庁

The control block 6 is constructed by a memory unit 1 which memorizes plural signals which are prescribed in advance and receiving part 2 which receives signal order S from outside and computing unit 3 which outputs light control signal for the reproduction of the scene to lighting device 4, here, the light control signal is memorized in the memory unit basing on the signal order received.例文帳に追加

制御ブロック６は、予め設定した１つ以上のシーンを記憶する記憶装置１と、外部からの信号命令Ｓを受信する受信部２と、受信した信号命令Ｓに基づいて記憶装置１に記憶したシーンを再生する為の調光信号を、点灯装置４に出力する演算部３とから構成される。 - 特許庁

To provide a process cartridge, equipped with a nonvolatile memory storing specific information corresponding to addresses, which enables proper printing operation without modifying a program on an image forming device body side even if the data arrangement in the nonvolatile memory is changed as the design, etc., is changed after the process cartridge begins to be sold.例文帳に追加

アドレスに対応して所定の情報を記憶する不揮発性メモリを備えたプロセスカートリッジであって、発売開始後に設計変更等によって上記不揮発性メモリ内のデータ配置が変更されたときでも、画像形成装置本体側のプログラムを変更することなく、適切なプリント動作を行うことができるものを提供する。 - 特許庁

In the test circuit of the device 400 equipped with the nonvolatile memory 402, an external reset control section 410 generates an internal reset signal 414 by masking the external reset signal 222 for a predetermined period, and a CPU 401 controls an execution of a self-testing and a write of this test result to the nonvolatile memory 402 based on the internal reset signal 414.例文帳に追加

不揮発性メモリ４０２を備えたデバイス４００のテスト回路であって、外部リセット制御部４１０は外部リセット信号２２２を所定の期間マスクして内部リセット信号４１４を生成し、ＣＰＵ４０１は内部リセット信号４１４に基づいて、自己試験の実行とその結果の不揮発性メモリ４０２への書き込みとを制御する。 - 特許庁

When the memory spot information registered by the user is changed by updating of the map information, the navigation device determines whether coincident information exists in another place or not (S7), and, when the coincident information exists (S6:YES), registers transfer destination information (S8) and informs that the memory spot information is changed and a transfer destination candidate (S9).例文帳に追加

ここで、地図情報の更新により使用者が登録したメモリ地点情報が変更されていたときは、ナビゲーション装置は、他の場所に一致情報があるかを判断し（Ｓ７）、一致情報があるときは（Ｓ６：ＹＥＳ）、移転先情報を登録してから（Ｓ８）、メモリ地点情報が変更されたこと及び移転先候補を報知する（Ｓ９）。 - 特許庁

To provide an optical memory device having a large capacity and high-density memory as well as a recording/reproducing speed equivalent to or faster than present phase-change optical disks by making it possible to reproduce recorded information consisting of microrecording marks recorded by irradiating a recording medium with a condensed laser beam by utilizing a near-field write probe when reproducing.例文帳に追加

近接場光プローブを再生時に利用することにより、集光したレーザ光の照射によって記録媒体上に記録された微小記録マークからなる記録情報を再生できるようにして、現状の相変化型光ディスクと同等以上の記録・再生速度でありながら、これより高密度で大容量の光メモリ装置を実現する。 - 特許庁

Also, based on a processing waiting status at the devices 81-83, a memory capacity used in the device 81-83 is determined so as to become the middle of the maximum capacity and the minimum capacity which can be used in the devices 81-83, whereby an RAM 73 which is a shared memory can be efficiently used, and a load distribution between processing is performed.例文帳に追加

また、各装置８１〜８３で使用するメモリ容量を各装置８１〜８３における処理待ち状況に基づいて各装置８１〜８３で使用可能な最大容量と最小容量との間となるように決定するため、共有メモリであるＲＡＭ７３を効率的に利用することができるし、処理間の負荷分散が可能となる。 - 特許庁

A remote control adaptor 200 includes a receiving circuit 410 to receive an input of a signal from outside, a flash memory 430, a control circuit 420 to generate the signal transmitted to the remote control device based on the received signal and a data stored in the flash memory 430, a transmission circuit 440 to transmit the generated signal, and a battery 450.例文帳に追加

リモコンアダプタ２００は、外部から信号の入力を受け付ける受信回路４１０と、フラッシュメモリ４３０と、受信された信号とフラッシュメモリ４３０に格納されているデータとに基づいてリモコン装置に対して送信される信号を生成する制御回路４２０と、生成された信号を発信する発信回路４４０と、バッテリ４５０とを含む。 - 特許庁

In this transfer system, the data relating to a transfer destination and the data indicating a division of the data are stored in the portable storage device such as a USB memory, the data relating to the transfer destination is called out from the USB memory in accordance with the designated section, when a user designates the section, and the transferring processing is performed to the transfer destination.例文帳に追加

本発明は、振込先に関するデータと、そのデータの区分を示すデータとをＵＳＢメモリなどの携帯型記憶装置に格納し、ユーザが当該区分を指定することにより、指定された区分に従って、ＵＳＢメモリから振込先に関するデータを呼び出し、振込先に対して振込処理を行なう振込システムである。 - 特許庁

This lock device comprises a locking mechanism 300 for opening and closing a front frame 220 by the operation of a hook 340 provided between the body of the game machine 200 and the front frame 220, and a lock piece 100 formed of a shape memory alloy to prevent the operation for opening the front frame 220 of the hook 340 by the displacement by shape memory.例文帳に追加

遊技機２００本体と前枠２２０との間に設けられたフック３４０の動作によって前枠２２０を開閉させる施錠機構３００と、形状記憶合金からなり形状記憶による変位によって前記フック３４０の前枠２２０の開放のための動作を阻止するロック片１００とを備えることで、上記課題を解決する。 - 特許庁

The semiconductor storage device is provided with: memory cell arrays MA including a plurality of mutually parallel word lines WL; a plurality of mutually parallel bit lines BL formed so as to cross the word lines WL; and memory cells MC which are arranged at intersections with the word lines WL and the bit lines BL and each of which has a variable register VR and a diode Di connected thereto serially.例文帳に追加

半導体記憶装置は、互いに平行な複数のワード線ＷＬと、ワード線ＷＬと交差するように形成された互いに平行な複数のビット線ＢＬと、ワード線ＷＬとビット線ＢＬとの各交差部に配置され、可変抵抗素子ＶＲとダイオードＤｉとが直列接続されたメモリセルＭＣを含むメモリセルアレイＭＡとを備える。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory device has an EEPROM configured to store data based on whether or not electric charge is accumulated in a charge storage film of a memory transistor, and a mask ROM configured to store data based on whether or not a select contact hole is present, the EEPROM and mask ROM, both being united together on the same plane.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、ＥＥＰＲＯＭとマスクＲＯＭとを一体とした不揮発性半導体記憶装置であり、メモリトランジスタの電荷蓄積膜に蓄える電荷の有無によりデータを記憶するＥＥＰＲＯＭと選択コンタクトホールの有無によりデータを記憶するマスクＲＯＭとを同一平面上に構成する。 - 特許庁

By the controller 25, an interface signal is adjusted to a suitable interface signal level while adapting this signal to the supply voltage and operating voltage, then such nonvolatile memory device 2 is obtained that the interface is prevented from being destructed due to the excessive high signal level or the nonvolatile memory unit 23 is prevented from being unable to receive the correct signal due to the excessive low signal level.例文帳に追加

当該コントローラ２５は、電源電圧と動作電圧に合わせて、インターフェース信号を、適当なインターフェース信号レベルに調整して、信号レベルが高過ぎてインターフェースが破壊されることや、信号レベルが低過ぎて当該不揮発性メモリユニット２３が正確に信号を受信できないことを防止できる不揮発記憶装置２である。 - 特許庁