「Memory Device」に関連した英語例文の一覧と使い方(483ページ目) - Weblio英語例文検索

To enable to perform a discharge treatment of a discharge device so that it will be easy to handle disposal or the like of a vehicle-mounted battery and to recover a memory effect, in one making completely discharge the vehicle-mounted battery mounted on an electric motorcar, hybrid car or the like equipped with comparatively high terminal voltage to be driving power source of a motor.例文帳に追加

電気自動車やハイブリッド車等に搭載し、モータの駆動電力源とする比較的高電圧の端子電圧を有する車載電池を完全放電させる放電装置に関し、車載電池の廃棄等の取り扱いが容易となるように、又メモリ効果を回復できるように、安全且つ迅速に放電処理を実行させる。 - 特許庁

When a human body is detected by the human body sensor at a time T, this sensor reaction is taken as a trigger to transmit images n-1 and n captured before the time T and images n+1 and n+2 captured after the time T, out of images n-4, n-3, ..., n+3 stored in the image memory 23 to the server device.例文帳に追加

時刻Ｔにおいて人体センサにより人体が検出されると、そのセンサ反応をトリガとして、画像メモリ２３に記憶されている画像ｎ−４，ｎ−３，・・・，ｎ＋３のうち、時刻Ｔの前にキャプチャされた画像ｎ−１と画像ｎ、及び時刻Ｔの後にキャプチャされた画像ｎ＋１と画像ｎ＋２をサーバ装置に送信する。 - 特許庁

In a prize actual results display device which displays the prize actual results values of the lottery game apparatus 1, a memory means 300d which memorizes past prize actual results values within a predetermined period, a display means 302 for a figure image, and a figure processing means 300b which outputs to the display means figure images according to the prize actual results values are included.例文帳に追加

抽選遊戯装置１の入賞実績値を表示する入賞実績表示装置において、所定期間内の過去の入賞実績値を記憶する記憶手段３００ｄと、図形画像の表示手段３０２と、前記入賞実績値に応じた図形画像を前記表示手段に出力する図形処理手段３００ｂと、を備えた。 - 特許庁

Each component has a function for providing resource request information necessary for itself, and on the basis of the information, a system management means 11 totally determines resources necessary for processing the designated information (a use device, a clock frequency of a CPU and the like, a memory usage amount, and the like) for setting and changing the system as a whole.例文帳に追加

各コンポーネントは自らが必要とするリソース要求情報を提供する機能を有しており、該情報に基いてシステム管理手段１１が、指定された情報の処理に必要とされるリソース（使用デバイスやＣＰＵ等のクロック周波数、メモリ使用量等）について総合的に判断してシステム全体の設定や変更等を行う。 - 特許庁

Eight-bit luminance data (i) by the pixels of a confocal image obtained from a photodetecting element 19 through a 1st A/D converter 41 are stored in a luminance memory Mi through 1st area circuit 51 of a processor and passed through an image signal generating circuit 59 and a composing circuit 56 to generate a display image signal, which is outputted to a display device 47.例文帳に追加

受光素子１９から第１Ａ／Ｄコンバータ４１を経て得られた共焦点画像の画素ごとの８ビット輝度データｉは、処理装置４６の第１領域回路５１を経て輝度メモリＭｉに記憶され、画像信号生成回路５９及び合成回路５６によって表示用画像信号とされ、表示装置４７に出力される。 - 特許庁

When a color conversion request is inputted, list data 30 of a corresponding device are read from the list memory 32, and a display part 36 is made to display a use profile setting screen where only the profile data set as the display profiles in the list data 30 are list- displayed as available profile data with the file names under the control of a list display control part 26.例文帳に追加

色変換要求が入力された場合には、リスト表示制御部２６によって、リストメモリ３２から対応するデバイスのリストデータ３０を読出し、該リストデータ３０で表示プロファイルとして設定されたプロファイルデータのみが使用可能なプロファイルデータとしてファイル名がリスト表示される使用プロファイル設定画面を表示部３６に表示させる。 - 特許庁

A semiconductor memory device 20 is provided with a voltage control circuit 23 for restoration used to supply a first internal voltage VINT which is lower than an external power-supply voltage Vcc, a second internal voltage VINTs1 which is lower than the first internal voltage VINT, and a third internal voltage VINTs2 which is lower than the first internal voltage VINT and which is higher than the second internal voltage VINTs1.例文帳に追加

半導体記憶装置２０は、外部電源電圧(Ｖcc)よりも低い第１の内部電圧ＶINT、第１の内部電圧ＶINTよりも低い第２の内部電圧ＶINTS１、及び、第１の内部電圧ＶINT以下で第２の内部電圧ＶINTS１よりも高い第３の内部電圧ＶINTS２を供給するリストア用電圧制御回路２３を有している。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a lamination film comprised of a first ferroelectric film (3) and a second ferroelectric film (6), means (2 and 7) to generate an electric field crossing the lamination film in vertical direction, and means (4 and 5) to apply current in a boundary between the first and second ferroelectric films (3 and 6) to detect the current.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１の強誘電体膜（３）及び第２の強誘電体膜（６）よりなる積層膜と、積層膜を垂直方向に横切る電場を発生させる手段（２、７）と、第１の強誘電体膜（３）と第２の強誘電体膜（６）との界面に電流を流し且つ前記電流を検出する手段（４、５）とを備えている。 - 特許庁

In the electronic device, parameters of projection corresponding to a plurality of modes fixed according to the working status of a projector unit 120 adapted to project an image toward a projection surface are stored in a nonvolatile memory 110, and when projection is performed by the projector unit 120, an image is projected based on the value of the parameter corresponding to the mode selected by a rotary switch.例文帳に追加

画像を投影面に向けて投影するプロジェクタユニット１２０の使用状況に応じて定められた複数のモードに対応する投影のパラメータを不揮発性メモリ１１０に記憶し、プロジェクタユニット１２０で投影するとき、ロータリスイッチで選択されたモードに対応するパラメータの値に基づいて画像の投影を行うようにした。 - 特許庁

This device has a CPU 21 for displaying part of first image data, while overlapping it on an image displayed on a monitor by changing the transmittance of the first image when these first image data are acquired and for recording and preserving two pieces of image data as a single piece of image data arranged side by side in a flash memory 28 at a time point when second image data are provided.例文帳に追加

第１の画像データを取得すると、その第１の画像データの一部を透過率を変えて表示部２５でモニタ表示される画像に重ね合わせて表示させ、第２の画像データが得られた時点で２つの画像データを左右に並べた１つの画像データとしてフラッシュメモリ２８に記録保存するＣＰＵ２１を有する。 - 特許庁

When all the icon data for specifying the icons of the displaying objects are read out on a map to be displayed based on a scale request by an input device from a memory, the presence of overlapping of the respective icons is determined based on the all the icon data, and whether the fellow icons are interfered each other on the map to be displayed is determined thereafter.例文帳に追加

入力装置による縮尺要求に基づき表示すべき地図上にて表示の対象となるアイコンを特定するアイコンデータの全てが記憶装置から読み出されると、各アイコンの重なりの有無が全アイコンデータに基づき判定され、ついで、アイコン同士が、互いに表示すべき地図上の領域において干渉するか否かが判定される。 - 特許庁

The changing section changes, according to the monitored characteristics of the nonvolatile memory device, at least one of the respective increase ranges of a writing initiation voltage and a writing voltage in the writing processing in which a writing operation and a verifying operation are alternately repeated, so that a time required for the writing processing is in agreement with a desired value.例文帳に追加

変更部は、前記モニタされた前記不揮発性メモリデバイスの特性に応じて、前記書き込み処理に要する時間が目標値に一致するように、書き込み動作とベリファイ動作とが交互に繰り返される前記書き込み処理における書き込み開始電圧の値と書き込み電圧の増加幅との少なくとも一方を変更する。 - 特許庁

A controller 80 in charge of the operation of the full automatic washing machine 1 is provided with a time timing circuit 90 and a nonvolatile memory 91 for storing the time setting time, and when it is decided that prescribed time has elapsed from the previous time setting time, displays a message urging the resetting of the time at the display device 101 of the operation panel 100.例文帳に追加

全自動洗濯機１の運転を司る制御装置８０は、時刻計時回路９０と、時刻設定日時を記憶する不揮発性メモリ９１を備えるものであり、前回の時刻設定日時から所定の日時が経過したと判定されたときは、時刻の再設定を促すメッセージを操作パネル１００の表示装置１０１に表示させる。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

When a user commands to carry out a file retrieval by operating an input device 18 with the digital memory player 1, the invalid content/license files are retrieved with a plurality of the content/license files recorded at the MMC 8 as an objective and the file names of the retrieved content/license files are displayed in the form of lists in a liquid crystal display section 19.例文帳に追加

本発明に係るデジタルメモリプレーヤ１においては、ユーザが入力装置１８を操作して、ファイル検索を指令すると、ＭＭＣ８に記録されている複数のコンテンツ／ライセンスファイルを対象として無効なコンテンツ／ライセンスファイルが検索され、検索されたコンテンツ／ライセンスファイルのファイル名がリストとして液晶表示部１９に表示される。 - 特許庁

The solid-state imaging device is provided with a LOG image sensor 11, an operational amplifier 12 which adjusts a dynamic range of an output signal of the sensor 11, an AD converter 13 for performing AD conversion of an output signal from the amplifier 12, a frame memory 15 which holds calibration data and an image processing unit 14 which generates image data and outputs it to a monitor.例文帳に追加

ＬＯＧイメージセンサ１１と、該センサ１１の出力信号のダイナミックレンジを調整するオペアンプ１２と、該アンプ１２からの出力信号をＡＤ変換するためのＡＤコンバータ１３と、キャリブレーションデータを保持するフレームメモリ１５と、画像データを生成してモニタに出力する画像処理器１４とを備えた固体撮像装置。 - 特許庁

A generator B as a specimen is driven by a driving motor 10, and values of torque, current and voltage are measured while changing a resistance value of an external variable load device (resistance) 102 provided on a circuit for measurement connected to an output terminal of the generator B at each rotation number, and the values are stored in a memory table provided in a data storing part 230.例文帳に追加

試験体としての発電機Ｂを駆動モータ１０により駆動させながら、各回転数において、発電機Ｂの出力端子に接続した測定用回路に設けられた外部可変負荷装置（抵抗）１０２の抵抗値を変化させながら、トルクと電流と電圧の各値を測定し、データ格納部２３０に設けられた記憶テーブルに記憶させる。 - 特許庁

The multi-port memory device has the data transmitting/receiving structure of a current sensor system and includes a data transmitting/receiving block for exchanging data with the global data bus, wherein the unnecessary charging source is cut off and also a desirable switch on/off control model is presented when driving a global data by locating a switch between the receiver of the data transmitting/receiving block and the global data bus.例文帳に追加

電流センサ方式のデータ送受信構造を備えて、グローバルデータバスとデータを交換するデータ送受信ブロックを備えるマルチ−ポートメモリ素子において、データ送受信ブロックの受信機とグローバルデータバスとの間にスイッチを配置してグローバルデータの駆動時、不要な充電ソースを遮断すし、合せて、好ましいスイッチオン／オフ制御モデルを提示する。 - 特許庁

In a password information confirming device 1, the presence/absence of the setting of a personal identification number is discriminated based on personal identification number setting information read from an IC memory mounted on an ID card, and when it is discriminated that the personal identification number is not set, a default number is inputted according to the operation of an input part 11 of a card holder.例文帳に追加

暗証情報確認装置１では、ＩＤカードに搭載されたＩＣメモリから読み取られた暗証番号設定情報に基づいて暗証番号の設定の有無が判別され、暗証番号が設定されていないと判別された場合、カード保有者の入力部１１の操作によって、デフォルト番号が入力される。 - 特許庁

This memory device includes a command decoder for generating a power-down signal responding to a power-down command, a mode register for storing power-down exit information, a clock synchronization circuit such as a DLL (delayed locked loop) or PLL (phase locked loop) circuit for generating an internal clock signal synchronized with an external clock signal, and a control part for controlling the DLL or PLL circuit.例文帳に追加

メモリ装置はパワーダウン命令に応答してパワーダウン信号を発生する命令デコーダと、パワーダウン脱出情報を貯蔵するモードレジスタと、外部クロック信号に同期される内部クロック信号を発生するＤＬＬまたはＰＬＬ回路のようなクロック同期化回路と、ＤＬＬまたはＰＬＬ回路を制御する制御部とを含む。 - 特許庁

The image pick-up device 10 comprises: an image pick-up element 19 for photographing an image focused by a lens 11 to obtain the image; and a control part 17 which allows the image pick-up element 19 to photograph the image ranging over plural times by a one time release operation, and writes a plurality of the obtained images into a semiconductor memory 30 as a single still image form file.例文帳に追加

撮像装置１０は、レンズ１１によって結ばれる像を撮影して画像を得る撮像素子１９と、前記撮像素子１９に対して、１度のレリーズ操作により複数回にわたって前記像を撮影させ、得られた複数の前記画像を１つの静止画形式のファイルとして半導体メモリ３０へ書き込む制御部１７とを具備する。 - 特許庁

An arithmetic section 5 writes an image signal of an image consisting of a plurality of lines picked up by an image pickup camera 1 sequentially to a memory 7, obtains a shift required for each pixel on the basis of a map stored in a ROM 8, reads the image signal corresponding to each line of an output image depending on this shift and outputs the image signal to a display device 3 sequentially.例文帳に追加

演算部５は、撮像カメラ１により複数ラインからなる画面の画像信号を順次取り込んでメモリ７に書き込み、ＲＯＭ８に格納されているマップに基づいて各画素に必要な移動量を求め、この移動量に応じて出力画像の各ラインに相当する画像信号をメモリ７から読み出して順次ディスプレイ３に出力する。 - 特許庁

This communication terminal device has a connector part connected detachably to host equipment and is constituted by mounting in a housing of ≤3.5 mm in thickness an antenna element, an element for high-frequency signal processing, an element for base-band signal processing, and a memory element for a storage function; and the antenna element is provided integrally with the element which performs the high-frequency signal processing.例文帳に追加

ホスト機器と着脱自在に接続されるコネクタ部を有し、アンテナ素子と、高周波信号処理を行う素子と、ベースバンド信号処理を行う素子と、ストレージ機能用メモリー素子とが厚さ３．５ｍｍ以下の筐体に実装されてなる通信端末装置において、アンテナ素子は、高周波信号処理を行う素子と一体に設けられている。 - 特許庁

An image display device has an Internet connection means, an HTTP connection means, an HTTP analysis means, a data common own means, an image analysis means, an image decode means, an image resize means, a source data common own means, an intermediate data common own means, and a display data common own means so that image data is efficiently owned in common to suppress used memory size.例文帳に追加

インターネット接続手段、ＨＴＴＰ接続手段、ＨＴＴＰ解析手段、データ共有手段、画像解析手段、画像デコード手段、画像リサイズ手段、ソースデータ共有手段、中間データ共有手段、表示データ共有手段を有する画像表示装置とし、画像データを効率よく共有し、使用メモリサイズを抑えることができるようにする。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a semiconductor substrate, blocking film formed on the semiconductor substrate, the charge accumulating insulation film which is formed on the blocking film and accumulates holes, hole conduction insulation film formed on the charge accumulating insulation film, and gate electrode formed on the hole conduction insulation film.例文帳に追加

本発明の１態様による半導体記憶装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられたブロッキング膜と、前記ブロッキング膜上に設けられ、ホールを蓄積する電荷蓄積絶縁膜と、前記電荷蓄積絶縁膜上に設けられたホール伝導絶縁膜と、前記ホール伝導絶縁膜上に設けられたゲート電極とを具備する。 - 特許庁

The magnetic memory device sets a frequency of a high-frequency current Ia supplied from a synthetic magnetic field generation current conducting circuit 8 higher than a maximum magnetic resonance frequency highest among a plurality of maximum ferromagnetic resonance frequencies set for each of a plurality of magnetic storage cells 1 when a DC current Iw flows through a first writer conductor line 6.例文帳に追加

合成磁場発生用電流通電回路８から供給する高周波電流Ｉａの周波数を、第１の書き込み導体線６に直流電流Ｉｗが流れているときに、複数の磁気記憶セル１ごとに定まる複数の最大強磁性共鳴周波数の中で最も高い最大強磁性共鳴周波数よりも高く設定する。 - 特許庁

The selection signal generation circuit activates one of selection signals corresponding to each of word line in accordance with an external command signal indicating a test operation mode and an external selection code signal for specifying word line voltage used for the memory device, during the test operation mode for discriminating whether the word line voltage is a desired level or not.例文帳に追加

選択信号発生回路は、ワードライン電圧が要求するレベルを有するか否かを判別するためのテスト動作モードの間に、テスト動作モードを示す外部命令信号及び前記メモリ装置に使用されるワードライン電圧を指定するための外部選択コード信号に応じてワードライン電圧の各々に対応する選択信号のうちの１つを活性化する。 - 特許庁

This electronic apparatus is provided with a CPU 11 to execute a prescribed processing according to a program, a memory 13 in which an application processing program to be executed by the CPU 11 and a debug processing program to debug the application processing program are stored and a logical device 12 having plural logical modules and wiring areas to connect the respective logical modules.例文帳に追加

プログラムに従って所定の処理を行うＣＰＵ１１と、ＣＰＵ１１が実行するアプリケーション処理プログラム、当該アプリケーション処理プログラムに対するデバックをするデバック処理プログラムが格納されるメモリ１３と、複数の論理モジュール及び各論理モジュールを接続する配線領域とを有する論理デバイス１２とを備える。 - 特許庁

To provide an information recording device which is adapted to efficiently facilitate high-speed information processing by selecting a memory to which information requested can be written at the highest speed from a plurality of semiconductor memories provided as caches to a disk-like storage medium, and a control method therefor.例文帳に追加

この発明は、ディスク状記録媒体に対するキャッシュとして備えられた複数の半導体メモリの中から、書き込み要求を受けた情報を最も速く書き込むことが可能なメモリを選択して、情報処理速度の高速化を効果的に促進させるようにした情報記録装置及びその制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a memory cell including a first transistor 160, a second transistor 162, and an insulation layer 128 provided between a source region or a drain region 120 of the first transistor 160 and a channel formation region 144 of the second transistor 162.例文帳に追加

第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、第１のトランジスタ１６０のソース領域またはドレイン領域１２０と、第２のトランジスタ１６２のチャネル形成領域１４４との間に設けられた絶縁層１２８と、を含むメモリセルを有し、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２とは、少なくとも一部が重畳して設けられる半導体装置である。 - 特許庁

The ferroelectric memory device has a lower electrode 109, a capacitive insulating film 112 consisting of a ferroelectric film, and an upper electrode 113, which are sequentially formed on a first interlayer insulating film 105 on a semiconductor substrate 100, and is also provided with a plurality of ferroelectric capacitors arranged in the word line direction and the bit line direction.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０５の上に順次形成された下部電極１０９、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及１１２び上部電極１１３を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus having a highly convenient output function that can form an image obtained by laying out image data in an image file and information embedded in the image file according to a structure of form data stored in a memory section during the direct printing by connection with an image supply device.例文帳に追加

画像供給装置との接続によるダイレクトプリント時において、予め記憶部に記憶されている帳票データの構成に従って画像ファイル内の画像データと画像ファイルに埋め込まれた情報とをそれぞれ配置した画像を生成することができる利便性の高い出力機能を持った画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The MRAM device is provided with electrodes (first electrodes) TA1, TA2 of memory cell access transistors on a substrate 51, magnetic tunnel junction elements 86a, 86b electrically connected to the first electrodes TA1, TA2, and a bit line (a second electrode) 91 electrically connected to the first electrodes TA1, TA2 through the magnetic tunnel junction elements 86a, 86b.例文帳に追加

前記ＭＲＡＭ装置は、基板５１上のメモリセルアクセストランジスタの電極（第１電極）ＴＡ１，ＴＡ２、該第１電極ＴＡ１，ＴＡ２に電気的に連結された磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂおよび該磁気トンネル接合要素８６ａ、８６ｂを通じて第１電極ＴＡ１，ＴＡ２に電気的に連結されたビットライン（第２電極）９１を備える。 - 特許庁

The current pattern data of a power supply body 10 controlled based on a signal which a current pattern generator 1 receiving the input of a signal from a current pattern control device 20 outputs is created as reference data stored in a reference data memory unit 5 and a predetermined constant stored in a constant register 4 are read and multiplied with each other.例文帳に追加

電流パターン制御装置２０からの信号を入力する電流パターン発生器１の出力する信号を基に、制御される電源本体１０の電流パターンデータが、基準データメモリ部５に格納されている基準データと、定数レジスタ４に格納されている所定の定数が読み出され乗算されることによって作成される。 - 特許庁

Further, the semiconductor storage device includes a memory control section, which includes a control section which instructs to form one symbol, which is data held in said storage cell controlled by the same said cell peripheral circuit and a unit for creating an error correction code and an encoding section that creates an error correction code for the symbol formed based on an instruction from said control section.例文帳に追加

さらに、同一の前記セル周辺回路により制御される前記記憶セルに保持されるデータで、誤り訂正符号を生成する単位である１シンボルを形成するよう指示する制御部と、前記制御部の指示に基づいて形成したシンボルに対する誤り訂正符号を生成する符号化部と、を備えるメモリ制御部、を備える。 - 特許庁

Accordingly, even the conventional or general-purpose personal computers 61,..., 6n or 6x each generally having an only low-capacity memory and only a low-speed CPU compared to the display device 3D/WS 5 can display the three-dimensional image and allows its observation when installing the recording medium M in recording/reading devices 61a,..., 6na or 6xa.例文帳に追加

したがって、上記３Ｄ・ＷＳ５に比べて一般に低速のＣＰＵ及び低容量のメモリしか有さない通常ないし汎用のパソコン６１、…、６ｎ又は６ｘにおいても、その記録・読出装置６１ａ、…、６ｎａ又は６ｘａに、前記記録媒体Ｍを装着することによれば、三次元画像の表示ないし観察を実施することができる。 - 特許庁

When abnormal behavior, such as slipping of a vehicle, is detected and corresponding control action is performed, a control device 5 acquires the vehicle control state at that point in time as correction data, also acquires the road condition data and the weather information, and stores a driving point at the time of the operation in an external memory 11 as a driving point with care.例文帳に追加

制御装置５は、車両のスリップなどの異常挙動が検出されて対応制御動作を行なうと、その時点での車両制御状況を補正データとして取得し、さらに、道路状況データ及び天候情報を取得し、当該動作時点での走行地点を走行注意地点として外部メモリ１１に記憶する。 - 特許庁

In a driving method for a semiconductor device in which writing with multiple values is performed, a signal line for controlling on/off of a writing transistor for writing is disposed along a bit line in a memory cell including a transistor including an oxide semiconductor layer, and the voltage applied to a capacitor at the readout operation is also utilized at the writing, thereby performing writing with multiple values.例文帳に追加

多値書き込みを行う半導体装置の駆動方法において、酸化物半導体層を含むトランジスタを用いたメモリセルに、書き込みを行う書き込みトランジスタのオンオフを制御する信号線を、ビット線に沿うように配置し、読み出し動作時に容量素子に与える電圧を書き込み時にも利用して、多値書き込みを行う。 - 特許庁

The non-volatile memory device containing a resistance-varying material comprises a lower electrode, a first oxide layer formed of an oxide having a variable oxidation state on the lower electrode, a second oxide layer formed on the first oxide layer, and an upper electrode formed on the second oxide layer.例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子において、下部電極と、下部電極上に酸化状態の変化可能な酸化物から形成された形成された第１酸化層と、第１酸化層上に形成された第２酸化層と、第２酸化層上に形成された上部電極と、を備える二つの酸化層を利用した不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と；前記半導体基板の表面付近に形成されたソース／ドレイン拡散層と；前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と；前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

An installation defect detection unit 242 of the observation device 200 is configured to compare a reinstallation focus position, which shows a focal axis position obtained when being focused on the object to be observed after reinstalling the container on the XY stage, with the appropriate focus position stored in the memory 243, and thereby detect the installation defect of the container in the optical axis direction.例文帳に追加

観察装置２００の設置不備検出部２４２が、容器がＸＹステージに再設置された後に観察対象物に焦点が合ったときのフォーカス軸位置を示す再設置合焦位置を、メモリ２４３に記憶されている適正合焦位置と比較することによって、光軸方向における容器の設置不備を検出する。 - 特許庁

A display device has: a memory for storing a reference version and image data of setting screens, for setting functions, of two or more versions older than the reference version; an input section for receiving setting input; a display section for displaying the setting screen on the basis of image data; and a switching key for switching the version of the setting screen to be displayed.例文帳に追加

表示装置は、基準バージョンと、基準バージョンよりも古い２つ以上のバージョンで、機能を設定するための設定画面の画像データを記憶するメモリと、設定入力を受け付けるための入力部と、画像データに基づいて設定画面を表示する表示部と、表示する設定画面のバージョンの切替を行うための切替キーと、を有する。 - 特許庁

To provide a latency control circuit in which an input signal can be transferred to a target circuit at the exact time, especially, a signal input in a chip always at the exact time can be transferred to the target circuit even if a state in the chip is changed by variation of PVT or the like, a semiconductor memory device including the same, and a method for controlling latency.例文帳に追加

正確な時間に入力信号を目標回路まで伝達でき、特に、ＰＶＴの変動などによってチップ内の状況が変化しても常に正確な時間にチップ内に入力された信号を目標回路に伝達できるレイテンシ調節回路、これを備えた半導体メモリ装置、およびレイテンシ調節方法を提供すること。 - 特許庁

A control part 18 reads the fixed time Tm+k and the setup value Gm+k+1 stored in the memory 17, and sets the setup value Gm+k+1 to the optical functional device 15 after the lapse of the fixed time Tm+k after the reception of the optical signals transmitted from the m+kth ONU 12 is started in an up signal receiving unit 16.例文帳に追加

制御部１８は、記憶部１７に記憶された一定時間Ｔｍ＋ｋ及び設定値Ｇｍ＋ｋ＋１を読み込み、第ｍ＋ｋ番目のＯＮＵ１２から送信された光信号を上り信号受信部１６で受信し始めてから一定時間Ｔｍ＋ｋの経過後に、設定値Ｇｍ＋ｋ＋１を光機能デバイス１５に設定する。 - 特許庁

The memory device 120 stores refueling information database memorized as fuel supply information by correlating the refueling information such as an oil type, an amount of refueling, a money amount of refueling, the date and time, and card data supplied whenever fuel supply to a vehicle T through a nozzle 52 of a fuel supply machine 50 is carried out.例文帳に追加

記憶装置１２０は、燃料供給機５０のノズル５２から車両Ｔへの燃料供給が行なわれる度に供給された油種、給油量、給油金額、日時、カードデータなどの給油情報と燃料供給が行なわれた時刻とを対応付けて燃料供給情報として記憶する給油情報データベースを格納している。 - 特許庁