「PASSIVATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

A loophole pattern 1071 is formed on the shield electrode 107 formed under the sealing material 20, thereby the deterioration in the adhesive strength between the shield electrode 107 and each of an inorganic passivation film 106 for sandwiching the shield electrode and an upper insulating film 109 can be prevented.例文帳に追加

また、シール材２０の下に形成されたシールド電極１０７には抜きパターン１０７１が形成されているので、シールド電極１０７と、それをサンドイッチする無機パッシベーション膜１０６および上部絶縁膜１０９との間の接着強度の低下を防止することが出来る。 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit 12 comprising an electrode 14, a member 16 formed integrally on the surface where the electrode 14 is formed in the region on the outside of the electrode 14 to surround all electrodes 14, and a passivation film 18 is formed.例文帳に追加

半導体装置は、電極１４と、電極１４が形成された面の電極１４よりも外側の領域にすべての電極１４を囲むように一体的に形成された囲繞部材１６と、パッシベーション膜１８とを有する、集積回路１２が形成された半導体基板１０を有する。 - 特許庁

The etching liquid 15 passivates the surface of the layer 10 and contains a passivation material which serves as a material that prevents the layer 10 from being etched by an etchant or an etching material prior to the irradiation of the layer 10 with light rays.例文帳に追加

チタン酸ストロンチウム層が酸とHFとを含む被不動態化エッチング液に浸漬され、集束光がエッチングされる部分のチタン酸ストロンチウム層の表面に当てられ、被不動態化面のパッシベーションを打ち消して、視準光を受ける表面においてのみチタン酸ストロンチウム層をエッチングする。 - 特許庁

To provide a radiation detection panel preventing precisely generation of a crack or the like in a wire or a passivation layer provided on an element substrate, and also to provide a radiation image detector, a method for manufacturing the radiation detection panel, and a method for manufacturing the radiation image detector.例文帳に追加

素子基板に備えられた配線やパッシベーション層に割れ等が生じることを的確に防止することが可能な放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法を提供する。 - 特許庁

A first etching stopper electrode 20P connected to a drain electrode 16D, and a common electrode 20 connected to a drawing line 16C are formed through a passivation film 17 which covers a pixel transistor TR, and contact holes H8 and H9 formed on a planarized film 18.例文帳に追加

画素トランジスタＴＲを覆うパッシベーション膜１７及び平坦化膜１８に形成されたコンタクホールＨ８，Ｈ９を通して、ドレイン電極１６Ｄに接続する第１のエッチングストッパー電極２０Ｐと、引き出し線１６Ｃに接続する共通電極２０を形成する。 - 特許庁

To provide an organic EL display capable of preventing the occurrence of display defects caused by diffusion of residual gas and moisture to an organic EL layer, because coverage failure of a passivation layer is improved by reducing protrusions on the surface of an overcoat layer, and also provide its manufacturing method.例文帳に追加

オーバーコート層の表面上の突起などを低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機ＥＬ層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A charge transfer device is provided with a semiconductor substrate 14, a gate insulating film 11 made on the semiconductor substrate 14, a plurality of gate electrodes 12 formed apart on the gate insulating film 11, a sidewall 15, and a passivation insulating film 16 formed to cover the gate electrode 12.例文帳に追加

半導体基板１４と、半導体基板１４上に形成されたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１上に分離して形成された複数のゲート電極１２と、サイドウォール１５と、ゲート電極１２を覆うように形成されたパシベーション絶縁膜１６とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mesa type semiconductor device, solving the problem wherein cracks are easily formed from an interface between a semiconductor substrate and a passivation film, at a higher level than in a conventional method, the method for manufacturing a highly reliable mesa type semiconductor device.例文帳に追加

半導体基体とパッシベーション層との界面からクラックが入り易いという問題を従来よりも高いレベルで解決することが可能で、かつ、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することが可能なメサ型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An embodiment of the present invention provides a solar cell module including: a solar cell including an electrode pattern on at least one surface; and a parylene coating layer forming a light-transmitting passivation film on at least a front surface of the solar cell.例文帳に追加

本発明の一実施形態によると、少なくとも一面に電極パターンが形成された太陽電池セルと、太陽電池セルの少なくとも前面上に光透過性パッシベーション膜を形成するパリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）コーティング層と、を含んでなる太陽電池モジュールが提案される。 - 特許庁

A silver-containing solderable contact on a semiconductor die has an outside edge spaced out from the opposite edge of an epoxy passivation layer, due to this fact, there exists no silver ion after soldering, and therefore, there will be no free migration of silver under the epoxy layer to form resinous crystallization.例文帳に追加

半導体ダイ上の銀含有はんだ付け可能コンタクトは、エポキシパッシベーション層の対面エッジから離隔された外側エッジを有し、これによって、はんだ付け後いに、銀イオンが存在せず、そのため、エポキシ層の下で自由にマイグレーションして樹脂状結晶を形成することがない。 - 特許庁

It is made possible to gradually etch the feature of the high aspect ratio such that it is adapted to a depth desired for both high and low feature density regions on a substrate and the limit size of a vertical profile without generating a defect and/or the overetching of a lower layer using the flat and uniform passivation layer.例文帳に追加

平坦で均一なパッシベーション層により、欠陥及び／又は下層のオーバーエッチングを起こすことなく、高アスペクト比のフィーチャを、基板上の高及び低フィーチャ密度領域の双方に所望の深さ及び垂直プロファイルの限界寸法に適した形で徐々にエッチングすることが可能となる。 - 特許庁

After a passivation film 13, a protection film 14, wiring 15, a columnar electrode 16, and an encapsulation layer 17 are formed on a top face of a semiconductor wafer 21, a guide layer 19 provided with an opening 19h on which a top face of the columnar electrode 16 is exposed is formed on a top face of the encapsulation layer 17.例文帳に追加

半導体ウエハ２１の上面にパッシベーション膜１３、保護膜１４、配線１５、柱状電極１６及び封止層１７を形成した後、封止層１７上面に、柱状電極１６の上面が露出する開口部１９ｈが設けられたガイド層１９を形成する。 - 特許庁

The film thickness of the stacked-layer film is larger than film thickness of each of a photosensitive polyimide resin film 11 formed on the lower layers of the Cu wiring 10 and the bump-land 10A, an inorganic passivation film 26, a third Al wiring 25, the bump-pad BP, and a second inter-layer insulating film 24.例文帳に追加

この積層膜の膜厚は、Ｃｕ配線１０およびバンプ・ランド１０Ａの下層に形成された感光性ポリイミド樹脂膜１１の膜厚、無機パッシベーション膜２６の膜厚、第３層Ａｌ配線２５およびボンディングパッドＢＰの膜厚、第２層間絶縁膜２４の膜厚に比べて厚い。 - 特許庁

To provide a process for electrolytic refining of copper where, in an anode comprising a noble metal(s) and Sn at high concentrations, a passivation phenomenon is prevented, and the formation of floating slime to an electrolytic solution is suppressed, thus high purity electrolytic copper is produced, and further, copper sediment with a high noble metal grade is obtained.例文帳に追加

銅電解精製において、貴金属及びＳｎを高濃度に含有したアノードにおいて、不働態化現象を防止し、電解液への浮遊スライムの形成を抑制して、高純度な電気銅を製造するとともに、高貴金属品位の銅殿物を得る方法を提供する。 - 特許庁

Lower side conductive layers M1 and M2 in the area on the lower side of a passivation opening 314 (the place where a probe chip and a bond wire are arranged) as well as an upper part conductive layer M3 are formed of homogeneous material with no via, to decrease stress concentration points in an internal layer dielectric body 302.例文帳に追加

パッシベーション開口３１４の下側の区域（プローブチップ及びボンドワイヤが配置される場所）における下側導電層Ｍ１、Ｍ２、及び上部導電層Ｍ３をビアなしの均質な物質とし、それにより内部層誘電体３０２における応力集中点を減少させる。 - 特許庁

After the defect has been relieved by having the fuse irradiated with a laser beam, an organic passiation film (photosensitive polyimide resin film) 5 is filled inside a fuse opening hole part 11 and thereafter, the re-wiring 2, a bump land 2A, a top layer protective film 12 and a solder bump 14 are formed on the upper part of the organic passivation film 5.例文帳に追加

ヒューズにレーザビームを照射して欠陥救済を行った後、ヒューズ開孔部１１の内部に有機パッシベーション膜（感光性ポリイミド樹脂膜）５を充填し、その後、有機パッシベーション膜５の上部に再配線２、バンプランド２Ａ、最上層保護膜１２、半田バンプ１４を形成する。 - 特許庁

A passivation layer 10 having a gas barrier property and formed of an inorganic material is so composed as to function as both contact holes 100 for electrically connecting first bus electrodes 20 to transparent conductive films 50, and an insulation film for electrically insulating the first bus electrodes 20 from the second bus electrode 20.例文帳に追加

ガスバリア性を有し無機材料からなるパッシベーション層１０を、第１バス電極２０を透明導電膜５０と電気的に接続するためのコンタクトホール１００と、第１バス電極２０を第２バス電極２０と電気的に絶縁するための絶縁膜とを兼ねて構成した。 - 特許庁

Furthermore, though, after the Ni plating treatment, Cu plating is applied on the Ni plating, the Ni plating treatment has been executed as the pretreatment (passivation suppressing plating treatment), by which the formation of a passive state on the wire rod is prevented or suppressed, so that sufficient Cu plating adhesion can be obtd.例文帳に追加

さらに、Ｎｉメッキ処理後にはＣｕメッキがＮｉメッキの上から施されるが、上記Ｎｉメッキ処理が前処理（不働態化抑制メッキ処理）として行われているため、線材Ｗへの不働態形成が防止ないし抑制されており、十分なＣｕメッキ密着性が得られるものとなっている。 - 特許庁

To realize a more efficient solar cell by contriving a forming state of silicon nitride film formed as a rear-surface passivation film, by taking into consideration the interference between reflecting light at a rear-surface metallic electrode layer surface and reflecting light at a boundary of silicon single-crystal substrate/silicon nitride film.例文帳に追加

裏面パッシベーション膜として形成する窒化シリコン膜の形成形態を、裏面金属電極層表面での反射光とシリコン単結晶基板／窒化シリコン膜境界での反射光との干渉を考慮に入れて工夫することにより、より高効率の太陽電池を具現する。 - 特許庁

The pool formation material such as bottom plate 10 with a welding section W2 or the like is made of an austenite stainless steel, the welding section W2 of a site coming into contact with pool water is made to carry out polishing treatment with electrolytic polishine or the like and, a passivation film is formed to make the whole pool as an unpainted state.例文帳に追加

溶接部Ｗ２を伴う底板１０等プール形成材をオーステナイト系ステンレス鋼製とし、プール水と接触する部位の溶接部Ｗ２は、電解研摩等により研摩処理すると共に不動態化皮膜を形成し、プール全体を無塗装としている。 - 特許庁

A fourth insulating film 22 is flattened and provided below a filter 23 of each color, and between the filter 23 and fourth insulating film 22, neither an antireflective SiON film nor a plasma SiN film 25 for passivation and hydrogen sintering is left and provided, as is the conventional case.例文帳に追加

各色のフィルタ２３の直下に第４絶縁膜２２が平坦化されて設けられており、フィルタ２３と第４絶縁膜２２との間に、従来のような反射防止用のＳｉＯＮ膜や、パッシベーションおよび水素シンター用のプラズマＳｉＮ膜２５を残さず設けていない。 - 特許庁

The electronic device has advantages that a water-soluble organic compound can be used as the conductive layer, the conductive layer can be formed by a wet process, a biodegradable material can be used for the substrate, etc. by protecting the top and bottom of the conductive layer by the passivation layer.例文帳に追加

本発明の電子デバイスは、このように導電性層の上下をパッシベーション層により保護することで、導電性層に水溶性有機化合物を使用できる、導電性層をウェットプロセスで形成できる、基板に生分解性材料を使用できる、等の利点を有する。 - 特許庁

To provide a fabrication method for a top emission type organic EL device, which endows the top emission type organic EL device with high heat dissipation from a substrate, does not cause deterioration of an organic EL layer, can form an ITO layer as a second electrode and continuously a passivation layer on it, and can form an insulator layer on a substrate surface.例文帳に追加

トップエミッション型有機ＥＬ素子の、基板からの放熱性が高く、有機ＥＬ層の変質を招かないで第２電極であるＩＴＯ膜とその上の保護膜を連続して形成でき、基板表面の絶縁層を経済的に形成できる製法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating film having a liquid form and capable of easily forming a thin film by handling and solution application, and usable for a passivation film, a gate insulating film or the like of an electronic component requiring a high insulation property in a low baking temperature condition, for instance, a thin-film transistor.例文帳に追加

液状でハンドリングおよび溶液塗布により容易に薄膜形成でき、かつ、低温ベイク温度条件で高い絶縁性が要求される電子部品、例えば薄膜トランジスタのパッシベーション膜、ゲート絶縁膜などに用いることができる絶縁膜を提供すること。 - 特許庁

To suppress the occurrence of a bonding peel-off defect caused by the reason that components such as C and F in etching gas such as CF_4 and CHF_3 to be used in an etching process for forming the aperture of a passivation film consisting of a silicon nitride film is left on the Al surface of a bonding pad.例文帳に追加

本発明は、シリコン窒化膜から成るパッシベーション膜に開口部を形成するためのエッチング工程において用いられる、例えばＣＦ_４やＣＨＦ_３等のエッチングガス内のＣやＦの成分などがボンディングパッドのＡｌ表面に残ることに起因するボンディング剥がれ不良を抑止する。 - 特許庁

A first and a second magnetic shielding layers 60a, 60b are respectively formed beneath a transistor part 20 on the device-packaging side of an MRAM device 10 and on a bit line 50 of the opposite side of the device-packaging side, and a passivation film 70 is formed on the second magnetic shield layer 60b.例文帳に追加

ＭＲＡＭ素子１０の素子実装面側のトランジスタ部２０下面および素子実装面側と反対側のビット線５０上面に、軟磁性金属を用いて第１，第２の磁気シールド層６０ａ，６０ｂをそれぞれ形成し、第２の磁気シールド層６０ｂ上にはパシベーション膜７０を形成する。 - 特許庁

To provide a micro machining type pressure sensor of a form in which the front side of a substrate is disposed opposite a medium and a sensor diaphragm provided with a sensor region is disposed on the front side, wherein an electrical contacting part is not exposed to the medium without using passivation gel.例文帳に追加

マイクロマシニング型の圧力センサであって、基板の表側が、媒体に面しており、センサ領域を備えたセンサダイヤフラムが、表側に配置された形式のものに関して、パッシベーションゲルを使用することなしに、電気的なコンタクティング部が媒体にさらされないようにする。 - 特許庁

A passivation film is formed on the single crystal semiconductor strip, thereafter the dummy substrate is divided to form the single-crystal semiconductor strip, the single-crystal semiconductor strip is bonded to a support substrate using an adhesive agent, and then the single-crystal semiconductor strip is separated from the dummy substrate at the isolation layer as a boundary.例文帳に追加

単結晶半導体片上に保護膜を形成した後、ダミー基板を分断して単結晶半導体片を形成し、接着剤を用いて支持基板に単結晶半導体片を接着し、分離層を境としてダミー基板より単結晶半導体片を分離する。 - 特許庁

This is a method used to deposit a passivation layer of a first material on the interior surface of a cold wall reactor or a warm wall reactor, in which the first material inside is nonreactive with one or a plurality kinds of precursors used to form a second material.例文帳に追加

中にある第１の物質が、第２の物質を形成するために用いる１種または複数種の前駆物質との反応性を持たないコールド・ウォール反応器またはウォーム・ウォール反応器の反応器内面上に第１の材料のパッシベーション層を堆積させる方法。 - 特許庁

A passivation film 14 formed between a pixel electrode formed in each of a plurality of pixel areas and a TFT 2 driving the pixel electrode has a laminated structure of an SiN layers 14a and 14b and an SiO layer 14c, and includes the SiO layer 14c as its top layer.例文帳に追加

複数の画素領域にそれぞれ形成された画素電極とその画素電極を駆動するＴＦＴ２との間に形成されるパッシベーション膜１４を、ＳｉＮ層１４ａ，１４ｂ、ＳｉＯ層１４ｃの積層構造とし、その最上層をＳｉＯ層１４ｃとする。 - 特許庁

A passivation film 8 used as a hydrogen supply source is set to have different residual hydrogen quantities on a pixel portion 11A and a peripheral circuit part 11B (since etching removal of either film thickness and/or film quality or film quality is carried out after film formation, it is constant on the pixel portion 11A and the peripheral circuit part 11B).例文帳に追加

水素供給源となるパッシベーション膜８が、画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで異なる残留水素量に設定（膜厚および／または膜質、膜質は成膜してからエッチング除去するので画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで一定）されている。 - 特許庁

This is the negative collector for the secondary battery wherein a passivation coating film composed of copper oxide containing Zn oxide is formed on the surface of Cu alloy foil composed of Zn of more than 5 wt.% and 40 wt.% or less, and the rest part comprising Cu and 0.01 wt.% or less of inevitable impurities.例文帳に追加

Ｚｎ：５質量％を超え４０質量％以下、残部がＣｕと０.０１質量％以下の不可避的不純物から成るＣｕ合金の箔の表面に、Ｚｎ酸化物を含むＣｕ酸化物から成る不動態被膜が形成されている二次電池用負極集電体。 - 特許庁

To provide a high current density electrolysis method by which the generation of the passivation of an anode, the deposition of slime onto the surface of a cathode, the formation of knobs (granular copper) and wrinkly ruggedness on the surface of the cathode are eliminated, and moreover, the production increase of copper high in purity is made possible without increasing electrolytic cells.例文帳に追加

アノードの不動態化の発生、カソード表面へのスライムの付着、カソード表面でのこぶ（粒銅）やしわ状の凹凸の生成がなく、しかも純度の高い銅の増産が電解槽の増設なしで可能となる銅の高電流密度電解法を提供する。 - 特許庁

On the upper surface of a passivation film 3 of silicon oxide, or the like, which is provided on the upper surface of a silicon substrate 1 excepting the peripheral part thereof, first and second insulating films 5 and 9 and first and second interconnections 8 and 12 formed of the low dielectric constant material such as BCB and the like are laminated alternately.例文帳に追加

シリコン基板１の上面に設けられた酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３の上面の周辺部を除く領域にはＢＣＢ等の低誘電率材料からなる第１、第２の絶縁膜５、９と第１、第２の配線８、１２とが交互に積層されて設けられている。 - 特許庁

A seal material 20 covers the columnar spacer 205 and the organic passivation film 108 and, on the TFT substrate 100 side, is brought into contact with an inorganic film 107 formed on the TFT substrate 100, thereby, improving adhesive force of the seal material 20 so as to secure the reliability of the seal part.例文帳に追加

シール材２０は柱状スペーサ２０５と有機パッシベーション膜１０８を覆うとともに、ＴＦＴ基板１００側においては、ＴＦＴ基板１００に形成された無機膜１０７と接することによって、シール材２０の接着力を向上させて、シール部の信頼性を確保する。 - 特許庁

To provide a method capable of evenly and surely forming a passive film while suppressing excessive metal corrosion of a crystal grain surface, and selectively breaking and metal-corroding a passive film in a grain boundary part without stopping or holding sweep at a re-passivation minimum potential.例文帳に追加

結晶粒表面の過剰な金属腐食を抑えて、不動態皮膜をムラなく確実に形成でき、また、再不動態化最小電位にて掃引の停止・保持をすることなく、粒界部の不動態皮膜を選択的に破壊して金属腐食させ得る方法を提供する。 - 特許庁

To form a passivation layer made of an organic insulating material, thereby to minimize a parasitic capacity generated due to overlapping of a pixel electrode on a gate line and a data line, to smoothly carry out a repair process when disconnection defect occurs, and to improve the production yield of the final product.例文帳に追加

画素電極がゲート配線及びデータ配線と重なることによって発生する寄生容量を最小化するために有機絶縁物質で構成された保護層を形成すると共に、断線不良発生時の修理工程を円滑に進行させ、最終製品の生産収率を向上させる。 - 特許庁

The lamp control driving part 30 receives these signals (LP, HP), and outputs a first driving signal (PUL1) by selecting the high frequency oscillation signals (HP) and converting them into the rectangular signals in the passivation zone of low frequency rectangular signals (LP), and a second driving signal (PUL2) into which the first driving signal (PUL1) is reversed.例文帳に追加

ランプ駆動制御部３０は、これら信号(LP，HP)を受信し、低周波矩形信号(LP)の不活性化区間にて、高周波発振信号(HP)を選択して矩形波信号に変換させた第１駆動信号(PUL1)と、第１駆動信号(PUL1)を反転させた第２駆動信号(PUL2)とを出力する。 - 特許庁

This sensor for surface shape recognition is equipped with an earth 106 having an exposure part formed in a lattice shape on a passivation film surface on an inter-layer insulating film 104 formed on a lower-layer insulating film 102 on a semiconductor substrate 101, and a sensor electrode 105 of, for example, 80 μm square are arranged at the center parts of a square.例文帳に追加

半導体基板１０１上の下層絶縁膜１０２上に形成された層間絶縁膜１０４上に、パシベーション膜表面において露出部が格子状に形成されたアース１０６を備え、マスの中央部にたとえば８０μｍ角のセンサ電極１０５が配置される。 - 特許庁

The slurry compositions include one or more non-ionic polymeric surfactants that will selectively form a passivation layer on an exposed polysilicon surface in order to suppress the polysilicon removal rate relative to silicon oxide and silicon nitride and improve the planarity of the polished substrate.例文帳に追加

シリコン酸化物及びシリコン窒化物に対してポリシリコン除去速度を低め、研磨された表面の平坦度を改善するために露出されたポリシリコン表面上にパッシベーション層を選択的に形成できる一つまたはそれ以上の非イオン性ポリマー界面活性剤を含むスラリー組成物。 - 特許庁

To provide a method for removing effectively in site heavy metals from heavy metal-contaminated soil and/or underground water by preventing hydroxide precipitation or passivation of the heavy metals without exposing a contaminated area to an extreme acidity.例文帳に追加

重金属汚染土壌及び／又は地下水から、現場で重金属類を除去する方法において、汚染領域を極端な酸性に曝すことなく、かつ重金属類の水酸化物形成による沈殿や不動態化をも防止して、効果的にこれら汚染源を除去する方法を提供すること。 - 特許庁

To solve the problem, dry etching using mixed gas with the combination containing gas with chloride gas and nitrogen as etching gas and that not containing hydrogen oxygen is performed, and then nitride film passivation processing is performed after direct surface processing or that with a nitrogen gas plasma.例文帳に追加

上記課題を解決するため，エッチングガスとして塩素系ガスと窒素を含有するガスで且つ水素および酸素を含有しない組み合わせの混合ガスを用いたドライエッチングを行い，直接もしくは窒素ガスプラズマによる表面処理後，窒化膜パッシベーション処理を行う。 - 特許庁

A material activated by the plasma discharge generated under the aforementioned pressure condition penetrates efficiently into the gap between the substrate 1 and the flip chip 11, and enhances wettability by favorably modifying the surface of the resist on the substrate 1 and of the passivation film of the flip chip 11 by the action of the activated material.例文帳に追加

上記圧力条件下で生じたプラズマ放電による活性物質は基板１とフリップチップ１１の間の隙間に効率よく進入し、基板１のレジストやフリップチップ１１の保護膜の表面を活性物質の作用により良好に改質して濡れ性を向上させる。 - 特許庁

A passivation film 3 with an opening K where an Al electrode 1 being formed via an interlayer insulation layer 2 is partially exposed is formed on a wafer, and a wiring layer 7 that is connected to the Al electrode being exposed from the opening K and is exposed onto the wafer is formed.例文帳に追加

層間絶縁層２を介して形成されたＡｌ電極１の一部を露出する開口部Ｋを有したパッシベーション膜３をウエハ上に形成し、前記開口部Ｋから露出する前記Ａｌ電極１と接続され、ウエハ上面に延在する配線層７を形成する。 - 特許庁

In this liquid crystal display device, first and second data lines 22, 24 for applying pixel voltages whose polarities are different with each other to first and second pixel electrodes 21, 23 via first and second TFT(thin film transistors) 29, 30 are formed so a to be piled up with a passivation film 35.例文帳に追加

開示される液晶表示装置は、第１及び第２のＴＦＴ２９、３０を介して互いに極性の異なる画素電圧を第１及び第２の画素電極２１、２３に印加する第１及び第２のデータ線２２、２４は、パッシベーション膜２５を介して重畳されるように形成されている。 - 特許庁