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Shallowを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2217



例文

The first conduction type region 111, the second conduction type shallow well region 104 are electrically connected via the second conduction type region 112 and the high melting point silicide film 113.例文帳に追加

第1導電型領域111と第2導電型の浅いウェル領域104とを、第2導電型領域112及び高融点シリサイド膜113を介して電気的に接続する。 - 特許庁

To provide an ultrasonic diagnostic apparatus improving the real-time property of the image display by a simple structure and obtaining a clear tomographic image from a shallow region to a deep region.例文帳に追加

簡単な構成で、画像表示のリアルタイム性を向上させるとともに、浅部から深部まで鮮明な断層像が得られるようにすることができる超音波診断装置を提供する。 - 特許庁

In the case of a shallow-bottomed (frying-pan shaped) separated container, for example, a hamburg steak and sauce may be cooked simultaneously and separately, and the cooking container of the sauce may be separated for pouring when serving the dish.例文帳に追加

当該分離容器を浅底(フライパン状)にした場合、例えば、ハンバーグとソースを同時且つ別々に調理し、盛付けの際にソースの調理容器だけを分離し、注ぐことができる。 - 特許庁

In this state, a heat treatment is performed, whereby phosphorus is diffused extending over from the parts 7 to the parts of the surface of the substrate 1 and a shallow junction of source and drain diffused regions 5 are formed.例文帳に追加

この状態で、熱処理を行うことにより、ライズドソース・ドレイン部7から基板1の表面にリンを拡散させ、浅い接合のソース・ドレイン拡散領域5を形成する。 - 特許庁

例文

To provide a field-effect transistor in which a source resistance is reduced in the field-effect transistor using a nitride-based semiconductor of shallow threshold voltage, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

浅いしきい値電圧のナイトライド系半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ソース抵抗が低減された電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁


例文

The trench 12 filled with the insulating material 14 forms a shallow trench element isolated structure, and the trench 12 is caused to electrically element-isolate the respective element forming regions 11a, 11b.例文帳に追加

そして、絶縁材14が充填されたトレンチ12はシャロートレンチ素子分離構造を形成し、そのトレンチ12により各素子形成領域11a,11bは電気的に素子分離される。 - 特許庁

To prevent the generation of a large shearing force at a ball-guiding recess groove part which occurs because a ball-locking ring exerted with an axial force from a ball is mounted in a relatively shallow annular groove.例文帳に追加

ボールからの軸方向力が作用するボール抜止め用止め輪は、比較的浅い環状溝に装着されているため、ボール案内用の凹溝部分で大きな剪断力を生じる。 - 特許庁

In an oil pan 10, a deep bottom part 14 storing lubricating oil is disposed on one end side in a longitudinal direction of an engine, and a shallow bottom part 15 is disposed on the other end to be in the vicinity of a crankshaft 1.例文帳に追加

オイルパン10に、機関前後方向の一端側に潤滑油を貯留する深底部14を設けるとともに、他端側に浅底部15をクランクシャフト1に近接して設ける。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method for STI (shallow trench isolation) in which polishing speed in a convex part of a material to be polished is fast and slow in a recessed part, and a polishing face with high planarity is obtained.例文帳に追加

被研磨材の凸部分では研磨速度が高く、凹部分では研磨速度が低く、さらに、平坦性の高い研磨面とするためのSTI用化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

例文

A tank is embedded or prepared in the constant temperature area of the underground shallow part, and water is inputted as a heating medium, and the heating and cooling is performed by the heat accumulation during the season, to expand a width of a choice.例文帳に追加

また地下浅部の恒温地帯にタンクを埋設或いは造成し、水などを入れ、熱媒体とし、季節間蓄熱による冷暖房を行い、選択肢の巾を広げる。 - 特許庁

例文

The joint face between the lower end face 2a and the upper end face 3a is located on the side face of the toilet seat 1 and formed as the stripe-like region having a shallow groove shape to extend in the circumferential direction on the side face of the toilet seat 1.例文帳に追加

下端面2aと上端面3aとの合わせ面は、便座1の側面に位置し、浅溝状の筋状部となって便座1の側面を周方向に延在している。 - 特許庁

This inner wear is so designed that projecting parts 6 and recessed parts each having different knit structures are alternately knitted inside the inner wear and each of the recessed parts is alternately knitted into deep recessed parts 7 and shallow recessed parts 8.例文帳に追加

インナーウェアの内面部に編み組織の異なる凸部6と凹部が互い違いに編成されており、各凹部は交互に深い凹部7と浅い凹部8に編成されている構成とする。 - 特許庁

On the upper face of the floor panel 1, a shallow recess 11 for mounting a tile is arranged, while multiple connection holes 13 fitted around a projection 26 of the floor post 2 are arranged in the circumference of the lower face.例文帳に追加

床パネル1の上面には、タイル載置用の浅い窪み11があり、下面には、少なくとも周辺部に、束2の凸起26と嵌合する多数の結合穴13がある。 - 特許庁

For instance, a groove part 12 comprising a shallow first groove 12a and a deep second groove 12b is formed on the surface part of a p type silicon substrate, and a plurality of silicon columns 13 are provided.例文帳に追加

たとえば、p型シリコン基板11の表面部に、浅い第1の溝12aと深い第2の溝12bとからなる溝部12を形成し、複数のシリコン柱13を設ける。 - 特許庁

To artificially develop a constant temperature zone in a shallow part underground to make heat gain easier therefrom, whilein natural conditions, the constant temperature zones are 15-20 m deep or more underground.例文帳に追加

地中温度の恒温地帯は自然状態では地下15〜20メートル以深とされており、採熱地帯が深くなるという難点があるが、恒温地帯を地下浅部に人工的に造成する。 - 特許庁

To easily reinforce the ground at the bottom of the water and prevent a load from being imposed on the nature, when a reclaimed tideland and a reclaimed shallow place are created on the soft bottom of the water.例文帳に追加

軟弱な水底上に人工干潟及び浅場を造成する際に、水底地盤を容易に増強することができ、かつ自然に負荷を与えないようにすることである。 - 特許庁

The guard net 11 is formed in a shallow V-groove shape bent in a recessed shape toward the traveling cable 8 side in a plan view, and is fixedly supported to a guide rail 14 through guard net fixtures 12.例文帳に追加

保護網11は平面視にてテールコード8側に向かって凹状に屈曲した浅いV溝形状のもので、保護網固定具12を介してガイドレール14に固定支持させてある。 - 特許庁

Respective bottom wall surfaces of the plurality of recessed sections H_1-H_N are slantly formed so as to become shallow as the plurality of recessed sections H_1-H_5 keep away from the end face α_1 of the light guide plate P.例文帳に追加

複数の凹部H_1〜H_Nのそれぞれの底壁面は、複数の凹部H_1〜H_5が導光板Pの端面α_1から遠ざかるにつれて浅くなるように、傾斜して形成した。 - 特許庁

A shallow channel 5 is formed to level a bottom part and make it flat and the caisson 11 having many holes 20, etc. in a bottom board 15 is erected on the bottom 1 of the sea on which the impervious wall is constructed.例文帳に追加

遮水壁を構築する海底地盤1には、浅い溝5を設けて底部を平らに均し、その上に底版15に多数の孔20・・を設けたケーソン11を立設する。 - 特許庁

The second extension region 8b contains shallow-jujnction-formed impurities, and the junction depth of the second extension region 8b is shallower than that of the first extension region 8a.例文帳に追加

第2のエクステンション領域8bは浅接合化不純物を含んでおり、第2のエクステンション領域8bの接合深さは第1のエクステンション領域8aの接合深さよりも浅い。 - 特許庁

The yoke part has its tip part connected to be overlapped on the magnetic pole part from the rear of a FEAB shallow groove depth from the opposing medium surface, and is extended from there into a coil and a coil insulating layer.例文帳に追加

ヨーク部は、その先端部を媒体対向面からFEAB浅溝深さ後ろから磁極部の上に重なって接続されていて、そこからコイル、コイル絶縁層の上に延びている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device employing STI(shallow trench isolation) method so that no void is left even in a trench of micro width having a high aspect ratio and no damage is left on a silicon substrate.例文帳に追加

微少幅で且つアスペクト比が高い溝にも、ボイドが残存することなく且つシリコン基板にダメージが残らないように、STI分離法を採用する半導体装置を製造する。 - 特許庁

An isolation trench 19, formed between data areas, and a shallow concave pit 23, for recording control information, are formed in a resist layer 63 on the disk substrate by pressing force by a stamper 37.例文帳に追加

データエリア間に形成する分離溝19とコントロール情報を記録する浅い凹状ピット23とを、スタンパ37の押圧によってディスク基板上のレジスト層63に形成する。 - 特許庁

In addition, as the shallow and gentle uneven shape that does not disturb reproducibility of the hologram image, it is preferable that the height difference is 10-40 μm and the pitch is 0.1-0.5 mm.例文帳に追加

そして、ホログラム画像の再現性を妨げない程度の浅く緩やかな凹凸形状としては、高低差が10〜40μm、ピッチが0.1〜0.5mmであることが好ましい。 - 特許庁

When the wear ring 20 is mounted on a third annular groove 46 of the piston 16, the body 56 is inserted into a shallow groove 52 while the wall 58 is inserted into a deep groove 54.例文帳に追加

そして、ウェアリング20が、ピストン16の第3環状溝46に装着された際、その本体部56が浅溝部52に挿入され壁部58が深溝部54に挿入される。 - 特許庁

To provide an acoustic transponder capable of accurately performing positioning without receiving the influence of tide and for a positioning device suitable for shallow sea in particular.例文帳に追加

本発明は、潮汐の影響を受けることなく、精度良く測位を行うことができ、特に、浅海の測位に適した測位装置のための音響トランスポンダを提供することを目的とする。 - 特許庁

Consequently, a high- refractive-index material is usable as the base material 142, the gradting depth of the diffraction grating 3 can be made shallow, and light of wavelength λ1 can be prevented from having light quantity loss.例文帳に追加

このことにより、基材142を高屈折率材料とすることができ、回折格子3の格子深さを浅くすることができ、波長λ1の光の光量損失を防止できる。 - 特許庁

The trench T has a shallow trench 30a having width L1, a deep trench 40 having width L2 (L2<L1), and an intermediate trench 30b having width changing from the width L1 to the width L2.例文帳に追加

トレンチTが、幅L1の浅部トレンチ30aと、幅L2(ただし、L2<L1)の深部トレンチ40と、幅L1から幅L2に徐々に変化している中間トレンチ30bを備えている。 - 特許庁

The deep groove comb portions 20a are formed on a central part of the comb portion 20 of a tongue portion 11, and the shallow groove comb portions 20b are formed at both sides of the deep groove comb portion 20a.例文帳に追加

舌部11の櫛状部20の中央部分には深溝櫛状部20aを設け、この深溝櫛状部20aの両側に浅溝櫛状部20bをそれぞれ設けている。 - 特許庁

To make feasible connecting a source region more reliably in a non- volatile semiconductor memory adopting an STI(shallow trench isolation) structure in the interelement isolation.例文帳に追加

本発明は、素子間分離にSTI構造を採用する不揮発性半導体記憶装置において、ソース領域をより確実に接続できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The dispersion of the threshold voltage in the depression-type lateral MOSFET decreases by that the depth of the pn junction becomes shallow and besides the concentration of the impurities at the surface of the P well becomes low.例文帳に追加

pn接合深さが浅くなり、かつPウェル5の表面の不純物濃度が低くなることで、デプレッション型ラテラルMOSFETにおけるしきい値電圧のばらつきが減少する。 - 特許庁

The synthesized image data is an image equivalent to a photographed image having a shallow depth of field such that only the specified object image is clearly photographed and the other portions are blurred.例文帳に追加

この合成画像データは、特定の被写体像だけがはっきり写り、その他の部分がボケているような、被写界深度を浅い状態で撮影された画像と同等の画像となる。 - 特許庁

A drain box 1 capable of definitely carry out drainage of underground water to a shallow swamp 15 and preventing water leakage is embedded in a drain box 1 in constructing the underground structure.例文帳に追加

本発明は、かま場15に地下水の排水及び漏水防止を確実に行うことができる排水ボックス1を埋設して地下構築物の施工を行うようにしたものである。 - 特許庁

In this method, the supplement process of oxide layers 255, 260 and the process for forming the sacrificial layer on the semiconductor substrate are applied, after the shallow trench is filled with the insulating layer 230.例文帳に追加

本方法において、シャロートレンチに絶縁層230を充填した後、酸化層255,260の補充工程と半導体基板上に犠牲層を形成する工程が適用される。 - 特許庁

To provide a method for producing a multi-voltage flash memory integrated circuit structure on a semiconductor substrate (16), having a plurality of shallow trench isolations (18) and a floating gate structure (22).例文帳に追加

複数のシャロートレンチアイソレーション(18)とフローティングゲート構造(22)とを有する半導体基板(16)の上に多電圧フラッシュメモリ集積回路構造を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

Thus, a reformed layer can be formed at arbitrary positions in the wafer W, for example, at the relatively shallow position Pa, a substantially intermediate position Pb and the relatively deep position Pc.例文帳に追加

したがって、ウェハW内の任意の位置、例えば比較的浅い位置Pa、ほぼ中間の位置Pb、比較的深い位置Pcに、それぞれ改質層を形成することができる。 - 特許庁

The gate electrode 106 and the shallow well 104 are electrically connected by means of a high melting point silicide film 112 via the high concentration diffusion layer 111 of the contact region 120.例文帳に追加

、ゲート電極106と浅いウェル104とが、コンタクト領域120の高濃度拡散層111を介して高融点シリサイド膜112により電気的に接続されている。 - 特許庁

The N type layer 20 on the deep side is made of an element (for example, phosphorus (P)) smaller in mass (atomic weight) than an element (for example, arsenic (As)) forming the N type layer 22 on the shallow side.例文帳に追加

深い方のN型層20は、浅い方のN型層22を構成する元素(例えば、砒素(As))よりも質量(原子量)が小さい元素(例えば、燐(P))により構成される。 - 特許庁

To provide an axial flow water turbine and its operation method capable of reducing cavitation damage and vibration of runner vanes even at a site where the static suction head is shallow and a cavitation occurrence area is large.例文帳に追加

吸出し高さが浅くキャビテーションの発生領域が大きいサイトでもランナベーンの壊蝕や振動を低減することができる軸流水車およびその運転方法を提供する。 - 特許庁

In the n-type shallow well region 124, an n-type layer 128 having small impurity concentration, and an n-type layer 126 having large impurity concentration are formed successively from the surface side.例文帳に追加

N型の浅いウェル領域124内には、表面側から順に、N型の不純物濃度の薄い層128と、N型の不純物濃度の濃い層126とが形成されている。 - 特許庁

A deep P type well region 13 and a shallow P type well region 15 are formed on the deep N type well regions 12 thus fabricating an N type variable substrate bias transistor 16.例文帳に追加

N型の深いウェル領域12の上に、P型の深いウェル領域13とP型の浅いウェル領域15を形成して、N型の基板バイアス可変トランジスタ26を形成する。 - 特許庁

On an SOI type wafer, a shallow trench is formed in a connecting part as one part of a device isolation film-forming area between a device region and a ground area by utilizing an etching-proof film.例文帳に追加

本発明よると、SOI型基板に素子領域と接地領域の間の素子分離膜形成領域の一部である連結部にエッチング防止膜を利用して浅いトレンチを形成する。 - 特許庁

A groove 6 has a deep groove part 6a which deeply subsides from the mating face 3a and a shallow groove part 6b which is positioned on the side of the cavity 7 of the deep groove part 6a and continues to the deep groove part 6a.例文帳に追加

溝6は、合わせ面3aから深く凹陥する深溝部6aと、この深溝部6aのキャビティ7側に位置し、該深溝部6aに連なる浅溝部6bとを有している。 - 特許庁

To provide a steering device capable of increasing support rigidity of a movable side column tube due to a fixed side column tube even when engagement between the fixed side column tube and the movable side column tube is shallow.例文帳に追加

固定側コラムチューブと可動側コラムチューブとの嵌合が浅くとも、固定側コラムチューブによる可動側コラムチューブの支持剛性を高くすることが可能なステアリング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an IC stress control system capable of employing a shallow trench isolation portion so that PMOS device performance may be raised without deteriorating NMOS device performance.例文帳に追加

NMOSデバイス性能を劣化させることなくPMOSデバイス性能を高めるように浅いトレンチ分離部が取り入れられるようにする集積回路応力制御システムを提供する。 - 特許庁

An insulation film is formed on a substrate, on which STI (Shallow Trench Isolation) is formed, and patterned; and then polysilicon is evaporated and etched without a mask; thereby a poly-sidewall is formed on a sidewall of the insulation film.例文帳に追加

STIを形成した基板上に絶縁膜を形成してパターニングして、ポリシリコンを蒸着してマスクなしにエッチングして絶縁膜側壁にポーリ側壁を形成する。 - 特許庁

To provide an ultrasonograph which is configured to improve display images in real time, and clear tomograms from shallow portions to deep portions to be obtained by a simple structure.例文帳に追加

簡単な構成で、画像表示のリアルタイム性を向上させるとともに、浅部から深部まで鮮明な断層像が得られるようにすることができる超音波診断装置を提供する。 - 特許庁

The end part outer surface of each sidewall 14 of the narrow and shallow part 32 is formed with an outward projecting edge 36, and the inner surface of each sidewall of the wide and deep part 34 is formed with a plurality of inward projecting edges 38.例文帳に追加

狭浅部32の側壁14の端部外面には外向き突縁36が形成され、広深部34の側壁の内面には、複数本の内向き突縁38が形成されている。 - 特許庁

In forming a memory cell transistor of a flash memory, an STI 2 (shallow trench isolation) is formed on a silicon substrate 1, and a gate insulating film 5 and a floating gate electrode 4b are stacked and formed on an active region 3.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリセルトランジスタの形成で、シリコン基板1にSTI2を形成し、活性領域3にはゲート絶縁膜5、フローティングゲート電極4bを積層形成する。 - 特許庁

例文

Illumination light is emitted with a shallow angle from both the left and right sides of the table by the illumination means 3 so that regular reflected light on the table can not be directly incident to the image pickup means 4.例文帳に追加

照明手段3はテーブル上での正反射光が直接撮像手段4に入射しないように、テーブルの左右両側から浅い角度で照明光を投射する。 - 特許庁




  
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