「Shallow」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

Buddhist statues of the Jocho-yo (Jocho style), which was hugely popular in the capital in the late Heian period, were characterized by smooth creases in the clothes that were carved shallow and parallel, facial expressions that looked satisfied and calm, and only little amplification of form, representing the taste of Heian aristocrats; however, as a result of mass production of similar Buddhist statues through division of labor, the statues were no longer unique and always looked the same. 例文帳に追加

平安後期に都でもてはやされた定朝様（じょうちょうよう）の仏像は、浅く平行して流れる衣文、円満で穏やかな表情、浅い肉付けに特色があり、平安貴族の好みを反映したものであったが、分業制で同じような仏像を量産した結果、無個性でマンネリ化した作風に陥っていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The control part 6a controls the output by operating the high frequency power source 3 by intermittent oscillation during shallow light control lighting, while controlling the output of the high frequency power source 3 by fixing a duty ratio when switching to the deep light control lighting and controlling voltage of the DC power source 1a during the deep light control lighting.例文帳に追加

制御部６ａは、浅い調光点灯時には、高周波電源３を間欠発振で動作させることによりその出力を制御する一方、深い調光点灯時には、この深い調光点灯時に切り換わる際のデューティ比を固定して、直流電源１ａの電圧を制御することにより高周波電源３ａの出力を制御する。 - 特許庁

To provide abrasive and a polishing method that can efficiently remove and make flat the excessive film formation layer of a silicon oxide film and an embedded film, such as metal at a high level and easily control processes in a recess CMP technique, such as shallow trench isolation formation and metal embedded wiring formation, and the planarization CMP technique of an interlayer insulating film.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

The thrust bearing has oil supply groove in the radial direction in a flat plate annular bearing surface, and supports a load in the thrust direction, and is provided with an oil introducing groove tapered in the downstream side to shallow in the radial and circumferential directions at the downstream side in the rotation direction of the oil supply groove.例文帳に追加

本発明のスラスト軸受は、平板環状の軸受面に放射方向の給油溝を設けたスラスト方向の荷重を支持するスラスト軸受において、前記給油溝の回転方向下流側に、下流側に向って径方向及び周方向の溝深さが浅くなる先細り形状の油導入溝を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

A wire laying shallow groove 13 having a distance corresponding to thickness of a flat circuit member 15, and a wire laying wall member 14 having a circuit member holding surface 16 being a surface of a direction perpendicular to a circuit member wire laying surface 12 and positioned on both sides of the groove 13, are formed on the surface 12 of a resin-molded panel 11.例文帳に追加

樹脂成形パネル１１の回路体配索面１２に、フラット回路体１５の厚みに応じた間隔を有する配索用浅底溝１３と、回路体配索面１２に対して直交方向の面となる回路体保持面１６を有し且つ配索用浅底溝１３の両側に位置する配索用壁部材１４とを形成する。 - 特許庁

The plasticizing device 11 plasticizing the molding material P by the screw 13 rotatably set in the heating cylinder 12, has a suction means 24 evacuating the heating cylinder 12 from a rear side of the heating cylinder 12 including a charge port 15, and a belt-like shallow groove part 39 on the rear side of the flight 37 of the screw 13.例文帳に追加

加熱筒１２内に回転自在に設けられたスクリュ１３により成形材料Ｐを可塑化する可塑化装置１１において、投入口１５を含む加熱筒１２の後部側から加熱筒１２内を負圧吸引する吸引手段２４を有するとともに、スクリュ１３のフライト３７の後側に帯状の浅溝部３９を設ける。 - 特許庁

The first outer surface has a hardness of up to about 20 Shore C less than a hardness at the geometric center to define a negative hardness gradient inner core and the second outer surface has a hardness of up to 18 Shore C greater than the geometric center hardness to define a positive gradient outer core layer and a shallow positive hardness gradient core.例文帳に追加

第１の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約２０ショアＣまでの範囲で小さくて負の硬度勾配の内側コア層を形成し、第２の外側表面の硬度は、幾何中心の硬度より約１８ショアＣまでの範囲で大きく正の硬度勾配の外側コア層を形成し、浅い正の硬度勾配のコアを形成する。 - 特許庁

To provide a CMP pad for cerium oxide polishing agent and a polishing method of a substrate, which enable a silicon oxide film to be polished effectively and rapidly and realize easy process management, by holding the surface state of a pad fixed without requiring dressing treatment in a CMP technique which flattens a layer insulation film, a BPSG film and a shallow trench isolating insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、ドレッシング処理を必要とせずパッドの表面状態を一定に保つことにより、酸化珪素膜の効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる酸化セリウム研磨剤用ＣＭＰパッド及び基板の研磨方法を提供する。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for protecting ESD having a shallow trench structure for element separation, an N-type region for receiving signals from an external connection terminal via a P-type region in contact with the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD is formed near the drain region of the N-type MOS transistor for protecting ESD.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域の近傍に、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン領域と接したＰ型の領域を介して外部接続端子からの信号を受けるＮ型の領域を形成した。 - 特許庁

To provide a polishing pad which can carry out polishing rapidly while preventing generation of fine polishing scratches and a manufacturing method of a polishing object by carrying out polishing rapidly while preventing generation of polishing scratches when an interlayer insulation film, a BPSG film, a shallow trench separating isolation film and other polishing object surfaces are flattened by polishing.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら、研磨を高速に実施することができる研磨用パッド及び研磨傷の発生を抑制しながら高速に研磨を実施し、被研磨物の製造法を提供する。 - 特許庁

To efficiently search for only masses of metal considered to be manufactured at the period acquired by limiting the manufacturing period of masses of metal to be searched without restricting a searchable depth to a shallow range from a ground surface nor being substantially affected by the geological conditions etc. of a search range nor by the size of buried objects.例文帳に追加

探査可能深度が地表面から浅い範囲に限定されず、探査範囲の地質等に大きな影響を受けず、埋設物の大きさに影響を受けず、更に探査対象の金属塊の製造時期を限定してその時期に製造されたと考えられる金属塊のみを対象として効率的に探査することを可能にする。 - 特許庁

To provide an abrasive and a method of polishing a substrate, which can efficiently perform removal of an excessively formed film layer and planarization of a silicon oxide film and an embedded film of a metal or the like with high-level quality and with easy process control in a recess CMP technology such as for shallow trench isolation formation and for embedded metal wiring formation and in a planarization CMP technology for an interlayer insulation layer.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のリセスＣＭＰ技術及び層間絶縁膜の平坦化ＣＭＰ技術において、酸化珪素膜、金属等の埋め込み膜の余分な成膜層の除去及び平坦化を効率的、高レベルに、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

This pressure-proof heat exchanger comprises a pair of plates 2 formed into the shallow groove shape, an inner fin 4 held between the plates 2, and pairs of comb-shaped closing bodies 5 respectively closing between both end portions of the inner fin 4 and the pair of plates 2, the inner fin 4 is bent into the waveform in the thickness direction, and each wave meanders into the waveform in the planar direction.例文帳に追加

一対の浅い溝形に形成されたプレート２と、プレート２間に挟持されるインナーフィン４と、インナーフィン４の両端部と一対のプレート２との間を閉塞する一対づつの櫛歯状の閉塞体５とを具備し、インナーフィン４は厚み方向に波形に曲折されると共に、その各波が平面方向に波形に蛇行する。 - 特許庁

In a dynamic type RAM or the like which requires a substrate voltage, the substrate voltages RPPB, VCLB and potential of VSSB to be supplied to the substrates of MOSFETP1 to P3 and N1 to N3 are set large and deep in its absolute value under the high temperature environment and are also set small and shallow in its absolute value under the low temperature environment.例文帳に追加

基板電圧を必要とするダイナミック型ＲＡＭ等において、ＭＯＳＦＥＴＰ１〜Ｐ３ならびにＮ１〜Ｎ３の基板部に供給される基板電圧ＶＰＰＢ，ＶＣＬＢならびにＶＳＳＢの電位を、高温環境下ではその絶対値を大きくして深くし、低温環境下ではその絶対値を小さくして浅くする。 - 特許庁

When an impurity layer of a region shallow from the front surface of a wafer 1, for example a p^+ collector layer 8 in an FS type IGBT and an NPT type IGBT is activated by laser annealing, a particle 20 on the front surface of the wafer 1 is blown away by irradiating a first laser with pulse laser having irradiation energy density of 1.0 J/cm^2 or greater.例文帳に追加

ウエハー１の表面から浅い領域の不純物層、例えばＦＳ型ＩＧＢＴやＮＰＴ型ＩＧＢＴにおけるｐ^+コレクタ層８をレーザーアニールによって活性化する際に、１台目に照射エネルギー密度が１．０Ｊ／ｃｍ^2以上のパルス状のレーザーを照射することで、ウエハー１の表面のパーティクル２０を吹き飛ばす。 - 特許庁

To make bias setting easily executable without being influenced by a variation in the manufacturing process of a MOSFET nor the fluctuation of a p-n junction temperature at the time of changing p-n junction between a body and a source of the MOSFET to a shallow forward bias, by applying a certain voltage to the back gate of the MOSFET for reducing 1/f noise generated in the MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴで発生する１／ｆノイズを低減するために、そのバックゲートにある電圧を与え、該ＭＯＳＦＥＴのＢｏｄｙーｓｏｕｒｃｅのＰＮ接合を浅い順バイアスにする際、ＭＯＳＦＥＴの製造プロセスにおけるバラツキやＰＮ接合温度の変動に影響されず、容易にバイアス設定を行うため。 - 特許庁

By providing an invisible ditch 30 inside a shoulder rib 24 of a tire 10, the depth of the ditch 30 can be set shallow when it is exposed and the rigidity of small rib partitioned by the invisible ditch 30 is raised, thereby restraining a shearing force even when the tire receives a local external force (a big shearing force by a curb, stone or rock).例文帳に追加

タイヤ１０のショルダーリブ２４内部に隠れ溝３０を設けることにより、露出した際の隠れ溝３０の深さを浅く設定することができ、この隠れ溝３０によって区切られる細リブの剛性が高くなるため、局所的な外力（縁石や石、岩などによる大きなせん断力）を受けた場合でも、せん断歪を抑制することができる。 - 特許庁

In a liquefaction countermeasure method for a banking structure 1 for a railway/road, by diagonally injecting a chemical solution to the substantially central part of the banking structure 1, a plurality of improved bodies 2 or the like are created in the radial direction so that the diameter gets gradually smaller from the deep layer part to the shallow layer part in the ground G.例文帳に追加

鉄道・道路用の盛土構造物１における液状化対策工法は、盛土構造物１の法尻部から地盤Ｇ内に、盛土構造物１の略中央に向けて斜めに薬液を注入することによって軸方向に複数の改良体２，…を、その径が地盤Ｇの深層部から浅層部において漸次小さくなるように造成する。 - 特許庁

To provide abrasives and a polishing method in which in a CMP technology of flattening an interlayer dielectric, a BPSG film, and a shallow trench isolating insulating film, a selection ratio of a silicon oxide film to a silicon nitride film and a flatness are enhanced, whereby a CMP process can be efficiently and fast performed, and a process management can be easily performed.例文帳に追加

本発明は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜と窒化珪素膜の選択比、平坦性を向上させることにより、ＣＭＰプロセスを効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができる研磨剤及び研磨法を提供するものである。 - 特許庁

The rectangular and shallow tray with a folding line formed from an edge of one short side to a point in the vicinity of a center of a bottom surface is stored in the packaging film, sides of the tray are pressed from the outside of the packaging film to bend the tray, and the dry foods are stored from an opening in the packaging film which is expanded as the tray is bent.例文帳に追加

底浅矩形状のトレーであって、その一側の短辺の縁部から底面中心付近にわたって折れ筋が形成されたトレーを包装フィルムに収納し、包装フィルムの外側からトレーの前記側辺を押圧してトレーを屈曲させ、屈曲に伴って押し広げられた包装フィルムの開口から乾物類を収納する。 - 特許庁

An outer box 10 is constituted of a shallow tray-like body 1 and a cover lid 2 to be used to cover the body 1 entirely from above, a support plate 3 in contact with an entire internal surface of the lid 2 or in local contact with the inside of the lid 2 is assembled, and also a circular notched hole 3a is formed at the center of the support plate 3.例文帳に追加

浅いトレー状の身箱１と、この身箱１を上からすっぽりと覆うようにして使用する被せ蓋２とで外箱１０を構成、前記被せ蓋２の内側全面、もしくは被せ蓋２の内側に対して局部的に内接する支持板３を組合せると共に、この支持板３の中央部には円形の切欠孔３ａを形成させる。 - 特許庁

Longitudinal shallow grooves are formed in one side of a plurality of belt plates, and in two wall-boards formed in the shape of a plane by engaging the faces having the grooves with each other in the direction of the width while turning them on the same direction, positions to be engaged are shifted to overlap the faces forming the grooves with each other to comprise a wall surface unit as an integral structure.例文帳に追加

複数の帯状板の一側面に長さ方向の浅い溝を形成し、その溝を形成した面を同じ向きにして幅方向に噛み合わせて平面状に形成した２枚の壁板において、噛み合わせ位置をずらして前記溝を形成した面と面を互いに重ね合わせて一体構造とした壁面ユニットとする。 - 特許庁

Since such laser light functions as an energy liquefying or vaporizing the semiconductor crystal locally with a shallow depth of a few μm at the vicinity of the interface with the substrate, the substrate and the semiconductor crystal are well exfoliated at about the growth temperature of a desired semiconductor crystal formed from a group III nitride compound semiconductor or the like.例文帳に追加

この様なレーザ光は、下地基板との界面近傍において、深さ方向に局所的に浅く数μｍ程度の薄さで半導体結晶を液化或いは気化させるエネルギーとして作用するため、 ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体等から形成される所望の半導体結晶の成長温度近辺において、下地基板と半導体結晶とを良好に剥離させることができる。 - 特許庁

In a second partition region 40 thereof, a bipolar type semiconductor element 4 having a buried collector region 47 as the p-type deep layer 7a and having a base region 46 as the n-type shallow layer 6a is formed.例文帳に追加

活性層１４の第１区画領域２０にはｐ型の深層７ａをリサーフ領域２７とするとともにｎ型の浅層６ａをドリフト領域２６とするユニポーラ型の半導体素子２が形成されており、第２区画領域４０にはｐ型の深層７ａを埋め込みコレクタ領域４７とするとともにｎ型の浅層６ａをベース領域４６とするバイポーラ型の半導体素子４が形成されている。 - 特許庁

As minute potential difference can be detected by using a sense amplifier 101 of a differential type for read-out and inputting potentials of a Data line and a DataX line to its input IN+ and IN-, data of a pair of non-volatile memory elements having small difference of threshold values of a depression state in which write-in is shallow and an enhancement state can be read out.例文帳に追加

読み出しには差動型のセンスアンプ１０１を使用しその入力ＩＮ＋とＩＮ−にそれぞれＤａｔａ線とＤａｔａＸ線の電位を入力することで、わずかな電位差も検出することができるので、書き込みの浅いすなわちデプレッション状態とエンハンスメント状態のしきい値の差が小さな不揮発性メモリ素子対のデータも読み出し可能となる。 - 特許庁

To provide an absorptive article having an absorber with roughness and fineness whose high density section is used to attach a surface sheet closely with a shallow emboss, corresponding to fine difference of unevenness being more likely to happen in the absorber with roughness and fineness, and having liquid diffusion and shape retention properties which are characteristics of the absorber having the compartmented roughness and fineness, furthermore, having flexibility.例文帳に追加

粗密のある吸収体の高密度部を利用し、浅めのエンボスで表面シートを密着させることができ、上述した粗密のある吸収体に生じがちな微小な厚さの段差にも対応し、かつ、粗密の区画された吸収体の特徴である液の拡散性及び保形性を有し、その吸収体が柔軟性をも有する吸収性物品を提供する。 - 特許庁

In order to solve the problem, in the chair, many grooves which extend in the vertical direction are continuously formed in the horizontal direction on the front and rear surface of the back plate, and depth of the adjacent grooves is different from each other, furthermore, each groove is formed by alternately arranging deep grooves and shallow grooves on the front and rear surface of the back plate.例文帳に追加

上記課題を解決すべく、本発明の請求項１に記載の発明は、背板の前後面に、縦方向に延びる多数の溝を横方向に連続して形成するとともに、隣り合う前記溝の深さがそれぞれ異なることを特徴とし、さらには、前記各溝が、背板の前後面において、深い溝と浅い溝とを交互に並べて形成されることを特徴とする、椅子である。 - 特許庁

The apparatus disposes a reflector 203 having a mechanism for changing reflectance between a light source 201 and a detector 202, alternately measures two diverse states, being a normal state and a strengthened one where the level of the signals in the shallow part tissues 501 and 502 such as changes of skin blood flow included in the detected signals and extracts the signals of the deep part tissues 503 such as a brain signal from the differences.例文帳に追加

光源２０１と検出器２０２との間に反射率を変化させる機構を有する反射体２０３を配置し、検出される信号に含まれる皮膚血流変化等の浅部組織５０１，５０２の信号の程度が通常の状態と強められた状態の異なる２状態を交互に計測し、それらの差分から脳信号等の深部組織５０３の信号を抽出する。 - 特許庁

Since focusing is carried out by the collecting means 35 for focusing arranged separately from the objective lens 4 for observing the measuring surface, the collecting means 35 with a large numerical aperture and a shallow focus depth can be used even if the objective lens 4 with a small numerical aperture is used, and the measuring surface 7 can be positioned accurately in the focal position of the objective lens 4.例文帳に追加

被測定面観察用の対物レンズ４とは別に設けたフォーカス用の集光手段３５によりフォーカスを行うので、開口数の小さい対物レンズ４を用いた場合でも、集光手段３５として開口数が大きく焦点深度の浅いものを用いることができ、被測定面７を対物レンズ４の焦点位置に精度良く位置付けることができる。 - 特許庁

(b) The semiconductor substrate is irradiated with a laser beam so that the high concentration impurities added to a relatively shallow region melt and activate the semiconductor substrate down to a position deeper than the region where the high concentration impurities are added, and the low concentration impurities added to a relatively deep region activate the semiconductor substrate, without melting, down to the region where the low concentration impurities are added.例文帳に追加

（ｂ）半導体基板にレーザビームを照射して、相対的に浅い領域に添加された高濃度不純物は、高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、半導体基板を溶融させて活性化させ、相対的に深い領域に添加された低濃度不純物は、半導体基板を、低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく活性化させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for obtaining a complimentary bipolar transistor with a high behavior by maintaining a diffusion depth thereof to be the same degree to form a diffusion layer of a shallow target, and without affecting other diffusion layers, while simultaneously diffusing dopant added from a polycrystalline silicon film in both emitter areas of a PNP transistor and an NPN transistor in the complimentary bipolar transistor.例文帳に追加

相補型バイポーラトランジスタで、ＰＮＰトランジスタとＮＰＮトランジスタの両方のエミッタ領域を多結晶シリコン膜から添加された不純物を同時に拡散させながら、その拡散深さを同程度で目標の浅い拡散層を形成し、しかも他の拡散層に影響を与えることなく、高特性の相補型のバイポーラトランジスタを得るための製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor film 221 comprises: a first conduction type region 111 composed of part of the laminated film on a gate insulation film 105; a second conduction type region 112 composed of the second semiconductor thin film 107 on a connection region 120 of a second conduction type shallow well region 104; and a non impurity introducing region 117 composed of the layered film placed between them.例文帳に追加

この半導体膜２２１は、ゲート絶縁膜１０５上の上記積層膜の一部からなる第１導電型領域１１１と、第２導電型の浅いウェル領域１０４の接続領域１２０上の第２の半導体薄膜１０７からなる第２導電型領域１１２と、それらの間に位置する上記積層膜からなる非不純物導入領域１１７とからなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can conduct stress relaxation at trench corners without reducing the area of an active region or the transistor width or stably form the resistance of a semiconductor substrate or a well of opposite conductivity type from that of the semiconductor substrate, in element isolation using an STI (shallow trench isolation) method.例文帳に追加

ＳＴＩ法（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を用いた素子分離において、トレンチコーナー部の応力緩和を、アクティブ領域の面積及びトランジスタ幅を減少させること無く実施でき、或いは、半導体基板または半導体基板と導電型が逆タイプのウエルの抵抗を安定に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A transistor having a junction region is formed on a semiconductor substrate, and before forming a contact plug on the junction region, arsenic (As) with the small diffusivity of heat is implanted into the junction region in a plug ion implantation process and ohmic contact is formed to form a shallow junction.例文帳に追加

半導体基板上に接合領域を有するトランジスタを形成し、接合領域上にコンタクトプラグを形成する前にプラグイオン注入工程で熱に対する拡散性(diffusivity)が小さな砒素(As)を接合領域に注入し、オーミックコンタクトを形成することにより、浅い接合(Shallowjunction)を形成すると共に高いブレークダウン電圧の特性、低い漏洩電流特性及び優れたオーミックコンタクト特性を得ることができる。 - 特許庁

The image processor includes a control unit 4 for reducing the edge emphasis degree of the edge emphasis processing or not performing the edge emphasis processing when a field depth is shallow even in the area where the motion amount of the input image signals is large, on the basis of camera information indicating a field depth when generating the input image signals using an imaging apparatus.例文帳に追加

ここで、撮像装置を用いて入力画像信号を生成する際の被写界深度を示すカメラ情報に基づき、入力画像信号の動き量が大きい領域であっても、被写界深度が浅い場合、エッジ強調処理のエッジ強調度合いを小さくする、あるいは、前記エッジ強調処理を行わないようにする制御部４とを備えている。 - 特許庁

Fin surfaces of the corrugated fins 6 have falling gradients from windward 6U toward leeward 6D, the windward 6U has a deep fold of a corrugated shape, and the leeward 6D has a shallow fold of a corrugated portion, and an intermediate part 6M has a transition shape from the corrugated shape of the windward 6U to the corrugated shape of the leeward 6D.例文帳に追加

コルゲートフィン６は風上側部分６Ｕから風下側部分６Ｄに向かいフィン表面が下り勾配となっており、風上側部分６Ｕはコルゲート形状の襞が深く、風下側部分６Ｄはコルゲート部の襞が浅く、中間部分６Ｍは風上側部分６Ｕのコルゲート形状から風下側部分６Ｄのコルゲート形状へと遷移する形状となっている。 - 特許庁

To provide an underwater coating composition which can form a coating film capable of preventing of aquatic organisms such as barnacles, shells, or seaweed for a long time on a ship bottom or on the surface of an underwater construction constructed at a shallow level in water; and a method for obtaining an underwater coating film and an underwater coated member both prepared by using the composition.例文帳に追加

船舶の船底又は水深の浅い水中に構築される水中構築物の表面に、フジツボ、貝類または海藻等の水棲生物の付着を長期にわたって防止することができるコーティング塗膜を形成する水中用コーティング組成物と、その組成物を用いた水中用コーティング塗膜形成方法および水中用コーティング部材とを提供すること。 - 特許庁

A liner insulation film 18 covers a side circumferential wall of a gate electrode 17a and the end of a gate insulation film to suppress damages to the gate insulation film and a semiconductor substrate caused in the manufacturing process, and a source and drain region 20 is formed and thereafter the extension region 21 is formed to make the joining depth of the extension region 21 comparatively shallow.例文帳に追加

ゲート電極１７ａの側周壁及びゲート絶縁膜端部をライナ絶縁膜１８で覆うことによって、製造工程において受けるゲート絶縁膜及び半導体基体の損傷を抑制し、かつ、ソース及びドレイン領域２０を形成した後、エクステンション領域２１を形成することによって、エクステンション領域２１の接合深さを比較的浅くする。 - 特許庁

This floating bath is provided with a relatively shallow bathtub main body for enabling bathing in the state of lying on his/her back, many holes arranged at the bottom part of the bathtub main body, a jet stream force feeder and a filtering, circulating and temperature adjusting device for filtering hot water inside the bathtub main body and sending the filtered hot water to the jet stream force feeder.例文帳に追加

仰向けに寝そべった状態で入湯可能な比較的浅めの浴槽本体と、この浴槽本体の底部に配設された多数の孔と、これらの孔に連通接続されたジェット噴流圧送装置と、上記浴槽本体内の湯水を濾過し該濾過された湯水を上記ジェット噴流圧送装置へと送る濾過循環温調装置と、を有してフローティングバスを構成した。 - 特許庁

The outer surface of the core has a trans content of about 12% or less and a hardness of about 71 to 88 Shore C, the geometric center of the core has a trans content of about 10% or less and a hardness of about 70 to 80 Shore C, and the core surface hardness is greater than the geometric center hardness by about 1 to 10 Shore C to define a shallow positive hardness gradient.例文帳に追加

コアの外側表面のトランス含有量は約１２％またはそれ以下であり、その硬度は約７１から８８ショアＣであり、コアの幾何中心のトランス含有量は約１０％またはそれ以下であり、その硬度は約７０から８０ショアＣであり、コア表面の硬度は幾何中心の硬度より約１から１０ショアＣだけ大きく浅い正の硬度勾配を形成する。 - 特許庁

To provide a groove processing method for a woody decorative floor material capable of pushing a surface decorative material in the deep part of a curved surface groove at the time of groove processing without damaging the same, enabling the smooth finish of the inner surface of the groove and uniform coloring finish generating no coloration irregularity and not generating such a phenomenon that the processed groove becomes shallow or disappears according to circumstances.例文帳に追加

溝加工時に表面化粧材を破損させることなく曲面溝の内奥まで押し込むことができ、溝内面の仕上がりが滑らかで、着色ムラのない均一な着色仕上げが可能で、しかも施工後湿気などによって、加工した溝が浅くなったり、場合によっては消失してしまうことのない木質化粧床材の溝加工方法を提供する。 - 特許庁

A hyper NRD guide (HNRD) and a normal NRD guide (NNRD) are constituted by arraying a dielectric strip 3 between a lower conductor plate 1 and an upper conductor plate confronted thereto, a third nonradiative dielectric line is constituted by providing a groove with depth, which gradually becomes shallow, between these two lines and in this part, line conversion is performed.例文帳に追加

下部の導電体板１と、これに対向する上部の導電体板との間に誘電体ストリップ３を配してハイパーＮＲＤガイド（ＨＮＲＤ）およびノーマルＮＲＤガイド（ＮＮＲＤ）を構成するとともに、この２つの線路の間に、ＨＮＲＤの溝に続いて深さが次第に浅くなる溝を設けて第３の非放射性誘電体線路を構成し、この部分で線路変換を行う。 - 特許庁

The harbor of Hakodate Port, which had been shallow since long before, had deposition of sediments so that it became impossible for large vessels to reach the shore; in 1892, in response to the submission of "Proposal for dredging and repairs of Hakodate Harbor and construction of a dock," a request for repairs of Hakodate Harbor, Kitagaki directed dredging work of the harbor and construction of sand control dyke, breakwater and lighthouse as well as improvement works including construction of a wharf by reclaiming land from the sea. 例文帳に追加

1892年（明治25年）、もともと港湾部が浅かった上に土砂の堆積が重なって大型船の接岸が不可能になっていた函館港の改修についての要望書『函館港湾浚渫修築并ニ船渠設置意見上申書』の提出を受け、港内の浚渫や砂防堤・防波堤・灯台の設置、埋立てによる埠頭の建設などの改良工事を指示した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

To facilitate assembly and construction work by prefabricating component members when even a quay or revetment is relatively shallow in frontal water depth or when an economical structure with a reduced design seismic intensity is provided for a temporary revetment, etc., and to reduce the period and cost of construction work by minimizing on-site construction work during which workers are exposed to winds and waves at sea.例文帳に追加

岸壁、護岸でも前面水深が比較的浅い場合や仮設の護岸など設計震度を小さくして経済的な構造とする場合、その構成部材をプレハブ化し、組立て及び施工を容易にし、海上の風波にさらされる現場工事を最小限にすることによって工期の短縮及びコスト削減を図ることができる提体を提供することである。 - 特許庁