「Shallow」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

An N+ diffused layer 15, an N well 14, and a deep N-well 15 are formed in a position deeper than a shallow trench isolation region as an emitter diffused layer so that the discharge current of a bipolar transistor of a static protective element flows mainly vertically to the substrate surface.例文帳に追加

静電保護素子のバイポーラトランジスタの放電電流が主に基板表面に対して縦方向となるように、シャロートレンチ分離体１６よりも深い位置に、エミッタ拡散層として、Ｎ^+拡散層１５、Ｎウエル１４及び深いＮウエル１１を形成する。 - 特許庁

A second straight shallow groove 27 forms a line extending from the circumferential groove 14 side located in a center of the tire width direction of a tread face to a tread end side backward of the tire rotational direction, and one end thereof reaches the circumferential groove 14 and the other end reaches the tread end.例文帳に追加

第２直線浅溝２７は、トレッド面のタイヤ幅方向の中央部に位置する周溝１４側からタイヤ回転方向の後方に向かってトレッド端部側に延びる直線とされ、一端が周溝１４まで達し、他端がトレッド端に達している。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device with which thinning of a gate insulating layer in an STI end of a transistor element having an STI (Shallow Trench Isolation) structure, especially, a high breakdown voltage transistor element, and the structure is formed without adding a large process.例文帳に追加

ＳＴＩ構造を有するトランジスタ素子、特に高耐圧トランジスタ素子のＳＴＩ端部でのゲート絶縁層のシニングを防止し、なおかつ大幅な工程を追加することなくその構造を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する - 特許庁

The electronic equipment comprises a shallow box-shaped equipment body 1 opened at one side surface, an electronic block 2 stored in the equipment body 1 through the opening 1f, and a battery box 3 stored within the equipment body 1 through the opening 1f so as to be arranged in line with the electronic block 2.例文帳に追加

一側面が開口した薄箱状の器具本体１と、開口１ｆより器具本体１内に収納された電子ブロック２と、電子ブロック２と並べて配置されるように開口１ｆより器具本体１内に収納された電池ボックス３とを備えている。 - 特許庁

Such processes are included that: the program pulse voltage is applied to a selected memory cell; detrapping pulse voltage for removing shallow-trapped electric charges is applied to the cell to which the program pulse voltage is applied; and the program verification pulse voltage is applied to the memory cell.例文帳に追加

選択されたメモリセルに対してプログラムパルス電圧を印加し、プログラムパルス電圧が印加されたセルに対してシャロートラップされた電荷を除去するためのデトラップパルス電圧を印加し、そしてメモリセルに対してプログラム検証パルス電圧を印加する各工程を含む。 - 特許庁

The periphery of an elongated substrate 1 of aluminum nitride is constituted by sequential and shallow scribe lines formed on the surface, and a cleaving surface formed in the thickness direction and along the scribe lines, and resistance heaters are formed on the surface of the insulated substrate 1.例文帳に追加

窒化アルミニウム製の細長い絶縁基板の周縁が、表面に形成された浅くて連続したスクライブ線およびスクライブ線に沿い、かつ厚さ方向に形成されたへき開面によって構成され、絶縁基板の表面に抵抗発熱体が形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device, capable of suppressing dislocations and crystal defects due to the applications of stress and anneal, in a semiconductor manufacturing process, applying proper stresses in the channel region, and attaining both a low resistance and a shallow junction.例文帳に追加

半導体製造工程におけるストレス印加およびアニールによる転位、結晶欠陥を抑え、チャネル領域において良好なストレスを印加するとともに、低抵抗化と浅接合化の両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can control a step between an element isolation area and an element area and secure alignment accuracy without adding any other step in the realization of an isolation trench according to STI(Shallow Trench Isolation) method, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＳＴＩ法による素子分離溝の実現に際し、何ら新たな工程を追加することなく、素子分離領域と素子領域との段差の抑制、並びに位置合せ精度の確保を併せ図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of two capacitors C1 and C2 comprising a polysilicon capacitor and an n-type transistor formed, for instance, on a semiconductor substrate 11 comprising a p-type silicon substrate with its element separated, for instance, by an STI (Shallow Trench Isolation) technology.例文帳に追加

この半導体装置は、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ ＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ）技術により素子分離された例えばｐ型のシリコン基板からなる半導体基板１１に、ポリシリコンキャパシタからなる２つのキャパシタＣ１およびＣ２とｎ型トランジスタとを備えて構成されている。 - 特許庁

Ions, having polarity opposite to that of the impurity ions composing a p-type well 3, are implanted to form a first channel region 5b in the edge part of a gate electrode 7n and a second channel region 12, which gives influence only on the shallow region of an n--type semiconductor region 8.例文帳に追加

ｐ型ウェル３を構成する不純物イオンとは逆の極性を持つイオンをイオン注入にて打ち込み、ゲート電極７ｎの端部の第１チャネル領域５ｂおよびｎ^-型半導体領域８の浅い領域のみに影響を与える第２チャネル領域１２を形成する。 - 特許庁

A low-concentration LDD region 15a and an ultra-shallow high-concentration LDD region 15b spaced from a region immediately below a gate electrode 13 are formed on a sidewall 14 formed on the side wall of the gate electrode 13, and source-drain regions 16 are formed outside these.例文帳に追加

ゲート電極１３の側壁に形成されたサイドウォール１４の下に、低濃度ＬＤＤ領域１５ａと、極浅でかつゲート電極１３直下の領域から離して高濃度ＬＤＤ領域１５ｂを形成し、これらの外側にソース・ドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁

The depth of the helical groove 36g is formed gradually shallow toward the helical projection 35g that is a start point, the height of the helical projections 35h, 35g formed to a lower part of the bobbin 31 is formed high to stabilize the positions of the helical elements 22f, 22g.例文帳に追加

ヘリカル状の溝部３６ｇの深さが始端部であるヘリカル状突起部３５ｇに向かって次第に浅く形成されるが、ボビン３１の下部に形成されたヘリカル状突起部３５ｈ，３５ｇの高さが高く形成されており、ヘリカルエレメント２２ｆ，２２ｇの位置が安定化する。 - 特許庁

A front substrate SUB1 of edged shallow curved-bottom saucer shape is used and an initial projected amount b of convex shape gradually inclining from the center part toward the outer periphery part is provided on the outer face of the front substrate before vacuum sealing, and the flatness after vacuum sealing is made to be 1 mm or less.例文帳に追加

有縁浅曲底皿状の前面基板ＳＵＢ１を用い、この前面基板の外面に、真空封止以前では、その中央部から外周部にかけて漸次傾斜する凸形状となる初期突き出し量ｂを有せしめ、真空封止した後の外面の平坦度を１ｍｍ以下とした。 - 特許庁

After a plurality of steel pipe sheet piles 14 have been driven to comparatively shallow positions of the surface layer A so as to surround a caisson foundation 12 formed in an underwater ground G, the caisson foundation 12 and the ground G between the steel pipe sheet piles 14 are excavated to form an excavated space X.例文帳に追加

水中地盤Ｇに形成されたケーソン基礎１２を取り囲むように複数の鋼管矢板１４を表面層Ａの比較的浅い位置まで打ち込んだ後、ケーソン基礎１２及び鋼管矢板１４間の地盤Ｇを掘削して掘削空間Ｘを形成する。 - 特許庁

To provide a miniaturized device which suppresses short channel effects by forming a channel doped layer so as to have steep dopant-concentration profiles and have a shallow junction, and maintains large driving force by the channel doped layer having a sufficient activation concentration and a low resistance.例文帳に追加

チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

To convert exhaustless stream energy obtained by river currents and the ebb and flow of the sea etc. into electric energy without requiring expensive investment in facilities such as a dam, enable use of both shallow water currents and deep water currents and respond to rising and lowering of the water level as needed.例文帳に追加

ダム等に高額な設備投資をすることなく、川の流れや海の干満等による無尽蔵な水流エネルギーを電気エネルギーに変換するとともに、水深の浅い水流と深い水流との何れも利用可能とし、かつ水位の上下に随時に対応することにある。 - 特許庁

This device has a silicon substrate 12, an isolation structure 10 present in the substrate 12 (for example, a shallow trench isolation), an active element structure (for example, a transistor structure), a dielectric layer covering the active element structure, and a metal interconnect layer (a first metal layer) 28 covering the dielectric layer 26.例文帳に追加

本発明のデバイスは、シリコン基板と、その基板内に有るアイソレーション構造（例えば、浅いトレンチ・アイソレーション）と、能動素子構造（例えば、トランジスタ構造）と、その能動素子構造を覆う誘電体層及びその誘電体層を覆うメタル・インターコネクト層（第１メタル層）を具備する。 - 特許庁

To enhance yield and performance of a semiconductor device and facilitate miniaturization of the device by distributing an impurity introduced onto a surface of a semiconductor substrate over a shallow region of the surface with high precision and at a high concentration, thereby preventing diffusion of the impurity into a deep region of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。 - 特許庁

A space between an inlet side tank 2 that collects refrigerant flow passages and receives a refrigerant from the expansion valve 1 and an outlet side tank 3 that collects the refrigerant flow passages on a refrigerant outlet side is integrally provided with a shallow valve case 4 in an outwardly expanded form.例文帳に追加

冷媒流通路を集合させて膨張弁１からの冷媒を受け入れる入口側タンク２と冷媒出口側の冷媒流通路を集合させる出口側タンク３との間のスペースに、外側方向に向かって拡開形成された浅底の弁ケース４を一体に設けた。 - 特許庁

To realize source drain diffusing layer by extremely shallow rectangular high concentration impurity distribution which cannot be realized in the conventional solid-phase growth with the liquid phase growth without giving any adverse effect on the gate electrode and also realize low power consumption, large current and high-speed operation of an ultra-fine semiconductor device.例文帳に追加

従来の固相成長では実現不可能な極浅矩形高濃度不純物分布によるソース・ドレイン拡散層をゲート電極に影響を及ぼすことなく液相成長により実現させ、超微細半導体装置の低消費電力、大電流化、および高速動作化を実現させる。 - 特許庁

A curve-surfaced chamfering processed part 8 is formed on an upper edge part in a length direction of the decorative laminate A, and the crosswise groove 13 on the surface of the decorative laminate A is made shallow-grooved so that an inclined angle θ to the front and rear surfaces of the decorative laminate A on a side surface 13a of the groove becomes θ=13°-30°.例文帳に追加

化粧板Ａの長さ方向の上縁部に曲面状の面取り加工部８を形成するとともに、化粧板Ａ表面における横溝１３を、その溝側面１３ａの化粧板Ａの表裏面に対する傾斜角度θがθ＝１３°〜３０°となるように浅溝とする。 - 特許庁

The film thickness of the gate electrode 9 is formed large on a source side and is formed thin on a drain side due to the film formation from the oblique direction, a platinum diffusion 10 is made deep in the source side of the thick film thickness and the platinum diffusion 10 is made shallow on the drain side of the thin film thickness.例文帳に追加

ゲート電極９は、斜め方向からの成膜に起因してソース側で膜厚が厚く、ドレイン側で膜厚が薄くなっており、膜厚の厚いソース側では白金拡散１０が深くされ、膜厚の薄いドレイン側では白金拡散１０が浅くされている。 - 特許庁

To provide a branch pipe fitting pipe member and a branch pipe fitting construction method easily and surely separating the top end of a fireplug from the ground surface by 150 mm or more, even if the fireplug is fitted to an existing pipe buried in a shallow layer with an earth covering set to 600 mm under the ground.例文帳に追加

土被りを地表下６００ｍｍとした浅層埋設された既設管に消火栓などを取り付けたしても、消火栓の上端を地表から確実に１５０ｍｍ以上離間させることを容易にする分岐管取付配管部材と分岐管取付工法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of preventing a short circuit between gate electrodes caused by a void existing in an insulating body upon manufacturing the semiconductor device, narrow in the width of an element separating region formed by employing an STI (shallow trench isolation) method and having a groove gate structure.例文帳に追加

ＳＴＩ法を用いて形成した素子分離領域の幅が狭く、かつ溝ゲート構造を有する半導体デバイスを製造するにあたり、絶縁体中に存在するボイドによるゲート電極間のショートを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wave absorbing device having a float and a wave absorption section suspended from the float, capable of sufficiently obtaining wave absorbing performance in an installed state without increasing the weight of the whole device and adaptable to a water area shallow in depth.例文帳に追加

フロートと、このフロートから垂下された消波部とを備えた消波装置に対し、装置全体の重量を大きくすることなく、それでいて、設置状態では消波性能が十分に得ることができ、しかも水深の浅い水域に対しても適用することが可能な消波装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the shaft end of one output shaft 9R is set at a shallow position away from the supporting portion 37a and the torque transmission means 10 can be attached/detached to/from the planetary gear mechanism D without using a special connection shaft only by moving the torque transmission means 10 at a stroke L1.例文帳に追加

これにより、一方の出力軸９Ｒの軸端部を前記支持部３７ａから浅い位置に設けることができ、トルク伝達手段１０をストロークＬ１移動させるだけで、特別の連結軸を用いることなく遊星歯車機構Ｄに対してトルク伝達手段１０を着脱できる。 - 特許庁

Therein, the core piece 3 is formed by properly making the pleats 30 meander in the circumferential direction of the outer cylinder 2 and, furthermore, when forming the plate A1 with the pleats from the single plate A, two kinds of different depths of deep bottom pleat 30a and shallow bottom pleat 30b are alternately and repeatedly formed.例文帳に追加

また、コアピース３は、ヒダ３０を外筒体２の周方向に適宜蛇行させて成り、更に、単板Ａからヒダ付板Ａ１を形成するにあたっては、深さの異なる二種の深底ヒダ３０ａと浅底ヒダ３０ｂとを交互に繰り返し形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, including an MISFET that contains a gate insulating film of high dielectric constant, capable of controlling a threshold voltage to a shallow value with ease, based on the relation between the work function of a metal gate material and that of the semiconductor substrate, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

高誘電率膜のゲート絶縁膜を含むＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置に関し、メタルゲート材料の仕事関数と半導体基板の仕事関数との間の関係によって閾値電圧を容易且つ浅い値に制御しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a soil improving head which cam secure a predetermined load bearing capacity of the ground and the predetermined bearing power of soil by a smaller number of stable materials by arbitrarily enlarging an excavation diameter in underground excavation and partially changing a column diameter, when the column is formed in relatively uniform soil and on a relatively shallow site.例文帳に追加

比較的均一な土質や比較的浅い場所にコラムを形成する際に、地中を掘進する掘進径を任意に拡径して部分的にコラム径を変え、所定の地盤支持力や地耐力をより少ない安定材で確保することが可能な地盤改良ヘッドを提供する。 - 特許庁

The refuse container 10 removably fitted in a recessed part 21 juncturely connected to a drain opening 22 of the sink 20 with an opening 41 in its upper surface comprises a shallow box-like container body 30 including a drain groove 32a having a water passing property at least in its bottom surface 32.例文帳に追加

流し台２０の排水口２２に連接された凹部２１に取り外し可能にはめ込まれる塵芥容器１０は、上面に開口４１を有し、少なくとも底面３２に通水性を有する排水溝３２ａを備えた浅形で箱形の容器本体３０からなる。 - 特許庁

Therefore, even with respect to a distant monitoring area A where the incidence of the scanning light is shallow to make an intensity of reflected light very weak, topographical data of the ground L in the monitoring area A can be accurately acquired on the basis of the reflected light from the reflective sheet R having high reflectance.例文帳に追加

よって、走査光の入射が浅くなって反射光の強度が微弱となる遠方の監視領域Ａについても、反射率のよい反射シートＲからの反射光に基づいて、監視領域Ａの地面Ｌの地形データを精度よく取得することができる。 - 特許庁

To provide a method by which water clarification and water quality preservation can be attained while simultaneously achieving an oxygen-rich environment and an oxygen-poor environment and advancing aerobic decomposition and anaerobic decomposition in parallel even when applied to a water tank or to the oxygen-rich environment such as the shallow water section of a bay.例文帳に追加

水槽、或は水深の浅い湾内等の富酸素環境であっても、富酸素環境と貧酸素環境とを同時に実現し、好気性分解と嫌気性分解とを並行して進行させる水質の浄化、水質の保全が可能な方法を提供する。 - 特許庁

The laser beam irradiated on the windows 7 passes through the windows 7 and is irradiated on the electrode 3 with a natural oxide film 4 formed on the surface thereof, the very shallow surface part only of the electrode 3 is heated, and, with the surface part of the electrode 3 fused and vaporized, the oxide film 4 is also removed.例文帳に追加

透過窓７に照射されたレーザビームは、透過窓７を通過して、表面に自然酸化膜４の形成された電極３に照射され、電極３の極めて浅い表面部分のみを加熱して電極３の表面部分を溶融気化させるとともに酸化膜４も除去する。 - 特許庁

A p^+ region 89 is formed within a source neighborhood p-type region 83 in an n-well 33 and then arsenic is injected into a shallow substrate surface in the p^+ region 89 by applying an ion implantation method using a ring-shaped gate electrode 35 as a mask to form a surface n^+ layer 90.例文帳に追加

ｎウェル３３中のソース近傍ｐ型領域８３内にｐ^+領域８９を形成した後、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ｐ^+領域８９中の浅い基板表面にひ素を注入して、表面ｎ^+層９０を形成する。 - 特許庁

Emitting a laser beam to the semiconductor device through the glass mask 13 can etch parts other than the characters and the symbol, provide stamped contents that can easily be viewed, and make the depth of the etched parts shallow to realize the stamping method causing no problem from the standpoint of quality.例文帳に追加

ガラスマスク１３を介して、レーザー光を半導体装置に照射することにより、文字、記号以外の部分が、食刻され捺印内容が見やすくなるとともに、食刻部の深さも浅くすることができ品質の面においても問題のない捺印方法が実現できる。 - 特許庁

To provide a 2-stage folding mechanism folding left and right extended implements by a shallow angle for selecting the working width and folding by a deep angle to make them more compact in housing them by constituting the agricultural implement attached with a tractor and working in a wide width as divided into 3.例文帳に追加

トラクタに装着して広幅に作業する農作業機を３分割に構成して、左右の延長作業機を折り畳んで作業巾を選択する作業時の浅角度の折り畳みと、格納時にさらにコンパクトにする深角度に折り畳む２段折り畳み機構を提案する。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent(EL) element in which the recombination of electron and hole in the luminescent layer is made in the vicinity of the interface to the electron transport layer, and a high luminescence efficiency and sufficient luminance are obtained with a low applied voltage even in a case using a hole transport material with a shallow HOMO level.例文帳に追加

発光層における電子とホールとの再結合が電子輸送層との界面近傍においてなされ、ＨＯＭＯ準位が浅いホール輸送材料を用いた場合でも、発光効率が高く、低い印加電圧で十分な輝度が得られる有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

Since the depths of the streaks 9 are formed shallow (d2) at the ends of the peripheral surfaces 14a, 15a of the skirts 14, 15 and formed to be gradually deepened toward the center portion, depths d1 in the center portion are formed to be deepest in the peripheral directions of the skirts 14, 15.例文帳に追加

条痕９の深さは、スカート１４，１５の外周面１４ａ，１５ａの端部においては浅く（ｄ２）、中央部に向かうにつれて徐々に深くなるよう形成されており、この中央部における深さｄ１がスカート１４，１５の周方向において最も深くなるよう形成されている。 - 特許庁

To provide a production method for semiconductor device with which the number of processes is reduced by using an amphoteric, the quantity of an expensive solvent to be used can be reduced, and a liquid phase epitaxial growing layer is formed so that the light emitting element of high light emitting efficiency can be formed from a shallow dispersion layer.例文帳に追加

両性不純物を用いて工程数を削減し、高価な溶媒の使用量を削減できると共に、浅い拡散層による発光効率の高い発光素子を形成し得る液相エピタキシャル成長層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A washing-space-side floor member 110 in the form of a rectangular shallow pan is connected to a bathtub-side floor member 120 in the form of a rectangular deep pan having a shorter vertical side than the member 110, to form an approximately rectangular floor face having a rectangular cutout at a corner.例文帳に追加

矩形浅皿状の洗い場側床部材１１０と、洗い場側床部材１１０よりも縦辺が短い矩形深皿状の浴槽側床部材１２０とを接続すると、矩形形状の切り欠き部位を角部に有する概略矩形形状の床面が形成される。 - 特許庁

Source and drain areas 114 and 115 of a multi-crystal semiconductor film are formed on element separating areas 102 and 103, and channel areas 108 and 108' of a single crystal semiconductor film are formed on shallow well areas 106 and 107 like self-alignment with respect to the element separating areas.例文帳に追加

素子分離領域１０２、１０３上には多結晶半導体膜のソース・ドレイン領域１１４，１１５が、浅いウェル領域１０６，１０７上には単結晶半導体膜のチャネル領域１０８，１０８’が、素子分離領域に対して自己整合的に形成されている。 - 特許庁

To fabricate a transistor in which reverse short channel effect does not take place by suppressing formation of a recess through etching of the sidewall part of an isolation pattern formed on a semiconductor pattern when a pad oxide film, a sacrifice oxide film, and the like, are removed by etching thereby solving the problem in an STI(shallow trench isolation) technology.例文帳に追加

パッド酸化膜、犠牲酸化膜等のエッチング除去時に半導体基板に形成した素子分離パターンの側壁部がエッチングされて窪みが形成されるのを抑制してＳＴＩ技術の課題を解決し、逆狭チャネル効果を生じないトランジスタの形成を可能にする。 - 特許庁

When a shallow water jacket 5 surrounding the cylinder 2 and the plug hole 4 communicating to the water jacket 5 and opening on an outer wall 2b thereof are formed on the cylinder block 1, a swelling part 5a swelling in a cylinder axle lower direction is formed on a lower end of the water jacket 5 in proximity of the plug hole 4.例文帳に追加

シリンダブロック１に、シリンダ２を囲んで浅底のウォータージャケット５と、ウォータージャケット５に連通してこの外壁３ｂに開口するプラグ孔４とを形成する場合に、プラグ孔４近傍のウォータージャケット５の下端に、シリンダ軸下方向に膨出する膨出部５ａを形成した。 - 特許庁

To easily perform assembly and to provide a strong product with excellent appearance in which a shelf plate and a column are strongly connected without shakiness, relating to a metallic assembly shelf and a wagon including a plurality of rectangular shelf plates 1 of a shallow box shape and four columns 2 for supporting the four corner parts.例文帳に追加

矩形の浅箱状の複数枚の棚板１と、その四隅部を支持する４本の支柱２とを備える金属製の組立棚およびワゴンについて、組立を簡易になし得ると共に、棚板と支柱との結合が強固でぐらつきのない丈夫で体裁の良い製品を提供する。 - 特許庁

The welding of the container main body 2 and the cover 3, and the welding of the cap 4 and the corrosion resistance layer 6 are conducted in butt weld form in the circumferential direction (circumferential joint), the welding depth of the container main body 2 and the cover 3 is made shallow, thereby simplifies the welding work substantially.例文帳に追加

これによって、容器本体２と蓋部３の溶接、及びキャップ４と耐食層６との溶接がいずれも周方向の突き合わせ溶接（周継手）となる上に、容器本体２と蓋部３の溶接深さが浅くなるため、溶接作業を大幅に簡略化できる。 - 特許庁