Shallowを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2217件
Since the terminal edge of the recessed part 6 remarkably related to narrowing of the frequency bandwidth is made shallow and only the central area of the recessed part 6, where an adverse influence to be exerted upon the frequency bandwidth is reduced, is made deep corresponding to the highest component, narrowing of the frequency bandwidth can be suppressed.例文帳に追加
周波数帯域幅の狭小化に大きく関与する凹部6の端縁領域の深さは浅くして、周波数帯域幅に与える悪影響が小さい凹部6の中央領域の深さのみを最高背な部品に合わせて深くしたので、周波数帯域幅の狭小化を抑制することができる。 - 特許庁
In Satoumi, the hanging type bamboo fishing bank provided by fixing much waste bamboo right under the sea surface forms shallow sea conditions with small spaces and bamboo bundles of natural materials, microorganisms are proliferated on the solid surfaces, seaweed luxuriates to raise fry and young fishes, and food chain is completed so as to recover the fish resource.例文帳に追加
里海で、海面直下に大量の廃竹材を固定する吊下げ式竹材漁礁は、小空間と自然素材の竹材束でもって浅海環境が形成され、固体表面に微生物が増殖し、海藻が繁茂する事によって稚魚・幼魚が育まれ、食物連鎖が完成して漁業資源が復活する。 - 特許庁
In addition, deep sipings 24A and shallow sipings 24B are alternately provided in the block 18, and collapse deformation of each small block can be suppressed, reduction of the ground contact area can be suppressed, and the on-ice braking performance, the on-ice traction performance, the on-snow braking performance, and the on-snow traction performance can be further improved.例文帳に追加
また、ブロック18に深いサイプ24Aと浅いサイプ24Bを交互に設けたので、各小ブロックの倒れ込み変形を抑制でき、接地面積の減少を抑えることができ、氷上ブレーキ性能、氷上トラクション性能、雪上ブレーキ性能及び雪上トラクション性能を更に向上させることができる。 - 特許庁
To solve the problem that when a resistance element, a capacitance element and a transistor are formed, contact holes are formed at positions corresponding to the respective elements, and depths in which the respective elements are formed are different, and hence lengths of the holes are different, and when the contact holes are simultaneously formed, the surface of the element corresponding to the shallow contact hole is overetched.例文帳に追加
抵抗素子、容量素子、トランジスタを形成する際、各素子に対応した位置にコンタクトホールが形成されるが、各素子が形成された深さは夫々異なるためコンタクトホールの長さが異なり、同時にコンタクトホールを形成すると浅いコンタクトホールに対応する素子の表面がオーバーエッチングされる。 - 特許庁
This greening system is such that a ground circuit and an underground circuit where a liquid heat vehicle circulates with application of pressure of a pump are connected with each other, wherein a part of the ground circuit is arranged in the inside of a medium with a thickness of about 30 mm to about 20 mm, and plants which can be raised in a shallow medium are planted on the medium.例文帳に追加
液状の熱媒体がポンプの加圧により流通する地上循環路と地下循環路が連結されて成り、前記地上循環路の一部が厚さ約30mmから約20mmの培地の内部に配設され、当該培地に浅い培地で育成可能な植物を植生せしめた緑化システム。 - 特許庁
By using a shallow groove structure by the embedding of an insulating film for element separation, a decrease is prevented in an element separation breakdown voltage at a fine region, further variations can be reduced in the threshold of a selecting transistor, and the disturbance resistance of the memory cell can be improved by dividing the memory cell in a memory map by the selecting transistor.例文帳に追加
素子分離に絶縁膜の埋込みによる浅溝構造を用いることにより微細領域での素子分離耐圧の低下を防止し、さらに選択トランジスタのしきい値ばらつきを低減でき、また、メモリマット内のメモリセルを選択トランジスタによって分割することによりメモリセルのディスターブ耐性を改善できる。 - 特許庁
In the semiconductor device including the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, an electrode configured to receive a signal from an external connection terminal is formed on a drain region of the N-type MOS transistor for ESD protection via a thin insulating film.例文帳に追加
素子分離にシャロートレンチ構造を有するESD保護用のN型MOSトランジスタを有する半導体装置において、ESD保護用のN型MOSトランジスタのドレイン領域上には、薄い絶縁膜を介して前記外部接続端子からの信号を受ける電極が形成されている半導体装置とする。 - 特許庁
This method hardens resin mortar by heating and compression, after filling the resin mortar of a thermosetting resin in the upper part, by filling a water retentive material in the lower layer of the shallow plastic vessel.例文帳に追加
浅いプラスチック製容器の下層に保水部を設け、上方に樹脂モルタル層を有するものであって、保水部の上面の高さに排水孔を設けたもの、及び浅いプラスチック製容器の下層に保水材を充填し、上方に熱硬化性樹脂の樹脂モルタルを充填した後、加熱、圧縮し樹脂モルタルを硬化させる方法。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency.例文帳に追加
高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
To provide a grooving method capable of preventing chipping of a wall of a groove part by making a wall part not thin by grooving shallow on a frame lens shape peripheral edge part at a part where edge thickness of a spectacle lens becomes smaller, especially at a part where edge thickness of a plus lens or a minus lens becomes smaller.例文帳に追加
眼鏡レンズのコバ厚の大きさが小さくなる部分、特にプラスレンズやマイナスレンズのコバ厚が狭くなる部分では、玉型形状の周縁部で、浅く溝を掘り、壁部分が狭くならないようにして、溝部の壁の欠けを防止することができる溝掘り加工方法及び溝掘り加工装置提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a sleeping environment control device controlling sleeping environment according to a sleeping state to make the sleep of a person comfortable one by easily and highly precisely estimating a sleeping state such as a deep or shallow sleep using respiratory signals or body motion signals of the person smoothly detected with him/her non-restricted.例文帳に追加
無拘束状態においても円滑に検出できるヒトの呼吸信号または体動信号を用いながら、眠りが深い・浅いといった睡眠状態を簡易かつ精度よく推定し、かかる睡眠状態に応じてヒトの睡眠が快適となるように睡眠環境を制御する睡眠環境制御装置を提供する。 - 特許庁
In the case 20 for a fuel cell which is assembled by jointing an upper case 22 with a lower case 21 and houses the fuel cell stack 1 made by laminating unit cells 2, the housing depth of the fuel cell stack 1 in the lower case 21 has a deep part 41 and a shallow part 42 in the cell lamination direction.例文帳に追加
単セル2を積層してなる燃料電池スタック1を、ロアケース21とアッパケース22とを接合して組み立てられた内部に収容する燃料電池用ケース20であって、ロアケース21における燃料電池スタック1の収容深さとして、セル積層方向において深い部分41と浅い部分42とを設けた。 - 特許庁
To provide microparticles capable of performing CMP in a short time without causing grinding defects on a silicon oxide membrane, a metal embedded membrane and the like in CMP technologies such as interlayer insulating film planarization, shallow trench separation forming and metal embedding wiring forming, to provide an abrasive, and to provide a method for grinding substrates and a method for producing the semiconductor devices by using the abrasive.例文帳に追加
層間絶縁膜平坦化、シャロートレンチ分離形成、金属埋め込み配線形成等のCMP技術において、酸化珪素膜、金属埋め込み膜等へ研磨傷を発生させずに短時間でCMPが実施できる微粒子、研磨材、それを用いた基板の研磨方法、半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A low-resistance n-type AlN crystal is obtained by substituting a part of Al atoms in an AlN crystal with group IIIa elements (such as Sc, Y and La) or/and group IIIb elements (such as B, Ga and In), and substituting one adjoining nitrogen (N) atom with an oxygen (O) atom to form a shallow impurity level.例文帳に追加
本発明によれば、AlN結晶のAl原子の一部を、IIIa族元素(Sc,Y,La等)又は/及びIIIb族元素(B,Ga,In等)で置換し、隣接する窒素(N)1原子を酸素(O)原子で置換することにより、浅い不純物準位が形成され、低抵抗n型AlN結晶を得ることができる。 - 特許庁
To provide a production method of a silicon wafer capable of effectively exercising a gettering effect also in a thin film device while having BMD (Bulk Micro Defect) in a shallow region of, for example, ≤10 μm from a surface layer with high density, but having no defect in an extreme surface layer functioning as a device active layer.例文帳に追加
表層から例えば10μm以内までの浅い領域にBMD(Bulk Micro Defect)が高密度で存在するが、デバイス活性層として機能する極表層には欠陥が存在せず、薄膜デバイスに対してもゲッタリング効果を有効に発揮しうるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
The abrasive grain 32 is seated securely on the surface of the base metal 31 and the height of its top portion is aligned, it is buried within the first and second joining materials with leaving the vicinity of its top portion and retained firmly, a shallow recessed depression portion of the bottom is formed as a pocket 37 for discharging ground wastes between the adjacent abrasive grains.例文帳に追加
砥粒32は、台金31表面に確実に着座されて頂部高さが整列され、頂部近辺を残して第1及び第2接合材層内に埋没されて強固に保持され、隣接する砥粒間に底部の浅い凹陥部が研削屑排出ポケット37として形成される。 - 特許庁
In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed.例文帳に追加
シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板11の表面に溝14を形成した後に、溝14の内表面14aを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝14の内表面14aの欠陥層15を除去する。 - 特許庁
Shallow grooves for injecting an adhesive 5, having a depth of several tens micrometers are formed at 12 spots at every 30° at the outer periphery part of the base part 1a of the mirror 1 by grinding and etching, and the groove 5 is provided with an injection port for pressuring and injecting an adhesive and a suction port for vacuum sucking the adhesive.例文帳に追加
また、主鏡1のベース部1aの外周部には30゜毎に12個所に深さが数10μmの浅い接着剤注入用溝5が研削及びエッチングにより形成され、溝5には接着剤を加圧して注入するための注入口と、接着剤を真空吸引するための吸引口が設けられている。 - 特許庁
To provide an MOS transistor having a stable and shallow high concentration junction capable of preventing a high concentration area forming a drain/source area from being put through a contract hole due to the variations in manufacturing, which used to be impossible in an MOS type transistor having a conventional LDD structure.例文帳に追加
本発明は、従来のLDD構造を有するM0S型トランジスタでは不可能であった、ドレイン・ソース領域を形成する高濃度領域が製造バラツキなどによりコンタクトホールを突き抜けることのなく、安定して浅い高濃度接合を有するMOS型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a process for spin-on depositing a silicon dioxide-containing film under oxidative conditions for gap-filling in high aspect ratio features for shallow trench isolation used in memory and logic circuit-containing semiconductor substrates, such as, silicon wafers having one or more integrated circuit structures contained thereon.例文帳に追加
記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、1つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。 - 特許庁
The rooftop greening system is characterized in that a shallow water storage pool is formed on the rooftop of the building and containers for plant cultivation in which the plants are set are arranged in the water storage pool to form greening parts on the rooftop and a water level regulating means for supplying water from the bottom of the containers is installed.例文帳に追加
建物の屋上に浅い貯水プールを形成し、該貯水プール内に、植物が植え付けられた植物栽培容器を配置し、屋上に緑化部を形成し、該容器の底部から給水させるための水位調整手段が設けられていることを特徴とする屋上緑化システムとするものである。 - 特許庁
Again, by carrying out third scanning (c) of scanning the substrate 10 in X direction by the laser light along the predetermined cutting line 21a, and fourth scanning (d) of scanning in Y direction along predetermined cutting line 21b, a modified region is formed in a shallow distance d2 (d1>d2) in the substrate 10 from the surface where the laser light comes in.例文帳に追加
再び、レーザ光が切断予定線21aに沿って基板10をX方向に走査する第3走査(c)と、切断予定線21bに沿ってY方向に走査する第4走査(d)とで、レーザ光が入射する面から基板10内の浅い距離d2(d1>d2)に改質領域を形成する。 - 特許庁
This getting-on/off assisting device and a platform door device are integrated together, a control amplifier for driving the step is stored in a shutter case for the platform door so that the thickness of a part for storing the step is drastically thinned, thereby allowing shallow excavation depth for the platform, and large reduction of the installation construction cost.例文帳に追加
乗降補助装置とホームドア装置を一体化し、ステップ駆動用の制御増幅器をホームドア用戸袋の中に収納することによりをステップが収納される部分の厚さが大幅に薄くできるようになり、プラットホーム掘り下げる深さを浅くでき、設置工事費を大幅に減らすことが出来た。 - 特許庁
The vertically long elliptic passage 20 is made up of a combination of a deep groove 32 formed on one side of the commissure 14a and a shallow groove 34 formed on the opposite side thereof, while on the other hand, the horizontally long elliptic passage 22 is made up of a combination of semi-elliptic grooves 36 and 36 formed equally deep on both sides of the commissure 14b.例文帳に追加
縦長楕円通路20は、合わせ目14aの片側に形成された深い溝32と、反対側に形成された浅い溝34との組合せで構成し、横長楕円通路22は、合わせ目14bの両側に同じ深さに形成された半楕円溝36、36の組合せで構成する。 - 特許庁
On the cutting blade side 6 of a solid metal saw composed of cemented carbide as its base material, gradient portions characterized by concave shapes with minor angles and shallow clearance grooves are formed continuously, to constitute a so-called set type blade in which multiple blade edge portions are alternately protruding from the base face 7 of the clearance groove bottom.例文帳に追加
超硬合金を母材としたソリッドメタルソーの切れ刃側面6部に、中凹状態の微小角度の勾配部と浅い逃げ溝を連接して形成し、複数の切れ刃端部は交互に逃げ溝底部の基台面7より突出した、いわゆるあさり刃形状を形成した超硬ソリッドメタルソーとする。 - 特許庁
From this fact, the depth of a connection hole 133 connecting an upper wiring layer 137 with the substrate 101 is formed shallow, the simultaneous opening of the connection hole 133 with a connection hole 132 connecting an upper wiring layer 136 with a lower wiring layer 134 is facilitated, and the state of connection between wirings in the hole 132 and the hole 133 becomes a satisfactory.例文帳に追加
このことにより、上層配線137と半導体基板101との接続孔133深さが浅くなり、接続孔133と、上層配線136と下層配線134との接続孔132との同時開口が容易となり、接続孔132や133における配線間の接続状態が良好なものとなる。 - 特許庁
The front end of the flexible engaging pieces 42 is housed in the engaging piece housing portion 54 as the engaging projection 52 is housed in the shallow portion 44, so that the cross-shaped slit 41 is restrained from expanding.例文帳に追加
係合突起52は、可撓性係合子42を撓ませ、スリット41を広げることによって、中空部44内に挿入可能になり、可撓性係合子42の先端が、係合突起52が中空部44に収容された状態で、係合子収容部54内に収容され、スリット41が広がらないように拘束される。 - 特許庁
To provide a method for vegetating seaweeds in an early stage by which the objective seaweeds can be vegetated on the surfaces of various kinds of block structures in the sea such as a concrete present in a shallow sea area with slight seaweeds in the surroundings in the early stage and a seaweed bed can surely be formed even on the surfaces of the block structures in the surroundings thereof after the second to the third year.例文帳に追加
周囲に海藻の少ない浅海域にある海中のコンクリート等の各種ブロック構造物の表面に、早期に目的の海藻を植生させ、2〜3年目からその周囲のブロック構造物の表面にも確実に藻場を形成することのできる海藻の早期植生方法を提供する。 - 特許庁
In the bottom wall part 3 of the shallow bottom part 1', a part 3b corresponding to a barrel of a target film mode, namely an inside part 3b extendedly disposed along the engine longitudinal directions is thickened, and also parts 3a, 3c around the wall thickness part 3b, especially the outside part 3c extendedly disposed along both sides of the inside part 3b is relatively thinned.例文帳に追加
浅底部1’の底壁部3の中で、対象となる膜モードの腹に相当する部分3b、つまり機関前後方向に沿って延在する内側部3bを厚肉化するとともに、厚肉部3bの周囲の部分3a,3c、特に内側部3bの両側に沿って延在する外側部3cを相対的に薄肉化する。 - 特許庁
In this method for manufacturing a semiconductor substrate, a silicon wafer 36 added with impurities at a high concentration is housed in a chamber 22, and while a hydrogen gas 28 is supplied into the chamber 22, the surface of the silicon wafer 36 is scanned with a line laser light to eliminate impurities thereon, thereby forming a shallow low-concentration layer on the surface of the silicon wafer 36.例文帳に追加
不純物が高濃度に添加されたシリコンウェハ(36)をチャンバー(22)内に収容し、該チャンバー(22)内に水素ガス(28)を供給しながら、シリコンウェハ(36)の表面をライン状のレーザ光で走査して、該表面に存在する不純物を脱離し、シリコンウェハ(36)の表面に浅い低濃度層を形成する。 - 特許庁
The resistance of a contact part of a conductive layer (wiring layer IL2), in a first via hole VH with a deep via depth BDE and a wiring layer IL1, is set smaller than the resistance of a contact part of the conductive layer (wiring layer IL2) in a second via hole VH with a shallow via depth BDE and the wiring layer IL1.例文帳に追加
ビア深さBDEの深い第1のビアホールVH内の導電層(配線層IL2)と配線層IL1との接触部の抵抗は、ビア深さBDEの浅い第2のビアホールVH内の導電層(配線層IL2)と配線層IL1との接触部の抵抗よりも小さくなっている。 - 特許庁
The member for architecture comprises a cover material molding the metal plate having an insertion on the rear face by possessing a cover face mutually having a plurality of substantially rectangular section areas and shallow grooved decorative recesses; and a projection body having a fixing piece fixed by sandwiching the covering face and the insertion piece, and the insertion pieces having a locking means.例文帳に追加
ほぼ矩形の区画域と、浅い溝状の飾り凹とを、交互に複数持つカバー面を持ち、その裏面に挟込片とを持つ金属板を成形した被覆材と、そのカバー面と挟込片とに挟まれて固定されるに固定片と、係止手段を持つ差込片とを持つ突起体とからなる建築用部材とする。 - 特許庁
To provide a slidable contact work plate of a slidable contact work tool for a floor capable of assembling and cleaning at a low cost, dramatically enhancing attachment accuracy of the slidable contact work plate, and simply, securely and successfully being used even though a worker has shallow experience by noting a point in which required resilience is easily added to a bend part.例文帳に追加
低コストで組立、洗浄が行え、摺接作業板の取付精度を飛躍的に向上させ、或いは折曲部分に必要な弾性を付加させることが容易に行える点に着目し、経験の浅い作業者であっても簡単確実に使いこなせる床用摺接作業用具の摺接作業板を提供する。 - 特許庁
A deep bottom fuel chamber 11a is provided on one of sides of fuel tank 11 putting a center tunnel 12 provided on the fuel tank 11 for making a propeller shaft 7 pass through therebetween, and a shallow bottom fuel chamber 11b having a push-up bottom higher than a tank bottom of the deep bottom fuel chamber 11a is provided on another side of the fuel tank 11.例文帳に追加
プロペラシャフト7を通すために燃料タンク11に設けられているセンタトンネル12を挟む燃料タンク11の一方側に深底燃料室11aを備えるとともに、燃料タンク11の他方側には深底燃料室11aのタンク底よりも上げ底とする浅底燃料室11bを備えている。 - 特許庁
To provide an electron probe microanalyzer, provided with an optical observation system of satisfying both requests of shallow focal point depth and high magnification observation for accurately aligning the analytical point, and of wide-view field and low magnification observation for searching for the analytical point in a thin sample by a transmission optical image.例文帳に追加
分析点の位置合わせを精度よく行うための浅い焦点深度及び高倍率観察と、薄片試料の分析点探しを透過光学像によって行うときの広い視野及び低倍率観察という両方の要求を満たす光学観察系を備える電子プローブマイクロアナライザの提供。 - 特許庁
To provide a method of forming a high-voltage junction for a semiconductor device, capable of forming a junction structure of a high breakdown voltage and low surface resistance in a shallow position by minimizing the occurrence of lattice defects in a process of forming a junction to which a high voltage is applied.例文帳に追加
高電圧が印加される接合構造を形成する過程で格子欠陥が発生することを最小化し、ブレークダウン電圧(Breakdown voltage)及び面抵抗の低い接合構造を浅く形成することが可能な半導体素子の高電圧接合領域方法を提供すること。 - 特許庁
In the process for fabricating a semiconductor device by forming a shallow trench isolation (STI) 12 on a silicon substrate 11 and forming a gate insulation film covering the corner part of the STI 12 in a region isolated by the STI 12, fluorine ions are implanted into a gate electrode 15 and diffused to the gate insulation film 14.例文帳に追加
シリコン基板11上にシャロートレンチアイソレーション(STI)12を形成し、このSTI12で分離された領域にSTI12のコーナー部を覆うゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極15にフッ素イオンを注入し、該フッ素イオンをゲート絶縁膜14に拡散させる。 - 特許庁
Then, sealing compound filling grooves constituted of the central deep groove 7 and shallow grooves on both sides are formed in the foundation slab constitution section 2 and both end faces of the foundation beam constitution section 3, and a bolt box 6 and joint metal fixtures 4 for connecting the adjoining mat foundation PC blocks 1 and 1 with high strength bolts are provided.例文帳に追加
基礎スラブ構成部2及び基礎梁構成部3の両端面には中央の深溝7とその両側の浅溝8,8とからなるシール材充填用溝が形成され、隣接するべた基礎用PCブロック1,1同士を高力ボルトで接合するためのボルトボックス6及び連結金具4が備えられている。 - 特許庁
The first siping 10 is provided with a middle bottom part 10B opening in the outer lengthwise main groove 5 to a deep bottom part 10A where the deepest part continues and having a depth shallower than the deep bottom part 10A, and also provided with a shallow bottom part 10C opening in the intermediate lengthwise main groove 4 to the other side and having a depth shallower than the middle bottom part 10B.例文帳に追加
第1のサイピング10は、最深部が続く深底部分10Aに外の縦主溝5で開口し前記深底部分10Aよりも深さが小な中底部分10Bを、他方側に中間の縦主溝4で開口し中底部分10Bよりも浅い浅底部分10Cを設けている。 - 特許庁
A proper amount of adhesive 114 is applied to the adhesive face 122 which is a difference-in-level face situated in a comparatively shallow position in view from the reference face 121 of the holding substrate 120 and then, the adhesive 114 is filled between the optical waveguide circuit substrate 101 and the adhesive face 122, thereby fixing the optical waveguide circuit substrate 101 and the holding substrate 120.例文帳に追加
保持基板120の基準面121から見て比較的浅い位置にある段差面である接着面122に適量の接着剤114を塗布し、光導波回路基板101と接着面122との間に接着剤114を充填して光導波回路基板101と保持基板120とを固定する。 - 特許庁
A graded scale is put on a small spoon of 5 cc, a middle spoon of 10 cc, and a large spoon of 15 cc in metering units that become a guide for cooking with shallow groove lines at a recess at the center of the spoons, so that the spoons are helpful for cooking without requiring any exclusive metering tools, such as a metering spoon and a metering cup.例文帳に追加
本考案は、スプーンの中央の窪みに調理の目安となる計量単位の小さじ一杯分の5cc、中さじ一杯分の10cc、大さじ一杯分の15ccの目盛りを浅い溝の線で記すことにより、計量スプーンや計量カップなどの専用の計量道具を必要としない調理に役立つ。 - 特許庁
The sealed battery uses the battery can 11 whose inside face 113 contacting at least positive electrode mixture 21 has such a rough-surface condition along the circumferential direction that its 1 μm or more deep valley appearance frequency is 10 sites/1 mm or less and its 0.1-0.5 μm shallow valley appearance frequency is 200 sites/1 mm or more.例文帳に追加
少なくとも正極合剤21と接触する内側面113が、円周方向に沿って、1μm以上の深谷出現頻度が10ヵ所/1mm以下、0.1〜0.5μmの小谷出現頻度が200ヵ所/1mm以上となるような粗面状態を有する電池缶11を用いる。 - 特許庁
In the ceramic package 10 having the groove for dividing after burning on the laminate 21 of a ceramic green sheet provided with conductor wiring in the X and Y directions, burning the laminate 21 of the ceramic green sheet and dividing it along the groove, one groove of any one of the X and Y directions is deep, and the other is shallow.例文帳に追加
導体配線を備えたセラミックグリーンシートの積層体21に、焼成後分割するための溝を直交してX方向及びY方向に有し、セラミックグリーンシートの積層体21を焼成し、溝に沿って分割してなるセラミックパッケージ10において、溝はX方向、Y方向のいずれか一方が深い溝a、他方が浅い溝bである。 - 特許庁
The condensed point forming position of the laser beams L" condensed by the condenser lens CV1 and the condenser lens CV2 can be arbitrarily changed, and the forming position of the condensed point Pa (relatively shallow position) and the condensed point Pc (relatively deep position) can be continuously set at arbitrary positions even within the wafer W.例文帳に追加
これにより、これらの集光レンズCV1、CV2により集光されたレーザ光L”は、その集光点の形成位置を任意に可変することができるので、ウェハWの内部においても、集光点Pa(比較的浅い位置)や集光点Pc(比較的深い位置)の形成位置を任意の位置に連続的に設定することができる。 - 特許庁
To provide a chemical mechanical polishing slurry composition which is particularly useful for a chemical mechanical polishing (CMP) process of a STI (shallow-trench isolation) process forming a semiconductor multilayer structure, minimizes the occurrence of fine scratches, and has a high polishing selection rate of an oxide film to a nitride film.例文帳に追加
半導体多層構造を形成するためのSTI(Shallow Trench Isolation)工程の化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing:CMP)工程に特に有用であり、微細スクラッチの発生を最小化し、酸化膜と窒化膜の研磨選択比が高い化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a mold release film provided with a release layer satisfactory in a thermal dimensional change, excellent in printability, in a printing process for shallow drawing to middle drawing use, excellent in moldability because easily elongated at a low stress, capable of obtaining a molding excellent in glossiness feeling, and capable of making application thickness dependency of a separation force as lower as possible.例文帳に追加
浅絞り〜中絞り用途の印刷工程において、熱寸法変化が良好で印刷性に優れ、低応力で容易に伸びるため成形性良好であり、高光沢感に優れた成形品を得ることが可能であり、剥離力の塗布厚み依存性が極力小さい離型層が設けられた離型フィルムを提供する。 - 特許庁
The soil improvement is actualized using at least one kind of a fermentation material biodegradable with a microorganism and seawater or ocean deep layer water, applying the fermentation material to soil, spraying the seawater or the ocean deep layer water in a stock solution as it is without dilution and then carrying out shallow plowing operation on the surface part of soil.例文帳に追加
微生物により分解可能な少なくとも一種類の発酵素材と、海水もしくは海洋深層水と、を用い、前記発酵素材を土壌に散布した後、前記海水もしくは海洋深層水を希釈せずに原液のまま散布し、しかる後に土壌表面部を浅く鋤く作業を経ることにより、土壌改良が実現される。 - 特許庁
The installation of the fish bank develops a solid article comprising small spaces and a natural material near the sea surface, forms habitats of small fishes and microorganisms, grows seaweeds on the bamboo material in a shallow water environment, proliferates the microorganisms and completes a food chain to restore fishery resources.例文帳に追加
大量の廃竹材が、竹材を直立方向に活用した立て形漁礁として活用される事によって、小空間と自然素材からなる固体が海面近くに出現し、小魚や微生物の住処が出現し、浅海環境の竹材に海藻が繁茂し、微生物が増殖し、食物連鎖が完成して漁業資源が復活する。 - 特許庁
The integrated circuit (300) includes the substrate (302), at least two shallow trench isolation (STI) structures (305, 306) formed in the substrate (302), an oxygen filler in at least the two STI structures (305, 306), and a semiconductor element at least disposed on the oxygen filler in the two STI structures (305, 306).例文帳に追加
集積回路(300)は、基板(302)と、基板(302)中に形成される少なくとも二つのシャロートレンチアイソレーション(STI)構造(305,306)と、少なくとも二つのSTI構造中に設置される酸化物充填物と、少なくとも二つのSTI構造中の酸化物充填物上に設置される半導体素子と、からなる。 - 特許庁
In a nearly full-lighted area with a shallow dimming depth due to load characteristics in accordance with the dimming depths k1, k2 to k7, light-emitting diodes 19 to 21 are in a current control mode to be lit and controlled, and those 19 to 21 are lit and controlled gradually changing from the current control mode to a voltage control mode as the dimming depths get deeper.例文帳に追加
調光深度k1、k2、…k7に応じた負荷特性により調光深度が浅い全光に近い領域では、電流制御モードになって発光ダイオード19〜21を点灯制御し、調光深度が深くなるにつれて電流制御モードから電圧制御モードに徐々に移行させて発光ダイオード19〜21を点灯制御とするようにした。 - 特許庁
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