| 意味 | 例文 |
Single-phaseの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1663件
The image forming device corrects the magnification of an image by changing the periodic time of arbitrary pixel on a single element basis until a phase adjustment (phase shift value) computed with a fixed frequency and corrects the magnification of an image by changing the frequency of an image signal on a single line or multiple line basis after the phase adjustment exceeds the specified value.例文帳に追加
周波数を固定して算出した位相調整量(位相シフト値)が予め設定した規定値を超えるまでは1画素単位で任意の画素の周期時間を変更することにより画像の倍率補正を行い、その規定値を超えてからは1ライン単位もしくは複数ライン単位で画像信号の周波数を変更することにより画像の倍率補正を行う。 - 特許庁
In the power integration circuit having a voltage type single-phase full bridge conversion circuit as a basic unit, the basic unit has a level shift type gate drive circuit, an integrated single-phase multilevel conversion circuit is formed by series connection of basic units, and an integrated three-phase multilevel conversion circuit is formed by three parallel connections of basic units 1 and three parallel connections of series connection basic units.例文帳に追加
電圧形単相フルブリッジ変換回路を基本ユニットとしたパワー集積化回路であって、前記基本ユニットはレベルシフト型ゲートドライブ回路を備え、前記基本ユニットの直列接続により集積化単相マルチレベル変換回路を形成し、基本ユニットの3並列接続および直列接続基本ユニットの3並列接続により集積化3相マルチレベル変換回路が形成される。 - 特許庁
A large size KNbO_3 single crystal without cracks is produced by specifying a phase transition stage, a necessary condition at the phase transition stage and a required time in the phase transition stage at a step to cool the crystal after growing to room temperature when the KNbO_3 single crystal is produced by a TSSG (top-sealded solution growth) method.例文帳に追加
TSSG法によりKNbO_3単結晶を製造する方法において、結晶成長に引き続き室温へ冷却する過程で、相転移の過程、相転移過程における必要条件を規定し、さらに相転移過程に要する時間を規定することにより、クラックの無い大型KNbO_3単結晶を作成することを特徴とする大型KNbO_3単結晶の製造方法である。 - 特許庁
The image forming device corrects the magnification of an image by changing the periodic time of arbitrary pixels on a single pixel basis until a phase adjustment amount (phase shift value) computed with a fixed frequency exceeds a specified value set in advance and corrects the magnification of the image by changing the frequency of an image signal on a single line or multiple line basis when the phase adjustment exceeds the specified value.例文帳に追加
周波数を固定して算出した位相調整量(位相シフト値)が予め設定した規定値を超えるまでは1画素単位で任意の画素の周期時間を変更することにより画像の倍率補正を行い、その規定値を超えてからは1ライン単位もしくは複数ライン単位で画像信号の周波数を変更することにより画像の倍率補正を行う。 - 特許庁
To provide a magnetic garnett single crystal wherein a lead content is reduced, an optical element using the crystal and a method for manufacturing the magnetic garnett single crystal in respect of the magnetic garnett single crystal grown by a liquid-phase epitaxial (LPE) method, the optical element using the crystal and the method for manufacturing the magnetic garnett single crystal.例文帳に追加
本発明は、液相エピタキシャル(LPE)法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
This crystal material polishing method for polishing the single crystal material having the structural phase transition of a crystal is adapted for polishing the surface of the single crystal material in the exhibiting state of the same crystal structure as a crystal structure exhibited by the single crystal material in the working temperature range of an element manufactured using the single crystal material.例文帳に追加
結晶の構造相転移を有する単結晶材料を研磨する結晶材料の研磨方法であって、単結晶材料を用いて作製した素子の使用温度領域において、単結晶材料が発現する結晶構造と同一の結晶構造を発現した状態で、単結晶材料の表面の研磨を行う。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a silicon epitaxial wafer including a process of performing vapor-phase growth of a silicon single-crystal thin film on the surface of a silicon single-crystal substrate, wherein variation in resistivity in a depth direction between the silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal thin film is steep and the transition width of the resistivity is small.例文帳に追加
シリコン単結晶基板の表面上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる工程を含むシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、シリコン単結晶基板とシリコン単結晶薄膜間の深さ方向の抵抗率変化が急峻で、抵抗率の遷移幅が小さいシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。 - 特許庁
The low-carbon steel plate is a clad type which has a plate-thickness center layer of a ferrite mixed structure including one or two kinds among a perlite phase, a bainite phase and a martensitic phase containing 1.0 mass% Si, and a surface layer of a ferrite single-phase structure containing 3 to 5 mass% Si, the surface layer having 70 to 160 MPa in-plane tensile stress as internal stress.例文帳に追加
低炭素鋼板であって、Si:1.0 質量%以下であるパーライト相、ベイナイト相およびマルテンサイト相のうちいずれか1種また2種以上を含むフェライト混合組織の板厚中央層と、Si:3〜5質量%を含むフェライト単相組織の表層とをクラッド型に有し、内部応力として、表層に70〜160MPaの面内引張応力を有する。 - 特許庁
To materialize a drive circuit which controls the application of a large current under a small induced voltage by making each piece of three-phase coils independent of each other without being connected with each other, and connecting the current application control circuits of single-phase full waves each independent of a power source to independent three-phase coils, in a drive circuit for a three-phase stepping motor.例文帳に追加
本発明は、3相ステッピングモータの駆動回路において、独立した3相巻線に独立して他の巻線とは接続せず独立させ、独立した3相巻線に夫々電源と独立した単相全波の通電制御回路を接続し、低い誘起電圧のもとで大きな電流を通電制御する駆動回路の実現を目的とする。 - 特許庁
This unit input voltage detecting method takes the procedure of calculating the input voltage in each group from the detected information of a voltage detecting circuit 106 which is provided on the side of primary winding 120 of a three-phase transformer 102 so as to detect and convert the secondary voltage applied to the three-phase input terminals of three-phase/single-phase power converters out of 3×n pieces of units.例文帳に追加
三相トランス102の1次巻線120側に3×n個のユニット内の三相/単相電力変換器の三相入力端子に印加される2次電圧を変換・検出する電圧検出回路106を設け、その検出情報から各グループの入力電圧情報を演算するという手順をとるものである。 - 特許庁
The single-lens stereoscopic imaging apparatus acquires main and sub images having a phase difference from each other by photoelectrically converting subject images passed through different areas in a predetermined direction of a single photographic optical system by a phase difference CCD by which the subject images passed through the respective areas are subjected to pupil-division and formed respectively.例文帳に追加
単一の撮影光学系の予め定められた方向の異なる領域を通過した被写体像が瞳分割されてそれぞれ結像される位相差CCDにより、各領域を通過した被写体像がそれぞれ光電変換され互いに位相差をもった主、副画像を取得する単眼立体撮像装置である。 - 特許庁
To simplify a converter 4 by reducing the power supplied from the converter 4 to DC power sources 3a-3c for each single-phase inverter 1a-1c, in a power converter which controls the gradient of the output voltage by the total sum of each generated voltage by connecting the AC sides of two or more single-phase inverters 1a-1c in series.例文帳に追加
単相インバータ1a〜1cの交流側を複数直列接続して各発生電圧の総和により出力電圧を階調制御する電力変換装置において、各単相インバータ1a〜1cの直流電源3a〜3cへコンバータ4から供給される電力の低減化を図り、コンバータ4を簡略化する。 - 特許庁
Differential input signals Vin+, Vin- are received by a differential input/single-phase output type voltage/current converting amplifier Gm1, a single-phase output signal of the voltage/current converting amplifier Gm1 is received by one floating register comprised of transistors P1, N2, and transistors P2, N2 of the output stage are driven by the floating register.例文帳に追加
差動入力信号Vin+,Vin-を差動入力/単相出力型の電圧−電流変換増幅器Gm1で受け、電圧−電流変換増幅器Gm1の単相出力信号をトランジスタP1,N2による一つのフローティングレジスタで受けて、フローティングレジスタにより出力段のトランジスタP2,N2を駆動する。 - 特許庁
A control means connects a single phase AC power source to an UP line of a rotating motor when an open button is operated, connects the single phase AC power source to a DOWN line of the rotating motor when a close button is operated, controls opening and closing operation and stops the supply of electric power after the lapse of a prescribed time.例文帳に追加
制御手段は、開ボタンが操作された場合には、単相交流電源と回転モータのUP線とを接続し、閉ボタンが操作された場合には単相交流電源と回転モータのDOWN線とを接続し、開及び閉動作を制御し、所定時間経過後に電力の供給を停止する。 - 特許庁
For a commercial power supply voltage input to the single phase induction motor 24, a voltage detection means 12 measures an input voltage after the operation of the single phase induction motor 24 is started after washing is started, and a control means 11 compares it with a rated voltage and sets the washing operation time of a period corresponding to the high or low voltage.例文帳に追加
制御手段11は、単相誘導モータ24に入力される商用電源電圧を洗浄開始後の単相誘導モータ24が動作開始した後に電圧検出手段12が入力電圧を計測し、定格電圧との比較をおこない、高低に応じた長さの洗浄運転時間を設定する。 - 特許庁
To enable a single phase SRM(switched reluctance motor) to make a high speed and high efficiency operation, minimize an element switching frequency for the single phase SRM drive and stably driving the motor by preventing abnormal parking, by constituting a start sensor and a drive sensor separately, and its method.例文帳に追加
起動センサと運転センサとを別途に構成してモータを駆動することによって高速及び高効率運転が可能となり、単相SRM駆動のための素子のスイッチング周波数を最小とすることができ、モータの非正常的なパーキングを防止することによってモータを安定に駆動できることを目的とする。 - 特許庁
To provide a means for balancing input voltages to individual single- phase rectifiers by diminishing intrinsic instability, without adding a special circuit, in a multiphase rectifier of circuit formation wherein the single-phase rectifiers of individual phases are star-connected, and converters are connected to their outputs respectively.例文帳に追加
各相の単相整流器がスター結線され、その出力にそれぞれコンバータが接続された回路構成の多相整流器において、特別な回路を付加することなく、本質的な不安定性を解消することによって、各単相整流器の入力電圧をバランスさせる手段を提供する。 - 特許庁
The process for transesterification of a mixture of fatty acid and triglyceride comprises forming a single phase solution of fatty acid and triglyceride in an alcohol selected from methanol and ethanol, wherein the ratio of the alcohol to triglyceride is 15:1 to 35:1 and further the solution contains a co-solvent in an amount sufficient to form a single phase.例文帳に追加
脂肪酸及びトリグリセリドの混合物をエステル交換するプロセスであり、該プロセスは、メタノール及びエタノールから選択されたアルコール中の脂肪酸及びトリグリセリドの単相溶液を形成し、前記アルコール対トリグリセリドの比は15:1〜35:1であり、さらに溶液は、単相を形成するのに充分な量の補助溶剤を含む。 - 特許庁
It controls the drive of the single-phase inverter 42 with its AC voltage maximum so that it outputs one pulse of voltage with respect to half cycle of power voltage, and controls the output voltage by the sum total of each generated voltage of the single-phase inverters 43 and 42 into pseudo-sine waves, and controls it so that the power current becomes the target current.例文帳に追加
直流電圧が最大である単相インバータ43を、電源電圧の半周期に対して1パルスの電圧を出力するように駆動制御し、単相インバータ43、42の各発生電圧の総和による出力電圧を疑似正弦波に制御して、電源電流が目標電流になるように制御する。 - 特許庁
The manufacturing method includes: (a) producing a single-phase solution by combining polymer resin with a supercritical gas which is generated by exposing a gas to high temperature and pressure, and (b) forming a polishing pad from the single-phase solution; wherein the supercritical gas is generated by exposing a gas to high temperature and pressure.例文帳に追加
生産の方法は、(a)ポリマー樹脂を、高い温度および圧力にガスを晒すことにより生成される超臨界ガスと組み合わせて単相溶液を生成すること、および(b)該単相溶液から研磨パッドを形成することを含み、該超臨界ガスはガスを高い温度および圧力に晒すことによって発生させる。 - 特許庁
The power conversion device has: a three-phase inverter constituted to form each phase by output from at least one unit inverter 1 for obtaining a single-phase AC output from a DC power supply 11; control means 5 for controlling output voltage by giving gate pulse to each phase of the three-phase inverter; and current detection means 3 for directly or indirectly detecting each output current of the unit inverters 1.例文帳に追加
直流電源11から単相交流出力を得る少なくとも1台の単位インバータ1の出力で各相を形成するように構成した3相インバータと、この3相インバータの各相にゲートパルスを与えて出力電圧を制御する制御手段5と、単位インバータ1の各々の出力電流を直接または間接的に検出する電流検出手段3で構成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a high performance single crystalline polycrystal and single crystal, which is preferably used for optical part, electronic part, structural part or the like, without through a liquid phase, in a relatively short time, easily and at a low cost.例文帳に追加
光部品、電子部品、構造部品等に好適に用いることができる高性能な単結晶質多結晶体、単結晶を液相を介することなく比較的短時間また容易に低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁
The steel electric component is structured so that a plating layer of single component of Ni or Cr not containing P substantially and having a thickness of 5-20 μm is formed on the surface, and the metal structure of the parent material is made substantially a ferrite single phase structure.例文帳に追加
厚さが5〜20μmであるP(りん)を実質的に含まないNiまたはCrの単一成分めっき層を表面に形成し、かつ母材の金属組織が実質的にフェライト単相組織となるようにする。 - 特許庁
To provide a current injection type pumped ultraviolet light emitting element providing a peak intensity of the FE light emission higher than a band- A light emitting peak intensity using a high quality high-pressure synthetic single crystal diamond and a gas phase synthetic single crystal diamond.例文帳に追加
FE発光のピーク強度がband−A発光ピーク強度よりも高い電流注入励起紫外線発光素子を、高品質の高圧合成単結晶ダイヤモンドと気相合成単結晶ダイヤモンドを用いて提供する。 - 特許庁
To provide a new method for manufacturing single crystal substrates, by which the manufacturing cost can be reduced and substrates having the same off angle can be easily manufactured in large amount when off substrates capable of being used for vapor phase synthesis of single crystals are manufactured.例文帳に追加
単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する基板を簡単かつ大量に製造することが可能な新規な方法を提供する。 - 特許庁
The silicon single crystal substrate 2 arranged in an almost horizontal state is rotated in a plate plane direction, and simultaneously the material gas is supplied almost parallel to the main surface of the silicon single crystal substrate 2 to carry out the vapor phase growth.例文帳に追加
略水平状態に配されたシリコン単結晶基板2を板面方向に回転させつつ、該シリコン単結晶基板2の主表面に対して略平行に原料ガスを供給することによって気相成長させる。 - 特許庁
Under this state, a susceptor 5 is heated using an induction heating coil 6 and a material gas is supplied, while heating a silicon single-crystal substrate 12 mounted on the susceptor 5 to grow a thin film epitaxially in vapor phase on the silicon single-crystal substrate 12.例文帳に追加
その状態で誘導加熱コイル6を用いてサセプタ5を誘導加熱し、サセプタ5に載置されたシリコン単結晶基板12を加熱しつつ原料ガスを供給し、シリコン単結晶基板12上に薄膜を気相成長させる。 - 特許庁
To provide a vacuum vapor deposition apparatus to continuously and uniformly form a single phase film or a mixed film which consists of a single element or different elements and has a predetermined composition and a target thickness on a traveling film.例文帳に追加
走行中のフィルム表面に単一元素または異なる元素からなり、所定の組成比および目標厚みを有する単相膜または混合膜を、連続的かつ均一に形成できる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁
To provide a diamond single crystal substrate which has a large size and a high quality and also is used for semiconductor materials, electronic parts, optical components, etc., by having overcome the problem on the crack of a diamond single crystal substrate obtained by a gas-phase growth method.例文帳に追加
気相成長法により得られるダイヤモンド単結晶基板の割れの問題を克服して、半導体材料、電子部品、光学部品等に用いられる、大型かつ高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。 - 特許庁
To offer a three-phase voltage type PWM inverter device which can detect a current with accuracy in simple and inexpensive constitution even in case the degree of modulation is small or that it is close to the phase of a single fundamental voltage vector.例文帳に追加
変調度が小さい場合や単一の基本電圧ベクトルの位相に近い場合等においても簡単且つ安価な構成で高精度に電流検出が可能な3相電圧型PWMインバータ装置を提供する。 - 特許庁
This single crystalline thin film is formed by selecting a liquid crystal material good in regularity of molecular arrangement, then placing the liquid crystal material between a couple of boundaries capable of controlling the thickness, imparting arrangement order by the phase transition from liquid crystal phase and solidifying.例文帳に追加
分子配列規則性の良好な液晶材料を選択し、一対の厚さ規制力を有する界面間に配置し、液晶相からの相転移により配列秩序を付与して固化させ単結晶性薄膜を与える。 - 特許庁
When a gas/liquid two-phase fluid is forced from the side of the occlusion plate 22 into the cylindrical body 21, the impingement corpuscles 24 are brought closer to the occlusion plate 23 to form a mutually joined single lump by the flowing force of the gas/liquid two-phase fluid.例文帳に追加
閉塞板22側から気液二相流体を筒状体21内に圧入・供給すると、気液二相流体の流動力により、衝突小体24は閉塞板23側に寄って相互に密着した一塊となる。 - 特許庁
The vapor phase growth system 100 is used to heat both surfaces of the single crystal silicon substrate W of a diameter of 300 mm or more and to grow in vapor phase a silicon epitaxial layer on the main surface thereof.例文帳に追加
気相成長装置100は、直径300mm以上のシリコン単結晶基板Wを両面から加熱しつつシリコン単結晶基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる装置である。 - 特許庁
The delay control circuit and variable delay circuit are prevented from operating unnecessarily, so the leading or lagging quantity of the phase of the control clock signal in single phase adjustment becomes a minimum unit that the variable delay circuit can adjust.例文帳に追加
遅延制御回路および可変遅延回路が余分に動作することが防止されるため、1回の位相調整における制御クロック信号の位相の進み量または遅れ量は、可変遅延回路が調整可能な最小単位になる。 - 特許庁
In the single lens reflex digital camera capable of automatic focus of the phase difference system and the contrast system, an exposure determination to prevent void in the automatic focus of the contrast system is made after the automatic focus of the TTL phase difference system.例文帳に追加
位相差方式とコントラスト方式の二方式のオートフォーカスが実行可能である一眼レフタイプのデジタルカメラにおいて、TTL位相差方式オートフォーカスの実行後に、コントラスト方式オートフォーカス用に白飛びしない露出決定を行う。 - 特許庁
Further, by performing cooling at a cooling rate equal to or higher than water cooling from the temperature range of from a β transformation point -100°C to a β single phase region upper limit, an optical microscope structure has 45% or less of pro-eutectoid α phase.例文帳に追加
さらに、β変態点−100℃からβ単相域上限の温度範囲より水冷以上の冷却速度で冷却することにより、光学顕微鏡組織の初析α相が45%以下であることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a system for enabling signal communication between different phase lines of electric lamp lines in an electric lamp line carrier system for employing an electric lamp line carrier that superimposes a carrier signal on the electric lamp lines adopting the single-phase three-wire system.例文帳に追加
単相三線式の電灯線に搬送信号を重畳させる電灯線搬送装置を用いる電灯線搬送システムにおいて、電灯線の異相間の信号通信を可能とする方式を提供することを目的とする。 - 特許庁
Thus, by performing the crystal growth in a thermodynamically non-equilibrium state, formation of an ilmenite secondary phase, which is liable to occur in a conventional sintering process, can be inhibited from being caused and a single phase perovskite structure being in a metastable state is formed.例文帳に追加
熱力学的に非平衡な状態で結晶成長を行うことによって、通常焼結法で見られるイルメナイト2次相等の形成が抑制され、準安定状態をもつ単相のペロブスカイト構造が形成される。 - 特許庁
The neutral point N2 of a star-connection harmonic filter 20 or the neutral point N3 of the load side star-connection of the transformer 31 (32) is connected to a neutral point N1 of the single-phase inverters to form a zero- phase current path.例文帳に追加
Y結線された高調波フィルタの20の中性点N2、または、トランス31(32)の負荷側Y結線の中性点N3と、単相インバータ相互の中性点N1とを接続して零相電流の経路を形成する。 - 特許庁
To provide a power-system-operation supporting device which allows easily grasping a load capacity which can additionally be interconnected or system installations to be reinforced, when adding a single-phase load or a three-phase load to a power system.例文帳に追加
本発明の目的は,電力系統へ単相負荷や3相負荷を追加する場合に追加連系できる負荷容量や増強すべき系統設備の把握を容易に行える電力系統運用支援装置を提供することにある。 - 特許庁
In an electric instantaneous water heater, power sources of a D.C. power current, a single-phase 100 V/200 V, and three-phase 200 V are introduced as shown in Fig.1 from conductive wires 6 in Fig.1, and connected to a linear planer heating element 12 in Fig.2.例文帳に追加
本発明の電気式瞬間湯沸器、図1に直流電源電流、単相100V・200V、3相200Vの電源を図1の導線6から取り入れ、図2の線状面状発熱体12に接続する。 - 特許庁
To control the ratio of output energy from DC power supplies 2a1, 2b1 and 2c1 constituting single phase inverter circuits 2a, 2b and 2c, and to reduce the error of accumulated value of output energy delivered to each phase as much as possible.例文帳に追加
単相インバータ回路2a、2b、2cを構成する直流電源2a1、2b1、2c1からの出力エネルギの割合を制御するとともに、各相に出力する出力エネルギの累積値の誤差を可及的に低減する。 - 特許庁
Therefore, even in case that the degree of modulation is small or in a condition that the phase of the output voltage vector becomes a phase approximate to that of a single fundamental voltage vector, it becomes a sufficient length of pulse width, and this can detect a current with accuracy.例文帳に追加
よって、変調度が小さい場合や出力電圧ベクトルの位相が単一の基本電圧ベクトルに近い位相となる状態においても十分な長さのパルス幅となり、高精度に電流検出を行うことができる。 - 特許庁
To provide a novel method for producing a diamond single crystal which is a method for growing a diamond single crystal by a vapor-phase synthesis process and by which a very-low-impurity-content high-quality diamond single crystal having a regular growth face can be produced relatively simply and which is effectively used as a synthesis method for a large-size diamond single crystal.例文帳に追加
気相合成法によってダイヤモンド単結晶を成長させる方法において、規則正しい成長面を有し、かつ不純物含有が非常に少ない高品質のダイヤモンド単結晶を比較的簡単な方法によって製造することが可能であり、大型ダイヤモンド単結晶の合成方法として有効に利用できる新規なダイヤモンド単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁
A non-doped ZnO single crystal or a ZnO single crystal doped with a group III element or a lanthanoid element is produced by a liquid phase epitaxial growth method comprising mixing ZnO being a solute and a solvent, then melting the resulting mixture, and growing a ZnO single crystal by bringing a substrate into direct contact with the obtained melt.例文帳に追加
溶質であるZnOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることによりZnO単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、ノンドープZnO単結晶やIII族元素やランタノイド元素をドープしたZnO単結晶を製造する。 - 特許庁
A single-crystalline or epitaxial buffer layer 12 comprising Pb1-xLax(ZryTi1-y)1-x/4O3 is disposed on the surface of a single crystal substrate 10 and a single-crystalline or epitaxial electrically conductive or semiconductive thin film 14 having an ABO3 type perovskite phase structure is formed on the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加
単結晶基板10の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状のPb_1-xLa_x(Zr_yTi_1-y)_1-x/4O_3からなるバッファ層12を設けた後に、該バッファ層12の表面に、単結晶状またはエピタキシャル状でありABO_3型ペロブスカイト相構造を有する導電性または半導電性の薄膜14を形成する。 - 特許庁
The method for manufacturing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal is characterized by generating the melt from a flux consisting of Li_2O, B_2O_3 and Bi_2O_3 and growing the bismuth-substituted rare-earth iron garnet single crystal by the liquid phase epitaxial method on a nonmagnetic garnet single crystal using the melt.例文帳に追加
Li_2O、B_2O_3およびBi_2O_3により構成されたフラックスから融液を生成し、該融液を用いて非磁性ガーネット単結晶上に液相エピタキシャル法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成することを特徴とする、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造方法。 - 特許庁
Heat treatment is applied to the semiconductor thin film, and the semiconductor thin film is crystallized by a solid phase growth method, and thus, a quasi-single crystal semiconductor thin film (quasi-single crystal silicon thin film 20) configured of a plurality of substantially single crystal grains (crystal silicon 16) starting at each of the protrusions 10 is formed on the substrate 4.例文帳に追加
半導体薄膜に熱処理を施して半導体薄膜を固相成長により結晶化させ、基板4上に、複数の突起部10のそれぞれを起点として複数の略単結晶粒(結晶シリコン16)から構成される擬単結晶半導体薄膜(擬単結晶シリコン薄膜20)を形成する。 - 特許庁
To provide a magnetizing inrush current suppression apparatus that controls the closing phase for suppressing magnetic excitation inrush current of a breaker that opens and closes connection with a transformer that transforms a power system of three-phase current with a power source into single-phase voltage.例文帳に追加
電源を備えた三相交流の電力系統と三相交流電圧を単相交流電圧に変換する変圧器との接続を開閉する遮断器の励磁突入電流を抑制するための投入位相の制御をすることのできる励磁突入電流抑制装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a susceptor for vapor phase growth, which can prevent film thickness distribution of a single crystal thin film to grow from becoming deteriorated by preventing a crack with the reduction of injuries around outer periphery of a semiconductor substrate which is growing in a vapor phase and further by suppressing eccentricity of the semiconductor substrate, and to provide a method for vapor phase growth using the same.例文帳に追加
気相成長中の半導体基板の外周縁のキズを低減することで割れを防止し、さらには、半導体基板の偏心を抑制することで、成長させる単結晶薄膜の膜厚分布の悪化を防止できる気相成長用サセプタ及びそれを用いた気相成長方法を提供する。 - 特許庁
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