「VI a」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

As with earlier generations, the head of a different family branch (year of birth unknown - 1926) took the name Kanbe FUJIMA V (though nominally Kanbe FUJIMA VI). 例文帳に追加

同じく別家元（生年不詳-大正15年（1926年））が5代目勘兵衛（名義上6代目）を名乗った。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

vi) The Financial Instruments Business Operator shall utilize corporations that can conduct complaint processing services in a fair and appropriate manner. 例文帳に追加

ⅵ）苦情処理業務を公正かつ適確に遂行できる法人を利用すること - 金融庁

vi) The Financial Instruments Business Operator shall utilize corporations that can conduct dispute resolution services in a fair and appropriate manner. 例文帳に追加

ⅵ）紛争解決業務を公正かつ適確に遂行できる法人を利用すること - 金融庁

(vi) Report on balance, etc., may be submitted to a client via the employer of the said client. 例文帳に追加

⑥ 顧客に対する残高の報告等については、当該顧客の事業主を経由して行える。 - 金融庁

(vi) In cases where a person inspecting the registry falls under any of the following categories, their viewing may be suspended or refused: 例文帳に追加

⑥縦覧者が次に該当する場合は、縦覧を停止又は拒否することができるものとする。 - 金融庁

(vi) Does the Board of Directors or organization equivalent to the Board of Directors provide a system to ensure that all suspicious transactions are reported to the authorities? 例文帳に追加

（ⅵ）取締役会等は、疑わしい取引の届出漏れがないような態勢を整備しているか。 - 金融庁

In "Rocky VI," Rocky runs a facility for young people after his retirement from the boxing world. 例文帳に追加

｢ロッキー６｣では，ロッキーはボクシング界を引退した後，若者のための施設を営んでいる。 - 浜島書店 Catch a Wave

The movie became a record-breaking hit and the series continued with Episode V (1980) and Episode VI (1983). 例文帳に追加

この映画は記録破りのヒット作となり，シリーズはエピソード５(1980年)とエピソード６(1983年)に続いた。 - 浜島書店 Catch a Wave

The attendance of witness through a subpoena may be compelled under Section 2(d) of Rule VI.例文帳に追加

規則6第2 条(d)に基づき，罰則付召喚令状により証人の出頭が強制される場合がある。 - 特許庁

There are provided recombinant glycoprotein VI as a medicine, and isolation, purification and recombinant production methods thereof.例文帳に追加

医薬品としての組換えヒトタンパク質ＶＩ、その単離、精製および組換え製造法を提供する。 - 特許庁

When R>V 0/vmin, V=vi and desired enlargement can be performed with a setting of N/M=R.V/V0.例文帳に追加

ズーム率Ｒ＞Ｖ０／ｖminの場合は、以下の設定で所望の拡大を行える。 - 特許庁

Therefore, an NMOS 62 is turned on to lower the drive voltage Vi of a node N6.例文帳に追加

これにより、ＮＭＯＳ６２がオンとなってノードＮ６の駆動電圧Ｖｉを引き下げる。 - 特許庁

To provide a II-VI group compound semiconductor which is excellent in conductivity without deteriorating crystallinity.例文帳に追加

結晶性を悪化させることなく導電性に優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を提供する。 - 特許庁

(vi) A person who has violated an order under the provisions of Article 328, paragraph 1 例文帳に追加

六第三百二十八条第一項の規定による命令に違反した者 - 経済産業省

(vi) in the case where the content of a record set forth in Article 80, paragraph 1, item 14 has been changed; 例文帳に追加

六第八十条第一項第十四号に掲げる調書の内容を変更した場合 - 経済産業省

When a reset current Ir runs during an OFF period Toff, a Zener voltage Vz occurs at a Zener diode 30, and a voltage Vds between a drain and a source becomes a total (Vds=Vi+Vz) of the input voltage Vi and the Zener voltage Vz.例文帳に追加

オフ期間Ｔoffにリセット電流Ｉｒが流れると、ツェナーダイオード30にツェナー電圧Ｖｚが発生し、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsは入力電圧Ｖｉとツェナー電圧Ｖｚの和（Ｖds＝Ｖｉ＋Ｖｚ）となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate for photoelectric conversion function elements having stable light emission characteristics, using a II-VI compound semiconductor single crystal and a photoelectric conversion function element having a high light takeout efficiency easily at a low cost.例文帳に追加

II−VI族化合物半導体単結晶を用いて安定した発光特性を有する光電変換機能素子用基板を製造する方法および高い光取り出し効率を有する光電変換機能素子を簡易かつ安価に提供する。 - 特許庁

A control circuit 41 switches three conduction states that are a conduction state (iv), a conduction state (v), and a conduction state (vi) in this order in each of a power detection period and a power feedback period.例文帳に追加

電力検知期間及び電力フィードバック期間のそれぞれの期間において、制御回路４１は、通電状態（iv）、通電状態（v）そして通電状態（vi）の順に通電状態を切り替える。 - 特許庁

To provide an inspection system for precisely determining the quality of a semiconductor film made of a compound semiconductor in a chalcopyrite structure containing a I-family element, a III-family element, and a VI-family element, and to provide an inspection method using the inspection system.例文帳に追加

I族元素、III族元素及びVI族元素を含むカルコパイライト構造の化合物半導体からなる半導体膜の品質を精度よく判断することができる検査システムと、これを用いた検査方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor layer and a photoelectric conversion device which have high photoelectric conversion efficiency, by satisfactorily controlling a content of Group VI-B elements in a film made of raw materials of a metallic chalcogenide.例文帳に追加

金属カルコゲナイドの原料から成る皮膜中のVI−Ｂ族元素の含有量を良好に制御することにより、光電変換効率の高い半導体層および光電変換装置を提供する。 - 特許庁

A microwave sensor 1 quadrature-detects a reception signal vr by using a phase difference between a transmission signal vt and the reception signal vr obtained as a result of its being reflected by the living thing 22, thereby outputting quadrature detection output signals (signals vi and vg).例文帳に追加

マイクロ波センサ１は、送信信号vtと、生物２２により反射された結果得られる受信信号vrとの位相差を利用して受信信号vrを直交検波することで、直交検波出力信号（信号vi,vq）を出力する。 - 特許庁

To provide a method of growing a group II-VI compound semiconductor crystal, by which the group II-VI compound semiconductor crystal excellent in crystallinity can be stably manufactured with a good reproducibility and in a high yield.例文帳に追加

結晶性に優れたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶を安定して再現性よく高い歩留まりで作製することができるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

The method for treating the phosphor comprises etching the phosphor composed of a II-VI compound semiconductor as a principal component with an acid and then cleaning the phosphor with a chelating agent or a chelating agent solution.例文帳に追加

II-VI族化合物半導体を主成分として構成される蛍光体を酸でエッチングした後に、キレート剤またはキレート剤溶液で洗浄する蛍光体の処理方法。 - 特許庁

Protective layer 5 of a heating element 2 is formed of an alloy of tantalum and group VI-A metal having such a compositional ratio as the grain of group VI-A metal is not formed.例文帳に追加

本発明は、ＶＩ−Ａ族金属の結晶粒が形成されない組成比によるタンタルとＶＩ−Ａ族金属との合金により発熱素子２の保護層５を形成する。 - 特許庁

An amplifier 10 includes: an inverted negative feedback amplifier 20 using an operational amplifier 21; a comparator 41 for comparing a potential Vi at an opposite-phase input terminal of the operational amplifier 21 with a reference potential Vref; and a low-pass filter 42.例文帳に追加

増幅器１０は、オペアンプ２１を用いた反転型の負帰還増幅器２０と、オペアンプ２１の逆相入力端子の電位Viと基準電位Ｖrefとを比較するコンパレータ４１と、ローパスフィルタ４２とを備える。 - 特許庁

To prevent over compression of a screw compressor and regulate capacity ratio Vi by a simple mechanism without requiring complicated mechanism such as a capacity control valve and a Vi variable valve.例文帳に追加

容量制御弁やＶｉ可変弁のような複雑な機構を要せず、もっと簡便な機構でスクリュー圧縮機の過圧縮を防止し、かつ容積比Ｖｉの調整を可能とする。 - 特許庁

Since a capacitor 12 is charged by a voltage (-Vc) during an off-period of switching elements 6, 7, a reset voltage Vr generated across a primary winding 10a is expressed by formula Vr=Vi+Vc, and becomes an input voltage Vi or more.例文帳に追加

スイッチング素子６，７のオフ期間では、コンデンサ12は電圧（−Ｖｃ）が充電されるため、一次巻線10ａの両端に発生するリセット電圧ＶｒがＶｒ＝Ｖｉ＋Ｖｃとなり、入力電圧Ｖｉ以上にすることができる。 - 特許庁

A fixing velocity when a recording material passes through a fixation nip is taken as Vp, and a fixing velocity when the recording material does not pass through the fixation nip is taken as Vi, then Vi>Vp shall be satisfied in accordance with the temperature of the non-paper passing part.例文帳に追加

被記録材が定着ニップを通過しているときの定着速度をＶｐ、被記録材が定着ニップを通過していないときの定着速度をＶｉとし、非通紙部の温度に応じて、Ｖｉ＞Ｖｐとする。 - 特許庁

To provide a method for selectively separating and recovering uranium (VI) by using a solvent extraction method from aqueous solution including a radioactive nuclide.例文帳に追加

本発明は、放射性核種を含む水溶液から溶媒抽出法を用いてウラン（VI）を選択的に分離・回収する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide the method for growing a long-size II-VI compound semiconductor crystal having excellent crystal properties on a seed crystal with a sublimation process or halogen chemical transport process.例文帳に追加

昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上に結晶性に優れた長尺のII-VI 族化合物半導体結晶を成長させる結晶成長方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

Accordingly, the voltage Vds between the drain and the source becomes at least the input voltage Vi and a reset voltage Vr of at least the input voltage Vi can be applied to a primary winding 10a of a transformer 10.例文帳に追加

従って、ドレイン−ソース間電圧Ｖdsが入力電圧Ｖｉ以上となり、トランス10の一次巻線10ａに入力電圧Ｖｉ以上のリセット電圧Ｖｒを印加することができる。 - 特許庁

The light emitting material is formed on a semiconductor substrate in a form of the silicon nanostructure, ions of the group IVb, III-V or II-VI impurities are implanted into a surface of the substrate, and then the substrate is subjected to annealing processing.例文帳に追加

この発光材料は半導体基板上にシリコン・ナノ構造を作製し、この基板の表面にIVb族、III-V族、又はII-VI族不純物をイオン注入により打ち込み、その後アニール処理して作られる。 - 特許庁

To develop a method for producing a group II-VI compound semiconductor having twin crystal structure under milder reaction conditions rather than a hydrothermal synthesis process which is conducted at high temperatures and high pressures.例文帳に追加

高温・高圧条件下で実施される水熱合成法ではなく、より穏和な反応条件の下で、双晶構造を有するII-VI族化合物半導体を製造する方法を開発すること。 - 特許庁

A chamber 7 for annealing the group II-VI semiconductor materials has a first region 8 for storing the Group 2B elements of the Periodic Table, and a second region 9 designed to receive the group II-VI semiconductor materials.例文帳に追加

２−６族半導体材料のアニールのためのチャンバー７は、周期表の第２Ｂ族元素を蓄えるための第１の領域８と、２−６族半導体材料を受けるように設計された第２の領域９と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound-semiconductor thin-film composed of group I, III and VI elements, capable of reducing the dispersion of targeted group-III-element distribution along the film-thickness direction and controlling a targeted group-III-element concentration.例文帳に追加

膜厚方向で目的のIII族元素組成分布のばらつきを低減し、また目的のIII族元素濃度を制御しうるＩ、III、VI族元素からなる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

An amplifier 10 is provided with: a negative feedback amplifier 20 of an inversion type using an operational amplifier 21; a comparator 41 which compares voltage potential Vi of an inverse phase input terminal of the operational amplifier 21 and reference voltage potential Vref; and a low pass filter 42.例文帳に追加

増幅器１０は、オペアンプ２１を用いた反転型の負帰還増幅器２０と、オペアンプ２１の逆相入力端子の電位Viと基準電位Ｖrefとを比較するコンパレータ４１と、ローパスフィルタ４２とを備える。 - 特許庁

To provide a nonwoven fabric of an aramide fiber having sufficient strengths in each of the processes of producing the nonwoven fabric, a prepreg and a laminated plate, and also in the case of producing the laminated plate, satisfying (iv) insulating resistance, (v) solder heat resistance and (vi) warp of the plate.例文帳に追加

不織布、プリプレグ、積層板製造の各工程における強度が十分にあり、かつ積層板にした場合、(iv)絶縁抵抗、(v)はんだ耐熱性、(vi)板反りにおいても満足しうるアラミド繊維不織布を提供すること。 - 特許庁

In the case the control voltage VI becomes a voltage corresponding to a higher frequency zone than the antiresonant frequency of a vibrator 11 exceeding the upper limit value of the hysteresis, the control means 20 temporarily lowers the control voltage VI.例文帳に追加

制御電圧Ｖ_Iが、ヒステリシスの上限値を超えて振動子１１の反共振周波数よりも高い周波数帯に相当する電圧となった場合には、制御手段２０が制御電圧Ｖ_Iを一時的に低下させる。 - 特許庁

The voltage-current conversion circuit has a main gm stage 101 for converting input voltages Vi+ and Vi- into currents and outputting them, and a compensation gm stage 102 for outputting a current for compensation.例文帳に追加

電圧−電流変換回路は、入力電圧Ｖｉ＋およびＶｉ−を電流に変換して出力するための主ｇｍ段１０１と、補償用電流を出力するための補償ｇｍ段１０２とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for cleaning a phosphor by which an excessive compound of a group VI metal on the surface of the phosphor is removed to afford the phosphor of high quantum efficiency.例文帳に追加

蛍光体表面の過剰な金属-VI族化合物を除去し、量子効率の高い蛍光体を与える蛍光体の洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

In addition to an enhanced command-line vi, vim also comes with gvim, a nice graphical editor which can be configured to use the excellent GTK+ gui library.Here's a gvim screenshot from my system:例文帳に追加

さらに強力なコマンドラインのvi、vimまたはgvimは、素晴らしいgtk+guiのライブラリを使って設定された素晴らしいグラフィカルなエディタです。 これは私のシステムのスクリーンショットのgvimです。 - Gentoo Linux

The request for a grant of an additional term to perform an act that is not practiced for just a cause must be filed as per Form Model VI provided in Normative Act no. 132/97. 例文帳に追加

正当な事由によって実施されない行為を履行するための追加期間の付与を求める請求は，規範法第132/97号に定める様式モデルVIによって提出しなければならない。 - 特許庁

The Patent Registration Office shall act as a designated office for an international application in which Malaysia is designated for the purposes of obtaining a patent under Parts IVA and VI. [Am. Act A1264: s.4]例文帳に追加

特許登録局は，第IVA部及び第VI部に基づいて特許を取得する目的でマレーシアを指定する国際出願に係る指定官庁として行動する。［法律A1196:s.5による挿入］ - 特許庁

To provide a hydrotreating catalyst which contains metal oxide and/or sulfide of ≥1 kinds of the metals selected from group VI-B and VIII metals of periodic table supported on a porous refractory carrier.例文帳に追加

耐熱性の多孔質担体に担持された、周期律表の第VI-B族および第VIII族から選択される金属の一種類以上の金属酸化物および／または硫化物を含有する水素処理触媒の提供。 - 特許庁

To provide a method for stably and reproducibly growing groups II-VI compound-semiconductor crystals excellent in crystallinity by physical vapor transport technique or halogen chemical vapor transport technique on a seed crystal.例文帳に追加

昇華法又はハロゲン化学輸送法で種結晶上に結晶性に優れたII−VI族化合物半導体結晶を安定して再現性よく成長させる方法を提供しようとするものである。 - 特許庁