「active length」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

An a-Si film 12 becoming the active layer of a TFT is crystallized into polycrystal Si by enhancing a crystal growth length while adding Ni into the film 12.例文帳に追加

ＴＦＴの活性層となるａ‐Ｓi膜１２にＮiを添加することによって結晶生成長を促進して多結晶Ｓiに結晶化する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element in which each individual electrode can assure a desired active length even when a plurality of individual electrodes are arranged with high density.例文帳に追加

複数の個別電極を高密度に配列した場合でも、個別電極の所望な活性長を確保することができる圧電素子を提供する。 - 特許庁

In a more preferable embodiment, the optimization of a capacitance value and the length and shape of the anode is provided and a more preferable active gas supply system is disclosed.例文帳に追加

好ましい実施例は、キャパシタンス値、アノードの長さおよび形状の最適化を提供し、また好ましい活性ガス供給システムが開示される。 - 特許庁

To provide a method for efficiently manufacturing a semiconductor device which is free from variation in the width of an active region caused by variation in bird's beak length.例文帳に追加

バーズビーク長の変動に伴う活性領域の幅の変動がない半導体装置を効率よく得ることができる製造方法を提供すること。 - 特許庁

An active material layer single surface coating part having the length equivalent to a semicircle or more is formed in each of a positive electrode and a negative electrode in the winding innermost peripheral part of the wound electrode, one electrode has the active material single surface coating part longer than one circle or more than the other electrode, and the active material layers of the active material single surface coating parts are faced.例文帳に追加

巻回電極体の巻回最内周部において、正極および負極のそれぞれに半周分以上の活物質層片面塗布部が設けられ、一方の電極が、他方の電極よりも１周以上長い活物質層片面塗布部を有し、活物質層片面塗布部の活物質層同士が対向配置されるようにして構成する。 - 特許庁

To provide an active sound reduction device unit and an active sound insulation wall making use thereof capable of connecting a plurality of active sound reduction devices equipped with one or more active sound reduction cells in the longitudinal direction of the sound insulation wall to assemble them for unitization, promoting manufacture, assembly and handling and, at the same time, easily manufacturing an optional length of the sound insulating wall.例文帳に追加

アクティブ減音セルを一個又は複数個備えたアクティブ減音装置を遮音壁の長手方向に複数連接して組み立ててユニット化し、製作，組付及び取扱性の向上を図ると共に任意長の遮音壁を容易に製作することができるアクティブ減音装置ユニット及びこれを有するアクティブ遮音壁を提供する。 - 特許庁

A secondary battery 30 includes, in a battery container, a long-circle-sectioned power generation element group 6 formed by winding a positive electrode plate having an active substance mixture coated part formed on one side in a length direction, and a negative electrode plate having an active substance mixture uncoated part formed on one side in the length direction together with a separator interposed.例文帳に追加

二次電池３０は、長手方向に沿う一側に活物質合剤の未塗工部が形成された正極板と、長手方向に沿う一側に活物質合剤の未塗工部が形成された負極板とをセパレータを介して捲回した断面長円状の発電要素群６が電池容器内に収容されている。 - 特許庁

The gate electrode 9a whose gate length in a boundary region between the active region L and element isolating trench 2 is greater than that in the central part of the active region L is constituted of an H-shaped plane pattern as a whole.例文帳に追加

このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。 - 特許庁

The first source/drain region is formed in a trench 20 disposed in the first active region and includes the silicon mixed layer 21 for generating first stress in a gate length direction of a channel region in the first active region.例文帳に追加

第１のソースドレイン領域は、第１の活性領域に設けられたトレンチ２０内に形成され、第１の活性領域におけるチャネル領域のゲート長方向に第１の応力を生じさせるシリコン混晶層２１を含む。 - 特許庁

The gate electrode 9a is composed of an H-shaped plane pattern as a whole, whose gate length in the border region of the active region L and element isolation groove 2 is larger than that in the center section of the active region L.例文帳に追加

このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域におけるゲート長がアクティブ領域Ｌの中央部におけるゲート長よりも大きく、全体としてＨ形の平面パターンで構成されている。 - 特許庁

Similar effects can also be obtained by forming a deficient region ranging downward from the upper end of the active fuel section beyond 1/6 of the active fuel length in fuel rods of the number between 1/5 and 1/3 inclusive of N^2 and by other methods.例文帳に追加

Ｎ^２の１／５以上１／３以下の本数の燃料棒に、燃料有効部の上端から下方に燃料有効長の１／６以上延びる範囲の欠損領域を形成することなどによっても、同様の効果が得られる。 - 特許庁

In the active matrix substrate of the liquid crystal display, among the TFTs of an offset gate structure composing its driving circuits 82 and 83, an offset length of a 12V-driven TFT by level shifters 85 and 89 is set longer than other offset length of 5V-driven TFT offset length to secure its reliability.例文帳に追加

液晶表示装置のアクティブマトリクス基板において、その駆動回路８２、８３を構成するオフセットゲート構造のＴＦＴのうち、レベルシフタ８５、８９で１２Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長は、その他の５Ｖ駆動されるＴＦＴのオフセット長に比較して長くして、その信頼性を確保してある。 - 特許庁

The colloidal silica is produced from active silicic acid as an original material in the presence of an alcohol, and contains the alcohol and a group of silica particles in various nonspherical shapes wherein a ratio of long length diameter/short length diameter observed by a transmission electron microscope is 1.2-6.例文帳に追加

アルコールの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカであって、アルコールを含有し、透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜６である非球状の異形シリカ粒子群を含有するコロイダルシリカである。 - 特許庁

To provide a high-speed optical modulation element of which the overall length is made longer to reduce the production cost by facilitating handling, working, and a production process and of which the length of an element active part is made shorter to improve the frequency band.例文帳に追加

ハンドリング、加工、製造プロセスを容易にし、製造コストを低減するために、全素子長を長くすることができ、また、周波数帯域を向上させるために、素子活性部の長さを短くすることができる高速な光変調素子を提供する。 - 特許庁

Because of this, it is possible to arrange the first auxiliary active layer 7 and the second auxiliary active layer 8 in the position of the antinode of a standing wave where the amplitude of light is large without extending an optical length Lo between the lower reflective layer 4 and the upper reflective layer 5.例文帳に追加

これにより、下部反射層４と上部反射層５との間の光学長Ｌoを延長することなく、第１の副活性層７および第２の副活性層８を光の振幅が大きい定在波の腹の位置に配置することができる。 - 特許庁

At least either the cathode active material layer 21B or the anode active material layer 22B contains fibrous inorganic material made of aluminum oxide or silicon oxide, with an average length of 110 μm or more and 100,000 μm or less and an aspect ratio (average length/average diameter) of 410 or more and 10,000 or less.例文帳に追加

正極活物質層２１Ｂおよび負極活物質層２２Ｂのうちの少なくとも一方は、酸化アルミニウムあるいは酸化ケイ素からなる繊維状無機材料を含み、その繊維状無機材料は、１１０μｍ以上１０００００μｍ以下の平均長さ、および４１０以上１００００以下のアスペクト比（平均長さ／平均径）を有する。 - 特許庁

The length Wg in the direction perpendicular to the waveguide direction of the grating 102 is set to 30 to 60 times the length (active layer width Wa) in the direction perpendicular to the waveguide direction of the active layer 5 in order to sufficiently separate the boundary of the forming region of the grating 102 from the active layer 5.例文帳に追加

ＤＦＢレーザ１０１は、ｎ型ＩｎＰ基板２表面に形成した回折格子１０２と、多重井戸構造のストライプ状の活性層５とを備えており、回折格子１０２の形成領域の境界を活性層５から充分、離間させるために、回折格子１０２の導波路方向に垂直な方向の長さＷｇを、活性層５の導波路方向に垂直な方向の長さ（活性層幅Ｗａ）の３０倍乃至６０倍とする。 - 特許庁

An active wiring with a limit wiring length equal to or greater than that at which a specified value of crosstalk voltage is given at the smaller of the wiring interval values defining the wiring interval checking interval containing the active wire to be checked is extracted as a faulty wiring.例文帳に追加

そして、チェックする能動配線が含まれる配線間隔チェック区分を規定する配線間隔値のうち小さい方の配線間隔値で規定値のクロストーク電圧を与える配線限度長以上の能動配線を、エラー配線として抽出する。 - 特許庁

The display device to be disclosed also has a discharge pattern which crosses gate lines and source lines that configure the active-matrix circuit, wherein the length of the discharge pattern is longer than the pixel pitch of the active-matrix circuit.例文帳に追加

また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。 - 特許庁

It at least one of the electrodes of a positive electrode and a negative electrode of which on the electrode base body an active material mixture is coated, an unevenness having a difference of height of 20 μm or more is provided at least three places or more in the length of 1 mm at the edge part of the active material mixture.例文帳に追加

電極基体に活物質合材が塗布されてなる正負極板の少なくとも一方の電極において、前記活物質合材塗布部縁部に、高低差２０μｍ以上の凹凸が長さ１ｍｍ中に少なくとも３箇所以上有している。 - 特許庁

To realize uniform display by suppressing the change of the length of a blanking period and a display state by a signal voltage in an active matrix liquid crystal display device.例文帳に追加

アクティブマトリックス液晶表示装置において、ブランキング期間の長短および信号電圧による表示状態の変化を抑制し、均一な表示を実現することを目的とする。 - 特許庁

This manufacturing method further includes a cutting step of cutting the aluminum porous body filled with the active material to a prescribed length dimension after the filling step.例文帳に追加

また、充填工程の後に、活物質が充填されたアルミニウム多孔体を所定の長さ寸法に切断する切断工程を備えている電気化学素子用電極の製造方法。 - 特許庁

The method overcomes drawbacks, such as transmission power control, frequency notching, and active interference cancellation; and when a packet length is fixed, it can be adapted both to a single and multi-carrier systems.例文帳に追加

送信電力制御、周波数ノッチ、及びアクティブ干渉回避のような欠点に打ち勝ち、パケット長が固定されている場合、シングルキャリアシステム及びマルチキャリアシステムの両方で実施できる。 - 特許庁

The hard mask 5a is thinned by carrying out etching with the resist mask 10 as a mask so that the hard mask 5a on the active region 1 can be thinned without being shortened in the length direction.例文帳に追加

レジストマスク１０をマスクとするエッチングによりハードマスク５ａを細線化することで、ハードマスク５ａは活性領域１上の部分は細線化されるが、長さ方向の短縮は伴わない。 - 特許庁

The coupling coefficient k of the diffraction grating 13 is set to 100 cm^-1 or larger, and the length L of the active region 30 is set to 150 μm or smaller.例文帳に追加

回折格子１３の結合係数をκ、利得発生領域３０の長さをＬとすると、κは１００ｃｍ^−１以上に、Ｌは１５０μｍ以下に、それぞれ設定されている。 - 特許庁

To provide a communication timing control device and method capable of restraining an increase of data delay by flexibly controlling the length of an active period in response to a traffic amount between communication apparatuses.例文帳に追加

通信装置間のトラフィック量に応じて、アクティブ期間の長さを柔軟に制御して、データ遅延の増加を抑制することができる通信タイミング制御装置及び方法を提供する。 - 特許庁

A transcriptional active region is specified by preparing products obtained by linking gene fragments with various length obtained from the human α-chain gene or their base substitution products to a reporter gene and supplying the products to a transitory expression system.例文帳に追加

ヒト高親和性IgE受容体（FcεRI）α鎖遺伝子の転写調節を行う領域を含む遺伝子の同定法及び特定された遺伝子、プラスミドベクターおよびその用途。 - 特許庁

In the case of manufacturing active material paste to be used for a positive electrode plate, lead powder is added to the dispersed solution obtained by dispersing the reinforcing short fibers made of the sulfonic polystyrene resin having 10 μm of mean diameter and 5 mm of mean length, and they are kneaded.例文帳に追加

鉛粉に対して０．０１〜０．８重量％のスルホン化ポリスチレン樹脂からなる補強用短繊維を水に分散した液に鉛粉を加えて混練する。 - 特許庁

Since the current injection needs to be executed only in an active region, particularly when the ring length is long, the ring laser is advantageous, as compared to the prior art in which the current must be injected in the overall ring waveguide.例文帳に追加

又、電流注入は活性領域５のみでよいため、リング導波路全体に注入しなければならない従来のものに比べて、特にリング長が長い場合に有利になる。 - 特許庁

The continuous compression apparatus 10 of an electrode strip compresses the electrode strip where a belt-like metal foil collector is coated intermittently with an electrode active material in the length direction thereof.例文帳に追加

帯状の金属箔集電体に電極活物質がその長さ方向に間欠的に塗布されてなる電極帯板を圧縮する電極帯板の連続圧縮装置１０。 - 特許庁

Notches 23 are formed on side edges of the active material uncoated parts 27 for each length of the positive electrode plate P and the negative electrode plate N needed for one lithium ion secondary battery 20.例文帳に追加

活物質未塗工部２７の側縁には、１個のリチウムイオン二次電池２０あたりに要する正極板Ｐ、負極板Ｎの長さごとに切り欠き２３が形成されている。 - 特許庁

When the error detection circuit 105 detects an active error detection signal, the error detection circuit 105 activates the error detection signal for a bit length of a sequence error code from the detected position of the synchronizing word.例文帳に追加

エラー検出回路１０５は、エラー検出信号のアクティブを検出したら、同期ワード検出位置からシーケンスエラーコードのビット長の間エラー検出信号をアクティブ状態にする。 - 特許庁

A false AlGaInP active layer 6 is made of a multilayer film where an AlInP layer 4 below a de Broglie wave length and having a thickness an integer times as many as that of a molecular layer and a GeInP layer 5 below a de Broglie wave length and having thickness an integer times as many as that of the molecular layer are alternately laminated.例文帳に追加

ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＡｌＩｎＰ層４と、ド・ブロイ波長以下で分子層の整数倍の厚さを有するＧａＩｎＰ層５を交互に積層した多層膜により、擬ＡｌＧａＩｎＰ活性層６を構成する。 - 特許庁

In a gate electrode 5 of a pair of transistors consisting of an n-channel-type MISFETQn and a p-channel MISFETQp, gate length in a boundary from an active region B to an element separation region A is relatively increased as compared with that in the active region B.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐからなるペアトランンジスタのゲート電極５において、活性領域Ｂから素子分離領域Ａにかけての境界部分におけるゲート長を、活性領域Ｂにおけるゲート長よりも相対的に長くする。 - 特許庁

The slave device is switched to a pause state from an active state when it is detected that no data transmission has been made for a proscribed length of time between the master and the slave, and also the slave device in the pause state returns to the active state from the pause state by receiving at least a system clock signal.例文帳に追加

マスターとスレーブ間で、所定時間以上データ伝送が行われないことを検出して当該スレーブデバイスがアクティブ状態から休止状態に移行するとともに、休止状態にあるスレーブデバイスは、少なくともシステムクロック信号を受けて、休止状態からアクティブ状態に復帰する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 is provided with pins 3, having maximum projecting length equal to the interval between the active surface 1a of the device 1 and the mounting surface 10a of the wiring board 10, when the device 1 is mounted on the board 10 between adjacent solder balls (electrodes) 2 on the active surface 1a.例文帳に追加

本発明の半導体装置１は、隣接したハンダボール(電極)２の間における能動面１ａに、配線基板１０に実装された状態での能動面１ａと実装面１０ａとの間隙の寸法を最大の突出寸法とするピン３を設けて成る。 - 特許庁

Further, the gate electrode 9a covers the whole one side along the direction of the gate length of the border region of the active region L and element isolation groove 2 and part of two sides along the direction of the gate width.例文帳に追加

また、このゲート電極９ａは、アクティブ領域Ｌと素子分離溝２との境界領域のゲート長方向に沿った一辺の全体とゲート幅方向に沿った二辺の一部とを覆っている。 - 特許庁

To allow a connector to be tiltably inserted or withdrawn so as to dispense with a fixing structure of high accuracy without changing a length of a contact for the connector capable of active insertion/withdrawal.例文帳に追加

活性挿抜を可能とする活性コネクタにおいて、コネクタのコンタクトの長さを変化させることなく、コネクタが傾斜して挿抜されることを許容し、高精度な固定構造を不要とする活性コネクタを提供する。 - 特許庁

A constant diffraction grating 36 is provided at an end area L1 outside an area L0 under a ridge R1 along a total length of an active layer 45, on a boundary S1 between an SCH layer 52 and the clad layer 16.例文帳に追加

ＳＣＨ層５２とクラッド層１６との界面Ｓ１には、活性層４５の全長に沿って、リッジ部Ｒ１下の領域Ｌ０外の端部領域Ｌ１に均一回折格子３６が設けられている。 - 特許庁

Applying a suitable driving voltage on each of the active devices, the double-layer liquid crystal lens apparatus has a function of modulating focal length focusing and diverging the light, like a convex lens or a concave lens.例文帳に追加

各能動素子に適切な駆動電圧を印加することによって、二重層液晶レンズ装置は、凸レンズまたは凹レンズのように光を集光／拡散する焦点距離調整機能を有する。 - 特許庁

A gas supply path, through which active gas is supplied to the processing chamber 16 from a supply source 21, is set to have substantially the same length as with the supply paths to the processing chambers.例文帳に追加

活性ガスの供給源２１につていは、処理チャンバ１６に供給するガスの供給経路が、複数の処理チャンバのそれぞれに対して実質的に同一の長さとなるように設置されている。 - 特許庁

The first electrode and the second electrode contain strip-shaped collectors each having end edge parts along a length direction and a width direction and an active material layer formed on both faces of the collector.例文帳に追加

第１電極および第２電極は、いずれも長手方向および幅方向に沿う端縁部を有する帯状の集電体と、集電体の両面に形成される活物質層とを含む。 - 特許庁

The flatness of a surface has an effect of minimizing the length of a connecting electrode (bump) with an active element to be mounted and uniforming the connecting electrode to make the performance of an mounted element close to a designed value.例文帳に追加

表面の平坦性は、実装される能動素子との接続電極(バンプ)を、最短に、しかも均一にする効果があり、実装された素子の性能を設計値に近くすることが可能になる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser in which an MMI structure having wider waveguide width can be sufficiently applied to a full active waveguide area length and stable high-output operation can be obtained.例文帳に追加

より導波路幅の広いＭＭＩ構造を全能動導波路領域長に対して十分に適用することができ、かつ、安定した高出力動作を得ることのできる半導体レーザーを提供する。 - 特許庁

Due to the active length of the platform, trains departing from and arriving at Nagahama Station are eight-car trains, while the ones departing from and arriving at Tsuruga Station and Omi-Shiotsu Station are four-car trains (the 12-car trains are divided or convened at Maibara). 例文帳に追加

米原以北はホーム有効長の関係で長浜発着は8両編成、敦賀・近江塩津発着は4両編成で運転される（12両運転の場合は米原で分割・併合を行う）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス