「active- matrix」に関連した英語例文の一覧と使い方(56ページ目) - Weblio英語例文検索

Signal voltages Vsp, Vsn from a signal line driving circuit 3 are applied via an active element, such as a TFT, onto a display electrode on a matrix substrate 11, and a common voltage Vcom common to each display cell 13 is applied via a buffer circuit 4 to a counter electrode on a counter substrate 12, thereby applying a driving voltage to the liquid crystal in the liquid crystal display 13.例文帳に追加

ＴＦＴなどのアクティブ素子を介して信号線駆動回路３からの信号電圧Ｖsp・Ｖsnをマトリクス基板１１上の表示電極に印加するとともに、各表示セル１３に共通の共通電圧Ｖcom をバッファ回路４を介して対向基板１２上の対向電極に印加することで、表示セル１３における液晶に駆動電圧を印加する。 - 特許庁

The electric power consumption reduction apparatus for reducing the electric power consumed in a spontaneous light emission display module of an active matrix drive type has a function to drive and control the spontaneous light emission display module in such a manner that the continuous and gentle forward and backward changes in peak luminance between the first peak luminance and the second peak luminance are continuously repeated at specified periodic intervals.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動型の自発光表示モジュールで消費される電力を削減する消費電力削減装置として、第１のピーク輝度と第２のピーク輝度の間における連続的かつ緩やかなピーク輝度の往復変化が一定周期間隔で継続的に繰り返されるように自発光表示モジュールを駆動制御する機能を有するものを提案する。 - 特許庁

In the active matrix display device provided with the top gate film transistor 20 provided with a channel area 14a consisting of the polycrystal semiconductor, the gate insulating film 15 of the transistor 20 is provided with a plurality of protrusion parts 18 at least on a part of a contacting face with a conductive layer 16 formed on it.例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、多結晶半導体からなるチャネル領域１４ａを備えたトップゲート型薄膜トランジスタ２０を具備したアクティブマトリクス型表示装置であって、前記薄膜トランジスタ２０のゲート絶縁膜１５には、その上に形成された導電層１６との接触面の少なくとも一部に複数の突起部１８が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

The active matrix substrate includes a substrate 10; signal wiring 11 formed on the substrate 10; scanning wiring 13 intersecting the signal wiring 11; a bottom gate type thin film transistor 14 operating in response to a signal applied to the scanning wiring 13; and a pixel electrode 15 capable of being electrically connected to the signal wiring 11 via the thin film transistor 14.例文帳に追加

本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された信号配線１１と、信号配線１１に交差する走査配線１３と、走査配線１３に印加される信号に応答して動作するボトムゲート型の薄膜トランジスタ１４と、薄膜トランジスタ１４を介して信号配線１１に電気的に接続され得る画素電極１５とを備えている。 - 特許庁

An active matrix liquid crystal display device is provided, within one frame interval (one vertical scanning interval), with: a display signal period for writing and holding a display signal in each pixel circuit when a line selection pulse is generated on the basis of an output pulse of a first shift register SR1; and a reset period for resetting to a prescribed reference voltage when the line selection pulse is generated.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置は、１フレーム期間（１垂直走査期間）中に、第１のシフトレジスタＳＲ１の出力パルスに基づく行選択パルス発生時の各画素回路に表示信号を書き込み保持する表示信号期間と、第２のシフトレジスタＳＲ２の出力パルスに基づく、行選択パルス発生時の所定の基準電圧にリセットするリセット期間を設ける。 - 特許庁

In the active matrix type electrooptical device, and in the case of constructing a nonlinear element 5 as a pixel switching element and the storage capacitor 9, a lower electrode 61 for the element and a lower electrode 62 for the capacitor are formed by tantalum with oxygen, and an insulating layer 71 for the element and an insulating layer 72 for the capacitor are formed with an anodized film of the tantalum with oxygen.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、酸素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成し、酸素添加タンタルの陽極酸化膜によって素子用絶縁層７１および容量用絶縁層７２を形成する。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal display device having a charge pump circuit which obtains output voltage GVDD as a display driving power voltage by boosting the voltage of regular power voltage VDD, the starting timing of an external control signal SCK is controlled to be made equal to the display starting timing of a liquid crystal display section 11, thereby preventing the charge pump circuit from being operatrd before a display period (b).例文帳に追加

表示駆動用の電源電圧として通常の電源電圧ＶＤＤを昇電圧して出力電圧ＧＶＤＤを得るチャージポンプ回路を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、外部制御信号ＳＣＫの開始タイミングを液晶表示部１１の表示開始タイミングと同じに制御して、表示期間ｂ前にチャージポンプ回路を動作させないようにする。 - 特許庁

The active matrix substrate includes a substrate 10, the signal wire 11 formed on the substrate 10, the scanning wire 13 intersecting the signal wire 11, a bottom-gate type thin film transistor 14 operating responding to a signal applied to the scanning wire 13, and a pixel electrode 15 electrically connectable to the signal wire 11 via the thin film transistor 14.例文帳に追加

本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された信号配線１１と、信号配線１１に交差する走査配線１３と、走査配線１３に印加される信号に応答して動作するボトムゲート型の薄膜トランジスタ１４と、薄膜トランジスタ１４を介して信号配線１１に電気的に接続され得る画素電極１５とを備えている。 - 特許庁

Plural blocks 10A, 10B, having mutually different alignment states, are constituted in an effective display region 10a of a liquid crystal panel 10 comprising an active matrix substrate, a counter substrate and a liquid crystal layer sealed in between, and are constructed so as to make a bright view direction of these blocks axially symmetric with respect to an axis of symmetry bisecting the effective display region 10a.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１１と対向基板１２とその間に封止された液晶層とからなる液晶パネル１０の有効表示領域１０ａ内に、相互に配向状態の異なる複数のブロック１０Ａ，１０Ｂを構成し、これらのブロックの明視方向が有効表示領域部１０ａを二分する対称軸に対して線対称となるように構成する。 - 特許庁

To provide a composite for an organic semiconductor layer which has high planarity of molecular structure and can manufacture an organic semiconductor layer excellent in thin film characteristics, a method of manufacturing a thin-film transistor which can manufacture a highly reliable thin-film transistor manufactured using this method, a method of manufacturing an active matrix, a method of manufacturing an electrooptical device, and a method of manufacturing electronic equipment.例文帳に追加

分子構造の平面性が高く、薄膜特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体層用組成物、これを用いて製造された信頼性の高い薄膜トランジスタを製造可能な薄膜トランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

This inspection method comprises the steps of: facing a probe to a thin film transistor active matrix substrate; supplying a dielectric fluid between the substrate and the probe; supplying power supply to a closed circuit containing the substrate and probe; and detecting signals flowing through the closed circuit by the power supply.例文帳に追加

上記課題は、薄膜トランジスタアクティブマトリクス基板にプローブを対向させる工程と、前記基板と前記プローブの間に誘電性流体を供給する工程と、前記基板と前記プローブとを含む閉回路に電源を供給する工程と、前記電源により前記閉回路に流れる信号を検出する工程を有する前記基板を検査する検査方法により解決される。 - 特許庁

The method for forming a semiconductor film on a substrate such as an active matrix substrate for image display is constituted by crystallizing an α-Si film by an ELA method and reducing a hydrogen content in the α-Si film prior to its formation into a p-Si film by an SLS method.例文帳に追加

画像表示装置用アクティブマトリクス基板等の基板上に半導体薄膜を形成する方法において、ａ−Ｓｉ膜をＳＬＳ法によりｐ−Ｓｉ化する際に、事前にＥＬＡ法で結晶化するとともに膜中の水素含有量を減少させておくことにより、アブレーションの発生を防止しつつ、ＳＬＳ法として十分に高いフルエンスでエネルギ照射が可能となる。 - 特許庁

To reduce manufacturing cost by improving productivity and a yield of an electrooptical device by reducing the number of processes of manufacturing a pixel part having a reverse stagger type thin-film transistor, and a terminal part, and specifically reducing the number of photomasks used in a photolithography process, in an electrooptical device typified by an active matrix type liquid crystal display device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置において、逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する画素部及び端子部を作製する工程数を削減して、具体的にはフォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクの枚数を削減して、電気光学装置の生産性、歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現することを課題とする。 - 特許庁

This gamma voltage adjusting device, in an active matrix liquid crystal display, is provided with a programmable digital-to-analog converter for outputting voltage signals, corresponding to prescribed set values and gamma voltage adjusting parts which are respectively connected to the output end of the digital-to-analog converter and which adjust the voltage level differences among the voltage signals to voltage level differences to have different intervals.例文帳に追加

アクティブ・マトリクス液晶表示装置におけるこのガンマ電圧調整装置は、所定の設定値に対応する複数個の電圧信号を出力するプログラマブル・デジタルルーアナログ変換器と、前記プログラマブル・デジタルーアナログ変換器の出力端にそれぞれ接続されて前記複数個の電圧信号間の電圧レベル差を異なる間隔に調整するガンマ電圧調整部とを具備する。 - 特許庁

To provide a substrate for an active matrix display device integral with a peripheral circuit, comprising a thin-film transistor which uses a polycrystal silicon thin-film and provides excellent TFT characteristics and display quality, and to provide a liquid-crystal display device comprising it and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

本発明は、多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタを有するアクティブマトリクス型表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関し、優れたＴＦＴ特性及び表示品質が得られる周辺回路一体型のアクティブマトリクス型表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An organic electroluminescence active matrix type display apparatus 1 comprises; an illuminance detecting part 9 for detecting the brightness of the surroundings; a calculation part 8 for calculating a luminance setting value corresponding to an output of the illuminance detecting part 9; and a duty scan driving circuit 5 as a control means for controlling an emitting period of an organic electroluminescence element 13 with the luminance setting value calculated by the calculation part 8.例文帳に追加

有機ＥＬアクティブマトリクス型表示装置１において、周囲環境の明るさを検出する照度検出部９と、この照度検出部９の出力に対応する輝度設定値を演算する演算部８と、この演算部８にて演算された輝度設定値で有機ＥＬ素子１３の発光時間を制御する制御手段としてデューティ走査駆動回路５を設置する。 - 特許庁

The active matrix display device comprises: a plurality of pixel parts Px which include display elements 16 and pixel circuits 18 for supplying driving currents to the display elements and are arranged on a substrate; and a signal line driving circuit which supplies a first signal current to pixel circuits through an image signal line X1 and then supplies a second signal current to the pixel circuits through the image signal line.例文帳に追加

表示装置は、表示素子１６と、表示素子に駆動電流を供給する画素回路１８とを含み、基板上に配設された複数の画素部Ｐｘと、映像信号線Ｘ１を介して画素回路に第１信号電流を供給した後、映像信号線を介して画素回路へ第２信号電流を供給する信号線駆動回路と、を備えている。 - 特許庁

To provide the driving circuit of an active matrix type current- controlled type light emitting element which is capable of suppressing a display unevenness of luminance of light emitting elements caused by the dispersion in the threshold voltages of transistors or the like and in which circuits compen sating offset voltages are incorporated and with which a satisfactory picture characteristic can be obtained with a relatively small number of transistors.例文帳に追加

アクティブマトリックス型のＥＬ発光装置において、階調表示を実現させるためにカレントミラー回路あるいは閾値変動の補償回路を設けることでＴＦＴ特性のばらつきによる輝度の変動を抑えていたが、１画素内にＴＦＴを複数設ける必要があり、高い歩留まりを確保するためには１画素内に少ないＴＦＴで階調表示させることが必要である。 - 特許庁

An active matrix type liquid crystal display device with a built-in driving circuit using thin film transistors is configured so that a vertical scanning circuit is composed of thin film transistors so as to scan scanning signal wiring at random by decoding address signals from an external liquid crystal control circuit by a decoder circuit, and the decoder circuit composed of thin film transistors comprises pull-up resistance and plural switching elements.例文帳に追加

薄膜トランジスタによる駆動回路内蔵型アクティブマトリクス液晶表示装置において、薄膜トランジスタで構成された垂直走査回路の構成として、外部液晶コントローラ回路からのアドレス信号をデコーダ回路でデコードすることにより、走査信号配線をランダム走査する構成であって、薄膜トランジスタによるデコーダ回路の構成として、プルアップ抵抗と複数のスイッチング素子で構成されたことを特徴とする。 - 特許庁

To effectively avoid deterioration in image quality due to variance in characteristic among transistors composing a pixel circuit by applying a display device and a driving method of the display device to, for example, an active matrix type display device using organic EL elements using polysilicon TFTs, and then preventing a deficiency of mobility correction depending upon light emission illuminance, coupling noise, and variance in a correction period for mobility between scan lines.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えばポリシリコンＴＦＴを用いた有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型のディスプレイ装置に適用して、発光輝度による移動度補正の過不足、カップリングノイズ、走査線間における移動度の補正期間のばらつきを防止して、画素回路を構成するトランジスタの特性のばらつきによる画質の劣化を有効に回避する。 - 特許庁

The semiconductor device used in memory cells comprises a semiconductor substrate, an active matrix comprising many transistors formed on the semiconductor substrate and conductive plugs, connected electrically to the transistors, many lower electrodes formed on the conductive plugs, a synthetic film formed on the lower electrodes, and an aluminum oxide (Al2O3) film formed on the synthetic film.例文帳に追加

メモリセルで用いる半導体デバイスにおいて、半導体基板、前記半導体基板に形成された多数のトランジスタ及び前記トランジスタに電気的に接続された導電性プラグを備える活性マトリックスと、前記導電性プラグ上に形成された多数の下部電極と、前記下部電極上に形成された合成膜と、前記合成膜上に形成されているアルミニウムオキサイド（Ａｌ_２Ｏ_３）膜を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To appropriately correct variations in the mobility, in a transistor which drives a light-emitting element, even if the emission luminances differ, and effectively avoid shading due to the correction of the variations in the mobility, by applying the present invention to a display device or a display device driving method, for example, an active matrix-type display device having organic EL elements that use polysilicone TFTs.例文帳に追加

本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関し、例えばポリシリコンＴＦＴを用いた有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型のディスプレイ装置に適用して、発光輝度が種々に異なる場合でも、発光素子を駆動するトランジスタにおける移動度のばらつきを適切に補正するようにして、移動度のばらつき補正によるシェーディングの発生を有効に回避することができるようにする。 - 特許庁

An anticancer agent comprising the cells as an active ingredient obtained by the following process consisting of the steps of; (1) culturing W-cells obtained from a human body in medium A containing 0.1~0.2 weight % of protein X for 5 to 10 hours and collecting them, and (2) disseminating the collected cells in the step (1) on an extracellular matrix Y, culturing them in medium B containing 0.1~0.2 weight % of protein Z for 24 to 48 hours, and collecting them. 例文帳に追加

(1)ヒト体内から採取した W細胞を、タンパク質 Xを 0.1～0.2重量％含有する培地 A中で 5～10時間培養し、回収する工程、及び (2)工程(1)で回収された細胞を細胞外マトリックス Y上に播種し、タンパク質 Zを 0.1～0.2重量％含有する培地 B中で 24～48時間培養し、回収する工程、からなる工程により得られた細胞を有効成分として含有する抗癌剤。 - 特許庁

To provide a semiconductor film crystallization method for further enhancing a crystallization degree without making rough the surface of a semiconductor film, a TFT manufacturing method using the same, an active matrix substrate using a TFT manufactured by the manufacturing method, and a liquid crystal display unit using the substrate, by taking a condition into consideration for laser melting crystallization, the condition that has not so far been considered.例文帳に追加

レーザ溶融結晶化にこれまで検討されていなかった条件を考慮することにより、半導体膜表面を粗らすことなく、結晶化度をさらに高めることのできる半導体膜の結晶化方法、それを用いたＴＦＴの製造方法、この製造方法により製造したＴＦＴを用いたアクティブマトリクス基板、およびこの基板を用いた液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

The active matrix type liquid crystal display device includes a pixel array having a plurality of pixel parts, independently controlled gate lines disposed in the pixel array, and source lines disposed in the pixel array and supplied with signals in positive and negative polarities, wherein each pixel part includes a plurality of transistors connected in series and selectively connecting a pixel electrode to the source lines and connecting to the gate lines via the respective gates.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置は、複数の画素部を備えた画素アレイと、前記画素アレイに設けられ、独立に制御されるゲート線と、前記画素アレイに設けられ、正負各極性の信号が供給されるソース線とを備え前記画素部は、画素電極と前記ソース線とを選択的に接続し、前記ゲート線にそれぞれのゲートが接続され、かつ直列接続された複数のトランジスタを備える。 - 特許庁

To provide a plastic substrate to be used for a display element which is excellent in heat resistance, chemical resistance and barrier proof nature, has a low average linear expansion coefficient and high storage elastic modulus at a high temperature and is difficult to be warped, transformed or cracked in wiring in a process of producing an active matrix display element, moreover is excellent in permeability for oxygen and steam.例文帳に追加

アクティブマトリックスタイプの表示素子用に好適な表示素子用プラスチック基板、詳細には耐熱性、耐薬品性、耐バリア性に優れ、かつ、平均線膨張係数が低く、高温時の貯蔵弾性率が高く、アクティブマトリックス表示素子基板の製造工程で反りや変形、配線の亀裂が生じにくく、且つ，酸素透過率・水蒸気透過率に優れる表示素子用プラスチック基板を提供する。 - 特許庁

The array substrate 100 is equipped with a first electrode 60 formed in an independent island shape for every pixel PX arranged in a matrix, a second electrode 66 arranged facing to the first electrode 60 and formed commonly to all the pixels, an organic active layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66 and a separating wall 70 arranged along a peripheral edge of the first electrode 60 and separating each pixel.例文帳に追加

アレイ基板１００は、マトリクス状に配置された画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、第１電極６０の周縁に沿って配置され各画素を分離する隔壁７０と、を備えている。 - 特許庁

Each pixel of the device is respectively provided with TFTs (thin film transistors) so that active matrix drive is possible.例文帳に追加

電流注入により発光するピーク波長の半値幅が１０ｎｍ以下である光を放射する有機化合物層が一対の電極間に備えられ、電流密度に対する発光ピーク強度の変化が、傾きの異なる二つの線形領域で区分可能であり、傾きの大きい領域は、傾きの小さい領域に対して高電流密度側にある発光装置であり、アクティブマトリクス駆動が可能なようにＴＦＴが各画素に備えられたものである。 - 特許庁

This active matrix display is provided with a pixel array including a first set of first pixels and at least one second set of second pixels, a first refresh configuration for refreshing the first pixels with arbitrary image data, and at least one second refresh configuration for refreshing the second pixels of the second set or respective pixels of a plurality of second sets with the same image data.例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクスディスプレイは、第１の画素の第１のセットおよび第２の画素の少なくとも１つの第２のセットを含む画素のアレイと、第１の画素を任意のイメージデータでリフレッシュする第１のリフレッシュ構成と、第２のセットの第２の画素、または複数の第２のセットの各々を同じイメージデータでリフレッシュする少なくとも１つの第２のリフレッシュ構成とを備えた、アクティブマトリクスディスプレイ。 - 特許庁

In the manufacturing method of the active matrix substrate constituted by forming the pixel part containing the thin film transistor of LDD structure as a switch and the peripheral circuit part constituted by containing the thin film transistor on the substrate 1, the processes that ion implantation of low density is performed using a gate electrode 8 as a mask, and the gate electrode 8 is anode oxidized, and the ion implantation of further high density are provided.例文帳に追加

基板上に、スイッチとしての薄膜トランジスタを含む画素部と、薄膜トランジスタを含んで構成された周辺回路部とが形成されてなり、画素部の薄膜トランジスタはＬＤＤ構造を有するアクティブマトリクス基板の製造方法において、ゲート電極をマスクとして低濃度のイオン打ち込みを行い、ゲート電極を陽極酸化し、さらに高濃度のイオン打ち込む工程を有することを特徴とする。 - 特許庁

This display is an active matrix OLED flat panel display comprising a plurality of light emitting elements and a associated control circuit, programmable power source connected with the control circuit, sensors for detecting optical outputs of one or more light emitting elements for generating a feedback signal, and a display controller responding to the feedback signal for programming the programmable power source for correcting changes of the light outputs from the light emitting elements.例文帳に追加

複数の発光素子及び関連する制御回路、前記制御回路に接続されたプログラマブル電源、フィードバック信号を生成するために、一つ以上の発光素子の光出力を感知するセンサ、及び前記発光素子からの光出力の変動を補正するために、プログラマブル電源をプログラムする前記フィードバック信号に応答するディスプレイコントローラを含むアクティブマトリックスＯＬＥＤフラットパネルディスプレイ。 - 特許庁

To provide an active matrix display element using a phosphorescent material for color having low light emission efficiency among red, green, and blue colors expressed using a conventional fluorescent material and using the fluorescent material for remaining colors by a full color organic electroluminescent element, reduce power consumption of the display element to increase competitive strength of a product, and enable the manufacture of a large area full color display element.例文帳に追加

フルカラー有機電界発光素子によって、従来の蛍光物質を用いて表現される赤色と緑色と青色のうち発光効率が低い色には燐光物質を用い、残りの色には蛍光物質を用いた能動マトリックス型表示素子の提供を可能にし、並びに、表示素子の消費電力を低減し製品の競争力を高める一方で大面積フルカラー表示素子の製作を可能にする。 - 特許庁

The active matrix substrate comprises; a substrate 10; a scanning line 11 formed on the substrate 10; a signal line 12 which crosses the scanning line 11; a switching element 13 formed on the substrate 10, which operates in response to a signal applied to a corresponding scanning line 11; and a pixel electrode 14 which is electrically connected to the corresponding signal line 12 via the switching element 13.例文帳に追加

本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された走査配線１１と、走査配線１１に交差する信号配線１２と、基板１０上に形成され、対応する走査配線１１に印加される信号に応答して動作するスイッチング素子１３と、スイッチング素子１３を介して、対応する信号配線１２に電気的に接続され得る画素電極１４とを備えている。 - 特許庁

The preparation is characterized in that oxycodone is present in excess referred to the unit dosage amount of naloxone, that a diffusion matrix of the preparation comprises at least ethylcellulose and at least one fatty alcohol as the components that essentially influence the release behavior of the active compounds, and that the preparation does not comprise relevant parts of alkaline and/or water-swellable substance, particularly derivatives of acrylic acid and/or hydroxyalkyl celluloses.例文帳に追加

オキシコドンがナロキソンの単位投薬量に対して過剰に存在し、製剤の拡散マトリクスにおいて、製剤から薬剤の放出態様に影響を及ぼす成分として、少なくともエチルセルロース及び少なくとも１つの脂肪アルコールを含み、適切量のアルカリ性及び／又は水膨潤性物質、特にアクリル酸及び／又はヒドロキシアルキルセルロースの誘導体を含まないことを特徴とする製剤。 - 特許庁

A display device includes: a luminous layer 413; a pair of electrodes 411, 414 sandwiching the luminous layer; a TFT driving the luminous layer 413 via the pair of electrodes 411, 414 and having source and drain electrodes 410, a gate electrode 406 and an active layer 409; and a scan electrode line 407, a signal electrode line 403 and a first insulating layer 404 which constitute a matrix wiring part.例文帳に追加

表示装置は、発光層４１３と、これを挟む一対の電極４０８、４１３と、一対の電極４０８、４１３を介して発光層４１３を駆動し、かつ、ソース電極及びドレイン電極４１０、ゲート電極４０６、及び活性層４０９を有するＴＦＴと、マトリックス配線部を構成する走査電極線４０７、信号電極線４０３、第１の絶縁層４０４とを有する。 - 特許庁

To solve the problem that complication of layout is increased due to increase of the number of wirings and opening ratio of a pixel is reduced when a pixel electrode of a unit pixel is divided into more sub pixel electrodes for improving deviation of a center of gravity of sub pixel electrodes or complicated layout of the sub pixel electrodes is adopted, in an active matrix type liquid crystal display wherein gradation is expressed by an area gradation method.例文帳に追加

面積階調法により階調を表現するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、サブ画素電極の重心の偏りを改善するために単位画素の画素電極をより多くのサブ画素電極に分割したり、サブ画素電極の複雑なレイアウトしたりする構成を採ると、配線数が増加するためレイアウトの複雑さが増し、また画素の開口面積率が低下する。 - 特許庁

The driving circuit of a liquid crystal panel, for example, the driving circuit of an active matrix type liquid crystal panel in which a driver using poly crystalline silicon transistors is incorporated is provided with a detecting circuit detecting the level of the input video signal and a precharge signal generating circuit generating a precharge signal having a signal level corresponding to the level of the input video signal which is detected by the detecting circuit.例文帳に追加

この発明は、液晶パネルの駆動回路に関し、たとえば、多結晶シリコントランジスタを用いたドライバが内臓されたアクティブマトリクス型液晶パネルの駆動回路に関するものであり、入力ビデオ信号レベルを検出する検出回路、および検出回路によって検出された入力ビデオ信号レベルに応じた信号レベルのプリチャージ信号を生成するプリチャージ信号生成回路を備えている。 - 特許庁

In the electric equipment having an active matrix type display device forming plural pixels on a substrate, each pixel has a thin film transistor(TFT) having amorphous silicon and the display device is connected to an external driving circuit for driving respective pixels by a TAB system and allowed to display the operating method or operating state of the electric equipment.例文帳に追加

複数の画素が基板上に形成されたアクティブマトリクス型表示装置を有する電気機器であって、前記画素は、アモルファスシリコンを有する薄膜トランジスタを有しており、前記表示装置は、前記画素を駆動する外部駆動回路とＴＡＢ方式によって接続されており、前記表示装置は、前記電気機器の操作方法または前記電気機器の動作状態を表示することを特徴とする電気機器。 - 特許庁

In an active-matrix organic EL display device that has a pixel circuit capable of controlling light emitting luminance per time in accordance with magnitude of a gray scale voltage, a control signal is supplied from a timing control IC to the data driver so that the polarity is reversed twice consecutively, or a control signal is supplied from the timing control IC to the data driver so that a mode of not reversing the polarity is selected.例文帳に追加

階調電圧の大きさで時間当たりの発光輝度が制御可能な画素回路を備えたアクティブマトリクスタイプの有機ＥＬ表示装置において、極性反転を連続して２回させるように、タイミング制御ＩＣから制御信号をデータドライバに供給するか、極性反転させないモードを選択するように、タイミング制御ＩＣから制御信号をデータドライバ」に対して供給するようにする。 - 特許庁

In this manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display which comprises an active matrix substrate having signal lines, an interlayer insulation film which covers a switching device and pixel electrodes, a opposing substrate and a liquid crystal layer between the substrates, the interlayer insulation film is formed by transferring a photosensitive thermosetting resin layer of a negative photosensitive thermosetting transfer material having a photosensitive thermosetting layer using laminating method.例文帳に追加

信号線とスイッチング装置を覆う層間絶縁膜と画素電極を有するアクティブマトリクス基板と対向基板と該両基板に介在する液晶層とを備えるハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法において、前記層間絶縁膜が感光性熱硬化性樹脂層を有するネガ型感光性熱硬化型転写材料の該感光性熱硬化性樹脂層をラミネート法により転写して形成されることを特徴とする。 - 特許庁

In an active matrix electrooptical device, the step for fabricating a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element performs a first annealing step in an inert atmosphere after an oxide film 14 is formed by anodizing the surface of a lower tantalum electrode 13 before an upper electrode 15 is formed, and a second annealing step for introducing hydrogen atoms into the oxide film by annealing in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。 - 特許庁

A display device includes the insulating substrate 1 having a plurality of pixels formed, pixel electrodes 2 and active elements 3 constituting the pixels, the counter substrate 5 disposed opposite the insulating substrate 1, a coloring material layer 6 formed on the surface of the counter substrate 5 opposed to the insulating substrate 1, and a black matrix 8 formed of a resin material between the coloring material layer 6 and an adjacent coloring material layer.例文帳に追加

複数の画素が形成された絶縁性基板１と、該画素を構成する画素電極２及び能動素子３と、前記絶縁性基板１と対向して配置される対向基板５と、前記対向基板５において前記絶縁性基板１と対向する面に形成される色材層６と、前記色材層６と隣接する色材層間において、樹脂材料によって形成されたブラックマトリックス８とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

On a TFT substrate which is an active matrix substrate having a common electrode line formed parallel to a scan signal line, in order to eliminate non-uniformity of the level shift of the pixel potential generated at the scan signal fall, each pixel circuit is formed so that the capacity Cdg between the scan signal line and the pixel electrode becomes greater as electrically going farther from the scan signal line drive circuit and going farther from the common electrode line drive circuit.例文帳に追加

走査信号線に平行に共通電極線が形成されるアクティブマトリクス基板であるＴＦＴ基板において走査信号の立ち下がりの際に生じる画素電位のレベルシフトの不均一性を解消すべく、走査信号線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、また、共通電極線駆動回路から電気的に遠ざかるにしたがって、走査信号線−画素電極間容量Ｃｇｄが大きくなるように、各画素回路を形成する。 - 特許庁

The method for controlling power of the active matrix organic light-emitting diode includes steps of: calculating a frame data rate, which is a ratio of a light emitting pixel quantity representing a specific color in an image data to be displayed; determining a luminance reducing amount mapped to the frame data rate; and controlling and displaying the entire luminance of the image according to the luminance reducing amount.例文帳に追加

能動型有機発光ダイオード（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）の電力制御方法であって、表示される画像データで特定の色を表す発光画素数の割合を意味するフレームデータレートを算出するステップと、前記フレームデータレートにマッピングされる輝度の減少量を決定するステップと、前記輝度の減少量に従って画像の全体の輝度を制御して表示するステップとを有する。 - 特許庁