「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(138ページ目) - Weblio英語例文検索

This method comprises sintering and melting the powder material which is prepared by blending two or more oxides in a vacuum atmosphere of ≤5.0×10^-3 Pa by a discharge plasma sintering method in which a pulsed current is applied to produce the optical element material.例文帳に追加

２種類以上の酸化物を混合した粉末材料を、５．０×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気で、パルス電流を印加した放電プラズマ焼結法により、焼結及び溶融することで、光学素子用材料を作製する。 - 特許庁

The display device does not connect to a power source Vcc a transistor TR2 for a period setting a source for setting voltage between gate sources to reference voltage to the transistor TR2 driving by current the light emitting element 12 by source follower circuit configuration.例文帳に追加

本発明は、ソースフォロワ回路構成により発光素子１２を電流駆動するトランジスタＴＲ２に対して、ゲートソース間電圧の設定のためにソースを基準電圧に設定する期間、トランジスタＴＲ２を電源Ｖｃｃに接続しないようにする。 - 特許庁

Therefore, abnormality of the wiring 41, 42, 43 can be respectively detected without measuring current Ip of the pump cell 14 sensitive to gas atmosphere around a sensor element 10, thus sensor abnormality can be detected in any gas atmosphere.例文帳に追加

したがって、センサ素子１０周囲のガス雰囲気に影響されるポンプセル１４の電流Ｉｐを測定することなく、配線４１、４２、４３の異常をそれぞれ検出することができるので、いかなるガス雰囲気でもセンサ異常を検出することができる。 - 特許庁

For the voltage drop value corresponding to the total current Io inputted to the PWM control part 4, compensation according to temperatures of the fluorescent tubes 3 is carried out by detecting the temperatures of the fluorescent lamps 3 by a temperature detection element Rt.例文帳に追加

また、このとき、ＰＷＭ制御部４へ入力される前記総和電流Ｉｏに応じた電圧降下量に対し、蛍光管３の温度を温度検出素子Ｒｔにより検出することで蛍光管３の温度に応じた補正を行う。 - 特許庁

A pulse or an AC signal is applied between the connecting interconnect 19 and the primary electrode 12 so that an output current output from the optical sensing element 10 changes in response to an amount of light incident upon the photoelectric conversion semiconductor thin-film 14.例文帳に追加

接続配線１９と第１電極１２との間にパルスや交流の信号が印加されて、光感知素子１０から出力される出力電流が、光電変換半導体薄膜１４への入射光量に応じて変化する。 - 特許庁

To projectively form first and second main electrode regions in even film thickness as additional active layer portions on an active layer body, prevent the problems such as increase of leakage current and parasitic capacitance, and easily perform an element isolation process.例文帳に追加

活性層本体上に均一な膜厚での第１及び第２主電極領域を付加的活性層部分として、突出させて形成するとともに、リーク電流や寄生容量の増加等の問題が防止され、かつ素子分離プロセスを容易に行う。 - 特許庁

The charging apparatus of the secondary battery controls current and a voltage supplied from a dc power source, charges the secondary battery and controls a voltage applied to a first semiconductor element by using the secondary battery.例文帳に追加

本発明の充電装置によれば、第１の半導体素子を用いて、直流電源から供給される電流および電圧を制御して、２次電池を充電し、第２の半導体素子を用いて、第１の半導体素子に印加される電圧を制御する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which reduces a current leakage via a clad layer and prevents the diffusion of an injected carrier in between a core layer in a region having a first function and a core layer in a region having a second function.例文帳に追加

半導体素子において、クラッド層を経由する電流リークを低減するとともに、第１の機能を有する領域のコア層と第２の機能を有する領域のコア層との間で、注入されたキャリアが拡散してしまうのを抑制する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which is high in reliability by reducing a leak current flowing along a side end of a ferroelectric film and flowing between an upper electrode and a lower electrode while avoiding an increase of occupation surface area of a capacitive element.例文帳に追加

容量素子の占有面積を増大させることなく、強誘電体膜の側端部を伝わって上部電極と下部電極との間に流れるリーク電流を低減し、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A shunt resistor 72 is connected to the anode of the diode 70 for detection, and when determined that a current is flowing to the free wheel diode FD, based on the voltage drop of the shunt resistor 72, it compulsively switches off the power switching element Sw.例文帳に追加

検出用ダイオード７０のアノードには、シャント抵抗７２が接続されており、シャント抵抗７２の電圧降下に基づき、フリーホイールダイオードＦＤに電流が流れていると判断される場合、パワースイッチング素子Ｓｗを強制的にオフ状態とする。 - 特許庁

Additionally, the insertion of the resistive element TR2 functions as a limiter to the photocurrent, biases a bias voltage applied to the photodiode PD forward, prevents the occurrence of an excessive current, and suppressing circuit operation malfunctions.例文帳に追加

また、抵抗素子ＴＲ２が挿入されていることで、これは光電流に対するリミッタとしても機能し、ホトダイオードＰＤに印加されるバイアス電圧を順バイアス電圧にさせ、過大な電流の発生を防ぎ、回路の異常動作を抑制する。 - 特許庁

The alternating current impressed EL element has a light emitting layer containing light emitting material between a pair of electrodes of which, at least one electrode is translucent, the light emitting material is composed of super-fine particles.例文帳に追加

いずれか一方が透光性を有する１対の電極間に発光性物質を含有する発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子において、発光性物質が超微粒子であることを特徴とする交流印可型エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a current-carrying control circuit of a heater which does not cause breakdown of a switching element by output from an AC generator accompanying engine rotation, even when operating an engine in a battery removed state and a regulator troubled state.例文帳に追加

バッテリーを外された状態やレギュレーターが故障した状態等においてエンジンを作動した場合でも、エンジン回転に伴う交流発電機からの出力でスイッチング素子が破壊されないヒーターの通電制御回路を提供すること。 - 特許庁

When current is supplied to an actuator coil in the reproducing head 200, the slider element is displaced according to displacement operation of the rod since the rod constituted of the magnetostrictive material is displaced in a direction orthogonal to the air bearing surface 60.例文帳に追加

また、再生ヘッド２００においてアクチュエータコイルに電流が供給されると、磁歪材料により構成されたロッドがエアベリング面６０と直交する方向において変位するため、そのロッドの変位動作に応じてスライダ素子が変位する。 - 特許庁

To reduce radio wave radiation from the outer conductor of a coaxial cable 40 caused by current leakage due to unbalanced power feeding, by devising the arrangement of the coaxial cable in an antenna feeding circuit for feeding power to an antenna element, using the coaxial cable 40.例文帳に追加

同軸ケーブル４０を用いてアンテナ素子に給電するアンテナ給電回路において、同軸ケーブルの配置を工夫することにより、不平衡給電による電流漏洩に起因する同軸ケーブル４０の外導体からの電波放射を低減する。 - 特許庁

The switching control circuit 1 changes the switching timing of a control signal so that the interruption control state of a switching element Mp may be prolonged until the overcurrent detection circuit 50 determines that the inductor current has reduced to a predetermined value.例文帳に追加

スイッチング制御回路１では、過電流検出回路５０でインダクタ電流が所定の大きさに低減したと判定されるまでスイッチ素子Ｍｐの遮断制御状態を延長するように、制御信号のスイッチングタイミングを変更する。 - 特許庁

To provide a novel oxide semiconductor thin film, an oxide semiconductor thin film which is improved in variance in off current etc., makes a TFT element stable, and is improved in production efficiency by a method thereof, and a thin film transistor.例文帳に追加

新しい金属酸化物半導体またその製造方法による、ｏｆｆ電流等のばらつきを改善しＴＦＴ素子の安定化をもたらす生産効率の向上した酸化物半導体薄膜そして、薄膜トランジスタを提供することにある。 - 特許庁

In a display panel 23 constructed by arranging a plurality of organic El elements E11, E12,..., an organic Ex is also formed, and a forward direction voltage of this organic element Ex applied with a prescribed current is utilized as an illuminance sensor.例文帳に追加

複数個の有機ＥＬ素子Ｅ11，Ｅ12……を配列させて構成した表示パネル２３には、有機素子Ｅｘも形成されており、この有機素子Ｅｘに所定の電流を加えた場合の順方向電圧を照度センサとして利用している。 - 特許庁

A driving current coresponding to digital data VDGDATAm or analog data voltage VANDATAm is supplied via a data line Xm to an organic EL element 21 in a pixel circuit 20 laid corresponding to the intersection of a scanning line Yn and the data line Xm.例文帳に追加

走査線Ｙｎとデータ線Ｘｍとの交差部に対応して設けられた画素回路２０の有機ＥＬ素子２１はデータ線Ｘｍを介して供給されるデジタルデータＶDGDATAm又はアナログデータ電圧ＶANDATAmに応じた駆動電流が供給される。 - 特許庁

If the phase control element 10 is in an OFF-state, a resistor R1 of a conduction angle-detecting means 50 is grounded, and an output voltage V2 from the current holding means 40 gets 0V to reset a capacitor of a phase-setting means 20.例文帳に追加

位相制御素子１０がＯＦＦ状態である場合には導通角検出手段５０の抵抗Ｒ１が接地され、電流保持手段４０からの出力電圧Ｖ２＝０Ｖになるとともに位相設定手段２０のコンデンサがリセットされる。 - 特許庁

In accordance with a processing program which is created by using the current density distribution measured in this way for detecting the unit removing profile of the ion beams 3, the optical element material 5 is irradiated with the ions beams 3 together with the electron beams 8 to perform profiling.例文帳に追加

このように測定された電流密度分布によってイオンビーム３の単位除去形状を検知し、作成された加工プログラムに従って、イオンビーム３を電子ビーム８とともに光学素子材料５に照射し、形状加工を行う。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of stably detecting current of a memory cell of readout object in the nonvolatile memory adopting a diode as a selection element of the memory cells which are laminated so as to share word lines and bit lines.例文帳に追加

ワード線とビット線を共有するようにして積層化されたメモリセルの選択素子としてダイオードを採用する不揮発性メモリにおいて、読み出し対象のメモリセルの電流を安定的に検出することを可能とする不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

When driving the semiconductor device to apply a voltage of second polarity to a trench gate electrode of the semiconductor device including a diode element region for carrying a reflux current in turning off an IGBT, the carrier attenuation region is depleted, and its function is suppressed.例文帳に追加

ＩＧＢＴターンオフ時に、還流電流が流れるダイオード素子領域が含まれる半導体装置のトレンチゲート電極に、第２極性の電圧が印加するように駆動すると、キャリア減衰領域が空乏化され、その機能が抑制される。 - 特許庁

The semiconductor element 14a is driven by a driving method of applying a gate voltage to a trench gate electrode 36a of a trench gate 36 when a reflux current is flowing through the diode structure comprising a body region 33 and a drift region 32.例文帳に追加

半導体素子１４ａは、ボディ領域３３とドリフト領域３２で構成されるダイオード構造を介して還流電流が流れているときに、トレンチゲート３６のトレンチゲート電極３６ａにゲート電圧を印加する駆動方法によって駆動される。 - 特許庁

To reduce loss by suppressing the unbalance of a turn-off loss in each semiconductor device even when current unbalance occurs depending upon the length of wiring, concerning a power converter which uses each semiconductor device connected in series as a switching element.例文帳に追加

並列接続された各半導体素子をスイッチング素子とする電力変換装置において、配線の長短により電流アンバランスが生じる場合でも、各半導体素子のターンオフ損失のアンバランスを抑制し損失を低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a pixel circuit in which influence to electric current which flows to an electrooptical element is small even if there is variation in mobility of a transistor and in which a major part of a horizontal scanning period is utilized as a light emitting period.例文帳に追加

トランジスタの移動度にばらつきがあった場合でも電気光学素子に流れる電流への影響を小さくする効果を有し、且つ水平走査期間の大部分の期間を発光期間として利用することを可能とする画素回路を提供する。 - 特許庁

A negative resistance R being a cause of a starting time delay and a starting circuit part 5 (switch element) for improving the shortage of determined impact (exciting current) with load capacity are provided to obtain relatively large oscillation excitation by short circuit of capacitors 34 and 35 for a certain fixed period.例文帳に追加

起動時間遅延の原因でもある負性抵抗Ｒ、負荷容量で決定の衝撃（励振電流）不足を改善する起動回路部５（スイッチ素子）を設け、ある一定期間コンデンサ３４，３５の短絡により、比較的大きな発振励起を得る。 - 特許庁

To provide a high frequency switch device and communication apparatus in which a gate leak current of a field effect transistor is suppressed small and further, characteristics of the field effect transistor integrated into an MMIC as an element unit can be inspected from the outside.例文帳に追加

電界効果型トランジスタのゲートリーク電流を小さく抑え、しかもＭＭＩＣに組み込まれた電界効果型トランジスタの素子単体としての特性を外部から検査することができる高周波スイッチ装置及び通信機を提供する。 - 特許庁

The protecting element has an elastic member 20 fixed via a solder 21 to a second conductor layer 15 and energizing electrode terminals 16, 17 formed on a predetermined substrate 11 to divide an energizing passage into a plurality of current cut-off parts.例文帳に追加

保護素子は、通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように所定の基板１１の上に形成された第２の導体層１５及び通電電極端子１６，１７に弾性部材２０が半田２１を介して固着されている。 - 特許庁

To provide a non-contact power supply device that can keep constant an output voltage at a secondary side at all times when a voltage fluctuation occurs, without causing thermal concentration and current concentration to a switching element that excites a secondary-side winding.例文帳に追加

２次側巻線を励磁するスイッチング素子に熱集中や電流集中を生じさせることなく、電圧変動発生時において、２次側の出力電圧を常に一定に維持することのできる非接触電源装置を提供する。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator of one embodiment disclosed herein is provided with an active element that is inserted and connected to interrupt the DC current expected to flow through an inductor L and a variable capacitance capacitor C in the steady-state.例文帳に追加

本発明の実施の一形態に係る電圧制御発振器は、定常状態においてインダクタＬ及び可変容量キャパシタＣを介して流れるはずの直流電流を遮断するために挿入接続された能動素子を備えている。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescence element exhibiting an excellent emission luminance with little voltage increase and dark spots when driven with a constant current, and further having high temporal stability under high temperature and high humidity, and to provide a display device and a illumination device using the same.例文帳に追加

良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、さらに高温、高湿下での経時安定性が高い有機ＥＬ素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供することである。 - 特許庁

The two configurations produce synergy effects to more securely prevent the luminance from being lowered by the degradation of organic light emitting layers, and make it possible to keep a current flowing into the light-emitting element at a desired value without being affected by electrical characteristics of TFTs.例文帳に追加

上記２つの構成が相乗効果をもたらし、より有機発光層の劣化による輝度の低下を防ぐことができ、なおかつＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つことができる。 - 特許庁

An inverter has a switching element section 23 for supplying a driving current to a motor 3, a shunt resistor 26 provided between the section 23 and the motor 3, a temperature sensor 30 for a heat sink which are provided on a heat sink 21 and are housed in a package.例文帳に追加

モータ３に駆動電流を供給するスイッチング素子部２３、スイッチング素子部２３とモータ３との間に設けられたシャント抵抗２６、ヒートシンク２１の温度を検出するヒートシンク温度センサ３０をヒートシンク２１上に設けて収容してなる。 - 特許庁

In the current sensor using the MI element, the application of a bias magnetic field is required using, for example, a permanent magnet or the like, which gives rise to the problem, wherein when the magnetic field is thus always applied, the sensitivity thereof decreases, in particular, under a high-temperature environment.例文帳に追加

ＭＩ素子を用いた電流センサでは、例えば永久磁石などを用いてバイアス磁界を印加する必要があったが、このように磁界を常時印加すると特に高温環境下ではその感度が低下すると言う問題が発生する。 - 特許庁

In the concrete, mobility correction processing is quickly completed by setting the second driving transistor 26 conductive to increase a current supplied to an organic EL element 21 when the signal voltage Vsig is at a low luminance gray tone equal to or lower than a predetermined level.例文帳に追加

具体的には、信号電圧Ｖｓｉｇが所定レベル以下の低輝度階調のときに、第２駆動トランジスタ２６を導通状態にして有機ＥＬ素子２１に流す電流を増加させることで、移動度補正処理を早く収束させる。 - 特許庁

An element molding body 110 in which the top ends of lead parts 115, 116 respectively connected to flow current to the both poles of a heating part 111, which principally performs heating, are connected at the support part 119, is formed by an injection molding.例文帳に追加

主に発熱を行う発熱部１１１の両極に、通電を行うためその両極にそれぞれ接続されたリード部１１５，１１６の末端同士をサポート部１１９で接続した素子成形体１１０を射出により形成する。 - 特許庁

A leakage current quantity when a wiring capacitance of the second wiring 107 is discharged through the resistance element 108 is converted into a potential change resulting from discharge of a wiring capacitance of the first wiring 102 and evaluated by the potential monitoring circuit 103.例文帳に追加

第２の配線１０７の配線容量が抵抗素子１０８を介して放電される際のリーク電流量を、第１の配線１０２の配線容量の放電に伴う電位変化に変換して電位モニタ回路１０３により評価する。 - 特許庁

Since a multiplier effect is given by the two configurations described above, it is possible to prevent the luminance from deteriorating due to a deterioration of the organic luminescent layer, and further, it is possible to maintain the current that flows to the light emitting element to a desired value without depending on the characteristics of the TFT.例文帳に追加

上記２つの構成が相乗効果をもたらし、より有機発光層の劣化による輝度の低下を防ぐことができ、なおかつＴＦＴの特性に左右されずに発光素子に流れる電流を所望の値に保つことができる。 - 特許庁

In the subsequent offset period, the potential of the scan electrode to be selected in the selection period following the offset period is set to a potential V_MID, and a constant current is caused to flow to the organic EL element, from the signal electrode of a column where a pixel which will emit light in the selection period following the offset period exists.例文帳に追加

続くオフセット期間では、直後の選択期間で選択される走査電極の電位をＶ_ＭＩＤに設定し、直後の選択期間で発光させる画素が存在する列の信号電極から有機ＥＬ素子に定電流を流す。 - 特許庁

To provide an element structure that can realize a short resonator laser which can be operated at a high speed with a low-threshold current or a wavelength tunable laser which is excellent in wavelength stability, and to provide a method of manufacturing the structure.例文帳に追加

開示技術の課題は、上記の問題を克服し低しきい値電流で高速動作可能な短共振器レーザや波長安定性に優れた波長可変レーザを実現する素子構造およびその作製方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element having a structure of an active layer of an In-containing nitride semiconductor sandwiched between p- and n-type clad layers, especially, a threshold current reducing structure of a device emitting light at a wavelength of 450 nm or higher.例文帳に追加

Ｉｎを含む窒化物半導体を有する活性層を、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体素子、特に波長４３０ｎｍ以上で発光するものにおいて、しきい値電流を低減させる構造とする。 - 特許庁

Composing the conductive layer 1 of the group III nitride having a large breakdown field enables the maintenance of high breakdown voltage even if an inter-electrode distance is small, thus offers a semiconductor element showing a high output current per chip area.例文帳に追加

導電層１を絶縁破壊電界が大きなIII族窒化物で構成することにより、電極間距離を小さくても高い絶縁破壊電圧を維持できるので、チップ面積あたりの出力電流が高い半導体素子が実現される。 - 特許庁

The first writing operation includes setting a voltage signal input terminal E at a first potential, opening a switch Sw 2, and closing switches Sw 5a and Sw 5b to pass current as the video signal to a driving control element Tr.例文帳に追加

第１書き込み動作は、電圧信号入力端子Ｅを第１電位に設定するとともにスイッチＳｗ２を開き且つスイッチＳｗ５ａ及びＳｗ５ｂを閉じて、駆動制御素子Ｔｒに映像信号としての電流を流すことを含む。 - 特許庁

To provide the boosting circuit of low power consumption for improving element reliability without causing overshoot to set, target potential when a supply voltage abruptly increases when the current load of a pump circuit varies abruptly.例文帳に追加

ポンプ回路の電流負荷が急激に変動した場合や電源電圧が急激に上昇した場合に、設定された目標電位に対してオーバーシュートを発生することなく、素子信頼性が向上できる低消費電力の昇圧回路を提供する。 - 特許庁