「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(141ページ目) - Weblio英語例文検索

This controller for a gas concentration sensor which outputs the current signal corresponding to the concentration of the gas to be detected limits the variation of the element resistance detected by means of the gas concentration sensor.例文帳に追加

被検出ガス中のガス濃度に応じた電流信号を出力するガス濃度センサの制御装置において、ガス濃度センサで検出される素子抵抗に対する変化量を制限することを特徴とするガス濃度センサの制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL element which shows a good emission luminance and operationalization in low voltage, low voltage rise and few dark spots on constant current drive, and high temporal stability in a highly humid or high temperature environment.例文帳に追加

良好な発光輝度、低電圧化を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、更に高温、高湿下での経時安定性が高い有機ＥＬ素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供すること。 - 特許庁

When energizing frequency ω_r is smaller than a predetermined value depending upon the thermal time constant of a power switching element, a threshold level L_t relative to a current value for switching a PWM frequency corresponding to the energizing frequency ω_r is determined (S3).例文帳に追加

励磁周波数ω_ｒがパワースイッチング素子の熱的な時定数によって決まる設定値より小さいときには、励磁周波数ω_ｒに応じてＰＷＭ周波数を切り替えるための電流値に対するスレショルドレベルＬ_ｔを求める(Ｓ３)。 - 特許庁

To provide a resonance DC voltage converter capable of minimizing occurrence of abnormality to an input current or output voltage even if a switching element is caused to fail to be turned off by the effect of a noise and the like.例文帳に追加

ノイズ等の影響により、スイッチング素子がオフされなかった場合であっても、入力電流や出力電圧などの異常発生の程度を小さな範囲で止めることができる直流電圧変換器を提供することを目的とする。 - 特許庁

The 1st and 2nd detecting transistors 113, 114 detect the threshold voltage of the driving transistor 111 in advance of current-driving of the electro-optical device 117, and hold the potential detected for offsetting the influence beforehand to the capacitive element C111.例文帳に追加

第１及び第２検知トランジスタ１１３，１１４は、電気光学素子１１７の電流駆動に先だってドライブトランジスタ１１１の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に検知した電位を容量素子Ｃ１１１に保持する。 - 特許庁

The magnetic substance core 108 can exhibit a high magnetic characteristic as a whole by employing such a lamination structure, so that the output voltage from a Hall element 110 shows good linearity with respect to current to be detected.例文帳に追加

このような積層構造を採用することにより、磁性体コア１０８が全体として良好な磁気特性を発揮することができるため、ホール素子１１０からの出力電圧は、被検出電流に対して良好な直線性を示す。 - 特許庁

To provide a spin valve type thin film element exhibiting excellent heat resistance and reliability and having a small asymmetry in which the direction of varying magnetization of a free magnetic layer can be controlled by providing a bias conductive layer and applying a current thereto.例文帳に追加

バイアス導電層を備え、前記バイアス導電層に電流を印加することによりフリー磁性層の変動磁化の方向を制御することができ、耐熱性、信頼性に優れ、アシンメトリーの小さいスピンバルブ型薄膜素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an integrated circuit which reduces a current value of a magnetoresistive element used for read and write of information without increase in area of memory cells when viewed from above, and inhibits read/write errors and a short circuit between magnetoresistive elements.例文帳に追加

メモリセルの平面視における面積を増加せずに、磁気抵抗素子の情報の読み書きに用いる電流値を低減しながら、読み書きエラーや磁気抵抗素子間の短絡が抑制された集積回路を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a circuit breaker having an opening and closing mechanism to quickly separate a movable contact from a stationary contact without waiting for action of an excess current tripping element, while keeping required dimensional control of each member at a normal level without adding any component.例文帳に追加

部品を追加することなく、また各部材の求められる寸法管理は通常レベルのまま、過電流引きはずし素子の動作を待たずに、可動接触子を固定接触子から素早く開離させる開閉機構を有する回路遮断器を得る。 - 特許庁

A differential amplifying unit 20a in the amplifying circuit 20 amplifies the inputted voltage between the terminals at an amplification factor set by amplification factor setting sections 20b and 20c, and generates a detection signal Sout corresponding to the current flowing through the electric element.例文帳に追加

増幅回路２０中の差動増幅部２０ａは、入力された端子間電圧を増幅率設定部２０ｂ，２０ｃで設定される増幅率で増幅し、電気素子に流れる電流に相当する検出信号Ｓｏｕｔを生成する。 - 特許庁

Even when the operation stop signal of a switching element 2 is output at any timing with a surge voltage preventing circuit 32, a commutation MOS FET 6 turns OFF in the timing that a current flows in the direction where a body diode 16 of a commutation MOS type FET 6 is conductive.例文帳に追加

サージ電圧防止回路32により、スイッチング素子２の動作停止信号がどの時点で出力されても、転流ＭＯＳ型ＦＥＴ６のボディダイオード16が導通する方向に電流が流れるタイミングで転流ＭＯＳ型ＦＥＴ６がオフする。 - 特許庁

To prevent the outflow of a leaked current to an electric heating wire without lowering the strength of a heating element and to simplify a high voltage generating peripheral circuit while miniaturizing a dust collecting electrode.例文帳に追加

電気集塵機とそれを用いた空気調和機において、発熱体の強度が低下することなく、電熱線への漏洩電流の流出を防止することができ、さらには高電圧発生周辺回路の簡略化、集塵極の小型化を図る。 - 特許庁

The light emitting element includes a light absorbing film 5 partially absorbing outgoing light, which is formed on a light-outgoing surface P of a laser chip 1, and is structured not to be short-circuited via the light absorbing film 5 when current is supplied to the laser chip 1.例文帳に追加

レーザチップ１の光出射表面Ｐに、出射される光の一部を吸収する光吸収膜５を形成する、また、レーザチップ１に電流を通じたときに、光吸収膜５を介して短絡されないような構成とする。 - 特許庁

With this, an interval between the positive electrode and the negative electrode is made constant, so that, current density is made also uniform between the organic compound layers when magnetic field is applied, which prevents deterioration of the organic compound layers and at the same time improves element characteristics.例文帳に追加

これにより陽極、陰極間の距離が一定になるため、電界を加えた際の有機化合物層間における電流密度が均一になり、有機化合物層の劣化を防ぐと共に素子特性を向上させることができる。 - 特許庁

The phase control circuit of DC trigger type measures the time difference between a zero cross point of input voltage and the zero cross point of the current in the closed circuit, and based on the time difference measured, the timing of switching off the drive voltage of the two-way switching element Q1 is determined.例文帳に追加

ＤＣトリガ方式の位相制御回路は、入力電圧のゼロクロスと閉回路中の電流のゼロクロスとの時間差を計測し、計測された時間差に基づいて双方向スイッチング素子Ｑ１の駆動電圧をオフさせるタイミングを決定する。 - 特許庁

The first movable element 216 is moved to a second direction against energizing force of a ball 226 by electromagnetic force imparted when electric current is supplied to a coil 130, and a second end 212b of a rod 212 can be separated from a valve seat 114b.例文帳に追加

第１可動子２１６は、コイル１３０に電流が供給されたときに与えられる電磁力でボール２２６の付勢力に抗して第２方向に移動し、ロッド２１２の第２端部２１２ｂが弁座１１４ｂから離間可能な状態とする。 - 特許庁

This magnetostrictive sensor 22 comprises a hollow case 24, a coil 28 encased in the hollow case 24, and a stick type magnetic element 30 which is allocated on the axial center of the coil 28 to be magnetized by the current passing through the coil 28 as well as being loaded on its end.例文帳に追加

磁歪センサ２２は、中空状のケース２４と、ケース２４内に収納されるコイル２８と、コイル２８の軸心に配置されかつコイル２８に流れる電流によって磁化されるとともに端部に荷重を受ける棒状の磁性体３０とを含む。 - 特許庁

To provide a battery capable of uniformizing the reaction distribution of an active material in a positive electrode plate 1 and a negative electrode plate 2 over the whole power generation element 4 by widely forming a width L for the outer peripheral side with wider interval D between current collecting lugs 1a and 2a.例文帳に追加

集電耳１ａ，２ａの間隔Ｄが広い外周側ほど幅Ｌも広く形成することにより、正極板１や負極板２での活物質の反応分布を発電要素４全体で均一化させることができる電池を提供する。 - 特許庁

To provide an electrochemical device which has a high steam barrier property and gas barrier property and hardly has short-circuits between current collectors at the time of sealing and has no adverse thermal effect on a power generation element, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

水蒸気バリア性、ガスバリア性が高く、かつ、封口時において集電体同士の接触によるショートが起こりにくく、かつ、発電要素に対して熱による悪影響を与えにくい電気化学デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent problems, such as malfunctions of facilities and equipment on the periphery of an inverter and damage to load-side machinery and apparatus, by preventing passage of a ground current, having high-frequency components produced by the switching operation of an switching element, such as IGBT.例文帳に追加

ＩＧＢＴなどのスイッチング素子のスイッチング動作により発生する高周波成分を持ったアース電流が流れないようにすることで、インバータ周辺の設備機器の誤動作や負荷側機械設備の破損などの問題を及ぼさないようにする。 - 特許庁

A coil is provided which is formed like a plane crossing unwanted electromagnetic waves in a plane approximately perpendicular to emitted light located on the emission side of a display surface in the direction of emitted light from a display element, and the display device is so constituted that an electromagnetic induction current may be induced in the coil.例文帳に追加

表示素子からの出射光方向で表示面より出射側の出射光に略垂直な面内に、不要な電磁波に交叉する面状に形成したコイルを備え、コイルに電磁誘導電流が誘起されるように構成する。 - 特許庁

In the circuitry arranged in a straight-tube solid-state light-emitting element lamp (LED lamp) similar to a fluorescent lamp, an amount of current to be fed to an LED group 35 is determined by monitoring a pseudo DC voltage being applied across a capacitor 33.例文帳に追加

蛍光灯と同じ直管形の固体発光素子ランプ（ＬＥＤランプ）内に配置された回路構成において、電圧監視用IC４５は、コンデンサー３３の両端にかかる擬似的な直流電圧を監視して、LED群３５に流す電流量を決定する。 - 特許庁

An insulating side wall spacer 50 is formed on an side surface of the step formed between an upper surface of an element region and an upper surface of the trench isolation structure 41, and blocks a current leakage path between the source/drain region 34 and the electrode plug 49.例文帳に追加

素子領域の上面とトレンチ分離構造４１の上面との間に形成された段差の側面に絶縁性サイドウォールスペーサ５０が形成され、ソース／ドレイン領域３４と電極プラグ４９との間の電流リークパスを遮断している。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

An EEPROM stores correction data of the quantity of light for yellow(Y), magenta(M), cyan(C) and black(B) wherein the correction data of the quantity of light is different between constant current sources 25 and 26 for driving an LED element 29 and thereby correction data 30 and 31 is used.例文帳に追加

ＥＥＰＲＯＭはイエロー（Ｙ）、マゼンダ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｂ）に対する光量補正データを記憶し、この光量補正データはＬＥＤ素子２９を駆動する定電流源２５、２６において異なり、補正データ３０、３１を使用する。 - 特許庁

Consequently, it is prevented that the leakage current flows through an outer conductor of a coaxial cable 13 by connecting the passive element 12 to a shield part 13d of the coaxial cable 13 apart from the connecting position of the radiation elements 10, 11 by 1/4 wavelength.例文帳に追加

放射素子１０，１１を接続した位置から略１／４波長の同軸ケーブル１３のシールド部１３ｄに無給電素子１２を接続することにより、同軸ケーブル１３の外導体に漏洩電流が流れることを阻止することができる。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode having an improved electrostatic withstand voltage that is a pn-junction-type compound semiconductor light-emitting diode, has improved extraction efficiency of emission to the outside, and can prevent the short-circuiting circulation of the element drive current between electrodes.例文帳に追加

ｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、、発光の外部への取り出し効率に優れ、且つ、電極間の素子駆動電流の短絡的な流通を防止できる、静電耐圧の向上した発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element where the generation of an electric field between a drain impurity area and an impurity layer for threshold voltage control is prevented, leak current is reduced and the reliability of the semiconductor is improved, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

ドレイン不純物領域としきい値電圧調節用不純物層との間の電界発生を防止して漏洩電流を減少させ、半導体素子の信頼性を改善できるようにした半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a stator coil in which damages to an insulating layer, due to mechanical stress caused at the start and stoppage of a rotary electric machine are suppressed, and the rotary electric machine can be reduced in size, reduced in cost and enhanced in the capacity through the increase of the current density in an element conductor.例文帳に追加

回転電機の起動、停止時の機械的ストレスによる絶縁層の破壊が抑制され、素線導体における電流密度の増加により回転電機の小型化、低コスト化、および大容量化が可能な固定子コイルを提供すること。 - 特許庁

To improve the readout margin, while taking into account a leak current varied according to the resistance value of a memory cell to be read out consisting of a variable resistance element for storing multi-value information, in a semiconductor storage device having a memory cell array of a cross point type.例文帳に追加

クロスポイントタイプのメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、多値情報を記憶する可変抵抗素子からなる読出し対象のメモリセルの抵抗値に依存して変化するリーク電流を考慮して、読出しマージンの向上を図る。 - 特許庁

A pixel 1 is divided into two or more, and separate current supply lines are connected to respective divided parts 2 , and at least one of connection lines 4 between a defective divided part 5 out of the divided parts 2 and an active element 3 is cut off.例文帳に追加

画素１を２分割以上分割し、分割された各分割部２に別個の電流供給配線が接続されるとともに、分割部２の内の不良分割部５とアクティブ素子３との接続配線４の内の少なくとも１つを遮断する。 - 特許庁

To provide an electron emission element capable of obtaining a sufficient emission current, reducing scattering of an electron beam on a side wall of an opening, reducing a beam diameter of an emission electron, and maintaining a beam diameter as a pixel to be small, and enabling to manufacture easily.例文帳に追加

十分な放出電流を得ることができ、開口側壁での電子ビームの散乱を軽減し、放出電子のビーム径を小さくし、また、画素としてのビーム径を小さく保つことができ、且つ容易に製造し得る電子放出素子を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that reduces a noise caused by a dark current generated in an element separation region for separating a reset transistor or an amplifying transistor from a photoelectric conversion part, and that is advantageous to miniaturization of pixels.例文帳に追加

本発明は、リセットトランジスタまたは増幅トランジスタと光電変換部とを分離するための素子分離領域で発生する暗電流によるノイズを低減するとともに、画素の微細化に有利な固体撮像装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The transistor T3 operates according to the video signal written to the capacitor Cs and a ramp signal Vcs applied to the capacitor Cs to supply the driving current Io supplied from the transistor T2 to the light emitting element EL, for emission of the same.例文帳に追加

トランジスタＴ３は、容量Ｃｓに書き込まれた映像信号及び容量Ｃｓに印加されたランプ信号Ｖｃｓに応じて動作し、トランジスタＴ２から供給された駆動電流Ｉｏを発光素子ＥＬに流して発光を行なう。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which is hardly affected by electromagnetic wave noise generated from a driving current of a light source for illuminating a liquid crystal display part and allows heat from a light emitting element of the light source to be efficiently dissipated and allows easy wiring for the light source.例文帳に追加

液晶表示部を照明するための光源の駆動電流から生じる電磁波ノイズの影響を受けにくく、光源の発光素子からの熱が効率的に放熱され、光源用の配線が容易な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A waveguide suspension 2 and a module-type mechanism to an acoustic waveguide 4 have a damping element 6 to be used with the waveguide 4 for generating torsional strain waves or longitudinal strain waves by transmitting current pulses.例文帳に追加

音響導波管４に対する導波管サスペンション２及びモジュール式構造であり、電流パルスを伝送することによってねじれ歪波あるいは縦歪波を発生する導波管４と共に使用するための減衰素子６を有している。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor in which the property of an element is improved by reducing off current by preventing ion from being injected in the lower portion of a gate electrode at the time of ion injection for forming a source/drain region.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域を形成するためのイオン注入時にゲート電極の下部にイオンが注入することを防止して、オフ電流を減らすことで、素子の特性が向上するようにしたＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, the driving current of a DBR 40 of a DBR semiconductor laser 21a is varied and the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21a is adjusted to the phase matching wavelength of the light wavelength converting element 22 to control the generated harmonics P2 fixedly.例文帳に追加

その際に、ＤＢＲ半導体レーザ２１ａのＤＢＲ部４０の駆動電流を変化させ、半導体レーザ２１ａの発振波長を光波長変換素子２２の位相整合波長に合わせて、発生する高調波Ｐ２を一定に制御する。 - 特許庁

A writing end detection circuit 3 detect the end of the data writing in the memory element 1 by detecting the stopped flowing of the drain current Ids during writing, and sends a stop signal S2 to the writing power source circuit 2.例文帳に追加

書き込み終了検出回路３は、書き込み中にドレイン電流Ｉｄｓが流れなくなったことを検出することで、メモリ素子１へのデータの書き込みが終了したことを検出し、書き込み用電源回路２に停止信号Ｓ２を送る。 - 特許庁

By using the voltage-limiting element, when an MOSFET controlling the current of a light-emitting diode module goes into an off-state, the potential of a drain electrode of the MOSFET becomes limited, and a withstand voltage requirement of the MOSFET is lowered.例文帳に追加

本発明は電圧制限素子を利用することで、発光ダイオードモジュールの電流を制御するＭＯＳＦＥＴがオフの状態になるとき、ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極の電位を制限し、ＭＯＳＦＥＴの耐電圧要求を低くする。 - 特許庁

Target concentration criteria (to be called “target concentration” 2 ) of respirable dust for the improvement of work place environment where ITO, etc., are handled is set as 0.01 mg/m3（as element indium）by taking account of the current control level at plant sites.例文帳に追加

ＩＴＯ等の取扱い作業における当面の作業環境の改善の目標とすべき濃度基準（以下「目標濃度」2という。）は、事業場における現行の管理水準を考慮し、吸入性粉じんとして0.01mg/m3（インジウムとして）とする。 - 厚生労働省

To provide a method of manufacturing a FinFET which can prevent loss of an element isolation film and improve current driving capability without causing deterioration of off-leakage characteristic, even if three faces working as a channel of a fin active region pattern are released.例文帳に追加

素子分離膜の損失を防止し、フィンアクティブ領域パターンのチャネルとして機能する３つの面が開放されても、オフ漏れ特性が低下することなく電流駆動能力を向上させることができるＦｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of the light output being unable to be controlled accurately, since the relation between the light output of a semiconductor laser chip for monitoring and the monitor current of a light-receiving element is not linear in a nitride-based semiconductor light-emitting apparatus, using a nitride-based semiconductor substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体発光装置では、モニター用の半導体レーザチップの光出力と受光素子のモニター電流がリニアな関係にならないため、正確な光出力制御ができない。 - 特許庁

A status amount calculating section 31 makes a reaction resistance component H and charge/discharge hysteresis voltage component M approximate to a response composed of a delay element of each time constant TH, TM, and calculates a state variable x according to a current detection value I_act.例文帳に追加

状態量算出部３１は、反応抵抗成分Ｈおよび充放電ヒステリシス電圧成分Ｍを各時定数ＴＨ，ＴＭの遅れ要素からなる応答に近似し、状態変数ｘを電流検出値Ｉ_ａｃｔに応じて算出する。 - 特許庁

The magnetoresistive element has a pinned magnetic layer whose magnetization direction is fixed, a magnetic free layer whose magnetization direction is inverted in accordance with a magnetic field generated with the write current, and a nonmagnetic layer sandwiched between the pinned magnetic layer and the magnetic free layer.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、書き込み電流により発生する磁界に応じて磁化方向が反転する磁化自由層と、磁化固定層と磁化自由層との間に挟まれた非磁性層と、を備える。 - 特許庁