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current elementの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 7999件
In this case, as the bias voltage is supplied via a direct current generating circuit 31 having a high impedance, a Q factor of an LCR consonant oscillation circuit comprised of the high impedance, and a capacity as a parasitic element of the bonding pad 13 and an inductance as a parasitic element of the bonding wire 12, can be reduced based upon the high impedance.例文帳に追加
この際、バイアス電圧が、高インピーダンスを有する直流電流発生回路31を介して供給されるので、この高インピーダンスと、ボンディング・パッド13の寄生要素である容量と、そのボンディング・ワイヤ12の寄生要素であるインダクタンスと、からなるLCR共振回路のQ値を、上記した高インピーダンスに基づいて小さくすることができる。 - 特許庁
The additional pn junction at the peripheral part of the light emission area is removed by making high the resistance of the whole semiconductor layer from an element surface to an active layer at the peripheral part of the light emission area and a current spread right below a contact electrode is minimized to actualize the low capacity and high-speed operation of the element.例文帳に追加
本発明は発光領域周辺部において、素子表面から活性層にいたるまでのすべての半導体層を高抵抗化することにより、周辺部での付加的なpn接合を取り除くとともに、コンタクト電極直下での電流広がりを最小限にすることにより、素子の低容量化・高速動作が可能となる。 - 特許庁
When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor.例文帳に追加
また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がpチャンネル型MOSトランジスタとnチャンネル型MOSトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。 - 特許庁
A part of an electrode for injecting a current into the light emitting element is constituted by jointing an electrode pad 6 provided on the first substrate 21 by leading out to a part of the light emitting element other than the functional part 8 with an electrode pad 13 on a wiring pattern formed on a second substrate 22 different from the first substrate 21 such that both pads are conducted electrically.例文帳に追加
発光素子へ電流を注入するための電極の一部は、発光素子の機能部8以外の部分に引き出して第1の基板21に設けられた電極パッド6と、第1の基板21とは異なる第2の基板22に形成された配線パターン上の電極パッド13とを電気的導通が得られる様に接合して成る。 - 特許庁
When the current flowing in the inductor at off time decreases to zero and the output capacitance of the switching element and the inductor resonate, the drain voltage of the switching element drops to almost zero volt, so that the series circuit 10, upon detecting this voltage drop, outputs a voltage between the terminals of the detection resistor R_1 as an on-switching timing signal.例文帳に追加
オフ時にインダクタを流れる電流が零になって、スイッチング素子の出力容量とインダクタとが共振すると、スイッチング素子のドレイン電圧がほぼ零ボルトまで低下するので、直列回路10がこの電圧低下を検出して、検出用抵抗R_1の端子間電圧をオン切換のタイミング信号として出力するようになっている。 - 特許庁
For example, when the temperature reaches the temperature threshold set lower than the heatproof temperature of the molding resin 11, the operation of the semiconductor power element is stopped or the current flowing in the semiconductor power element is restricted to an extent not exceeding the temperature threshold, thereby preventing the degradation of the molding resin 11 due to high temperatures.例文帳に追加
例えば、この温度がモールド樹脂11の耐熱温度よりも低く設定した温度閾値に達したときに、半導体パワー素子の動作を停止させるか、もしくは、その温度閾値を超えない程度に半導体パワー素子に流れる電流を制限する等により、高温によるモールド樹脂11の劣化を抑制することが可能となる。 - 特許庁
The electrooptical device 2 includes an element substrate 12 having a pixel region 20 where a plurality of pixels each provided with a pixel transistor 38 are arranged and a plurality of heater layers 28 formed by using a wiring material of the pixel transistor 38 in a wiring layer on the element substrate 12, heated by current flow and electrically independent of each other.例文帳に追加
電気光学装置2は、画素トランジスタ38を備えた画素が複数配列された画素領域20が形成された素子基板12と、素子基板12上の配線層にて、画素トランジスタ38の配線材料で形成され、電流が流れることによって加熱される各々が電気的に独立する複数のヒータ層28と、を有する。 - 特許庁
The semiconductor device includes a plurality of evaluated elements (TEG) 2, a monitoring element 4 for monitoring a current value or voltage value applied to the plurality of evaluated elements 2 respectively, a plurality of first electrode pads 1 connected to respective one ends of the plurality of evaluated elements 2, and a second electrode pad 3 connected to one end of the monitoring element 4.例文帳に追加
半導体装置は、複数の被評価素子(TEG)2と、複数の被評価素子2のそれぞれに印加される電流値又は電圧値をモニタするモニタ用素子4と、複数の被評価素子2のそれぞれの一端と接続された複数の第1の電極パッド1と、モニタ用素子4の一端と接続された第2の電極パッド3とを有している。 - 特許庁
A power control means 21 applies feedback control to the switching action of a switching element 3 while monitoring an input voltage and an input current to an inverter circuit 2 based on reference data to determine a correlation between power output to a heating coil 4 and a switching-on time of the switching element 3, and stably outputs preset power to the heating coil 4.例文帳に追加
電力制御手段21は、加熱コイル4に出力する電力とスイッチング素子3のオン時間との相関を決定付ける基準データを基にして、インバータ回路2への入力電圧と入力電流を監視しながら、スイッチング素子3のスイッチング動作をフィードバック制御し、加熱コイル4に設定した電力を安定して出力する。 - 特許庁
To prevent micro-crack of an optical waveguide due to current collection in polishing the end face of a wavelength conversion element and to prevent increase in propagation loss due to the micro-crack in a wavelength conversion element where a wavelength conversion substrate including a Z plate formed of ferroelectric single crystal and provided with a periodic polarization reversal structure and a support substrate are adhesively bonded to each other.例文帳に追加
強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造が形成された波長変換用基板と支持基板とを接着する波長変換素子において、素子の端面を研磨するときの焦電に起因する光導波路のマイクロクラックを防止し、これによる伝搬損失の増大を防止する。 - 特許庁
An optical semiconductor sensor 10 has a light-emitting element 10 that emits light by applying a forward voltage to at least the junction sections of two semiconductors whose conductivity types are different with each other, and detects visible light according to the current or voltage from the light-emitting element 10 based on the wavelength of the visible light which illuminates the light-emitting device 10.例文帳に追加
本発明による光半導体センサ100は、導電型が互いに異なる少なくとも2つの半導体の接合部に順電圧を印加することにより発光する発光素子10を備え、発光素子10へ照射された可視光の波長に基づいた該発光素子10からの電流または電圧により該可視光を検出する。 - 特許庁
In the liquid droplet discharge head which is equipped with a nozzle plate with nozzles, a channel substrate which forms a pressure chamber communicating with the above nozzles by piling up the above nozzle plate, and a piezoelectric element installed in the wall which composes the above pressure chamber, a rectification means for suppressing the current which flows in the direction opposite to the polarization direction of the above piezoelectric element is installed.例文帳に追加
ノズルを有するノズルプレートと、前記ノズルプレートを重ねて、前記ノズルに連通する圧力室を形成する流路基板と、前記圧力室を構成する壁に設けられている圧電素子と、を備えた液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子の分極方向とは逆に流れる電流を抑える整流手段が設けられている。 - 特許庁
To provide a lamp lighting system capable of alleviating electric power loss through reduction of current flowing in a detection element during lamp lighting, in a system judging whether a lamp loaded matches or not by detecting an impedance value of a detection element and capable of preventing damages of the lamp or a lighting circuit in the case of false connection.例文帳に追加
検出用素子のインピーダンス値を検出することによって、装着されたランプが整合か否かを判定し、誤接続の場合にランプや点灯用回路の破壊を防止できるランプ点灯システムにおいて、ランプ点灯中に検出用素子に流れる電流を減らし、電力ロスを軽減することのできるランプ点灯システムを提供することを目的とする。 - 特許庁
To optimize the effect of a stacked-type photovoltaic element by restraining short circuit current of a defective region by inactivating defects of a first semiconductor layer in the stacked-type photovoltaic force element which is formed by stacking a first semiconductor layer/a first transparent conductive layer/a second semiconductor layer/a second transparent conductive layer on a substrate.例文帳に追加
基板上に第一の半導体層/第一の透明導電層/第二の半導体層/第二の透明導電層を積層してなる積層型光起電力素子において、第一の半導体層の欠陥を不活性化することにより欠陥領域の短絡電流を抑制し、積層型光起電力素子の効果を最大限に利用できるようにする。 - 特許庁
This semiconductor integrated circuit is provided with an electrically programmable fuse element 11 arranged between a voltage node for a program and a latch node, a latch circuit 15 for latching the voltage of the latch node and a current source 16 for controlling the scale of the operating currents of the latch circuit, and for deciding whether or not the fuse element has been already programmed.例文帳に追加
半導体集積回路は、プログラム用電圧ノードとラッチノードとの間に設けられた電気的にプログラム可能なヒューズ素子11と、前記ラッチノードの電圧をラッチするラッチ回路15と、前記ラッチ回路の動作電流の大きさを制御して、前記ヒューズ素子がプログラム済みか否かを判定する抵抗判別値を制御する電流源16とを具備する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the insulating film of a capacitive element formed on the same substrate as that of a sidewall insulating part of a MOS transistor at the time of forming the insulating part of the transistor so as not to damage it or to suppress a leakage current even when the film is damaged to hold the high reliability of the element and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
MOSトランジスタのサイドウォール絶縁部の形成時に、これと同一基板上に形成される容量素子の絶縁膜が損傷を受けないように、あるいは損傷を受けてもリーク電流を抑制して容量素子の高信頼性を保てるようにした半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
The optical head apparatus includes a laser driving circuit (9) supplying, to a laser element (20), a driving current regulated so that light output from the laser element includes continuous two or more peaks and each interval between two peaks is 200 ps (picosecond) or less, wherein the temperature of an information recording layer of an optical disk is increased in a short time to form a recording mark.例文帳に追加
この発明は、レーザ素子(20)に、レーザ素子から出力される光が連続した2以上のピークを含み、そのピーク相互間の間隔が200ps(ピコ秒)以下となるよう規定された駆動電流を供給するレーザ駆動回路(9)を含み、短期間で光ディスクの情報記録層の温度を昇温して記録マークを形成することを特徴とする。 - 特許庁
In the method of manufacturing the optical sensor in which a light receiving layer is obtained by crystallizing a semiconductor film by irradiating a semiconductor layer with a laser beam and scanning, the manufacturing method includes a step in which a light receiving element is formed so that a direction of current flowing into the light receiving element may intersect a scanning direction of the laser beam.例文帳に追加
半導体層にレーザービームをスキャンさせながら照射して前記半導体膜に結晶化を施して受光層を得る光センサの製造方法であって、前記受光素子に流れる電流の向きが前記レーザービームのスキャン方向に交差するように、前記受光素子を形成する工程を具備したことを特徴とする。 - 特許庁
The recovery overvoltage suppressing means 16a of an active gate circuit 12a regulates the gate current of the semiconductor switching element S1 of one arm, so as to suppress the overvoltage of the recovery voltage of the reflux diode D2 of the other arm, at turn on of the semiconductor switching element S1 of one arm out of a pair of arms that form the leg of a power converter.例文帳に追加
アクティブゲート回路12aのリカバリ過電圧抑制手段16aは、電力変換器のレグを形成する一対のアームのうちの一方のアームの半導体スイッチング素子S1のターンオン時に他方のアームの還流ダイオードD2のリカバリ電圧の過電圧を抑制するように一方のアームの半導体スイッチング素子S1のゲート電流を調整する。 - 特許庁
The heating element (1) has at least two electrodes (5, 5') to supply current to the heating element (1) and includes a plurality of heating parts (11, 11', 11''), covering at least one part of a heating base material surface (4) and arranged between the electrodes (5, 5'), and connected with electric conductivity.例文帳に追加
本発明は、加熱要素(1)であって、該加熱要素(1)に電流を供給するための少なくとも2つの電極(5,5’)を特色として有すると共に、被加熱基材表面(4)の少なくとも一部を覆って前記電極(5,5’)間に配置されそれらに電気伝導で接続された複数の加熱部(11,11’,11”)を含む前記加熱要素(1)に関する。 - 特許庁
The information is written by using the intrasurface component and the perpendicular component of the magnetic field which is generated by current flowing through the intrasurface perpendicular common writing line 5 and metallic wiring 11 as the recording magnetic field respectively for the intrasurface anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 9 and the perpendicular anisotropic tunnel magnetoresistive storage element 6 in writing information.例文帳に追加
情報を書き込む際には、面内垂直共有書き込み線5及び金属配線11に流れる電流により生じる磁界の面内成分及び垂直成分を、それぞれ面内異方性トンネル磁気抵抗記憶素子9及び垂直異方性トンネル磁気抵抗記憶素子6に対する記録磁界として用いることで情報を書き込む。 - 特許庁
The present invention provides a method of inspecting an electro-optic device having a step for impressing an alternating current voltage to the electro-optic substance, and a step for reducing a cell gap between a picture element electrode and a counter electrode, in the electro-optic device having constitution sandwiched with the electro-optic substance between the picture element electrode and the counter electrode.例文帳に追加
本発明は、画素電極と対向電極との間に電気光学物質を挟持した構成の電気光学装置において、前記電気光学物質に交流電圧を印加するステップと、前記画素電極と前記対向電極との間のセルギャップを減少させるステップとを有する電気光学装置の検査方法を提供する。 - 特許庁
While a voltage is applied between one end and the second electrode so that potential is higher at one end in the case that the voltage between one end and the other end exceeds a threshold voltage of the light emitting element according to a change in potential applied to the third electrode, an electric current flows between one end and the other end to cause the light emitting element to emit light.例文帳に追加
そして、一端部と第2電極との間に一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第3電極に付与される電位の変化に応じて、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧を超える場合は、一端部と他端部との間に電流が流れて発光素子が発光する。 - 特許庁
In the CPP type thin film magnetic head wherein a thin film magnetic head element is provided between a lower shield layer and an upper shield layer and a current flows vertically to the film surface of the thin film magnetic head element, a plurality of division parts magnetically divided in a track width direction are provided in at least one of the lower shield layer and the upper shield layer.例文帳に追加
下部シールド層と上部シールド層の間に薄膜磁気ヘッド素子を備え、該薄膜磁気ヘッド素子の膜面に対して垂直に電流が流れるCPP型薄膜磁気ヘッドにおいて、下部シールド層及び前記上部シールド層の少なくとも一方に、トラック幅方向に磁気的に分断された複数の分割部を備える。 - 特許庁
An integrator 41 of the DC component removing circuit 4 makes a DC component, generated from a sunbeam etc., of an input current Ip generated by receiving light by the light receiving element 3 flow to the DC component removing circuit 4 and also makes only an AC component of high frequency generated by the light receiving element 3 by receiving the signal light flow to the feedback circuit 22.例文帳に追加
直流成分除去回路4の積分器41は、受光素子3で光を受けて生成された入力電流Ipのうち、太陽光等から生成される直流成分を直流成分除去回路4に流し、信号光を受けて受光素子3から生成される高周波の交流成分のみを帰還回路22に流す。 - 特許庁
The current mode control DC-DC converter 1 of the invention inhibits a RS-FF 21 from being set for a predetermined time by using an inhibition means comprising a delay circuit 14 and a D-FF 13, and prevents the switching element M30 from being erroneously switched by the jitter generated when switching to turn on and off the switching element M30.例文帳に追加
発明の電流モード制御方式のDC−DCコンバータ1は、遅延回路14とD−FF13により構成される阻止手段により、所定時間、RS−FF21がセットされるのを阻止し、スイッチング素子M30のオン・オフの切換え時に発生するジッタによりスイッチング素子M30が誤ってスイッチングされるのを防止するものである。 - 特許庁
When no input is applied to an input circuit 15, not only a gate drive circuit 23 to apply ON / OFF switching to the drive switching element 12 is deactivated to bring the drive switching element 12 into an OFF state but also the input circuit 15 brings each of the current interruption switching elements 33, 34 into an OFF state to interrupt the dark currents.例文帳に追加
入力回路15に対する入力がオフ状態のときには、駆動スイッチング素子12をオンオフ切り換えするためのゲート駆動回路23がオフ状態となって駆動スイッチング素子12がオフ状態になるだけでなく、入力回路15から各電流遮断用スイッチング素子33,34をオフ状態にして暗電流を遮断する。 - 特許庁
The end part of secondary coil winding 146 of a transformer is connected directly to a rectification element chip 138 by a connection line 140, and at the same time the end part of an inductor coil 130 is directly connected to a rectifying element chip 138 via a soldering part 136, thus reducing the number of soldering parts and hence reducing unneeded power consumption when a current is supplied.例文帳に追加
変圧器の二次巻線146の端部を接続線140により整流素子チップ138に直接接続すると共に、インダクタコイル130の端部を半田部136を介して整流素子チップ138に直接接続し、半田部の数を削減して、電流が供給された時に不要な電力消費を減少させる。 - 特許庁
An electronic load section 2 is provided which is operated as a constant voltage load, thereby realizing load characteristics approximate to an LED in which a load current rises with a desired setting voltage Vset without being affected by a temperature or element characteristic variation.例文帳に追加
定電圧負荷として動作する電子負荷部2を設けることによって、温度や素子の特性ばらつきなどの影響を受けることなく、所望の設定電圧Vsetで負荷電流が立ち上がるLEDに近似した負荷特性を実現できる。 - 特許庁
To improve current collection performance of a fuel cell power generation unit made up by housing a cell as a power generating element in a case, make high power generating efficiency to be exhibited for a long period of time, and to provide a fuel cell stack constituted of such units.例文帳に追加
ケース内に発電要素としてのセルを収納して成る燃料電池発電ユニットの集電性能を向上させ、高い発電効率を長期に亘って発揮させると共に、このようなユニットから成る燃料電池スタックを提供する。 - 特許庁
A controller 7 controls ON-OFF of the first to fourth semiconductor switching elements 3 to 6, and a failure of the return current circuit is detected based on a first monitor voltage which has a potential of a connection point 13 between the first semiconductor switching element 3 and the motor 2.例文帳に追加
そして、制御部7にて、第1〜第4半導体スイッチング素子3〜6のオンオフを制御し、第1半導体スイッチング素子3とモータ2との接続点13の電位となる第1モニタ電圧に基づいて還流回路の異常検出を行う。 - 特許庁
The sensor part 920 of this pressure sensor 100 has portions 930, 940 arranged on the position adjacent to pressure receivers 104a, 108 in a housing 102 and including a piezoresistive element, an earthed electrode 960, and a current inflow electrode 962.例文帳に追加
圧力センサ100のセンサ部920は、ハウジング102内であって受圧部104a、108と隣合う位置に配置され、ピエゾ抵抗素子を含む部位930、940と、接地電極960と、電流流入電極962を有する。 - 特許庁
To reduce drive current, to prevent reduction of a service life time of an element to allow lighting operation, and to allow far projection without reducing light quantity, when performing light projeection operation by use of a plurality of semiconductor light-emitting elements.例文帳に追加
複数個の半導体発光素子を用いて投光動作を行なう場合に、駆動電流を少なく、且つ素子の寿命を短縮しないようにして点灯動作させると共に、遠くまで光量を低下させずに投光できるようにする。 - 特許庁
The injection current has an amplitude, so that the optical gain process and the optical absorption process in the semiconductor laser element(SLE(i)) overweight one another longer than the holding time, so as to maintain a digital optical signal to have a prescribed digital level for the holding time.例文帳に追加
注入電流は、デジタル光信号を、保持時間の間、所定デジタルレベルに維持するために、半導体レーザエレメント(SLE(i))内の光利得プロセスおよび光吸収プロセスが、保持時間よりも長く互いに勝るような振幅を有する。 - 特許庁
Since a prescribed capacitance is secured between a current detecting element of the extra-high-tension detector 102 and the conductive sheet 12, the operation check of the extra-high-tension detector 102 can be performed even if the sine-wave voltage is lowered.例文帳に追加
特別高圧用検電器102の電流検知素子と導電性シート12との間に所定の静電容量が確保されることにより、正弦波電圧の電圧を低くしても、特別高圧用検電器102の動作チェックをすることができる。 - 特許庁
Furthermore, a power factor improving circuit having switching diodes D1, D2, an inductor L10, a switching element Q2 and a clamp capacitor C3 for regenerating the switching output current obtained in the primary winding N1 of the power isolation transformer PIT as power is provided.例文帳に追加
また、絶縁コンバータトランスPITの一次巻線N1に得られるスイッチング出力電流を電力として回生するためのスイッチングダイオードD1、スイッチングダイオードD2、インダクタL10、スイッチング素子Q2及びクランプ用コンデンサC3を有する力率改善回路を備える。 - 特許庁
This causes the discharge current generated in the piezoelectric element owing to the pyroelectric effect in a process of the flow soldering using the solder jet flow to flow on a discharge channel formed by the piezoelectric, the land, the reference potential pattern, and the solder jet flow.例文帳に追加
これにより、半田噴流を用いる半田付け工程において焦電効果によって圧電素子に発生する放電電流を、圧電素子と、ランドと、基準電位パターンと、半田噴流とによって形成される放電経路に通電させる。 - 特許庁
To provide an organic EL element exhibiting good emission luminance in which voltage rise and dark spot are suppressed when it is driven with a constant current and high stability over time is ensured under high temperature and high humidity, and to provide a display and an illuminator employing it.例文帳に追加
良好な発光輝度を示し、定電流駆動したときの電圧上昇、ダークスポットが少なく、さらに高温、高湿下での経時安定性が高い有機EL素子、及びそれを用いた表示装置、照明装置を提供することである。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic EL element wherein an organic EL layer and/or the contact surface of a cathode and a charge transport layer do not serve as passages for a leakage current, when insulating layers are disposed between organic EL layers.例文帳に追加
本発明の目的は、有機EL層間に絶縁層を配置した場合において、有機EL層、および/または、陰極と電荷輸送層との接触面がリーク電流の経路とならない、有機EL素子の製造方法を提供することである。 - 特許庁
To provide a magneto-resistance effect element, a magneto-resistance effect head, a magneto-resistance conversion system, and a magnetic recording system capable of preventing a sense current from flowing into a longitudinal bias layer, the noise in reproduced waveforms of which is small, and the (S/N) ratio and the bit error rate of which are excellent.例文帳に追加
センス電流が縦バイアス層に流れることを防止し、再生波形のノイズが少なく、(S/N)比及びビットエラーレートが良好な磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気抵抗変換システム及び磁気記録システムを提供する。 - 特許庁
To reduce deterioration of the change over time of a switching element such as a thin film transistor in a current driving type emissive display apparatus such as an organic EL display apparatus provided with thin film transistors, and also to improve a light emission efficiency to reduce power consumption.例文帳に追加
薄膜トランジスタを備えた有機EL表示装置等の電流駆動型発光表示装置において、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子の経時劣化を低減するのと同時に、発光効率を向上し、消費電力を低減する。 - 特許庁
Moreover, in case that the voltage of the capacitor 70 is lower by a specified value than the voltage VD of the power source 60, it determines that a forward current is flowing to the diode Dp on the high potential side, and switches off the switching element Swp on the high potential side.例文帳に追加
また、コンデンサ70の電圧が電源60の電圧VDよりも所定以上低い場合に、高電位側ダイオードDpに順方向電流が流れていると判断し、高電位側スイッチング素子Swpをオフ状態とする。 - 特許庁
When the control terminal is set at high potential, the switching element 30 turns to an on-state, a connection point of a fuse with the relay 10 is forcefully dropped to a grounding potential, and a current exceeding an allowed value flows in the fuse 70 to have it blown out.例文帳に追加
制御端子が高電位になると、スイッチング素子30はオン状態となり、ヒューズ70とリレー10の接続点が強制的に接地電位に落とされ、ヒューズ70に許容値以上の電流が流れてヒューズ70が溶断される。 - 特許庁
To provide a test circuit of a light receiving amplifier circuit for inspecting as well a resistance value of wiring connecting an output part of light receiving element and an input part of a current-voltage conversion circuit and reducing a chip cost; and an optical pickup device using the same.例文帳に追加
受光素子の出力部と電流電圧変換回路の入力部とを接続する配線の抵抗値も検査でき、チップコストを低くすることが可能な受光増幅回路のテスト回路、及びこれを用いた光ピックアップ装置を提供する。 - 特許庁
Then p-type InAsP current blocking layers 2 are formed to fill up the recessed sections of the diffraction grating surface by introducing the substrate 1 into an atmosphere containing a gas containing an element that becomes a p-type impurity, and raising the temperature of the substrate 1 up to 600°C.例文帳に追加
次に、基板を、p型の不純物となる元素を含む気体を含む雰囲気中に導入して600℃まで昇温することにより、p型InAsPからなる,回折格子面を埋めるp型電流阻止層2を形成する。 - 特許庁
To provide a discharge lamp lighting device which can adopt a Zener diode with wide range of dispersion used for bypassing a gate current of a switching element during a preheat timer period, capable of surely continue an oscillation despite the fluctuation of circumferential temperature.例文帳に追加
予熱タイマ期間に、スイッチング素子のゲート電流のバイパスに用いられるツェナ−ダイオ−ドにバラツキ範囲の大きい部品を採用でき、かつ、周囲温度の変動に対しても確実に発振が継続できる放電灯点灯装置を提供する。 - 特許庁
To provide an automatic switch securely controlling an inputting operation by protecting an element of a control circuit with a filter circuit and inputting a movable contact into a fixed contact through supply of sufficient current into an input coil at the inputting operation.例文帳に追加
フィルタ回路により制御回路の素子を保護すると共に、投入動作時に投入コイルに十分な電流を供給して可動接触子を固定接触子に投入させ、確実に投入動作を制御する自動開閉器を提供する。 - 特許庁
Further, the vapor is efficiently moved from the membrane 28 to a Peltier element 58 by the circulating current generated by the fan 66, and the cooled, condensed and recovered liq. is dropped into a pan 54, collected by a recovery tank 64 and reutilized.例文帳に追加
また、循環ファン66が発生させる循環流により、蒸気が多孔質膜28からぺルチェ素子58へ効率よく移動し、冷却凝縮された回収液が受け皿54に落ち、回収タンク64で集水され、再利用される。 - 特許庁
To provide a switching power supply circuit in which a switching element and an inductive load can be protected against deterioration and breakdown, by preventing generation of a power supply in-rush current, when control of power supply starting process is switched in a self-bias switching power supply.例文帳に追加
自己バイアス方式のスイッチング電源において、電源起動過程の制御切り換え時に電源突入電流の発生を防止して、スイッチング素子や誘導性負荷の劣化・破壊からの保護が可能なスイッチング電源回路の提供を行う。 - 特許庁
A noninverting input terminal of the comparator 25 is connected to a connection node of the current source 21 and the capacitor 22, the reference voltage Vref is applied to an inverting input terminal of the comparator 25, and an output signal of the comparator 25 is supplied to the switching element.例文帳に追加
比較器25の非反転入力端子は電流源21とキャパシタ22の接続ノードが接続され、比較器25の反転入力端子には基準電圧Vrefが印加され、比較器25の出力信号がスイッチング素子に供給される。 - 特許庁
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