「current element」に関連した英語例文の一覧と使い方(71ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, a control unit 13 for controlling the power supply device turns on/off the switching element 3c, based on the compared result between the detected input current detected by an input current detection part 10 and the current command value of a modeling waveform reduced in the harmonic component of a prescribed order from a current waveform of the first half-part section in the half cycle of an AC power source.例文帳に追加

このとき、当該電源装置を制御する制御部１３は、交流電源半周期のうち前半部分の区間、入力電流検出部１０による検出入力電流と、電流波形から所定次数の高調波成分を減少させたモデリング波形の電流指令値との比較結果によりそのスイッチング素子３ｃをオン、オフする。 - 特許庁

The write circuit is configured in order that drive voltage is superimposed to let write current cause overshoot and applied to a head if a write head is driven by the voltage and current is reversed, and protection element is arranged in order to protect a switch MOSFET for current switching from high voltage to be applied to the write head in case of current reversal.例文帳に追加

書込みヘッドを電圧で駆動して電流反転時に書込み電流がオーバーシュートを起すよう駆動電圧を重畳してヘッドに印加するように書込み回路を構成するとともに、電流反転時に書込みヘッドに印加される高電圧から電流切替え用のスイッチＭＯＳＦＥＴを保護する保護素子を設けるようにした。 - 特許庁

When applying a predetermined bias Vf to the base layer 3c of the flexible member 3, a current which passes through the insulating layer 1c of the heating element 1 from the base layer and flows in the heat generation layer 1b is detected by a current detecting member Si, and the shaving degree of the insulating layer is determined based on the current value detected by the current detecting member.例文帳に追加

所定のバイアスＶｆを可撓性部材３の基層３ｃに印加したときに前記基層から加熱体１の絶縁層１ｃを通って発熱層１ｂに流れる電流を電流検出部材Ｓｉで検出し、前記電流検出部材で検出した電流値に基づいて前記絶縁層の削れ具合を判断することを特徴とする。 - 特許庁

DCC circuits DC1-DCj charge a capacitor Cs1 with a reference current Istd by a signal from a shift register 42, stores the current value and outputs the current of the stored current value to data lines S1-Sj via a switching element SW3 conducted by a digital image data signal (H) of a single line outputted from a line latch 44.例文帳に追加

ＤＣＣ回路ＤＣ１〜ＤＣｊは、シフトレジスタ４２からの信号により基準電流ＩｓｔｄでコンデンサＣｓ１を充電して、その電流値を記憶し、ラインラッチ４４から出力される１行分のデジタル画像データ信号（Ｈ）により導通したスイッチング素子ＳＷ３を介して記憶した電流値の電流をデータラインＳ１〜Ｓｊに出力する。 - 特許庁

The laminated structure 120 includes the element separating groove 117 formed outside the current shutoff part for the current injection part and penetrating the p-type electron barrier layer, and a current block groove 116 formed between the electron injection part and current shutoff part, and the bottom face of groove is positioned above the lower face of the p-type electron barrier layer.例文帳に追加

積層構造体１２０は、電流注入部に対して電流遮断部の外側に形成され且つｐ型電子障壁層を貫通する素子分離溝１１７と、電流注入部と電流遮断部との間に形成され且つその底面がｐ型電子障壁層の下面よりも上側に位置する電流ブロック溝１１６とを有している。 - 特許庁

To provide a pulse width modulated type power converter where it is possible to detect a phase current at all times even in a constitution of detecting the phase current of load from the current flowing to a switching element and higher accurate closed loop control is possible by sharply enhancing accuracy in detection of each phase of a current flowing to three-phase load.例文帳に追加

スイッチング素子に流れる電流から負荷相電流を検出する構成においても常に相電流を検出することが可能であり、三相負荷に流れる各相電流検出の精度を大幅に向上させて、より高精度な閉ループ制御が可能なパルス幅変調型電力変換装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a controller for a semiconductor switch that can minimize power loss and a temperature rise of a semiconductor element by quickening breaking of a circuit in case of short circuit current generation by making the decision time before the generation of a short circuit current is detected as short as possible while improving precision of discrimination between the short circuit current and a rush current.例文帳に追加

短絡電流と突入電流の識別精度を高めると同時に、短絡電流の発生を検出するまでの判定時間をできるだけ短くすることにより、短絡電流発生時における回路の遮断を早め、半導体素子の電力損失及び温度上昇を最小限とすることのできる半導体スイッチの制御装置を提供する。 - 特許庁

Moreover, this converter supplies the element on the side where an AC current flows with a gate signal, waiting for a dead time, when the current code detecting circuit detects the change of positive and negative polarity of the AC current, and further this gives it a dead time for only a required time only in the case where the dead time is required, and the current code detecting circuit has hysteresis.例文帳に追加

また、電流符号検出回路が交流電流の正負極性変化を検出したとき、交流電流の流れる側の素子にデッドタイム分だけ待ってゲート信号を供給すること、さらにデッドタイムが必要な場合のみに必要な時間だけデッドタイムをもたせること、電流符号検出回路がヒステリシスを持つことも含む。 - 特許庁

The photoelectric conversion signal processing circuit has a current voltage converting unit for converting a signal current to be input from a photoelectric conversion element to a voltage, and a band control unit for reducing a frequency band (cut-off frequency) of a voltage to be output from the current voltage converting unit in response to a voltage converted by the current voltage converting unit when the signal current is reduced.例文帳に追加

光電変換素子から入力された信号電流を電圧に変換する電流電圧変換部と、信号電流が減少すると前記電流電圧変換部により変換された電圧に応じて電流電圧変換部の出力する電圧の周波数帯域（カットオフ周波数）を減少させる帯域制御部と、を有することを特徴とする光電変換信号処理回路。 - 特許庁

The spin current circuit includes a first spin injection element SIE which generates a spin current, a nonmagnetic channel layer 5A where the spin current generated by the first spin injection element SIE flows, a plurality of magnetization free layers 4, 6 provided at different positions on the channel layer 5A, and tunnel barriers 19B, 19C interposed between the channel layer 5A and the respective magnetization free layers 4, 6.例文帳に追加

スピン流回路は、スピン流を発生する第1スピン注入素子ＳＩＥと、第1スピン注入素子ＳＩＥにおいて発生したスピン流が流れる非磁性のチャンネル層５Ａと、チャンネル層５Ａ上の異なる位置に設けられた複数の磁化自由層４，６と、チャンネル層５Ａとそれぞれの磁化自由層４，６との間に介在するトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃとを備えている。 - 特許庁

In the vibration welder for vibratorily welding a work piece 31 installed on a movable element 14 and a work piece 32 to be pressure-welded to the work piece 31 by alternately vibrating the movable element 14 by attraction with a pair of electromagnets 11 and 21, a current command forming circuit 2 forms a current command signal Iref of steady-state current from amplitude command signal Aref.例文帳に追加

可動子１４を一対の電磁石１１、２１により交互に吸引して振動させることにより、可動子１４に装着されたワーク３１と、このワーク３１に圧接されたワーク３２とを振動溶着する振動溶着機において、電流指令生成回路２は振幅指令信号Ａｒｅｆを基に定常電流の電流指令信号Ｉｒｅｆ生成する。 - 特許庁

When current is passed through the semiconductor device 10 by the power supply 20 in a state where the switching element 24 connects between the power supply 20 and the semiconductor device 10 and the switching part 70 turns on the semiconductor device 10, the control part 50 sets, to a first value, a saturation current that can be passed through the switching element 24 if breakdown by current occurs in the semiconductor device 10.例文帳に追加

スイッチング素子２４が電源２０と半導体素子１０との間を接続し、且つ切替部７０が半導体素子１０をオンさせる状態で、電源２０によって半導体素子１０に電流が流れる時、制御部５０は、半導体素子１０が仮に電流破壊した時のスイッチング素子２４に流れ得る飽和電流を第１の値に設定する。 - 特許庁

Even if optical input to a photodiode 12 increases and the photocurrent increases, a photoelectric current is compensated for by a current control element 23 controlled by a differential amplifier 24, and a shift to a cutoff state is avoided also in the amplification element 1 of the initial stage of a negative feedback amplifier 11, thus obtaining photoelectric current/voltage conversion operation, corresponding to the optical input of intensity.例文帳に追加

フォトダイオード１２への光入力が増加し、光電流が増大しても、差動増幅器２４により制御された電流制御素子２３により、光電流が補償され、負帰還増幅器１１初段の増幅素子１もカットオフ状態への移行が阻止されることにより、強度の光入力に対応した光電流・電圧変換動作が得られる。 - 特許庁

The driving circuit 3 sets off a semiconductor element when a cutoff circuit constituting the semiconductor device 4 with the overheat protection function cuts off input of the semiconductor element, changes the driving voltage to specified voltage so that the driving electric current exceeds the threshold value electric current and holds the driving voltage at the specified voltage while the detection signal is output from the electric current detection circuit 2.例文帳に追加

駆動回路３は、過熱保護機能付き半導体装置４を構成する遮断回路が半導体素子の入力を遮断した場合には、半導体素子をオフするとともに、駆動電流がしきい値電流を超えるように、駆動電圧を所定の電圧に変化させ、電流検知回路２から検知信号が出力されている間は、駆動電圧を所定の電圧に保持する。 - 特許庁

An excitation current of a suction side electromagnet for driving a valve element is supplied, after the valve element operation is started, for a period and at a magnitude enough for a mover leading to the electromagnet, thereafter supply of the excitation current is decreased or stopped immediately prior to the mover collides against the electromagnet, and supply of the exciting current for holding the mover is re-started after the lapse of prescribed time.例文帳に追加

前記弁体の作動開始後に、弁体の駆動のための吸引側電磁石の励磁電流を、可動子が電磁石に到達するに足るだけの期間と大きさで供給し、その後可動子が電磁石に衝突する直前で励磁電流の供給を減少もしくは停止し、可動子の保持のための励磁電流を所定の時間経過後に再度供給開始する。 - 特許庁

The current measuring device utilizing the resistor comprises a first resistance element, first electrodes disposed at opposite ends of the first resistance element, an insulator arranged around the first resistance element, a second resistance element arranged around the insulator, and second electrodes disposed at opposite ends of the second resistance element.例文帳に追加

上記課題は、第１の抵抗体と、前記第１の抵抗体の両端に設けられた第１の電極と、前記第１の抵抗体の周囲に配設された絶縁体と、前記絶縁体の周囲に配設された第２の抵抗体と、前記第２の抵抗体の両端に設けられた第２の電極とを備えたことを特徴とする抵抗器を利用した電流測定装置により解決される。 - 特許庁

When a material constituting the fuse element 3 melts down by the current required for meltdown, because a reaction material 4 pasted to the fuse element 3 chemically reacts with the material rapidly at a temperature in the vicinity of melting point of the material constituting the fuse element 3 and bursts and blows off the fuse element 3, the meltdown time of the fuse element 3 can be made shorter.例文帳に追加

ヒューズエレメント３を構成する材料が溶断が必要な電流によって溶断しようとする際、ヒューズエレメント３に貼付された反応物質４が、ヒューズエレメント３を構成する材料の融点付近の温度で該材料と急激に化学反応し、爆発してヒューズエレメント３を吹き飛ばすので、ヒューズエレメント３の溶断時間をより短くすることができる。 - 特許庁

In a flux gate sensor comprising a thin film magnetic element 1 and a detection coil disposed around or neighboring the thin film magnetic element, and a wiring 2 for supplying current to the thin film magnetic element 1 in a predetermined direction, uniaxial magnetic anisotropy is induced to the thin film magnetic element 1 in a direction oblique to a direction perpendicular to an electrifying direction I of the element.例文帳に追加

薄膜磁性体素子１と、薄膜磁性体素子の周囲または近傍に配された検出コイルと、薄膜磁性体素子１に対して所定の方向に通電するための配線２とを備えるフラックスゲートセンサにおいて、薄膜磁性体素子１は、一軸磁気異方性が、素子の通電方向Ｉに対し直角方向から傾斜した方向に付与されている。 - 特許庁

A DC current is passed to a write coil of the GMR head 1 after the completion of an HGA (HEAD GIMBAL ASSMEBLY) and the element section is projected by thermal deformation to float the HGA on a rotating laser bump disk 2 to cause the local collision of only the element section.例文帳に追加

HGA（HEAD GIMBAL ASSEMBLY）完成後におけるGMRヘッド１のライトコイルにDC電流を通電し、素子部を熱変形により突き出させ、回転するレーザバンプディスク２上にHGAを浮上させて素子部だけを局所的に衝突させる。 - 特許庁

A computation circuit 4 is provided further to find a current in the bus bar 2, based on a magnetic field obtained by subtracting the magnetic field detected by the Hall element 3a from the magnetic field detected by the Hall element 3b.例文帳に追加

更に、ホール素子３ａにより検出される磁界とホール素子３ｂにより検出される磁界を減算して得られる磁界に基づいて、バスバー２に流れる電流を求める演算回路４を設ける構成とした。 - 特許庁

The optical element is configured so that the voltage of the voltage source is adjusted to change the optical electron current generated in irradiating the surface of the optical element with light.例文帳に追加

前記光学素子は、前記光学素子の前記表面に光が照射される際に生じる光電子電流を変化させるように、前記電圧源の電圧を調整することができるように構成されたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a discharge lamp lighting device which can be turned off without damaging a switching element after surely distinguishing sudden brief noise from abnormality for long time because of its capability of controlling large current passing into a switching element.例文帳に追加

スイッチング素子に流れる大電流を抑制できるため、突発的な短時間のノイズか長時間にわたる異常かを確実に見分けた上でスイッチング素子を破損させることなくオフできる放電灯点灯装置を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element capable of showing an intended luminescent color regardless of current density, even when an energizing treatment to impress a prescribed voltage is applied after forming the organic EL element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子形成後に所定の電圧を印加する通電処理を行う場合であっても、電流密度にかかわらず目的とする発光色を示すことが可能な有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect storage element in which the coercive force is prevented from increasing due to uneven structure by eliminating unevenness in the structure of a ferromagnetic material layer and the writing current to the storage element is reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子において、強磁性体層の構造不均一性を解消することで、構造の不均一に起因する保持力の増大を防ぎ、その記憶素子への書き込み電流を減少させる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser element, by which an etching removal of unnecessary current inhibition layer formed on a ridge stripe can be easily and certainly carried out and the semiconductor laser element can be designed with a degree of freedom.例文帳に追加

リッジストライプ上に形成された不要な電流阻止層を容易且つ確実にエッチング除去できて、半導体レーザ素子の設計上の自由度がある半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the capacitor of the current amplifier simulates the gate capacitance of the semiconductor element when viewing from the gate driver, an intended gate charge/discharge characteristic is provided independently of a state of the semiconductor element.例文帳に追加

これによって、ゲートドライバ側より見ると電流アンプのコンデンサが半導体素子のゲート容量を模擬するため、半導体素子の状態のいかんに係わらず意図するゲート電荷充放電特性を持たせる事が出来る。 - 特許庁

A charging path from an external power source 1 to a secondary battery 2 includes the charging control element 4 composed of a MOSFET controlled by a charging control circuit 7, and a reverse current prevention element 5 composed of the MOSFET.例文帳に追加

外部電源１から２次電池２への充電経路に、充電制御回路７によって制御されるＭＯＳＦＥＴからなる充電制御素子４とＭＯＳＦＥＴからなる逆流防止素子５とを有する。 - 特許庁

To provide a switching step-up power supply circuit capable of protecting a switching element from inrush current without using a large capacity switching element and of performing a proper start of switching control and its stable control.例文帳に追加

大容量のスイッチング素子を用いることなく、スイッチング素子を突入電流から保護することができ、且つ、スイッチング制御の適切な開始及び安定した制御を可能とするスイッチング昇圧電源回路を提供する。 - 特許庁

To obtain a drive circuit which has a protection means capable of protecting an output drive element by preventing the voltage rise of the drive input circuit of the output drive element even when a surge current of an inductance load is large.例文帳に追加

インダクタンス負荷のサージ電流が大きいときでも出力駆動素子の駆動入力回路の電圧上昇を防いで、出力駆動素子を保護できる保護手段を有する駆動回路の実現を課題とする。 - 特許庁

A luminescent and wide-gap bipolar semiconductor control element, radiating light with intensity proportional to the energized current, is used for the switching element of an inverter generating high-frequency power to detect the radiated light.例文帳に追加

高周波電力を発生するインバータのスイッチング素子に、通電電流に比例する強さの光を放射する発光性のワイドギャップバイポーラ半導体制御素子を用い、その放射光を受光素子で検出する。 - 特許庁

When the ripple voltage detection circuit 15 detects that the ripple voltage is the predetermined value or more, current supply (voltage supply) to the main switching element Q1 is interrupted by opening the switching element SW1.例文帳に追加

そして、リップル電圧が所定値以上となったことをリップル電圧検知回路１５が検知したときに、スイッチ素子ＳＷ１を開くことで主スイッチング素子Ｑ１への電流供給（電圧供給）を遮断する。 - 特許庁

Thus, the drain-source on resistance is decreased, thereby a current increasing effect is obtained, and area of the element separation film is effectively reduced by using an existing element separation film, resulting in reduction of the chip area.例文帳に追加

これにより、ドレーン・ソースオン抵抗減少で電流増加効果を得ることができ、既存の素子分離膜を適用することより素子分離膜の面積を効果的に狭めることができてチップ面積を狭められる。 - 特許庁

To provide a method of correctly determining an element cell which restricts characteristics, such as, for example, current, etc. under spectral conditions as a target in a multi-junction solar cell configured by a plurality of the element cells.例文帳に追加

複数の要素セルから構成される多接合太陽電池において、目的とするスペクトル条件下で例えば電流などの特性を制限する要素セルを正確に判定する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a light emitting element driving circuit improving control accuracy of a light emitting pulse width of a light emitting element based on a data signal, allowing a low voltage, and preventing an overshoot and an undershoot of an output current.例文帳に追加

データ信号に基づく発光素子の発光パルス幅の制御精度を向上させると共に、低電圧化を可能とし、出力電流のオーバーシュート及びアンダーシュートを抑制する発光素子駆動回路を提供する。 - 特許庁

In the on-off control of a switching element Q1 for power adjustment, a voltage Vds is applied to the switching element Q1 during an off-period of the same Q1, and a current flowing in an inductor L1 is gradually decreased.例文帳に追加

電力調整用スイッチング素子Ｑ１のオンオフ制御において、スイッチング素子Ｑ１のオフ期間中、スイッチング素子Ｑ１には電圧Ｖｄｓが印加され、かつ、インダクタＬ１を流れる電流が除除に減少する。 - 特許庁

After charge charged to the capacitive element 3 is discharged by an off current of the transistor 2, temperature is detected on the basis of the amount of charge remaining in the capacitive element 3, or voltage based on the amount of charge.例文帳に追加

トランジスタ２のオフ電流によって容量素子３に充電された電荷が放電した後、容量素子３に残った電荷量あるいはその電荷量に基づく電圧に基づき、温度を検出する。 - 特許庁

The element 12 is screened by applying a first probe 54 against the metallic film 18c, applying a second probe 56 against the second wiring member 20, and supplying the element 12 with a current.例文帳に追加

金属膜１８ｃに第１のプローブ５４を当て、第２の配線部材２０に第２のプローブ５６を当てて半導体発光素子１２に電流を供給することによって、半導体発光素子１２のスクリーニングが行われる。 - 特許庁

To provide a light emitting element array by forming a driving circuit in a chip and separately driving a DC current for supplying power to light emitting elements and a drive signal for specifying light emission/non-emission of each light emitting element.例文帳に追加

チップ内に駆動回路を設け、発光素子に電力を供給する直流電流と、発光素子の発光／非発光を指定する駆動信号とを分離して動作させるようにした発光素子アレイを提供する。 - 特許庁

When the internal resistance of the sensor element 10 is detected, an AC-like change is given to the applied voltage to the sensor element 10, and the amount of change ΔIout in an impedance current signal accompanying it is measured.例文帳に追加

また、センサ素子１０の内部抵抗検出時には、当該センサ素子１０への印加電圧に交流的な変化が付与されそれに伴うインピーダンス電流信号の変化量ΔＩｏｕｔが計測される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL element capable of manufacturing an organic EL element which is unlikely to cause a leak current and short-circuit and is suited for illumination by laser processing without using an expensive photolithography.例文帳に追加

リーク電流や短絡を生じにくい照明用に適した有機ＥＬ素子を、高価なフォトリソグラフィを使用することなく、レーザ加工により製造する有機ＥＬ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In order to supply a power-supply voltage or current to a resistor element 14, a plurality of electric contacts is attached to the opening of a shell so that the contacts may closely face each other along the element 14.例文帳に追加

前記抵抗素子１４に電源電圧または電源電流を供給するために、複数の電気接点が前記シェルの開口に近くで前記抵抗素子１４に沿って互いに対向するように取り付けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a rear irradiation type imaging element which can stabilize gettering capability and prevent an increase in dark current, a rear irradiation type imaging element and an imaging apparatus employing the same.例文帳に追加

ゲッタリング能力を安定させかつ暗電流の増大を防ぐことのできる裏面照射型撮像素子の製造方法および裏面照射型撮像素子、並びにこれを備えた撮像装置を提供する。 - 特許庁

Thus, this pull-up transistor array can output a signal of high voltage and high current, an element isolation region is not required between the double diffusion transistors, and therefore an element can be integrated highly.例文帳に追加

これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。 - 特許庁

Therefore, in zapping, the island voltage V1 is increased for setting the pn junction formed in the resistive element TR to be in a high-potential backward bias state, the resistance of the resistive element TR is increased, and the loss of the zapping current is reduced.例文帳に追加

そこで、ザッピング時には、島電圧Ｖ１を増加して抵抗素子ＴＲに形成されるＰＮ接合を高電位の逆バイアス状態とし、抵抗素子ＴＲを高抵抗化して、ザッピング電流のロスを低減する。 - 特許庁

The first switching element transmits data currents from the data lines Y1 to Yn in response to first scan signal from the selection signal lines and a capacitor is charged with a voltage corresponding to a data current from the first switching element.例文帳に追加

第１スイッチング素子は選択信号線からの第１走査信号に応答してデータ線Ｙ１〜Ｙｎからのデータ電流を伝達し、キャパシターは第１スイッチング素子からのデータ電流に対応する電圧を充電する。 - 特許庁