「diffusion boundary layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

As a result, while a diffusion layer producing in the boundary with the over-clad layer 4 is prevented from forming in the core layer 3, the over-clad layer 4 is formed to manufacture the optical waveguide.例文帳に追加

これによって、コア層３における、オーバークラッド層４との界面に生じる拡散層の形成を防ぎながら、オーバークラッド層４を形成して光導波路を製造する。 - 特許庁

In the electrode structure composed of a polymer electrolyte membrane, and an anode and a cathode having a catalyst layer and a diffusion layer, ruthenium is dispersedly distributed on a boundary surface between an anode catalyst layer and the anode diffusion layer and/or on a boundary surface between the polymer electrolyte membrane and the anode catalyst layer.例文帳に追加

高分子電解質膜、触媒層および拡散層を有するアノードおよびカソードからなる固体高分子型燃料電池用電極構造体において、アノード触媒層とアノード拡散層との界面、または／および、高分子電解質膜とアノード触媒層との界面に、ルテニウムを分散配置する。 - 特許庁

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の水平方向には、ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層２１Ａとソース拡散層１７Ａ、シリサイド層２１Ｂとドレイン拡散層１７Ｂのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板１１の表面付近の濃度より大きくなる。 - 特許庁

To provide a producing method of a reaction layer raw material of a remarkably high performance gas diffusion electrode increased in three phase zone boundary surface.例文帳に追加

三相帯界面が増加した、著しく高性能のガス拡散電極の反応層原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the grain boundaries of the first platinum layer 81 are fed, while being difficult to continue to the grain boundary of the second platinum layer 82, a grain boundary diffusion is made hard to occur and reductant seeds are difficult to reach the oxide dielectrics film 7 via the grain boundary, even under hydrogen sintering with an aluminum wiring layer.例文帳に追加

第１白金層８１の粒界が少なく、また第２白金層８２の粒界とは連続しにくいので、粒界拡散が生じにくく、アルミ配線層１１の水素シンタを行っても還元種が粒界を介して酸化物誘電体膜７に到達しにくくなる。 - 特許庁

The second impurity diffusion layer 31A and the third impurity diffusion layer 21B are formed adjacently to each other with an element separation region 15 provided across a boundary between the first well and the second well, therebetween.例文帳に追加

第２不純物拡散層３１Ａと第３不純物拡散層２１Ｂとは、第１ウェルと第２ウェルとの境界上に跨って設けられた素子分離領域１５を挟んで隣接して形成されている。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

A boundary wall 65 is formed at a boundary part between the isotropic layer 63 and the anisotropic layer 64 to prevent diffusion of a monomer or radical from the respective areas to the adjacent other areas during formation of the phase difference layer 61.例文帳に追加

そして、等方層６３と異方層６４との境界部分には、位相差層６１を形成する際、それぞれの領域から隣接する他の領域にモノマーやラジカルの拡散が進行することを防ぐ境界壁６５が形成されている。 - 特許庁

To prevent the diffusion of gas from being hindered by a boundary layer formed on a gas passage in a unit cell and to sufficiently improve a gas utilization factor.例文帳に追加

単セル内ガス流路に形成される境界層によってガスの拡散が妨げられるのを防ぎ、ガス利用率を充分に向上させる。 - 特許庁

To efficiently manufacture a diffusion layer having high drainage performance at a boundary side with a separator of a porous substrate, capable of thinning a layer of the porous substrate and improving power generation performance.例文帳に追加

多孔質基材のセパレータとの境界側部分の高排水性及び多孔質基材の薄層化が可能で、発電性能を向上できる拡散層を効率よく製造する。 - 特許庁

In a negative limiting current oxygen sensor, a heater is arranged, while being alienated from a place on the heater surface of a diffusion layer for gas diffusion speed control at the boundary section between a portion where the lead takeout section of an electrode layer comes into contact with a solid electrolyte layer and a portion exposed to an atmosphere of the lead takeout section of a cathode layer.例文帳に追加

陰極層のリード取り出し部と固体電解質層とが接触している部分と陰極層のリード取り出し部の雰囲気中に露出している部分との境界部のガス拡散律速用拡散層のヒータ側面における箇所から離間してヒータが配されている限界電流式酸素センサ。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域３４の深さは、内周側の不純物拡散領域３４と非拡散領域との電流ブロック層３２内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁

The grain boundary diffusion in the sinter junction layer 14B is suppressed by covering the body part 14A including thorium with the sinter junction layer of the tungsten of the coarsened crystal grain that does not include thorium.例文帳に追加

トリウムを含有する本体部分１４Ａをトリウムを含まない粗大結晶粒のタングステンの焼結接合層で覆うことにより、焼結接合層１４Ｂにおける粒界拡散が抑制される。 - 特許庁

The surface of the n-type silicon well region 11 wherein the impurity diffusion regions 12, 13 are formed is covered with a layer insulation film 15, and a metallic wiring layer 21 extended to a boundary line of the n-type impurity diffusion region 13 is formed thereon and is electrically connected to the p-type impurity diffusion region 12.例文帳に追加

不純物拡散領域１２，１３が形成されたＮ型シリコンウエル領域１１の表面を層間絶縁膜１５で覆い、この上にＮ型不純物拡散領域１３の境界線まで広げたメタル配線層２１を形成し、これをＰ型不純物拡散領域１２に電気的に接続する。 - 特許庁

In the short pulse electrolysis, the lowering of the short pulse is completed (time t_E) after the startup of the short pulse P 1 (time t_S) and before the generation of a diffusion layer at a cathode boundary (t≤t_D).例文帳に追加

短パルス電解では、短パルスＰ１の立ち上げ後（時間ｔ_S）、陰極界面に拡散層が発生する前（ｔ≦ｔ_D）に、短パルスの立ち下げが完了する（時間ｔ_E）。 - 特許庁

A metal layer 11 is composed of the surface metal layer 110 containing at least Cr and Fe and composed essentially of Cr or Fe and a diffusion layer 111 composed of metal silicide formed at a boundary part with the honeycomb body 10.例文帳に追加

金属層１１は、少なくともＣｒとＦｅとを含有し、かつＣｒ又はＦｅを主成分とする表面金属層１１０と、ハニカム体１０との境界部に形成される金属シリサイドからなる拡散層１１１とからなる。 - 特許庁

The gate structure is a structure with a Pt-Ti-O region composed of amorphous titanium that oxygen is doped in the grain boundary 6 (including grain boundary near-field region 7) among platinum microcrystals 5 and a platinum-titanium diffusion layer.例文帳に追加

ゲート構造において、プラチナ微結晶５間の結晶粒界６（粒界近傍領域７を含む）に酸素をドープした非晶質のチタン、プラチナ−チタン拡散層からなるＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を形成した構造とする。 - 特許庁

A flow channel boundary part 52 is formed to the inside of a folded part of the oxidant gas flow channel 46 by notching a gas diffusion layer, and an insulating seal 54 for blocking leak of the reactive gas is formed to the flow channel boundary part 52.例文帳に追加

酸化剤ガス流路４６の折り返し部位内側には、流路境界部５２が、ガス拡散層を切り欠いて設けられるとともに、この流路境界部５２には、反応ガスの洩れを阻止するための絶縁性シール５４が配設される。 - 特許庁

The method also comprises the step of extracting the grain boundary fault from a potential and carrier density obtained from the capacity-voltage measurement, and a current-voltage measurement by using a depletion layer approximation at the boundary, drift diffusion equation and thermo-ionic emission equation.例文帳に追加

容量-電圧測定から得られたポテンシャルとキャリア密度、および、電流-電圧測定から、粒界での空乏層近似とドリフト拡散方程式とサーモアイオニックエミッション方程式を用いて、粒界欠陥を抽出する。 - 特許庁

Light entering in the normal direction of the light diffusion sheet 16 from the rear surface 172 of the first refraction layer 17 is refracted on the front surface 171 as a boundary surface between the first and second refraction layers.例文帳に追加

第１屈折層１７の裏面１７２から光拡散シート１６の法線方向に入射した光は、第１及び第２屈折層の境界面である表面１７１で屈折する。 - 特許庁

The boundary between the first and second ferromagnetic films 13 and 15 and another layer is a surface (111), and the diffusion of iron atoms or cobalt atoms or the like from the intermediate firm 14 is inhibited.例文帳に追加

第１および第２の強磁性膜１３，１５における他の層との界面は（１１１）面となっており、中間膜１４からの鉄原子やコバルト原子などの拡散が抑制される。 - 特許庁

To obtain a stable contact resistance as well as to realize a low junction leakage, without having to carry out compensatory ion implantation in a contact hole, inside which the boundary between a diffusion layer and an element isolation is exposed.例文帳に追加

拡散層と素子分離との境界が内部で露出するコンタクトホールにおいて、補償イオン注入を行わずに低接合リークを実現するとともに安定したコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

To provide a micro porous layer where void volume and air permeability can be optimized, drainability is favorably achieved, boundary joining strength with a catalyst layer is fully secured, the occurrence of crack is eliminated, and is superior in electrolyte membrane shrinkage suppression effect and flattening suppression effect, thus durability can be improved, and to provide a gas diffusion layer including the micro porous layer and a fuel battery cell including the gas diffusion layer.例文帳に追加

気孔率や透気度を最適化でき、もって排水性が良好となり、触媒層との界面接合強度も十分に保証され、さらにはひび割れの発生が解消されて、電解質膜収縮抑制効果やフラッティング抑制効果に優れ、耐久性の向上を図ることのできるマイクロポーラス層と、このマイクロポーラス層を具備するガス拡散層、およびこのガス拡散層を具備する燃料電池セルを提供する。 - 特許庁

The ferrite sintered body 12 is preferably composed of a multilayer structure wherein a plurality of ferrites having respectively different frequency characteristics of magnetic loss are laminated and integrated in such a state that a diffusion layer is formed in a boundary.例文帳に追加

なおフェライト焼結体は、磁気損失の周波数特性が異なる複数のフェライトが積層され境界に拡散層が形成された状態で一体化されている複層構造が好ましい。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

The laminated copper foil is manufactured through a step 1 for laminating a Ni plating layer and a Sn plating layer in this order at least on a part of the copper or copper alloy base material, a step 2 for forming the NiSn alloy layer on the boundary surface of the Ni plating layer and the Sn plating layer by a diffusion reaction, and a step 3 for removing the residual Sn plating layer.例文帳に追加

該積層銅箔は、銅又は銅合金箔基材上の少なくとも一部にＮｉめっき層及びＳｎめっき層をこの順に積層する工程１と、該Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層の界面に拡散反応によってＮｉＳｎ合金層を形成する工程２と、残留Ｓｎめっき層を除去する工程３とを行うことによって製造することができる。 - 特許庁

A fuel cell which comprises a fuel cell system comprises: an electrolyte membrane; a pair of electrodes; a porous gas diffusion layer; and a radical inhibitory substance disposed in at least one of the electrodes and/or in a region containing a boundary with the electrode on at lease one side of the gas diffusion region.例文帳に追加

燃料電池システムが備える燃料電池は、電解質膜と、一対の電極と、多孔質なガス拡散層と、少なくとも一方の電極内、および／または、少なくとも一方のガス拡散層における電極との境界を含む領域内に配置されたラジカル抑制物質と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

Then, a silicone oxide film 10 is formed on the bit line diffusion layer 9 and a rounding oxidation processing is executed to the boundary of the STI region of the peripheral circuit part and the logic circuit part and the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

次に、ビット線拡散層９上にシリコン酸化膜１０を形成するとともに周辺回路部および論理回路部のＳＴＩ領域と半導体基板表面との界面に丸め酸化処理を施す。 - 特許庁

The NiPRe alloy, which has excellent chemical resistance, keeps good non-magnetic state even when heated with high temperature, and can suppress element diffusion on a boundary surface to the magnetic layer, can be formed with plating, by setting a composition ratio of the NiPRe alloy used as the gap layer within a range surrounded by boundary lines A to E on a ternary diagram.例文帳に追加

ギャップ層として使用されるＮｉＰＲｅ合金の組成比を三元図上の境界線ＡないしＥで囲まれた範囲内にすることで、耐薬品性に優れるとともに、高い温度の加熱によっても良好に非磁性状態を保ち、さらに磁極層との界面での元素拡散を抑制することができるＮｉＰＲｅ合金をメッキ形成できる。 - 特許庁

A positive bevel structure where the cross section shape of the trench is formed to a downward sectorial trapezoid, and an angle θwhich the down groove wall direction of the trance makes against the boundary line of the p-base diffusion layer and the n-Si layer becomes under 90 degrees, is provided.例文帳に追加

トレンチの断面形状は、下方に向けて末広がりの台形に形成され、トレンチの下向き溝壁方向がｐ−ベース拡散層とｎ−Ｓｉ層との境界線に対して成す角度θは、９０°未満になっている正ベベル構造となっている。 - 特許庁

The diffusion layer 7 is located in a region defined by a straight line L extending from an intersection point of the boundary line B of the drift region 2 and a base region part 5A of the base region 5 with the side of a trench 15 to the bottom of the drift region 2 immediately beneath the base region part 5A of the base region 5 and the boundary line B.例文帳に追加

拡散層７は、ドリフト領域２およびベース領域５のベース領域部５Ａの境界線Ｂと溝１５の側面との交点から、ベース領域５のベース領域部５Ａの直下のドリフト領域２の底面に向かって延びる直線Ｌと、境界線Ｂとで区画される領域内に形成されている。 - 特許庁

The method is used for producing the metal glass formed body composed of: a metal glass; an insulation film composed of an inorganic oxide covering the metal glass; and a mutual diffusion layer present on the grain boundary between the metal glass and the insulation film.例文帳に追加

金属ガラスと、前記金属ガラスを覆う無機酸化物からなる絶縁皮膜と、前記金属ガラス及び前記絶縁皮膜の界面に存在する相互拡散層と、からなる金属ガラス成形体の製造方法である。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

A step part 40 is formed in a gas diffusion layer 26a composing the electrolyte membrane-electrode assembly 12 by cutting out in the thickness direction, corresponding to a boundary portion between a projection part 30a and a recessed part 30b of the first metallic separator 14.例文帳に追加

電解質膜・電極構造体１２を構成するガス拡散層２６ａには、第１金属セパレータ１４の凸部３０ａと凹部３０ｂとの境界部分に対応し厚さ方向に切り欠いて段差部４０が設けられる。 - 特許庁

At a position in the column direction of a boundary region of memory units arranged adjacent to each other in the column direction where the third and the fourth diffusion layers are disposed, there is secured a second metal wiring region along the column direction, allowing a second metal layer to be wired.例文帳に追加

列方向に隣接配置されるメモリユニットの境界領域でありは第３、第４拡散層が配置される列方向の位置には列方向に沿って第２のメタル配線領域が確保され、第２メタル層が配線可能とされる。 - 特許庁

Thus, the contact plug can be formed without using a diffusion layer contact pattern, and also, since the fringe of the contact plug substantially coincides with a boundary between the element isolation area and the active area, the active area can be reduced.例文帳に追加

これにより、拡散層コンタクトパターンを用いることなく、コンタクトプラグを形成できるとともに、コンタクトプラグの周縁が素子分離領域と活性領域の境界と実質的に一致することから、活性領域を縮小することが可能となる。 - 特許庁

The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.例文帳に追加

分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁

To provide a method for manufacturing a permanent magnet, with which method while eliminating surface layer of the permanent magnet with cracks or roughness, new cracks or roughness are not formed on a newly exposed surface, and metal grains with high coercive force are efficiently subjected to grain boundary diffusion in the permanent magnet.例文帳に追加

亀裂や凹凸を有する永久磁石表面層を排除しながら、新たに露出した表面に別途の亀裂や凹凸が形成されることがなく、しかも、保磁力性能の高い金属粒を効率的に永久磁石内に粒界拡散することのできる、永久磁石の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the boundary region of the memory cell region and the contact region, a dummy word line 12 extending in parallel with the word line 5, a second charge holding film 4b, a second diffusion layer bit line 2b and a second embedded insulating film 3b in contact with the dummy word line 12 and the side face of the second charge holding film 4b are provided.例文帳に追加

メモリセル領域とコンタクト領域の境界領域では、ワード線５と平行に延伸するダミーワード線１２と、第２の電荷保持膜４ｂと、第２の拡散層ビット線２ｂと、ダミーワード線１２及び第２の電荷保持膜４ｂの側面に接する第２の埋め込み絶縁膜３ｂとが備えられている。 - 特許庁

The method for plating the surface of a recessed space with a metal comprises immersing a workpiece 2 such as a printed wiring board having a recessed space in a plating liquid, and performing the plating while generating an MHD flow 4 by the Lorentz force and a micro-MHD flow 5 at the boundary area 3 of a diffusion layer by applying a magnetic filed 1 with an arbitrary intensity.例文帳に追加

凹部空間を有するべきプリント基板などの被めっき対象物２をめっき液中に浸漬させ、任意の強さの磁場１を印加し、ローレンツ力によりＭＨＤ流れ４と拡散層慮域３におけるマイクロＭＨＤ流れ５を生じさせてめっきを行う凹部空間内表面に金属をめっきする方法。 - 特許庁